808nm红外激光器
808nm千瓦级高效大功率半导体激光光源
第 ２期
光 学 精 密 工程
Ｏｐｔｃ ｎｄ Ｐｒ ｃｓｏ ｇｉ ｅ ｉ ｉｓ ａ ｅ ｉｉｎ Ｅｎ ｎｅ ｒｎｇ
Ｖ ０ｌ ９ ＮＯ． －ｌ ２
２１ ０ １年 ２月
Ｆｅ ．２ １ ｂ Ｏ１
文 章 编号
１ ０ — ２ Ｘ（ ０ １ ０ — ４ ２０ ０ ４ ９ ４ ２ １ ） ２０ ５ — ５
１ ｋ ｏ ｔ ｕ ｏ ｒＯ ｈ ｏ ａ ｌｎ 。ｏ ｕ ｅ ｐ ｔｏ Ｗ ｕ ｐ ｔｐ ｗｅ ｎ ｔ ｅｆ ｃ ｌｐａ ｅ ｆ ｃ ｓ ｄ ｓ ｏ ｆ１ｍｍ × １ｍｍ ｎ ｏ ｐｉｇ ｅｆｃｅ ｃ ｆ９ ％ ， ａ ｄ ｃ ｕ ｌ ｆｉｉｎ ｙｏ ０ ｎ
ｗｈ ｃ ａ ｉａ ｌ ａ ｉｆｅ ｈ ｅ ｓ ｏ ａ ｅ ｌ ｄ ｎｇ ａ ｌ ｉ ． ｉ ｈ ｂ ｓｃ ｌｙ ｓ ｔｓ ｉｓ ｔ ｅ ｎｅ ｄ ｆ ｌｓ ｒ ｃａ ｄｉ ｎｄ ｗｅｄ ｎｇ Ｋｅ ｒ ｓ ｉ ｈ ｐ ｗｅ ａ ｅ ； ｅ ｃ ｄｕ ｔ ａ ｅ ； ｅ ｍ ｈ ｐｉ ｙ ｗｏ ｄ ：ｈ ｇ ｏ ｒ ｌ ｓ ｒ ｓ ｍｉｏｎ ｃ ｏｒ ｎｄ ｂ ａ ａ ｌ ｗ ｘ ｓ ｔ ｒ ｇ ｅ ｅ ｃ ｅ ｓ ｔ ｍ ， ｎｄ ａｓ ｅ ｏ ｕ ｉ ｅ ｏ ｆ ｃ ｓ ｏ ｏ ｈ ｘ ａ ｅ ｍ ｔａ ｓ ｏ ａ ｉ ｈ ｏｕ ｈ ａ ｔ ｌ ｓ ｏｐ ｙｓ ｅ ａ ｌ ｏ ｕｓ ｓａ ｆ ｃ ｓｎｇ ｌ ｎｓｔ ｏ ｕ ｎ ｂ ｔ
ｔ ｅ ｓ ｏ ａ ｉ ｎ ｈ ａ ｔｏ ｔ ｔ ａ ｅ ｔｍ ｅ Ｅｘ ｅ ｉ ｅ ｔ ｈｏ ｔ ａ ｈ ｅ ｈｎ ｑ ａ ｃ ｉｖｅ ｔ ｅ ｈ ｌ ｗ ｘ ｓ ａ ｄ ｔ ｅ ｆ ｓ ｎｅ ａ ｈｅ ｓ ｍ ｉ ． ｐ ｒｍ ｎ ｓ ｓ ｗ ｈ ｔｔ ｅ ｔ ｃ ｉ ｕｅ ｃ ｎ ａ ｈ ｅ ｈ
常用激光器波长
常用激光器波长 Output Wavelengths of Common Lasers
半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的激光器，由于物质结构上的差异，不同种类产生激光的具体过程比较特殊。
常用工作物质有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。
激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。
808nm半导体激光器可广泛应用于激光医疗，红外夜视，激光印刷，激光泵浦，以及各种科研应用
通常808nm都是用作激光激励源的，比较好的Dilas,Nlight。
不过我推荐前者。
所谓的工业环境是啥？在工业环境下运作？？目前有用808nm 500瓦左右的激光做塑料焊接的，这是个很好的激光应用。
红外激光光源
红外激光光源苏美开（济南福来斯光电技术有限公司，flsoe@ ）1概述尽管低照度CCD 摄像技术和微光夜视技术现在已经取得巨大进步，但是在低照度环境下，所有的图像监视装置接收到的仍然只是高噪声、低分辨率的模糊图像。
原因是光线太弱。
采用半导体激光红外光源可以从根本上改进夜间、尤其是夜间远距离拍摄的效果。
半导体红外激光光源是专为红外夜视系统配置的、远距离红外照明光源；配合红外摄像机、黑白CCD 摄像机或微光夜视系统用于夜间及24小时的、全天候条件下的监视摄像，照明距离从几米到数公里。
2 光束整形激光束压缩透镜主要用于将激光光束发散角进行压缩,在一般距离上观察时为了在不同距离上都能正常观察目标,通常采用变倍镜头,即近距离将光束发散角变大,这样照明范围大,光强度变弱,成像部分不会因为光强度大而饱和,远距离让将光束发散角变小,这样照明范围小,光强度变强,成像部分不会因为远距离衰减,从而增大观察距离。
光斑整型的目的主要是为了将半导体激光器光斑整成圆型或方型。
我们知道，半导体激光器输出光斑是椭圆形，水平和垂直发散角一般为θ‖×θ⊥=8º×40º。
不可能用于直接照明观察，因此需要整成圆型或方型。
对于用于有监视器观察显示的通常整理成长方型。
CCD 光敏面为矩型,且其长宽之比为3:4，这样如果我们将激光光斑整形为此比例的矩行，则正好相互匹配，产生的视觉效果非常好。
如果其中一个方向上视场角正好为激光器水平发散角（如8º）。
可以将垂直方向发散角压缩为11º或6º。
设柱透镜焦距为f, LD 发光带尺寸为d ，则，由几何光学可知，LD 光束经透镜后发散角为f d=θ 则θdf =（1） 由（1）即可确定需要的最短焦距值。
由此可以得到需要的激光器最小有效孔径为 )2/tan(2⊥=θf D （2）LD LEN例如，808nm 2W 管子光带尺寸为0.001×0.2mm,θ=6×180π=0.1，代入（1）得f=2mm 。
红外808nm激光器
红外808nm激光器在照明领域中应用的最大优势在于激光具有极高的发光效率和发光强度，半导体激光的光电转换效率最高可达80%，大大的降低能耗，增加照明距离。
其中，红外808nm激光器可轻易实现100-1000米照明距离，满足风光供电监控项目对远距离监控的需要。
如在野外建立监控点，距离一般都比较远。
还在监控夜领域也逐渐被广泛的使用。
技术参数均可拨打零贰玖-陆捌伍捌壹柒零捌
输出波长：780nm 808nm 980nm
输出功率：780nm 5～150mw
808nm 100～5000mw
980nm 50～3000mw
工作电压：3~6V DC
工作电流：≤5500mA
光束发散度：0.5～50mrad
光学透镜：光学镀膜玻璃或塑胶透镜
尺寸：Φ10.8×25mm；Φ12×40mm；Φ16×55mm；Φ22×80mm；Φ26×100mm；
39×39×100mm；49×49×130mm（可定制）
工作温度：－10～40℃
储存温度：－40～85℃
激光等级：Ⅲb
yxl。
高可靠性无铝有源层808 nm半导体激光器泵浦源
第50卷第4期2021年4月人㊀工㊀晶㊀体㊀学㊀报JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS Vol.50㊀No.4April,2021高可靠性无铝有源层808nm 半导体激光器泵浦源刘㊀鹏1,2,3,朱㊀振2,陈㊀康2,王荣堃1,夏㊀伟2,3,徐现刚1,2(1.山东大学,新一代半导体材料研究院,晶体材料国家重点实验室,济南㊀250100;2.山东华光光电子股份有限公司,济南㊀250101;3.济南大学物理科学与技术学院,济南㊀250022)摘要:针对高功率808nm 激光器泵浦源的应用需求,设计并制备了InGaAsP /GaInP 材料体系的无铝有源区半导体激光器㊂使用双非对称的限制层及波导层结构,降低了P 侧材料的热阻及光吸收㊂优化了金属有机化学气相沉积(MOCVD)中As 和P 混合材料的生长条件,制备出界面陡峭的四元InGaAsP 单晶外延薄膜㊂制作的激光器室温测试阈值电流为1.5A,斜率效率为1.26W /A,10A 下的功率达到10.5W,功率转换效率为58%㊂连续电流测试最大功率为23W@24.5A,准连续电流测试最大功率为54W@50A,没有产生灾变性光学损伤(COD)㊂在15A 电流加速老化下,激光器工作4200h 未出现功率衰减及COD 现象,说明制备的无铝有源区808nm 激光器具有高可靠性的输出性能㊂关键词:无铝材料;高可靠性;InGaAsP;808nm;非对称;泵浦源;半导体激光器中图分类号:TN248.4㊀㊀文献标志码:A ㊀㊀文章编号:1000-985X (2021)04-0757-05High Reliable Al-Free 808nm Semiconductor Laser Diode Pump SourceLIU Peng 1,2,3,ZHU Zhen 2,CHEN Kang 2,WANG Rongkun 1,XIA Wei 2,3,XU Xiangang 1,2(1.Institute of Novel Semiconductors,State Key Laboratory of Crystal Material,Shandong University,Jinan 250100,China;2.Shandong Huaguang Optoelectronics Co.,Ltd.,Jinan 250101,China;3.School of Physics and Technology,University of Jinan,Jinan 250022,China)Abstract :For 808nm high power laser used as pump source,Al-free active-region laser diode was designed and fabricated,consisting of InGaAsP /GaInP.In this work,a double asymmetric structure of cladding and waveguide layers to reduce the thermal resistance and optical loss of P-side layers were proposed.By optimizing the MOCVD growth of As and P hybrid material,InGaAsP single-crystal epitaxial film with steep interface was fabricated.The threshold current is 1.5A at room temperature and the slope efficiency is 1.26W /A.The output power is 10.5W at 10A and the power efficiency is 58%.Under continuous wave (CW)operation,the maximum output power is 23W@24.5A,while it can reach 54W@50A under quasi continuous wave (QCW)mode without catastrophic optical damage (COD).No power degradation or COD occurred for accelerated aging over 4200h at 15A,showing high long-term reliability of Al-free active-region 808nm laser diode.Key words :Al-free material;high reliabile;InGaAsP;808nm;asymmetric;pump source;semiconductor laser diode㊀㊀收稿日期:2021-03-01㊀㊀基金项目:山东省激光装备创新创业共同体项目㊀㊀作者简介:刘㊀鹏(1994 ),男,山东省人,硕士研究生㊂E-mail:seekersliupeng@㊀㊀通信作者:朱㊀振,博士,高工㊂E-mail:zhuzhen@ 徐现刚,博士,教授㊂E-mail:xxu@ 0㊀引㊀㊀言半导体激光器具有体积小㊁质量轻㊁效率高及易于集成等优点,在工业加工㊁智能传感㊁医养健康及固体和光纤激光器泵浦源等方面有着重要应用㊂其中808nm 半导体激光器是Nd 掺杂YAG 固体激光器的理想泵浦源,被广泛用于精细加工㊁雷达测距等领域[1-2]㊂除了激光器的功率和效率,可靠性是实际应用中最为关注的性能㊂随着激光器输出功率越来越高,灾变性光学损伤(COD)成为影响半导体激光器可靠性及寿命的关键因素㊂这和激光器的材料生长和腔面处理有直接关系㊂由于AlGaAs 材料生长工艺比较成熟,目前758㊀研究论文人工晶体学报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第50卷808nm激光器大部分使用AlGaInAs/AlGaAs作为有源层㊂但是含铝材料不稳定,极易氧化形成缺陷并在材料内部延伸造成器件失效㊂国际上,大功率808nm激光器一般都在腔面做特殊处理来控制缺陷的产生或延伸,如美国II VI公司的E2工艺[3],德国FBH研究所的H离子清洗工艺[4]㊂但特殊处理会带来复杂的工艺问题,降低良率,给808nm激光器的批量化生产增加难度㊂本文通过量产型金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备生长了InGaAsP/GaInP结构的808nm半导体激光器㊂由于有源区不含活泼性的铝元素,材料生长及腔面处理的工艺窗口较大,激光器的性能更加稳定和可靠㊂在15A电流加速老化下,激光器工作4200h未出现功率衰减及COD现象,10W工作寿命推测在40000h以上㊂本文是继承和发扬了蒋民华院士 为晶体提供泵源 的指导思想,不忘初心,通过各单位多年持久的产学研紧密结合,坚持创新,在山东华光光电子股份有限公司实现了规模化量产,满足了市场需求㊂同时开发了630~1100nm波段的多种半导体激光器泵浦源,其中808nm激光器由于具有优异的性能,是产业化较为成功的泵源之一㊂1㊀实㊀㊀验1.1㊀激光器结构如上所述,无铝结构的激光器在抑制体材料缺陷及提高腔面光学损伤方面有很多优势,但和传统的AlGaAs材料相比,InGaAsP/GaInP材料也有一些短板㊂根据JDSU的研究[5],GaInP材料的热导率是0.08W/(cm㊃K),为Al0.25Ga0.75As材料的一半,而其相同掺杂浓度下的电导率也要低于AlGaAs材料,这会影响激光器的高功率和高转换效率输出㊂在激光器外延结构设计上采用双非对称结构,如表1所示,P侧GaInP波导层的厚度要小于N侧GaInP波导层的厚度,P型AlGaInP限制层的Al组分要高于N型AlGaInP 限制层的Al组分㊂这不仅使光场偏向N区,降低空穴对光子的吸收,同时还能缩减P侧的外延层厚度,降低P区外延层的热阻及电阻㊂GaInP波导层中间为一层8nm厚度的InGaAsP单量子阱㊂InGaAsP材料可以通过调节III族及V族原子的组分实现量子阱的压缩和伸张应变,进而得到不同的激光偏振模式㊂为获得更低的阈值电流密度,可以使用压应变的InGaAsP量子阱㊂表1㊀808nm激光器的外延结构Table1㊀Epitaxial structure of808nm laser diodeLayer Material Thickness/nm Doping/cm-3Contact GaAs200>1ˑ1019P-cladding Al x Ga0.5-x In0.5P9001ˑ1018P-waveguide Ga0.5In0.5P400Quantum well InGaAsP8N-waveguide Ga0.5In0.5P800N-cladding Al y Ga0.5-y In0.5P15001ˑ1010Buffer GaAs2002ˑ1018为满足激光器耦合进入400μm芯径的光纤的需求,激光器发光区的宽度设计为390μm,周期为750μm,腔长为2mm㊂1.2㊀激光器制备外延材料生长使用量产型MOCVD系统㊂衬底为偏向<111>A方向15ʎ的GaAs(100)晶面,可以有效抑制GaInP材料的有序结构,增加材料生长窗口㊂III族有机源采用三甲基镓(TMGa)㊁三甲基铝(TMAl)和三甲基铟(TMIn),V族源材料为砷烷(AsH3)和磷烷(PH3),N型掺杂为Si,P型掺杂为Mg㊂外延层生长过程的温度控制在600~700ħ,反应室压力为104Pa㊂量子阱是整个激光器结构的核心,其生长质量决定了激光器的性能㊂InGaAsP为四元材料,且AsH3和PH3在不同生长条件下的分配系数差别较大,需要对量子阱的生长方式进行特殊设计㊂如图1所示,通过优化量子阱及两侧界面的生长温度及气流切换方式,得到界面陡峭的InGaAsP量子阱㊂外延层的结晶质量和表面状态也会影响激光器的性能参数㊂图2是经过优化后㊀第4期刘㊀鹏等:高可靠性无铝有源层808nm半导体激光器泵浦源759㊀的单层GaInP的原子力显微镜(AFM)照片,可以看到外延层的表面非常平整,粗糙度Ra仅为0.13nm,很接近外延生长前的GaAs衬底表面㊂图1㊀GaInP/InGaAsP量子阱的TEM照片Fig.1㊀TEM image of GaInP/InGaAsP quantum well图2㊀GaInP外延层的AFM照片Fig.2㊀AFM image of GaInP epitaxial layer 外延片生长完成以后进行芯片工艺的制作㊂使用湿法腐蚀工艺形成390μm的宽条,并在宽条两侧覆盖SiO2绝缘膜,形成电流注入区㊂P面金属电极为Ti/Pt/Au,N面金属电极为Ge/Ni/Au㊂解理成2mm腔长的巴条,使用电子束蒸发设备在前后腔面分别蒸镀5%的增透膜及98%的高反膜㊂解离成管芯,P面朝下烧结于AlN陶瓷材料的AuSn热沉上㊂2㊀结果与讨论为验证设计的外延结构及生长的材料质量,测试并计算了芯片的内量子效率和腔内损耗㊂将工艺晶片分别解理成1.0mm㊁1.5mm㊁2.0mm㊁2.5mm四种腔长的巴条,在未镀膜的条件下,利用脉冲电流分别测试它们的斜率效率和阈值电流,然后通过数值拟合,得到图3和4的曲线㊂通过计算得到芯片的内量子效率ηi 为97%,光吸收损耗系数αi为1.1cm-1,透明电流密度J tr为96A㊃cm-2,模式增益系数ΓG0为15cm-1㊂这个结果同德国Jenoptik公司及FBH研究所报道的808nm激光器结果是接近的[6-7]㊂图3㊀外微分量子效率和腔长的拟合曲线Fig.3㊀Curve of external differential efficiency and cavity length图4㊀阈值电流密度和腔长的拟合曲线Fig.4㊀Curve of threshold current density and cavity length图5为封装后的808nm激光器在25ħ条件下的功率-电流-电压曲线㊂从图中可以看出,激光器的阈值电流为1.5A,对应的阈值电流密度为192A㊃cm-2㊂激光器的斜率效率为1.26W/A,对应的外量子效率为82%㊂在10A电流下,激光器的输出功率达到了10.5W,电压1.82V,转换效率为58%㊂图6为热沉温度分别是25ħ㊁35ħ㊁45ħ及55ħ下的功率及电压曲线㊂随着温度增加,激光器的载流子溢出变得严重,阈值电流会增加,斜率效率会下降㊂由于P型限制层使用了高带隙的AlGaInP材料,高温下可以很好地将载流子限制在有源区内,激光器在55ħ及10A电流下的输出功率仍达到了9.3W,具有较好的温度特性㊂图7是激光器在10A电流下测试的光谱曲线㊂其峰值波长为807.9nm,光谱的半高宽(FWHM)为1.7nm㊂图8是激光器的远场特性测试㊂激光器工作时的水平发散角为9ʎ,垂直发散角为31ʎ㊂760㊀研究论文人工晶体学报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第50卷图5㊀808nm LD的功率-电流-电压曲线Fig.5㊀Power-current-voltage curves of808nm LD图6㊀不同温度下的808nm LD功率曲线Fig.6㊀Power curves of808nm LD at different temperatures图7㊀808nm LD的光谱曲线Fig.7㊀Optical spectrum of808nm LD图8㊀808nm LD的远场发散角Fig.8㊀Far field angle of808nm LD图9㊀CW及QCW大电流测试下的功率曲线Fig.9㊀Power curves at high current CW and QCW testing图10㊀激光器加速老化曲线Fig.10㊀Accelerated aging curves of the laser 808nm的大功率激光器一般在工业及特种行业中作为泵浦源使用,需要具有高的可靠性㊂由于大功率激光器的主要失效模式为COD造成的突然失效,其COD功率是影响激光器可靠性的重要因素㊂在实验中,可以通过大电流测试考评激光器的COD水平㊂图9为连续电流(CW)及准连续电流(QCW,脉宽1ms,周期100ms)模式测试下的激光器功率曲线图㊂受限于测试电源的最大电流,激光器在CW24.5A下功率达到了23W,在QCW50A下的功率达到了54W,并且两种测试方式均没有COD产生,说明制作的808nm激光器的腔面COD功率在54W以上,具有高的抗腔面光学损伤特性㊂激光器的寿命和稳定性可以通过提高电流或温度的加速老化方式进行快速考评㊂由于808nm激光器的主要失效原因是腔面COD,提高电流(功率)的加速方式更能反映808nm激光器的可靠性水平㊂国内外同行大部分使用12A以内的加速电流进行老化[6,8-9],鉴于无铝结构激光器在抗腔面光学损伤方面的优势,使用更高的15A加速电流㊂图10是10只㊀第4期刘㊀鹏等:高可靠性无铝有源层808nm半导体激光器泵浦源761㊀808nm激光器在15A电流㊁水冷温度25ħ下的在线监控老化曲线㊂经过4200h的老化,激光器没有出现功率衰减及突然失效现象㊂通过文献所用的加速因子计算方法[10],推算808nm激光器在10W下的寿命为40000h以上,12W下的寿命也在20000h以上㊂3㊀结㊀㊀论本文使用MOCVD方法生长了高质量的InGaAsP/GaInP材料体系的激光器外延片,并制作了390μm条宽及2mm腔长的器件㊂室温测试阈值电流为1.5A,斜率效率1.26W/A,10A下的功率达到10.5W,转换效率为58%㊂CW电流测试最大功率为23W@24.5A,QCW电流测试最大功率为54W@50A㊂在15A电流加速老化下,激光器工作4200h未出现功率衰减及COD现象,推算808nm激光器在10W下的寿命为40000h以上,12W下的寿命在20000h以上㊂参考文献[1]㊀陈良惠,杨国文,刘育衔.半导体激光器研究进展[J].中国激光,2020,47(5):13-31.CHEN L H,YANG G W,LIU Y X.Development of semiconductor lasers[J].Chinese Journal of Lasers,2020,47(5):13-31(in Chinese).[2]㊀宁永强,陈泳屹,张㊀俊,等.大功率半导体激光器发展及相关技术概述[J].光学学报,2021,41(1):0114001.NING Y Q,CHEN Y Y,ZHANG J,et al.Brief review of development and techniques for high power semiconductor lasers[J].Acta Optica Sinica,2021,41(1):0114001(in Chinese).[3]㊀EPPERLEIN P W.Semiconductor laser engineering,reliability and diagnostics[M].John Wiley&Sons Ltd:Wiley,2013.[4]㊀CRUMP P,WENZEL H,ERBERT G,et al.Passively cooled TM polarized808nm laser bars with70%power conversion at80W and55Wpeak power per100μm stripe width[J].IEEE Photonics Technology Letters,2008,20(16):1378-1380.[5]㊀PETERS M,ROSSIN V,ACKLIN B.High-efficiency high-reliability laser diodes at JDS Uniphase[C]//Lasers and Applications in Science andEngineering.Proc SPIE5711,High-Power Diode Laser Technology and Applications III,San Jose,California,USA.2005,5711:142-151.[6]㊀PIETRZAK A,HüLSEWEDE R,ZORN M,et al.High-power single emitters and low fill factor bars 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[7]㊀KNAUER A,ERBERT G,STASKE R,et al.High-power808nm lasers with a super-large optical cavity[J].Semiconductor Science andTechnology,2005,20(6):621-624.[8]㊀REN Z Q,LI Q M,LI B,et al.High wall-plug efficiency808-nm laser diodes with a power up to30.1W[J].Journal of Semiconductors,2020,41(3):61-63.[9]㊀MARTIN HU H,QIU B C,WANG W M,et al.High performance808nm GaAsP/InGaP quantum well lasers[C]//SPIE/COS Photonics Asia.Proc SPIE10017,Semiconductor Lasers and Applications VII,Beijing,China.2016,1001:100170M.[10]㊀BAO L,KANSKAR M,DEVITO M,et al.High reliability demonstrated on high-power and high-brightness diode lasers[C]//SPIE LASE.ProcSPIE9348,High-Power Diode Laser Technology and Applications XIII,San Francisco,California,USA.2015,9348:93480C.。
980nm激光红血丝工作原理
980nm激光红血丝工作原理980nm激光是一种常用于治疗红血丝的激光，它的工作原理是通过选择性光热作用的机制来清除血管内的血液，并刺激血管壁的再生和修复，从而减少或消除红血丝。
980nm激光属于近红外激光，其波长为980纳米，这一波长的激光被血红蛋白和水分子强烈吸收。
当激光作用在血管上时，光能量会被吸收并转化为热能，使血液中的红细胞受热膨胀，血管周围组织也因受热而受损。
随着激光的持续作用，血管会受到热能的破坏而闭合，从而达到去除红血丝的效果。
在激光治疗过程中，医生会使用专门的激光手柄将激光光束导引到需要处理的血管位置。
激光光束经过浓缩和聚焦后，能够在皮肤表面准确地发射出一个直径很小的光斑，使激光能量集中作用于目标血管上，减少对周围组织的伤害。
当激光束作用到红血丝所在的血管上时，光能量会迅速被血红蛋白和水分子吸收。
血红蛋白吸收能量后会发生光热效应，使之受热膨胀，随后破裂，将血液释放到周围组织中。
水分子吸收能量后也会产生蒸发效应，使周围组织温度升高，在热作用下发生变性、搅乱和破坏。
这些作用会导致血管周围组织的结构破裂和堵塞，从而使血管关闭。
激光的作用不仅仅限于对血管内部的血液，它还能对血管壁产生热作用。
当激光束作用于血管壁时，激光能量会使血管壁产生热应激，进而刺激创伤愈合和新生血管的形成。
这种刺激作用有助于血管壁的修复和再生，从而改善红血丝的情况。
激光治疗红血丝的效果通常需要多次疗程以达到最佳效果。
在每次治疗之间，需要给予足够的恢复时间以保护皮肤。
激光治疗后可能会有一些副作用，如暂时性红斑、肿胀、轻微疼痛和瘀血等，但这些反应通常在几天内自行消退。
总结起来，980nm激光通过选择性光热作用的机制，作用于血管和血液中的组织，从而清除血管内的血液，刺激血管壁的再生和修复。
虽然激光治疗红血丝的效果是可靠的，但治疗前需要充分了解其原理和可能出现的副作用，并在专业医生的指导下进行治疗。
夜视监控红外摄像机如何选配红暴强弱不同的红外激光补光灯
夜视监控红外摄像机如何选配红暴强弱不同的红外激光补光灯——红外光波长越长，红暴越弱，红暴距离越近近几年来，高清晰的红外激光夜视监控在为平安城市、天网工程、雪亮工程等的公共安全视频监控系统中起到了举足轻重的作用。
现代化安防监控系统，不仅需要满足治安管理、城市管理、交通管理、应急指挥等需求，而且还要兼顾灾难事故预警、安全生产监控等方面对图像监控的需求，利用图像采集、传输、控制、显示等设备和控制软件组成，对固定区域进行实时监控和信息记录的视频监控系统，是充分调动人民群众参与社会治安管理的有力武器。
在某些特定夜视监控应用场景中，对监控设备要求具有较高的隐蔽性。
但是，众所周知绝大多数的红外摄像机都会有或多或少的红暴现象。
甚至乎，市场上不少商家直接把有无红暴作为一种技术水平来宣传，好像有红暴就是低技术，无红暴就是高技术。
这到底是怎么回事呢？红外激光夜视监控设备厂家又该如何选用不同红暴强弱的红外激光补光灯？红外光属于人眼不可见，早已成为科学定论。
关于红暴的成因，网络上众说纷纭，却难有个让人信服说法。
更甚者，有人认为红暴说明了红外光是人眼可见的，只是因为红外光剂量大小的问题，造成有的看不见，有的能看见；808nm红外光比940nm的红暴更明显，说明了波长越短红外光的剂量越大，波长越长红外光的剂量越少。
很显然，这只是一种想当然的、为博取眼球的谬论。
有实验证明，一束1550nm的红外激光与650nm的红色激光，同样能在瞬间击穿一块薄铁板，而人眼却仍无法看见这束1550nm的红外激光。
如按这谬论计算，人们根本无法想像究竟需要多大剂量的红外光，才能被人眼所见。
因此，在决定如何选用红外激光补光灯之前，我们非常有必要先明确这几个问题：什么是红暴现象？红暴的真正原因是什么？红暴的强弱受哪些因素影响？什么是红暴现象？人眼可见光的波长范围为380nm-780nm，其中620-780nm为红色光范围，当直接观察780nm的光波时，仍可看见一个非常暗淡的樱桃红色光。
新品808nm近红外激光灯的应用
新品808nm近红外激光灯
新品808nm近红外激光灯管芯采用日本进口半导体激光二极管，内置电路板经改良，具有很强的抗干扰性、高稳定性、抑制浪涌电流及缓启动等特点，新品808nm近红外激光灯特别适于工业工作环境，能有效保证产品的稳定性和使用寿命。
新品808nm近红外激光灯多用于触摸桌面类、互动投影类产品中，该激光器出光后打出一个扇面，在目标上形成一条人眼看不到的直线，配合专门的设备观察（如CCD摄像机）等实现触控-互动投影。
同类产品还有：
808nm半导体红外一字线、多点触控-互动投影用808nm--200mw红外一字线激光器、电子
1）激光定位灯使用应注意相关的激光使用安全规定，不能直射人眼；
2）激光器中半导零贰玖陆捌伍捌壹柒零捌体激光管属静电敏感器件，应遵守相关的静电防护规定。
测试和使用环境应保证没有静电；
3）电源线请勿用力拽拉；
4）电源电压不要超过DC 5 V，最好选用激光器专用直流稳压电源供电，“+”（红线）、“−”（黑线）极性绝对不可接反；
5）激光器通电时，“+”（红线）、“−”（黑线）极电源线绝对不可短路，以免烧毁激光器；
6）自制稳压电源请注意消除浪涌脉冲电压电流，稳压5V或<5V将延长使用寿命，避免在各种浪涌脉冲较大的场合中使用激光器；Yxl。