等离子体烧结陶瓷材料
放电等离子烧结
放电等离子烧结的机理与应用李崴20080403B013 海南大学材料与化工学院摘要：放电等离子体烧结（SPS）一种用于材料烧结致密化的新技术，作为一种快速烧结方式，近年来被广泛研究与应用。
本文针对SPS的发展概况，工作机理以及研究应用进行了简单介绍。
关键词：放电等离子烧结，发展，机理，应用0引言放电等离子烧结(SPS)是近年来发展起来的一种新型的快速烧结技术。
由于等离子活化烧结技术融等离子活化、热压、电阻加热为一体，因而具有升温速度快、烧结时间短、晶粒均匀、有利于控制烧结体的细微结构、获得的材料致密度高、性能好等特点。
该技术利用脉冲能、放电脉冲压力和焦耳热产生的瞬时高温场来实现烧结过程，对于实现优质高效、低耗低成本的材料制备具有重要意义，在纳米材料、复合材料等的制备中显示了极大的优越性，现已应用于金属、陶瓷、复合材料以及功能材料的制备。
目前国内外许多大学和科研机构利用SPS进行新材料的研究与开发，并对其烧结机理与特点进行深入研究与探索，尤其是其快速升温的特点，可作为制备纳米块体材料的有效手段，因而引起材料学界的特别关注。
本文将对SPS技术有关的机理和部分应用予以介绍和讨论。
1.SPS的发展概况放电等离子烧结技术，20世纪30年代美国科学家就提出了脉冲电流烧结原理。
1965年，脉冲电流烧结技术在美、日等国得到应用。
1968年该技术被称为电火花烧结技术日本获得了专利，但未能解决该技术存在的生产效率低等问题，并没有得到推广应用。
1979年我国钢铁研究总院高一平等自主开发研制了国内第一台电火花烧结机，用以批量生产金属陶瓷模具，产生了显著的社会经济效益，并出版了《电火花烧结技术》一书。
1988年日本研制出第一台工业型SPS装置，并推广应用于新材料研究领域。
1990年以后，日本推出了可用于工业生产的SPS 第三代产品，具有10-100t的烧结压力和5000-8000A的脉冲电流。
1998年瑞典购进SPS烧结系统，对碳化物、氧化物、生物陶瓷等材料进行了较多的研究工作。
等离子烧结技术
等离子烧结技术等离子烧结技术是一种先进的加工工艺，广泛应用于陶瓷材料制备和金属材料表面改性等领域。
它通过高温等离子体的作用，将粉末颗粒烧结成致密的块状材料，从而提高材料的力学性能和化学稳定性。
等离子烧结技术的基本原理是利用等离子体的高温、高能量特性，将粉末颗粒加热至熔化或半熔化状态，使颗粒间发生相互结合，形成致密的材料。
等离子体可以通过直流电弧、射频感应等方式产生，其温度可达几千摄氏度，能够提供足够的能量使颗粒烧结。
在等离子烧结过程中，首先需要将待烧结的粉末颗粒放置于烧结装置中，然后通过加热源产生等离子体。
等离子体的高温能够使粉末颗粒表面熔化或半熔化，表面张力的作用下，颗粒间发生结合。
随着烧结时间的增加，颗粒间的结合变得更加紧密，最终形成致密的块状材料。
等离子烧结技术具有许多优点。
首先，由于等离子体的高温作用，烧结过程中颗粒表面能够快速熔化，从而减少了烧结时间，提高了生产效率。
其次，等离子烧结过程中，颗粒间的结合是在微观尺度上进行的，能够得到致密的材料，具有较高的密度和力学性能。
此外，等离子烧结还可以用于制备多孔材料，通过控制烧结温度和时间，可以得到具有不同孔隙率和孔径分布的材料。
等离子烧结技术在陶瓷材料制备中得到了广泛应用。
陶瓷材料通常具有高熔点、高硬度和耐高温等特点，常规的烧结方法往往无法得到致密的陶瓷材料。
而等离子烧结技术能够提供足够的能量，使颗粒熔化并结合，从而制备出具有良好性能的陶瓷材料。
此外，等离子烧结还可以用于制备复合陶瓷材料，如陶瓷复合刀具、陶瓷复合导电材料等。
除了陶瓷材料，等离子烧结技术还可以应用于金属材料的表面改性。
金属材料的表面性能往往决定了其在特定环境中的应用性能。
通过等离子烧结技术，可以将金属粉末烧结在基底表面，形成具有良好耐磨、耐腐蚀等性能的涂层。
此外，等离子烧结还可以用于制备金属复合材料，如金属陶瓷复合材料、金属基复合材料等。
等离子烧结技术是一种先进的加工工艺，具有广泛的应用前景。
放电等离子体烧结
放电等离子体烧结
放电等离子体烧结是一种先进的材料加工技术，通过放电等离子体的高温、高能量作用，实现材料的烧结和熔融，从而制备出具有优异性能的复杂形状零件。
这种技术在金属、陶瓷、复合材料等领域都有着广泛的应用。
放电等离子体烧结技术的原理是利用高压电场使气体放电产生等离子体，等离子体在电场的作用下加热材料并使其烧结。
这种烧结方式具有高温、高能量、高速等特点，可以实现材料的快速烧结和熔融，从而大大提高材料的致密性和机械性能。
在金属材料加工中，放电等离子体烧结可以实现对金属粉末的高效烧结，制备出高强度、高硬度的金属零件。
同时，还可以实现对金属表面的改性处理，提高金属的耐磨性和耐腐蚀性。
在陶瓷材料加工中，放电等离子体烧结可以实现对陶瓷粉末的快速烧结，制备出高强度、高韧性的陶瓷制品。
在复合材料加工中，放电等离子体烧结可以实现对复合材料的烧结和熔融，制备出具有优异性能的复合材料制品。
放电等离子体烧结技术具有许多优点，如烧结速度快、烧结温度高、烧结效果好等。
与传统的烧结方法相比，放电等离子体烧结可以大大缩短加工周期，提高生产效率，降低生产成本。
此外，放电等离子体烧结还可以实现对材料的局部加热和局部烧结，实现对复杂形状零件的加工，提高材料的利用率和加工精度。
随着科技的不断进步，放电等离子体烧结技术在材料加工领域的应用将会越来越广泛。
通过不断的研究和创新，放电等离子体烧结技术将会为材料加工领域带来更多的突破和进步，为人类社会的发展做出更大的贡献。
相信在不久的将来，放电等离子体烧结技术将会成为材料加工领域的重要技术，为人类创造出更多的奇迹。
放电等离子烧结技术详解
放电等离子烧结技术详解[导读]放电等离子烧结(SPS)，又称等离子活化烧结或等离子辅助烧结，是近年发展起来的一种快速、节能、环保的材料制备加工新技术，可广泛用于磁性材料、梯度功能材料、纳米陶瓷、纤维增强陶瓷和金属间复合材料等一系列新型材料的烧结。
一、放电等离子烧结技术的特点SPS的主要特点是利用加热和表面活化实现材料的超快速致密化烧结，其具有升温速度快、烧结时间短、烧结温度低、加热均匀、生产效率高、节约能源等优点，除此之外由于等离子体的活化和快速升温烧结的综合作用，抑制了晶粒的长大，保持了原始颗粒的微观结构，从而在本质上提高了烧结体的性能，并使得最终的产品具有组织细小均匀、能保持原材料的自然状态、致密度高等特点，与热压烧结和热等静压烧结相比，SPS装置操作简单。
二、放电等离子烧结技术的烧结机理SPS是集等离子活化、热压和电阻加热为一体的烧结技术。
对于SPS的烧结机理，一般认为，SPS过程除具有热压烧结的焦耳热和加压造成的塑性变形促进烧结过程外，还在粉末颗粒间产生直流脉冲电压，并有效利用了粉体颗粒间放电产生的表面活化作用和自发热作用，因而产生了SPS过程所特有的有益于烧结的现象。
施加直流开关脉冲电流的作用SPS烧结系统主要由轴向压力装置、水冷冲头电极、真空腔体、气氛控制系统、直流脉冲及冷却水、位移测量、温度测量和安全控制单元等几部分组成；其中最主要的是通-断脉冲电源，通过通-断脉冲电源可以产生放电等离子体、焦耳热、放电冲击压和电场辅助扩散效应。
离子烧结设备结构示意图三、放电等离子烧结技术的应用SPS烧结升温速度快，烧结时间短，既可以用于低温、高压（500~1000MPa），又可以用于低压（20~30MPa）、高温（1000~2000℃）的烧结，因此可广泛的应用于金属、陶瓷和各种复合材料的烧结。
适合SPS制备的材料1、制备纳米材料纳米材料因其具有高强度高塑性而具有广阔的应用前景，如何抑制晶粒的长大是获得纳米材料的关键。
氧化锆基金属陶瓷放电等离子烧结制备与性能研究
氧化锆基金属陶瓷放电等离子烧结制备与性能研究钟楠骞;曾凡浩;袁铁锤;李瑞迪【摘要】氧化锆陶瓷材料的脆性限制了其在某些领域的应用.文章首创在氧化锆粉末中加入316L不锈钢粉,通过放电等离子烧结制备氧化锆基金属陶瓷.试验通过不同的成分配比和不同的烧结温度进行对比研究,采用金相分析、XRD、SEM/EDS等测试方法,对材料的微观结构和宏观性能等进行了表征与分析.并通过断口分析,讨论了ZrO2 ·316L金属陶瓷的增韧机理.结果表明:采用放电等离子烧结制备出的材料随相组成的成分所占比例的改变,其致密度、弯曲强度、横向断裂强度、断裂韧性都随之呈现出相应的变化规律;316L相以片状均匀分布在氧化锆基体中,在材料断裂时起到了颗粒/纤维增韧的作用.同时氧化锆部分以亚稳相t-ZrO2的形态存在,也起到了相变增韧的作用.【期刊名称】《湖南有色金属》【年(卷),期】2015(031)002【总页数】6页(P43-48)【关键词】氧化锆;金属陶瓷;316L;放电等离子烧结;增韧机理【作者】钟楠骞;曾凡浩;袁铁锤;李瑞迪【作者单位】中南大学粉末冶金国家重点实验室,湖南长沙410083;中南大学粉末冶金国家重点实验室,湖南长沙410083;中南大学粉末冶金国家重点实验室,湖南长沙410083;中南大学粉末冶金国家重点实验室,湖南长沙410083【正文语种】中文【中图分类】TF803.3金属颗粒增强陶瓷基的金属陶瓷［1］复合材料综合了陶瓷的高刚度和金属的高塑性、高韧性的优点，是具有发展前途的复合材料之一。
放电等离子烧结［2］是在加压过程中同时施加脉冲电流的一种烧结技术［3］。
烧结过程中脉冲电流产生的等离子体有利于降低氧化锆陶瓷粉末［4］的烧结温度，同时低电压、高电流的特点，能使粉末快速烧结致密。
本课题基于氧化锆陶瓷增韧［5］、拓宽其应用领域的目的，采用放电等离子烧结技术(SPS)［6］，拟添加金属相(316L不锈钢粉)以提高氧化锆陶瓷材料的强韧性，克服陶瓷脆性的缺点。
陶瓷材料的烧结与晶粒生长
陶瓷材料的烧结与晶粒生长烧结和晶粒生长是陶瓷材料制备过程中非常重要的步骤。
通过烧结和晶粒生长的控制，可以改善材料的性能、提高其致密性和强度。
本文将就陶瓷材料的烧结和晶粒生长进行探讨，并介绍一些常见的烧结方法和晶粒生长机制。
1. 烧结方法烧结是指将陶瓷粉末在一定的温度和压力下进行加热处理，使粒子间发生相互结合和扩散，形成致密的块体材料。
常见的烧结方法有以下几种：（1）热压烧结：将陶瓷粉末放入模具中，在高温和高压的条件下进行烧结。
热压烧结可以获得致密的陶瓷材料，具有较高的强度和硬度。
（2）微波烧结：通过微波加热的方式进行烧结。
微波烧结的优点是加热速度快，能够在较短的时间内完成烧结过程，适用于一些高温敏感的材料。
（3）等离子体烧结：通过等离子体的作用，加快粒子之间的扩散和结合，从而实现快速烧结。
等离子体烧结可以得到致密度较高的陶瓷材料，并能够控制晶粒尺寸和分布。
2. 晶粒生长机制晶粒生长是指陶瓷材料在烧结过程中晶粒尺寸的增大。
晶粒尺寸的大小和分布对陶瓷材料的性能有着重要的影响。
常见的晶粒生长机制包括以下几种：（1）一维生长：晶粒沿着某个方向生长，呈现出棒状或柱状的形态。
一维生长机制适用于一些具有纤维状结构的陶瓷材料。
（2）表面扩散：晶粒表面发生扩散，并与周围的颗粒结合。
表面扩散是晶粒生长的主要机制之一，通过控制晶粒表面的扩散速率，可以调控晶粒尺寸和形态。
（3）体内扩散：晶粒内部的原子通过扩散运动，使晶粒尺寸增大。
体内扩散主要取决于材料的化学成分和温度条件。
3. 影响烧结和晶粒生长的因素烧结和晶粒生长受到多种因素的影响，下面介绍其中几个重要的因素：（1）温度：温度是烧结和晶粒生长的关键因素之一。
适当的温度可以促进晶粒的结合和生长，但过高的温度可能引起过烧，导致晶粒长大过快。
（2）压力：压力可以提高粒子的结合程度和致密性，对烧结效果有重要影响。
不同材料和形状的陶瓷，适宜的压力范围也有所不同。
（3）时间：烧结时间影响烧结程度和晶粒生长的速率。
放电等离子体烧结技术
1 放电等离子体烧结的工艺 1.1放电等离子体烧结的设备
一般放电等离子体烧结设备主要由三部分组成
产生单轴向压 力的装置和烧 结模具，压力 装置可根据烧 结材料的不同 施加不同的压 力；
脉冲电流发生 器，用来产生 等离子体对材 料进行活化处 理
电阻加热设备
材料合成与制备
SPS装置的结构示意图
图1 为其装置简图。图2 为SPS 的电压、电流及外加压力与烧结 时间的关系曲线。其电流曲线主要由三段组成: (1) 脉冲大电流; (2) 稳态小电流; (3) 停止放电间隙。在稳态电流阶段, 仅施加很小 的压力; 放电间隙阶段施加大压力。
分电流加热模具，使模具开始对试样传热，试样温度升高，
开始收缩，产生一定的密度，并随着温度的升高而增大，
直至达到烧结温度后收缩结束，致密度达到最大。
材料合成与制备
1.3 等离子体烧结工艺参数的控制
烧结气氛 烧结气氛对样品烧结的影响很大（真空烧结情况除外）， 合适的气氛将有助于样品的致密化。
材料合成与制备
烧结温度 烧结温度的确定要考虑烧结体样品在高温下的相转变、
晶粒的生长速率、样品的质量要求以及样品的密度要求。一 般情况下，随着烧结温度的升高，试样致密度整体呈上升趋 势，这说明烧结温度对样品致密度程度有明显的影响，烧结 温度越高，烧结过程中物质传输速度越快，样品越容易密实。
但是，温度越高，晶粒的生长速率就越快，其力学性能就越差。而 温度太低，样品的致密度就很低，质量达不到要求。温度与晶粒大小 之间的矛盾在温度的选择上要求一个合适的参数。
业株式会社生产，SPS-1050）。
材料合成与制备
等离子体烧结技术的概念
等离子体 等离子体是宇宙中物质存在的一种状态，是除固、
等离子体烧结
等离子体烧结1. 介绍等离子体烧结是一种先进的材料加工技术，通过将粉末材料暴露在高温等离子体中，以实现材料的烧结和形状成型。
这种技术在多个领域中得到广泛应用，特别是在金属和陶瓷材料的制备中。
2. 等离子体烧结的原理等离子体烧结的原理是利用高温等离子体中的离子和电子的能量传递，使粉末颗粒之间结合，从而实现烧结。
具体来说，等离子体烧结包括以下几个步骤：2.1 等离子体的产生通过加热或电离等方法，将气体或气体混合物转化为等离子体。
等离子体是由离子和电子组成的高度电离的气体状态。
2.2 等离子体的加热将等离子体加热到高温，以提供足够的能量使粉末颗粒烧结。
这一步通常需要使用高功率的电弧或电子束加热。
2.3 粉末颗粒的烧结将待烧结的粉末颗粒置于等离子体中，使其表面受到等离子体的加热。
在高温下，粉末颗粒表面的材料开始熔化和扩散，从而实现颗粒之间的结合。
2.4 形状成型通过控制等离子体的形状和流动性，可以实现对材料的形状成型。
可以使用模具或其他形状限制器来控制材料的最终形状。
3. 等离子体烧结的优势等离子体烧结相比传统的烧结方法具有许多优势，包括：3.1 高温和高能量密度等离子体烧结可以提供高温和高能量密度，从而加快烧结速度和提高材料的致密性。
这对于制备高性能材料非常重要。
3.2 无需外加压力传统的烧结方法通常需要外加压力来实现颗粒之间的结合，而等离子体烧结可以在无需外加压力的情况下实现颗粒的结合，从而避免了额外的机械工艺。
3.3 可控性好等离子体烧结可以通过调节等离子体的参数，如温度、流动性等，来实现对材料的形状和性能的精确控制。
这使得等离子体烧结成为一种高度可控的加工技术。
3.4 适用于多种材料等离子体烧结适用于多种材料，包括金属、陶瓷、复合材料等。
无论是均匀材料还是复杂结构的材料，都可以通过等离子体烧结来实现高质量的制备。
4. 等离子体烧结的应用等离子体烧结在多个领域中得到了广泛的应用，包括：4.1 金属材料制备等离子体烧结可以用于制备高强度、高硬度的金属材料。
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等离子体烧结陶瓷材料①①彭金辉 普靖中 朱祖泽 何蔼平(昆明理工大学冶金系,昆明 650093)摘要 对近年来等离子体烧结陶瓷材料的研究进行了简要论述.关键词 等离子体;烧结;陶瓷材料中图分类号 TF1120 前言近年来,由于微波烧结技术具有快速加热、细化晶粒等特性,该技术已引起研究者们的极大兴趣.然而,微波具有选择性加热的特性,如对吸收微波能较弱的材料(如γ-Al 2O 3)进行烧结时,则需添加辅助性手段,从中也显示了微波烧结的不足之处.而采用等离子体进行烧结,则避免了上述的缺点,因此,等离子体烧结陶瓷材料的研究具有实际应用价值.本文对近年来等离子体烧结陶瓷材料的研究进行了简要论述.样品:氧化铝图1 烧结温度与相对理论密度关系1 等离子体烧结陶瓷材料自1996年,R. A.Dugdale [1]提出等离子体可用于材料的烧结之后,C. E.G.Bennett [2,3]在1968年率先对微波等离子体烧结氧化铝、氧化铍、氧化铪、氧化镁、氧化钍等研究进行了报导,并把等离子体烧结与传统烧结方法进行了比较.图1和图2分别把2种方法烧结氧化铝的烧结速率和抗张强度进行了比较.图1表明,等离子体烧结氧化铝的烧结速率较传统方法快得多.例如,在1500℃下,对同样的氧化铝用微波等离子体和传统方法烧结20min ,传统方法烧结后氧化铝的相对理论密度为70%左右,而微波等离子体烧结后的相对理论密度接近90%.Bennett 的实验结果指出,在1525～1550℃的温度下,样品在空气等离子体中烧结25min ,其相对理论密度达到9013%.而在相同的时间,1700℃温度条件下,用传统方法进行烧结,其相对理论密度仅达到8715%.他们还进行了一个有趣的对比实验,先把样品用等离子体在1300℃下烧结20min ,其样品的理论密度达到7414%,又把该样品接着用传统方法在1300℃下烧结100min ,样品的理论密度仅第23卷 第3期 昆 明 理 工 大 学 学 报 Vol.23No.31998年6月 JOURNAL OF KUNMIN G UN IV ERSIT Y OF SCIENCE AND TECHNOLO GY J un.1998①云南省自然科学基金重点项目收稿日期:1998-02-23仅只达到7417%,之后,再把该样品继续在1300℃下用等离子体烧结的100min ,其理论密达到8311%.样品:氧化品图2 相对理论密度与抗张强度的关系从图2中可看出,在较高的理论密度下,等离子体烧结的样品能保持较高的抗张强度,而传统烧结样品的抗张强度则明显下降.这与等离子体烧结后样品的颗粒尺寸较小(4～10μm ),传统烧结后样品的颗粒尺寸较大(50～150μm )是相吻合的.上述的比较结果充分显示了等离子体烧结陶瓷材料的优越性.1972年,L.G.G ordone 等[4]用直流等离子体烧结了氧化铝(温度2500°F ,时间少于5min ),其样品收缩率达15%,相对理论密度为96%.1973年,G.Thomes 等[5]用直流等离子体烧结了UO 2(温度2500°F ,时间小于5min )样品收缩率为12%,相对理论密度为90%.1980年以来,D.L.Johnson 等[6～9]用等离子体烧结了α-Al 2O 3,β″-Al 2O 3,Al 2O 3+MgO ,2,TiO 2+Cr 2O 3,TiO 2+Ta 2O 5,Y 2O 3等,并对不同等离子气氛(Ar ,O 2,N 2,H 2O 等)条件下的烧结,进行了研究,其结论为,样品的加热和烧结取决于热转换率、样品成份和等离子体气体的成份,在较低功率的等离子体烧结过程中,Y 2O 3的烧结可用纯氩气等离子体,Al 2O 3的烧结需加水蒸汽,而TiO 3的烧结则取决于等离子体中氧的含量.W.X.Pang [10]用射频等离子体烧结了金属Mo ,α-Al 2O 3和α-Si 3N 4,所选择的等离子体气体有N 2,H 2,Ar 和Ar +H 2.经过烧结之后,金属Mo 的相对理论密度可达9415%,颗粒为011μm 的Al 2O 3能在60s 内相对理论密度上升到9615%,而Si 3N 4则很难被烧结,样品没有明显地收缩.P.K ong [11～12]用4MHz 的射频等离子体烧结了ZrO 2,MgO 等材料,考查了不同压力下的样品烧结密度,认为等离子体气体和压力对样品烧结密度较敏感,低压条件下的烧结(小于5Torr ),提高了MgO 的理论密度,而在高压条件下,等离子体焓影响了样品的固化程度;等离子体烧结不仅加快了烧结速率,而且烧结后样品的颗粒尺寸均匀,且能够受到抑制.N.Tamari 等[13]把93%SiC +5%Al 2O 4+2Y 2O 3粉末放在石墨模中进行轴向加压(压力30MPa ),并同时使用脉冲电压,产生等离子体对粉末进行加热(加热时间5min ,由于石墨压模也同时受到加热,致使粉末从内到外均受到加热,从而加快了加热速度,缩短了时间.该方法在1800℃的温度下便可得到致密的碳化硅,与传统热压烧结法相比较,烧结温度降低了200℃,并且该方法烧结的样品的强度和韧度要比传统热压烧结法的好.T.Nishimura 等[14]用同样的方法烧结了纳米级氮化硅,结果表明,该方法适用于烧结超细颗粒的β氮化硅.・16・第3期 彭金辉等:等离子体烧结陶瓷材料2 结束语等离子体烧结具有加快烧结速率,烧结样品颗粒均匀,抑制样品颗粒长大的优越性,显行了其应用前景.而等离子体气体的种类、成分,压力与烧结样品的理论密度,各种机械特性之间的相互关系及今后如何工业化等问题仍待于进一步研究.参 考 文 献1 C. E.G.Bennett et al.Sintering in G as Discharge ,Nature ,Vol.217,March 30,1968,1287～12892 C. E.G.Bennett et al.K inetics of Reaction in Inoic Systems ,Edited by T.J.Gray and V. D.Frechette ,Plenum Press ,New Y ork ,1969,408～4123 L.G.Cordone et al.G low -Discharge Apparatus for Papid Sintering of Al 2O 3.J.Am.Ceram.S oc.,53(7),1973,3804 G.Thomas et al.Rapid Sintering of UO 2in a G low Discharge ,Transds.Am.Nucl.S oc.17,1973,175 D.L.Johnos et al.Plasma Sintering of β″-Alumia ,Aim.Ceram.S oc.Bull.59(4)1980,467～4726 J.S.K im et al.Plasma Sintering of Alumina ,G eram.Bull.,Vol.62,No.5,1983,620～6227 M.P.Sweeney et al.Microwaves :Theory and Application in Materids Processing ,Ceram.Trans ,Vol.21,365～3728 D.L.Johnson.Plasma Sintering of Ceramics ,Proceeding of the International Institute for theScience of Sintering Symposium Vol.1,in Tokyo ,Japan ,Nov.4～6,1987,499～5049 W.X.Pang et al.Plasma Sintering Proceeding of the International Institute for the Science of Sintering Symposium ,Vol.1,in Tokyo ,Japan ,Nov.4～6,1987,505～51010 P.K ong et al.Plasma G as Composition and Pressure E ffects on the Sintering of Stabilized Z irconia ,Mat.Res.Symp.Proc.Vol.190,1991,72～7611 P.K ong et al.The E ffects of G as Complosction and Pressure on RF Plasmoc Sinteving of MgO.Mat.Resd.Symp.Proc.Vol.98,1987,372～375.12 E.Pfender et al.Heat Tranfer Analysis of Plasma Sintoring Process ,Mat.Res.S oc.Sym.Proc.Vol.30,198413 N.Tamari.J.of the G eram.S oc.of Japan ,Vol.103,1995,728～73014 T.Nishimura.J.of Mat.Sci.Lett.14,1995,1046～1047Plasma Sintering of Ceramic MeterialsPeng Jinhui Pu Jingzhong Zhu Zuze He Aiping(Department of Metallurgy ,Kunming University of Science and Technology ,Kunming 650093)Abstarct In this paper ,plasma sintering of ceramic materials has been reviewedK ey w ords Plasma ;sintering ;ceramic ;materials ・26・昆 明 理 工 大 学 学 报 1998年。