(完整版)电子技术教案——半导体二极管(2)
级电子技术基础与技能教案
《电子技术基础与技能》教案《电子技术基础与技能》教案重庆黔江民族职业教育中心教 案课程名称： 电子技术基础与技能 教研组： 电子产品维修 任课教师： 倪 元 兵 授课班级： 2014电子高考 2 班 授课时间： 2015－2016学年第一学期（认识半导体二极管）教学设计模块名称 二极管的认识 模块课时 2模块描述二极管是一种最基本、最简单的半导体器件，广泛应用于电子电路的各个方面，认识半导体二极管是学习电子专业的基础。
的各个方面，认识半导体二极管是学习电子专业的基础。
教学目标 1．了解二极管的结构、原理、伏安特性和主要参数；．了解二极管的结构、原理、伏安特性和主要参数； 2．了解常用特殊二极管的外形、功能和应用。
．了解常用特殊二极管的外形、功能和应用。
3．认识各种常见的电子元件和各种二极管。
．认识各种常见的电子元件和各种二极管。
教学资源 1.聂光林主编《电子技术基础与技能》教材，重庆大学出版社出版重庆大学出版社出版 2. 多媒体课件（PPT ）3. 各种半导体二极管若干各种半导体二极管若干 教学组织通过PPT 演示及教师实物展示操作，让学生能够通过外形认识二极管，演示实验让学生掌握二极管的单向导电性。
极管，演示实验让学生掌握二极管的单向导电性。
教学过程教学阶段（可以按照完成这一模块（任务）的步骤呈现） 学习 任务 知识点 活动设计（教师活动、学生活动） （讲解、示范、组织、指导、安排、操作等）估用时间 一、半导体基础知识础知识 1、物质分类 2、半导体特性特性3、PN 结 教师：多媒体展示半导体的单向导电性及PN 结结构动态图。
结结构动态图。
学生：知道物质的分类、半导体的特性及PN 结的构成结的构成20分钟分钟二、二极管极管 1、结构与符号符号 2、特性、特性 3、二极管伏安特性曲线曲线 4、主要参数教师：教师： 1.1.利用动态图展示二极管的单向利用动态图展示二极管的单向导电性导电性 2.2.利用多媒体讲解伏安特性曲线利用多媒体讲解伏安特性曲线各部分的特点各部分的特点 学生：学生： 1.1.正确叙述二极管的单向导电性 2.2.掌握二极管伏安特性曲线各部分特点及相应参数值部分特点及相应参数值40分钟分钟三、特殊二极管 外形、符号、功能号、功能 教师教师: : 1.1. 图片及实物展示特殊二极管图片及实物展示特殊二极管 2.2. 多媒体介绍相应符号多媒体介绍相应符号3.3. 用典型应用电路说明其功能用典型应用电路说明其功能 学生：学生： 1． 实物识读特殊二极管实物识读特殊二极管 2． 画出相应电子符号画出相应电子符号20分钟分钟作业布置1、简述二极管的单向导电性 2、 作出二极管伏安特性曲线，并简要说明每段的意义 教学后记（半导体二极管的测试）教学设计模块名称 二极管的测试 模块课时 2模块描述 半导体工业是电子工业的基础，二极管是一种最基本、最简单的半导体器件，广泛应用于电子电路的各个方面，要求每位同学能够利用万用表测试半导体的极性、好坏用万用表测试半导体的极性、好坏。
(完整版)电子技术教案——半导体二极管
课题1.1 半导体二极管课型新课授课班级授课时数 2 教学目标1．熟识二极管的外形和符号。
2．掌握二极管的单向导电性。
3．理解二极管的伏安特性、理解二极管的主要参数。
教学重点二极管的单向导电性。
教学难点二极管的反向特性。
学情分析教学效果教后记新课A．引入自然界中的物质，按导电能力的不同，可分为导体和绝缘体。
人们又发现还有一类物质，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，那就是半导体。
B．新授课1.1半导体二极管1.1.1什么是半导体1．半导体：导电能力随着掺入杂质、输入电压（电流）、温度和光照条件的不同而发生很大变化，人们把这一类物质称为半导体。
2．载流子：半导体中存在的两种携带电荷参与导电的“粒子”。
（1）自由电子：带负电荷。
（2）空穴：带正电荷。
特性：在外电场的作用下，两种载流子都可以做定向移动，形成电流。
3．N型半导体：主要靠电子导电的半导体。
即：电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
4．P型半导体：主要靠空穴导电的半导体。
即：空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
1.1.2PN结1．PN结：经过特殊的工艺加工，将P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起，则在两种半导体的交界面就会出现一个特殊的接触面，称为PN结。
2．实验演示（1）实验电路（2）现象所加电压的方向不同，电流表指针偏转幅度不同。
（3）结论PN结加正向电压时导通，加反向电压时截止，这种特性称为PN结的单向导电性。
3．反向击穿：PN结两端外加的反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增大，称为PN结的反向击穿。
4．热击穿：若反向电流增大并超过允许值，会使PN结烧坏，称为热击穿。
5．结电容（讲解）（引入实验电路，观察现象）PN结存在着电容，该电容称为PN结的结电容。
1.1.3半导体二极管利用PN结的单向导电性，可以用来制造一种半导体器件——半导体二极管。
1．半导体二极管的结构和符号（1）结构：由于管芯结构不同，二极管又分为点接触型（如图a）、面接触型（如图b）和平面型（如图c）。
半导体二极管教案
半导体二极管教案教学目标：1.了解半导体材料的基本性质。
2.理解二极管的原理和工作方式。
3.掌握二极管的符号表示和常见的应用场景。
4.能够正确连接和使用二极管。
教学重点：1.半导体材料的性质和特点。
2.二极管的工作原理和特性。
3.二极管的应用。
教学难点：1.理解二极管的工作方式。
2.掌握二极管的符号表示和连接方法。
教学准备：1.二极管的样本和教具。
2.相关教学PPT。
教学过程：一、导入（10分钟）1.引入半导体材料的基本概念，与导体和绝缘体进行对比，让学生了解半导体的基本性质。
二、理论讲解（30分钟）1.介绍半导体的基本性质，如电导率和能带结构。
2.解释半导体元素的掺杂和杂质激活的概念。
3.分析P型和N型半导体的形成原理和特性。
4.详细讲解二极管的工作原理和特性，包括P-N结和正向、反向偏置的区别。
三、实验演示（20分钟）1.准备样本和教具，展示二极管在电路中的实际应用。
2.运用示波器和万用表等仪器，对二极管进行测试，观察其特性曲线和电流变化。
四、设计任务（30分钟）1.将学生分为小组，每个小组设计一个简单的电路，用到二极管。
2.要求学生根据电路设计要求，正确连接二极管和其他元件，实现特定功能。
3.每个小组通过实际调试和测试，验证电路的正确性和可行性。
五、总结归纳（10分钟）1.让学生总结半导体材料和二极管的基本特性。
2.引导学生回顾实验和设计任务过程中的收获和困难。
参考资料：1.《电子技术基础教程》2.《半导体物理与器件基础》教学反思：本节课对于半导体二极管的教学，其中可借助示波器和万用表等仪器，加深学生对二极管特性的理解。
在设计任务中，可以给学生提供一些实际应用场景的例子，激发学生的兴趣和创造力。
另外，教学过程中可以适当加入小组合作学习和讨论的环节，培养学生的团队合作能力。
二极管教案
二极管教案教案：二极管教学目标：1. 了解二极管的原理和结构。
2. 熟悉二极管的符号和特性。
3. 掌握二极管的应用场景和实验操作。
教学准备：黑板、白板、投影仪、二极管实物、导线、万用表、电源等实验器材。
教学过程：一、导入（5分钟）1. 教师引导学生回顾前一节课学习的内容——电路和电流。
2. 提问：你们知道二极管吗？它有什么作用？二、讲解二极管的原理和结构（10分钟）1. 通过PPT展示二极管的结构示意图，解释其中的P型半导体和N型半导体的含义。
2. 解释二极管的工作原理：当正向电压施加在P区域，反向电压施加在N区域时，二极管就会导电，这时电流可以顺利通过；但当反向电压施加在P区域，正向电压施加在N区域时，二极管就会截流，电流无法通过。
三、介绍二极管的符号和特性（15分钟）1. 展示二极管的符号，并解释每个元素的含义。
2. 解释二极管的特性：正向工作电压（0.6-0.7V），反向击穿电压（一般为5-100V）和最大正向电流。
四、实验操作（20分钟）1. 将二极管与电源和万用表连接起来，让学生观察电流的变化。
2. 要求学生分别改变正向电压和反向电压，并观察电流变化情况。
3. 让学生总结实验结果，并回答以下问题：当反向电压施加在P区域，正向电压施加在N区域时，电流是否能通过？五、讨论二极管的应用场景（10分钟）1. 引导学生思考二极管在生活中的应用场景，如整流器、发光二极管、二极管激光器等。
2. 让学生选择一个应用场景，并找出其中使用二极管的原因。
六、小结与作业布置（5分钟）1. 小结二极管的原理、结构和特性。
2. 布置作业：复习总结本节课内容，并找出一个自己感兴趣的二极管应用场景，并写出二极管在其中的作用。
教学反思：通过本节课的教学，学生们对于二极管的原理和结构有了更加深入的了解，也对二极管的符号和特性有了进一步的认识。
通过实验操作，学生们亲自实践，从而更加直观地感受到了二极管的工作原理和特点。
此外，引导学生讨论二极管的应用场景，培养了他们的创新思维，激发了他们对于电子技术的兴趣。
电子技术基础课件：半导体二极管及其应用
若正、反向电阻阻值都非常大，表明管子内部已断路；若正、反向电阻阻值都很小， 则表明管子内部已短路。出现断路时，表明二极管已损坏。管子正常情况下，若正向电阻 为几千欧，则为硅管;若正向电阻为几百欧，则2 特性及主要参数 1. 单向导电性 二极管的主要特性是单向导电性。 加在二极管两端的电压称为偏置电压，若将直流电 源的正端加到二极管正极(PN结的P区)，负端加到二极管的负极(PN结的N区)，如图1.5(a)所 示，称为二极管(PN结)正向偏置，简称正偏。 这时电流表示出较大的电流值，二极管的这 种状态称为正偏导通，二极管呈现很小的电阻。 若将直流电源的正端接二极管的负极，负 端接二极管的正极，如图1.5(b)所示，称为二极管(PN结)反向偏置，简称反偏。 这时电流表 示出的电流值几乎为零，二极管的这种状态称为反向截止，即二极管呈现很大的电阻。 这 种允许一个方向电流流通的特性，称为单向导电性。
半导体二极管及其应用
3.基本应用 利用稳压管组成的简单的稳压电路如图1.15所示，R为限流电阻，RL为稳压电路的负载。 当输入电压UI、负载RL变化时，该电路可维持电压UO的稳定。
稳压二极管正常稳压工作时，有下述方程式：
若RL不变，UI增大时，UO将会随着增大，加于二极管两端的反向电压增加，使电流IZ 大大增加，IR也随之显著增加，从而使限流电阻上的压降IRR 增大，其结果是，UI的增加量 绝大部分都降落在限流电阻R 上，从而使输出电压UO基本维持恒定。反之，UI下降时，IR减 小，R 上压降减小，从而维持UO基本恒定。
电工学教案半导体二极管和三极管
电工学教案半导体二极管和三极管一、教学目标1.了解半导体二极管和三极管的基本结构和工作原理；2.掌握常见半导体二极管和三极管的特性参数；3.能够分析和解决与半导体二极管和三极管相关的电路问题；4.培养学生的动手实践和创新能力。
二、教学内容1.半导体二极管的基本结构和工作原理；2.常见半导体二极管的特性参数和应用；3.三极管的基本结构和工作原理；4.常见三极管的特性参数和应用。
三、教学过程1.导入引入通过介绍电子元器件中的两种重要器件，半导体二极管和三极管，引发学生对相关知识的探究和学习兴趣。
2.课堂讲解2.1半导体二极管2.1.1基本结构和工作原理详细介绍半导体二极管的基本结构，包括P-N结和其注入。
详细介绍半导体二极管的工作原理，包括正向偏置和反向偏置。
2.1.2特性参数和应用介绍半导体二极管的特性参数，包括导通压降、最大反向电压和最大正向电流等。
介绍半导体二极管的应用，包括整流、波形修整等。
2.2三极管2.2.1基本结构和工作原理详细介绍三极管的基本结构，包括三个区域的P-N结和掺杂工艺。
详细介绍三极管的工作原理，包括共发射极、共集电极和共基极的基本工作模式。
2.2.2特性参数和应用介绍三极管的特性参数，包括放大系数、最大耗散功率和最大反向电压等。
介绍三极管的应用，包括放大、开关等。
3.实验演示通过实验演示，让学生亲自搭建电路，观察和验证半导体二极管和三极管的工作原理和特性。
4.小结反思对课堂内容进行总结和归纳，强化学生对半导体二极管和三极管的理解。
四、教学方法1.讲授结合实践通过讲解和实验结合，加深学生对半导体二极管和三极管相关知识的理解和应用能力。
2.探究式学习鼓励学生积极参与课堂互动，提出问题、讨论问题，培养学生的创新思维和解决问题的能力。
五、教学评估1.课堂小测验设置课堂小测验以检测学生对知识的掌握程度。
2.实验报告要求学生根据实验结果和分析写实验报告，评估学生对半导体二极管和三极管的实际操作和分析能力。
第2讲 半导体二极管原理
课程名称：电工学与电子技术本次课标题：第2讲半导体二极管授课班级上课时间周月日第节上课地点教学目的1、了解半导体二极管的工作原理和主要参数；2、了解稳压管的工作原理和主要参数。
教学目标能力（技能）目标知识目标1、理解半导体的单向导电性；2、掌握半导体二极管的伏安特性和主要参数；3、掌握稳压管的特性。
1、了解半导体二极管的工作原理和主要参数；2、了解稳压管的工作原理和主要参数。
重点难点及解决方法重点：1、PN结的单向导电性；2、二极管的伏伏安特性；3、稳压管的特性。
难点：PN结的单向导电性。
解决办法：例题讲授与学生练习相结合，采用实物讲演法、图文并茂法、概念推演法、循序渐进法等多种教学方法。
参考资料《电工学》、《电工电子学》、《电工电子技术》教学设计课题第2讲半导体二极管教学目的1、了解半导体二极管的工作原理和主要参数；2、了解稳压管的工作原理和主要参数。
教学重点1、PN结的单向导电性；2、二极管的伏伏安特性；3、稳压管的特性。
教学过程及教学内容教学方法引入一、半导体的基础知识课堂提问：物体根据导电能力的强弱可分几类？自然界中的物质，按其导电性能可分为三大类，即导体、绝缘体和半导体。
导体是指导电能力很强的物质，如金、银、铜、铝等金属材料；绝缘体是指那些导电能力极弱，几乎不导电的物质，如塑料、陶瓷、玻璃等；半导体则是导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，如硅、锗、砷化镓等常用半导体材料。
—由于绝大多数半导体都是晶体，所以用半导体材料制造的二极管和三极管也常称为晶体二极管和晶体三极管。
启发思考法概念分析（一）半导体的导电特性利用半导体材料可以制成各种半导体器件，但其理由并不在于半导体的导电性能介于导钵和绝缘体之间这一性质，而在于半导体具有以下特殊的性质：1、热敏性：半导体的导电能力随外界温度升高而显著增加。
2、光敏性：半导体的导电能力随光照强度而显著变化。
这些特性称之为半导体的光敏特性和热敏特性，利用光敏特性可以制成光敏元件，利用热敏特性可以制成热敏元件。
电子技术基础与技能电子教案2(二极管的伏安特性)
教学设计方案教学实施2．二极管特性曲线二极管两端的电压、电流变化的关系曲线，即二极管的伏安特性曲线。
（1）正向特性正向电压较小，这个区域常称为正向特性的“死区”。
一般硅二极管的“死区”电压约为0.5V，锗二极管约为0.2V。
正向电压超过“死区”电压后，电流随电压按指数规律增长。
此时，两端电压降基本保持不变，硅二极管约为0.7V，锗二极管约为0.3V。
（2）反向特性二极管加反向电压，此时流过二极管的反向电流称为漏电流。
当加到二极管两端的反向电压超过某一规定数值时，反向电流突然急剧增大，这种现象称为反向击穿现象，该反向电压称为反向击穿电压，用U（BR）表示。
实际应用时，普通二极管应避免工作在击穿范围，否则会因电流过大而损坏管子失去单向导电性。
1.1.4二极管的使用常识1．二极管的型号国产二极管的型号命名规定由五部分组成（部分二极管无第五部分），国外产品依各国标准而确定。
2．二极管的主要参数（1）最大整流电流IFM（2）反向饱和电流IR（3）最高反向工作电压URM（4）最高工作频率fM例：利用二极管的单向导电性和导通后两端电压基本不变的特点，可以构成限幅（削波）电路来限制输出电压的幅度。
图（a）U D/VI/mA死区电压:硅管0.5V锗管0.2。
导通压降:硅管0.6~0.7V锗管0.2~0.3V反向击穿电压U(BR)反向漏电流很小（ A级）所示为一单向限幅电路。
设输入电压ui=10sinωt （V），Us=5V，为简化分析，常将二极管理想化，即二极管导通时，两端电压降很小，可视为短路，相当于开关闭合，；二极管反向截止时，反向电流很小，相当于开关断开，如图所示。
这样，单向限幅电路输出电压uo被限制在＋5V～－10V之间，其波形如图（b）所示。
将电路稍作改动便可做成双向限幅电路。
利用二极管的这一特性，通常可将其用于电路的过电压保护。
课后拓展1.伏安特性曲线的第一象限和第四象限各告诉我们什么信息？2.结合特性曲线和主要参数，谈一谈使用二极管的注意事项？板书设计一、特性曲线1.特性曲线2.死区电压3.饱和压降4.反向特性二、二极管参数1.I FM2.I R3.U RM4.f M＋－u iU SRVD5V＋－u o（a）单向限幅电路（b）波形u i/Vπ2π3πωt10－10u o/Vπ2π3πωt10－105S S相当于开关闭合相当于开关断开。
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课题1.1 半导体二极管课型新课授课班级授课时数 2 教学目标1．熟识二极管的外形和符号。
2．掌握二极管的单向导电性。
3．理解二极管的伏安特性、理解二极管的主要参数。
教学重点二极管的单向导电性。
教学难点二极管的反向特性。
学情分析教学效果教后记新课A．引入自然界中的物质，按导电能力的不同，可分为导体和绝缘体。
人们又发现还有一类物质，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，那就是半导体。
B．新授课1.1半导体二极管1.1.1什么是半导体1．半导体：导电能力随着掺入杂质、输入电压（电流）、温度和光照条件的不同而发生很大变化，人们把这一类物质称为半导体。
2．载流子：半导体中存在的两种携带电荷参与导电的“粒子”。
（1）自由电子：带负电荷。
（2）空穴：带正电荷。
特性：在外电场的作用下，两种载流子都可以做定向移动，形成电流。
3．N型半导体：主要靠电子导电的半导体。
即：电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
4．P型半导体：主要靠空穴导电的半导体。
即：空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
1.1.2PN结1．PN结：经过特殊的工艺加工，将P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起，则在两种半导体的交界面就会出现一个特殊的接触面，称为PN结。
2．实验演示（1）实验电路（2）现象所加电压的方向不同，电流表指针偏转幅度不同。
（3）结论PN结加正向电压时导通，加反向电压时截止，这种特性称为PN结的单向导电性。
3．反向击穿：PN结两端外加的反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增大，称为PN结的反向击穿。
4．热击穿：若反向电流增大并超过允许值，会使PN结烧坏，称为热击穿。
5．结电容（讲解）（引入实验电路，观察现象）PN结存在着电容，该电容称为PN结的结电容。
1.1.3半导体二极管利用PN结的单向导电性，可以用来制造一种半导体器件——半导体二极管。
1．半导体二极管的结构和符号（1）结构：由于管芯结构不同，二极管又分为点接触型（如图a）、面接触型（如图b）和平面型（如图c）。
（2）符号：如图所示，箭头表示正向导通电流的方向。
2．二极管的特性二极管的导电性能由加在二极管两端的电压和流过二极管的电流来决定，这两者之间的关系称为二极管的伏安特性。
硅二极管的伏安特性曲线如图所示。
（1）正向特性（二极管正极电压大于负极电压）（展示各种二极管）（引导分析伏安特性）① 死区：当正向电压较小时，正向电流极小，二极管呈现很大的电阻，如图中OA 段，通常把这个范围称为死区。
死区电压：硅二极管0.5 V 左右，锗二极管0.1 V ~ 0.2 V 。
② 正向导通：当外加电压大于死区电压后，电流随电压增大而急剧增大，二极管导通。
导通电压：硅二极管0.6 V ~ 0.7 V ，锗二极管0.2 V ~ 0.3 V 。
（2）反向特性（二极管负极电压大于正极电压）① 反向饱和电流：当加反向电压时，二极管反向电流很小，而且在很大范围内不随反向电压的变化而变化，故称为反向饱和电流。
② 反向击穿：若反向电压不断增大到一定数值时，反向电流就会突然增大，这种现象称为反向击穿。
普通二极管不允许出现此种状态。
由二极管的伏安特性可知，二极管属于非线性器件。
3．半导体二极管的主要参数（1）最大整流电流F I ：二极管长时间工作时允许通过的最大直流电流。
（2）最高反向工作电压RM V ：二极管正常使用时允许加的最高反向电压。
（讲解）练习1．晶体二极管加一定的_____电压时导通，加_____电压时_____，这一导电特性称为二极管的_____特性。
2．二极管导通后，正向电流与正向电压呈_____关系，正向电流变化较大时，二极管两端正向压降近似于_____，硅管的正向压降为_____V ，锗管约为_____V 。
小结1．PN 结具有单向导电性。
2．用PN 结可制成二极管。
符号如图所示。
3．二极管的伏安特性分正向特性和反向特性两部分。
布置作业 P22习题一1-1，1-2，1-3，1-4，1-5。
课题1.2半导体三极管课型新课授课班级授课时数 2 教学目标1．掌握三极管的结构、分类和符号。
2．理解三极管的电流放大作用。
3．掌握三极管的基本连接方式。
教学重点三极管的结构、分类、电流放大作用。
教学难点三极管的电流放大作用。
学情分析教学效果教后记新课A．引入在半导体器件中，有一种广泛应用于各种电子电路的重要器件，那就是半导体三极管，通常也称为晶体管。
B．新授课1.2半导体三极管1.2.1半导体三极管的基本结构与分类1．结构及符号PNP型及NPN型三极管的内部结构及符号如图所示。
三区：发射区、基区、集电区。
三极：发射极E、基极B、集电极C。
两结：发射结、集电结。
实际上发射极箭头方向就是发射结正向电流方向。
2．分类：（1）按半导体基片材料不同：NPN型和PNP型。
（2）按功率分：小功率管和大功率管。
（3）按工作频率分：低频管和高频管。
（4）按管芯所用半导体材料分：锗管和硅管。
（5）按结构工艺分：合金管和平面管。
（6）按用途分：放大管和开关管。
3．外形及封装形式三极管常采用金属、玻璃或塑料封装。
常用的外形及封装形式如图所示。
（介绍，参考教材）（展示各种二极管）1.2.2 三极管的电流放大作用 1．三极管各电极上的电流分配 （1）实验电路（2）实验数据表1-1 三极管三个电极上的电流分配mA B /I 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 mA C /I0.01 0.56 1.14 1.74 2.33 2.91 mA E /I0.010.571.161.772.372.96（3）结论：C B E I I I +=三极管的电流分配规律：发射极电流等于基极电流和集电极电流之和。
2．三极管的电流放大作用 由上述实验可得结论：基极电流B I 的微小变化控制了集电极电流较大的变化，这就是三极管的电流放大原理。
注意：（1）三极管的电流放大作用，实质上是用较小的基极电流信号控制集电极的大电流信号，是“以小控大”的作用。
（2）要使三极管起放大作用，必须保证发射结加正向偏置电压，集电结加反向偏置电压。
1.2.3 三极管的基本连接方式利用三极管的电流放大作用，可以用来构成放大器，其方框图如图所示。
（讲解实验电路，分析数据）（学生讨论完成）（讲解）三极管在构成放大器时，有三种基本连接方式：1．共发射极电路（CE）：把三极管的发射极作为公共端子。
2．共基极电路（CB）：把三极管的基极作为公共端子。
3．共集电极电路（CC）：把三极管的集电极作为公共端子。
（引导学生阅读教材）练习1．三极管的放大作用的实质是_____电流对_____电流的控制作用。
2．三极管的电流分配关系是怎样的？3．如何理解三极管的电流放大作用？小结1．三极管是一种有三个电极、两个PN结和两种结构形式（NPN和PNP）的半导体器件。
2．三极管内电流分配关系为：CBEIII+=。
3．三极管实现放大作用的条件是：三极管的发射结要加正向电压，集电结要加反向电压。
4．三极管有三种基本连接方式：共发射极电路、共基极电路和共集电极电路。
P23习题一1-6。
布置作业课题1.2半导体三极管课型新课授课班级授课时数 2 教学目标1．掌握三极管的特性曲线和主要参数。
2．掌握三极管的测试方法。
3．了解片状三极管。
教学重点1．三极管的特性曲线和主要参数。
2．三极管的测试方法。
教学难点三极管的特性曲线和主要参数。
学情分析教学效果教后记新课A．新授课1.2.4三极管的特性曲线1．输入特性曲线输入特性：在CEV一定条件下，加在三极管基极与发射极之间的电压BEV和它产生的基极电流BI之间的关系。
（1）实验电路改变P2R可改变CEV，CEV一定后，改变P1R可得到不同的BI和BEV。
（2）输入特性曲线三极管的输入特性曲线与二极管的十分相似，当BEV大于导通电压时，三极管才出现明显的基极电流。
导通电压：硅管0.7 V，锗管0.2 V。
2．输出特性曲线输出特性：在BI一定条件下，集电极与发射极之间的电压CEV与集电极电流CI之间的关系。
（1）实验电路先调节P1R，使BI为一定值，再调节P2R得到不同的CEV和CI值。
（2）输出特性曲线（引导观察电路）（引导观察电路）（分析，讲解）① 截止区：B I = 0以下的区域。
a ．发射结和集电结均反向偏置，三极管截止。
b ．B I = 0，C I ≠0，即为CEO I ，穿透电流。
c ．三极管发射结反偏或两端电压为零时，为截止。
② 放大区：指输出特性曲线之间间距接近相等，且互相平行的区域。
a ．C I 与B I 成正比增长关系，具有电流放大作用。
b ．恒流特性：CE V 大于1 V 左右以后，B I 一定，C I 不随CE V 变化，C I 恒定。
c ．发射结正偏，集电结反偏，三极管处于放大状态。
d ．电流放大倍数BCI I ∆∆=β ③ 饱和区：指输出特性曲线靠近左边陡直且互相重合的曲线与纵轴之间的区域。
a ．C I 不随B I 的增大而变化，这就是所谓的饱和。
b ．饱和时的CE V 值为饱和压降CES V ，CES V ：硅管为0.3 V ，锗管为0.1 V 。
c ．发射结、集电结都正偏，三极管处于饱和状态。
④ 总结：截止区：发射结和集电结均反偏。
放大区：发射结正偏，集电结反偏。
饱和区：发射结和集电结均正偏。
3．三极管的主要参数（1）共射极电流放大系数用 β 表示，选用管子时，β 值应恰当，一般说来，β 值太大的管子工作稳定性差。
（2）极间反向饱和电流① 集电极-基极反向饱和电流CBO I 。
② 集电极-发射极反向饱和电流CEO I 。
两者关系：CEO I =（1+β）CBO I（3）极限参数① 集电极最大允许电流CM I （分析，讲解）（学生讨论完成）（讲解）当CI过大时，电流放大系数β 将下降。
在技术上规定，β 下降到正常值的2/3时的集电极电流称集电极最大允许电流。
②反向击穿电压当基极开路时，集电极与发射极之间所能承受的最高反向电压——(BR)CEOV。
当发射极开路时，集电极与基极之间所能承受的最高反向电压——(BR)CBOV。
当集电极开路时，发射极与基极之间所能承受的最向反向电压——(BR)EBOV。
③集电极最大允许耗散功率CMP在三极管因温度升高而引起的参数变化不超过允许值时，集电极所消耗的最大功率称集电极最大允许耗散功率。
三极管应工作在三极管最大损耗曲线图中的安全工作区。
三极管最大损耗曲线如图所示。
1.2.5三极管的简易测试1．用万用表判别三极管的管型和管脚（1）万用表置于“R⨯ 1 k”挡或“R⨯ 100”挡。
（2）方法：①黑表笔和三极管任一管脚相连，红表笔分别和另外两个管脚相连测其阻值，若阻值一大一小，则将黑表笔所接的管脚调换重新测量，直至两个阻值接近。
如果阻值都很小，则黑表笔所接的为NPN型三极管的基极。