齐纳二极管稳压二极管工作原理及主要全参数
稳压管简介与常用型号
稳压二极管(又叫齐纳二极管)是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管，简称稳压管。
此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。
稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性，因而广泛应用于稳压电源与限幅电路之中。
稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性见图1,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。
稳压管的主要参数：稳定电压Vz稳定电压就是稳压二极管在正常工作时，管子两端的电压值。
这个数值随工作电流和温度的不同略有改稳压管变，既是同一型号的稳压二极管，稳定电压值也有一定的分散性，例如2CW14硅稳压二极管的稳定电压为6～7.5V。
耗散功率PM：反向电流通过稳压二极管的PN结时，要产生一定的功率损耗，PN结的温度也将升高。
根据允许的PN结工作温度决定出管子的耗散功率。
通常小功率管约为几百毫瓦至几瓦。
最大耗散功率PZM：是稳压管的最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。
反向工作时，PN结的功率损耗为：PZ=VZ*IZ，由PZM和VZ可以决定IZmax。
稳定电流IZ、最小稳定电流IZmin、大稳定电流IZmax稳定电流：工作电压等于稳定电压时的反向电流；最小稳定电流：稳压二极管工作于稳定电压时所需的最小反向电流；最大稳定电流：稳压二极管允许通过的最大反向电流。
动态电阻rZ其概念与一般二极管的动态电阻相同，只不过稳压二极管的动态电阻是从它的反向特性上求取的。
rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。
rz=△VZ/△IZ稳定电压温度系数温度的变化将使VZ改变，在稳压管中，当|VZ|＞7V时，VZ具有正温度系数，反向击穿是雪崩击穿。
当|VZ|＜4V时，VZ具有负温度系数，反向击穿是齐纳击穿。
当4V＜|VZ|＜7V时，稳压管可以获得接近零的温度系数。
齐纳二极管
齐纳二极管齐纳二极管(又叫稳压二极管)，此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。
齐纳二极管不同于锗二极管的是：如果反向电压，有时简称为“偏压”增加到某个特殊值，对于一个微小偏压的变化，就会使电流产生一个可观的增加。
引起这种效应的电压称为“击穿”电压或“齐纳”电压。
2DW7型管的击穿电压在5．8－6．5V之间，极大电流是30mA。
肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。
最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。
其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等肖特基（Schottky）二极管又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。
最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。
其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
在通讯电源、变频器等中比较常见。
供参考。
电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
在通讯电源、变频器等中比较常见。
供参考。
我知道的一个应用是在BJT的开关电路里面, 通过在BJT上连接Shockley二极管来箝位,使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截至状态.从而提高晶体管的开关速度.这种方法是74LS,74ALS, 74AS等典型数字IC TTL内部电路中使用的技术.稳压(齐纳)二极管稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊的面接触型硅晶体二极管。
c105t稳压二极管参数
c105t稳压二极管参数摘要：1.稳压二极管概述2.稳压二极管的参数详解3.稳压二极管的应用领域4.选购与使用注意事项正文：一、稳压二极管概述稳压二极管（C105T），又称齐纳二极管，是一种半导体器件，具有稳定的电压输出特性。
它主要用于电压稳压、电压基准源、脉冲发生器等电子电路中，以实现稳定的电压输出。
二、稳压二极管的参数详解1.额定电压（Vr）：稳压二极管的额定电压是指在正常工作条件下，二极管的正向电压与反向电压之间的差值。
选购时，应根据实际应用场景选择合适的额定电压。
2.反向电流（Ir）：稳压二极管在反向电压下的电流值。
反向电流越小，稳压二极管的功耗越低，但价格相对较高。
3.正向电流（If）：稳压二极管在正向电压下的电流值。
正向电流越大，稳压二极管的负载能力越强。
4.动态电阻（Rd）：稳压二极管在电压变化时的电阻值。
动态电阻越小，稳压二极管的电压调整率越好。
5.温度系数（α）：稳压二极管电压输出与温度之间的关系。
温度系数越小，稳压二极管的电压稳定性越好。
三、稳压二极管的应用领域1.电源电压稳压：稳压二极管可用于各种电源电压稳压电路，如线性稳压器、开关稳压器等。
2.电压基准源：稳压二极管可作为电压基准源，为其他电子元件提供稳定的电压参考。
3.脉冲发生器：稳压二极管可用于产生稳定的脉冲信号，如触发器、振荡器等。
4.保护电路：稳压二极管可用于过压保护、欠压保护等电路，保护后级电路免受过电压或欠电压的影响。
四、选购与使用注意事项1.根据实际应用场景选择合适的额定电压和动态电阻的稳压二极管。
2.考虑稳压二极管的功耗、价格等因素，确保性能与成本的平衡。
3.注意稳压二极管的温度系数，确保在实际工作环境中具有良好的稳定性。
4.合理布局电路，避免二极管导通时产生的热量过大，影响稳压性能。
5.使用时，应注意二极管的正反向接线，避免损坏器件。
总之，稳压二极管作为一种重要的半导体器件，在电子电路中具有广泛的应用。
齐纳二极管工作原理
齐纳二极管工作原理齐纳二极管（Zener diode）是一种特殊的二极管，它在逆向电压下具有稳定的电压特性。
本文将详细介绍齐纳二极管的工作原理，包括其结构、特性以及应用。
一、结构齐纳二极管的结构与普通二极管相似，由P型和N型半导体材料组成。
它的结构中添加了掺杂浓度较高的杂质，使得在逆向电压下，齐纳二极管能够产生稳定的击穿电压。
二、工作原理当齐纳二极管处于正向电压下时，其行为与普通二极管相同，导通电流。
但当齐纳二极管处于逆向电压下时，其特殊的工作原理开始显现。
1. 正常工作区域当逆向电压小于齐纳二极管的击穿电压时，齐纳二极管处于正常工作区域。
此时，齐纳二极管的电流非常小，几乎可以忽稍不计。
因此，齐纳二极管在这个区域内可以作为一个普通的二极管使用。
2. 齐纳击穿区域当逆向电压大于齐纳二极管的击穿电压时，齐纳二极管进入齐纳击穿区域。
在这个区域内，齐纳二极管的电流迅速增加，但电压保持在击穿电压的范围内。
这种特性使得齐纳二极管能够稳定地提供一个固定的电压。
三、特性齐纳二极管具有以下特性：1. 齐纳电压（Zener voltage）：齐纳二极管的击穿电压，也是其最重要的特性之一。
齐纳电压可以通过选择合适的杂质浓度来控制。
2. 齐纳电流（Zener current）：当齐纳二极管处于击穿电压下时，齐纳电流开始流动。
齐纳电流的大小取决于外部电路的负载和齐纳二极管的特性。
3. 温度系数（Temperature coefficient）：齐纳二极管的电压特性受温度影响较小。
正常情况下，齐纳二极管的电压在温度变化时变化较小。
四、应用齐纳二极管由于其稳定的电压特性，被广泛应用于各种电子电路中。
以下是一些常见的应用场景：1. 稳压器（Voltage regulator）：齐纳二极管可以用作稳压器的关键元件。
通过将齐纳二极管连接在逆向电压下，可以实现对电路的稳定电压输出。
2. 过压保护（Overvoltage protection）：齐纳二极管可以用于保护电路免受过高的电压损坏。
稳压二极管工作原理、应用电路、过压保护电路介绍
稳压二极管工作原理、应用电路、过压保护电路介绍一、什么是稳压二极管稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管。
利用pn 结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。
此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。
在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。
稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更高的稳定电压。
二、稳压二极管工作原理稳压二极管的伏安特性曲线的正向特性和普通二极管差不多，反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时，反向电阻很大，反向漏电流极小。
但是，当反向电压临近反向电压的临界值时，反向电流骤然增大，称为击穿，在这一临界击穿点上，反向电阻骤然降至很小值。
尽管电流在很大的范围内变化，而二极管两端的电压却基本上稳定在击穿电压附近，从而实现了二极管的稳压功能。
三、稳压二极管应用1、串联型稳压电路在此电路中，三极管T的基极被稳压二极管D稳定在13V，那么其发射极就输出恒定的13-0.7=12.3V电压了，在一定范围内，无论输入电压升高还是降低，无论负载电阻大小变化，输出电压都保持不变。
这个电路在很多场合下都有应用。
7805就是一种串联型集成稳压电路，可以输出5V的电压。
7805-7824可以输出5-24V电压。
2、电视机里的过压保护电路115V是电视机主供电电压，当电源输出电压过高时，D导通，三极管T导通，其集电极电位将由原来的高电平（5V）变为低电平，通过待机控制线的电压使电视机进入待机保护状态。
3、电弧抑制电路在电感线圈上并联接入一只合适的稳压二极管（也可接入一只普通二极管原理一样）的话，当线圈在导通状态切断时，由于其电磁能释放所产生的高压就被二极管所吸收，所以当开关断开时，开关的电弧也就被消除了。
稳压二级管介绍(齐纳二极管)
1
关键参数 测试方法
正向压降UF 稳压管在规定的正向电流下,二极管的正向电压降,是二极管能够导通的正向最低电 压。
伏安特性曲线
确认稳压管正负极，红表笔接正，黑表笔接负。 依据给定条件，在额定正向电流的条件下测出正 向压降。
关键参数 测试方法
稳定电压Uz 稳压管（工作于反向击穿区）指稳压管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该 值随工作电流和温度的不同而略有改变。
Minimum Power Dissipation最大耗散功率(mW)
Maximum Voltage Regulation最大调解电压(mV)
Repetitive Peak Forward Current正向重复峰值电流(A)
Zener Voltage Tolerance齐纳电压公差(%)
Test Current测试电流(mA)
关关键键参参数数测 测试试方方法法
动态阻抗Zz 指稳压管两端电压变化与电流变化的比值。该比值随工作电流的不同而改变，一般是 工作电流愈大，动态阻抗则愈小。Zz=DVz/DIz，Zz愈大，反映稳压管的击穿特性愈陡。
动态电阻特性曲线
确认稳压管正负极，红表笔接负，黑表笔接正。 依据给定条件，在额定电流的区间条件下测出对 应的稳定电压。电压差与电流差的比值，即是动 态阻抗值。
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稳压管不同于用在整流、检波和其他单向导电场合（利用PN结的单向导电 特性）的二极管，它是利用PN结的击穿区具有稳定电压的特性来工作的。 稳压管反向击穿后，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压变 化很小。利用这一特性，稳压管在电路中能起稳压作用。
齐纳二极管工作原理
齐纳二极管工作原理齐纳二极管（Zener diode）是一种特殊的二极管，具有特殊的工作原理和特性。
它是一种用于稳压和限流电路的重要元件。
本文将详细介绍齐纳二极管的工作原理，包括其基本结构、特性曲线以及应用领域。
一、齐纳二极管的基本结构齐纳二极管的基本结构与普通二极管类似，由P型和N型半导体材料构成。
不同之处在于，齐纳二极管的P-N结区域被精心设计成具有特殊的掺杂浓度，以实现其特殊的工作原理。
二、齐纳二极管的工作原理齐纳二极管的工作原理是基于反向击穿效应。
当齐纳二极管处于反向电压状态下，当电压达到反向击穿电压（也称为齐纳电压）时，齐纳二极管会发生反向击穿现象。
在反向击穿状态下，齐纳二极管的电流急剧增加，但电压保持稳定。
这种特性使得齐纳二极管成为一种理想的稳压元件。
三、齐纳二极管的特性曲线齐纳二极管的特性曲线是描述其电流与电压关系的曲线。
在正向电压下，齐纳二极管的特性曲线与普通二极管相似，呈现出正向导通特性。
而在反向电压下，齐纳二极管的特性曲线则呈现出反向击穿特性，即电流急剧增加，但电压保持稳定。
四、齐纳二极管的应用领域1. 稳压电路：齐纳二极管可以用于稳压电路中，通过选择合适的齐纳电压和电阻值，可以实现对电路中某一部分的稳定电压输出。
2. 限流电路：齐纳二极管可以用于限流电路中，通过控制反向电压，限制电流的流动，保护其他元件免受过大电流的损害。
3. 温度补偿电路：齐纳二极管的齐纳电压与温度有关，可以利用这一特性设计温度补偿电路，用于稳定温度变化对电路性能的影响。
五、总结齐纳二极管是一种重要的电子元件，具有特殊的工作原理和特性。
通过反向击穿效应，齐纳二极管可以实现稳压和限流功能。
其特性曲线在正向电压下呈现出正向导通特性，在反向电压下呈现出反向击穿特性。
齐纳二极管在稳压电路、限流电路和温度补偿电路中有着广泛的应用。
以上就是关于齐纳二极管工作原理的详细介绍。
希望本文能够对您有所帮助。
如有任何疑问，请随时向我们提问。
稳压二极管原理及参数详解
IZ<IZM
动态电阻
rZ = UZ / IZ
UZ rZ
IZ U Z U O rZ U O
rZ 越小稳压效果越好
稳压二极管符号
稳压管的参数
R
Ui
Iz
R
UO
Ui
IR
IZ rZ
UO
稳压二极管符号
稳压管的参数
电压温度系数CT
它是衡量在电路参数不变的条件下，稳压二极管的温度变化引起的
稳定电压的变化量。
稳压二极管原理及参 数
1 稳压二极管符号
2 稳压管的参数
稳压二极管又称齐纳二极管
iZ /mA
工作状态：反向击穿态
UZ
IZ UZ
O IZminuZ/V IZ IZmax
有黑色环的一端为负极
—
—
—
+
+
+
稳压二极管的三种符号
稳压二极管符号
稳压管的参数
稳压二极管符号
稳压管的参数
稳定电压 UZ 稳定电流IZ
U Z
CT
UZ T
100%
UZ < 4 V，CT < 0 (为齐纳击穿)具有负温度系数； UZ > 7 V，CT > 0 (为雪崩击穿)具有正温度系数； 4 V < UZ < 7 V，CT 很小。
学习小结
1 稳压二极管的符号及工作条件
—
—
—
+
+
+
工作状态：反向击穿态
学习小结
2 稳压二极管的参数及原理
PZ>PZM 稳压二极管会因为过热而损坏
UO=Ui
稳压二极管符号
稳压管的参数
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齐纳二极管(稳压二极管)工作原理及主要参数
齐纳二极管也叫稳压二极管.一般二极管处于逆向偏压时，若电压超过PIV(逆向峰值电压)值时二极管将受到破坏，这是因为一般二极管在两端的电位差既高之下又要通过大量的电流，此时所产生的功率所衍生的热量足以使二极管烧毁。
齐纳二极管就是专门被设计在崩溃区操作，是一个具有良好的功率散逸装置，可以当做电压参考或定电压组件。
若利用齐纳二极管作为电压调节器，将使附载电压保持在Vz附近且几乎唯一定值，不受附载电流或电源上电压变动影响。
一般二极管之崩溃电压，在制作时可以随意加以控制，所以一般齐纳二极管之崩电压(Vz)从数伏特至上百伏特都有。
一般齐纳二极管在特性表或电路上除了标住Vz外，均会注明Pz也就是齐纳二极管所能承受之做大功率，也可由Pz=Vz*Iz 换算出奇纳二极管可通过最大电流Iz。
dz3w上有个在线计算器,电路设计时可以用来计算稳压二极管的相关参数.
齐纳二极管工作原理
齐纳二极管主要工作于逆向偏压区，在二极管工作于逆向偏压区时，当电压未达崩溃电压以前，二极管上并不会有电流产生，但当逆向电压达到崩溃电压时，每一微小电压的增加就会产生相当大的电流，此时二极管两端的电压就会保持于一个变化量相当微小的电压值(几乎等于崩溃电压)，下图为齐纳二极管之电压电流曲线，可由此应证上述说明。
齐纳二极管(又叫稳压二极管)它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反
向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。
在通常情况下，反向偏置的PN结中只有一个很小的电流。
这个漏电流一直保持一个常数，直到反向电压超过某个特定的值，超过这个值之后PN结突然开始有大电流导通（图1.15）。
这个突然的意义重大的反向导通就是反向击穿，如果没有一些外在的措施来限制电流的话，它可能导致器件的损坏。
反向击穿通常设置了固态器件的最大工作电压。
然而，如果采取适当的预防措施来限制电流的话，反向击穿的结能作为一个非常稳定的参考电压。
图1.15 PN结二极管的反向击穿。
导致反向击穿的一个机制是avalanche multiplication。
考虑一个反向偏置的PN结。
耗尽区随着偏置上升而加宽，但还不够快到阻止电场的加强。
强大的电场加速了一些载流子以非常高的速度穿过耗尽区。
当这些载流子碰撞到晶体中的原子时，他们撞击松的价电子且产生了额外的载流子。
因为一个载流子能通过撞击来产生额外的成千上外的载流子就好像一个雪球能产生一场雪崩一样，所以这个过程叫avalanche multiplication。
反向击穿的另一个机制是tunneling。
Tunneling是一种量子机制过程，它能使粒子在不管有任何障碍存在时都能移动一小段距离。
如果耗尽区足够薄，
那么载流子就能靠tunneling跳跃过去。
Tunneling电流主要取决于耗尽区宽度和结上的电压差。
Tunneling引起的反向击穿称为齐纳击穿。
结的反向击穿电压取决于耗尽区的宽度。
耗尽区越宽需要越高的击穿电压。
就如先前讨论的一样，掺杂的越轻，耗尽区越宽，击穿电压越高。
当击穿电压低于5伏时，耗尽区太薄了，主要是齐纳击穿。
当击穿电压高于5伏时，主要是雪崩击穿。
设计出的主要工作于反向导通的状态的PN二极管根据占主导地位的工作机制分别称为齐纳二极管或雪崩二极管。
齐纳二极管的击穿电压低于5伏，而雪崩二极管的击穿电压高于5伏。
通常工程师们不管他们的工作原理都把他们称为齐纳管。
因此主要靠雪崩击穿工作的7V齐纳管可能会使人迷惑不解。
实际上，结的击穿电压不仅和它的掺杂特性有关还和它的几何形状有关。
以上讨论分析了一种由两种均匀掺杂的半导体区域在一个平面相交的平面结。
尽管有些真正的结近似这种理想情况，大多数结是弯曲的。
曲率加强了电场，降低了击穿电压。
曲率半径越小，击穿电压越低。
这个效应对薄结的击穿电压由很大的影响。
大多数肖特基二极管在金属－硅交界面边缘有一个很明显的断层。
电场强化能极大的降低肖特基二极管的测量击穿电压，除非有特别的措施能削弱Schottky barrier边缘的电场。
图1.16是以上所讨论的所有的电路符号。
PN结用一根直线代表阴极，而肖特基二极管和齐纳二极管则对阴极端做了一些修饰。
在所有这些图例中，箭头的方向都表示了二极管正向偏置下的电流方向。
在齐纳二极管中，这个箭头可能有些误导，因为齐纳管通常工作在反向偏置状态下。
对于casual observer来说，这个符号出现时旁边应该再插入一句“方向反了”。
图1.16 PN结，肖特基，和齐纳二极管的电路图符号。
有些电路图符号中箭头是空心的或半个箭头。
稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊的面接触型硅晶体二极管。
稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样。
稳压二极管的特性曲线与普通二极管基本相似，只是稳压二极管的反向特性曲线比较陡。
稳压二极管的正常工作范围，是在伏安特性曲线上的反向电流开始突然上升的部分。
这一段的电流，对于常用的小功率稳压管来讲，一般为几毫安至几十毫安。
稳压二极管的主要参数
（1）稳定电压Vz：稳定电压就是稳压二极管在正常工作时，管子两端的电压值。
这个数值随工作电流和温度的不同略有改变，既是同一型号的稳压二极管，稳定电压值也有一定的分散性，例如2CW14硅稳压二极管的稳定电压为6～7.5V。
（2）耗散功率PM：反向电流通过稳压二极管的PN结时，要产生一定的功率损耗，PN结的温度也将升高。
根据允许的PN结工作温度决定出管子的耗散功率。
通常小功率管约为几百毫瓦至几瓦。
最大耗散功率PZM：是稳压管的最大功率损耗取决于PN结的面积和散热
等条件。
反向工作时，PN结的功率损耗为：PZ=VZ*IZ，由PZM和VZ可以决定IZmax。
（3）稳定电流IZ、最小稳定电流IZmin、大稳定电流IZmax 稳定电流：工作电压等于稳定电压时的反向电流；最小稳定电流：稳压二极管工作于稳定电压时所需的最小反向电流；最大稳定电流：稳压二极管允许通过的最大反向电流。
(4)动态电阻rZ：其概念与一般二极管的动态电阻相同，只不过稳压二极管的动态电阻是从它的反向特性上求取的。
rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。
rz=△VZ/△IZ
(5)稳定电压温度系数：温度的变化将使VZ改变，在稳压管中，当|VZ| ＞7 V时，VZ具有正温度系数，反向击穿是雪崩击穿。
当|VZ|＜4V时，VZ具有负温度系数，反向击穿是齐纳击穿。
当4V＜|VZ|＜7V时，稳压管可以获得接近零的温度系数。
这样的稳压二极管可以作为标准稳压管使用。
稳压二极管的检测
（1）正、负电极的判别从外形上看，金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形，负极一端为半圆面形。
塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极，另一端为正极。
对标志不清楚的稳压二极管，也可以用万用表判别其极性，
测量的方法与普通二极管相同，即用万用表R×1k档，将两表笔分别接稳压二极管的两个电极，测出一个结果后，再对调两表笔进行测量。
在两次测量结果中，阻值较小那一次，黑表笔接的是稳压二极管的正极，红表笔接的是稳压二极管的负极。
若测得稳压二极管的正、反向电阻均很小或均为无穷大，则说明该二极管已击穿或开路损坏。
（2）稳压值的测量用0~30V连续可调直流电源，对于13V以下的稳压二极管，可将稳压电源的输出电压调至15V，将电源正极串接1只1.5kΩ限流电阻后与被测稳压二极管的负极相连接，电源负极与稳压二极管的正极相接，再用万用表测量稳压二极管两端的电压值，所测的读数即为稳压二极管的稳压值。
若稳压二极管的稳压值高于15V，则应将稳压电源调至20V以上。
也可用低于1000V的兆欧表为稳压二极管提供测试电源。
其方法是：将兆欧表正端与稳压二极管的负极相接，兆欧表的负端与稳压二极管的正极相接后，按规定匀速摇动兆欧表手柄，同时用万用表监测稳压二极管两端电压值（万用表的电压档应视稳定电压值的大小而定），待万用表的指示电压指示稳定时，此电压值便是稳压二极管的稳定电压值。
若测量稳压二极管的稳定电压值忽高忽低，则说明该二极管的性不稳定。
稳压二极管的应用
稳压管常用在整流滤波电路之后，用于稳定直流输出电压的小功率电源设备中。
稳压二极管的选用
稳压二极管一般用在稳压电源中作为基准电压源或用在过电压保护电路中作为保护二极管。
选用的稳压二极管，应满足应用电路中主要参数的要求。
稳压二极管的稳定电压值应与应用电路的基准电压值相同，稳压二极管的最大稳定电流应高于应用电路的最大负载电流50%左右。
稳压二极管的代换
稳压二极管损坏后，应采用同型号稳压二极管或电参数相同的稳压二极管来更换。
可以用具有相同稳定电压值的高耗散功率稳压二极管来代换耗散功率低的稳压二极管，但不能用耗散功率低的稳压二极管来代换耗散功率高的稳压二极管。
例如，0.5W、6.2V的稳压二极管可以用1W、6.2V稳压二极管代换。