模拟电子技术试卷二及答案
电子技术基础(模拟)Ⅱ习题及答案

七、
1.电容C的位置错,可去掉或改动 的位置
2.去掉电容C2
3. 的极性错
八、画出下面电路的直流通路和微变等效电路。
直流通路:
微变等效电路:
九、解:
1. 、 、
2.交流负载线:过Q点,与横轴的焦点是
3.到饱和区的最大 ;到截止区的最大 。因此这道题要出现失真,应该是饱和失真,答同时出现也可以。
二、选择题
1.B,A,A2.B,A3.A,B,C
三、填空题
1.放大区、截止区、饱和区、放大区
2.电源、直流信号、交流信号源、交流信号、电容、交流信号源、电容、电源
3.电压放大倍数、输入电阻、带宽
4.静态工作点、交流负载线、交流负载线的中间、基极电阻、增大
四、
1. X——发射极、Y——集电极、Z——基极、
负反馈自激振荡的条件是:
观察放大电路的波特图。当 时,若幅频响应曲线在零点以下,则电路稳定;否则可能产生自激振荡。
2.选择正确答案填空
A电压串联负反馈B电压并联负反馈
C电流串联负反馈D电流并联负反馈
(1)为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应引入C
(2)为了实现电流-电压转换,应引入B
(3)为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载能力,应引入A
(4)为了实现电流放大,应引入D。
三、判断图示电路引入了何种反馈?
模2第五章练习题答案
一、判断题
1 .√ 2. √ 3.X4. X 5. X
二、填空题
1. F D C A B E A C
2. C B A D
三、判断图示电路引入了何种反馈?
电流并联负反馈电压串联负反馈
电压并联正反馈电流并联负反馈
模拟电子技术复习试题二

模拟电子技术复习试题二一、填空题(本大题共10小题,每空1分,共20分)请在每小题的空格中填上正确答案。
错填、不填均无分。
1.半导体中,由浓度差引起非平衡载流子运动,形成_________电流,由外加电场引起载流子运动形成_________电流。
2.温度升高时,晶体二极管的I s将_________,V D(on)将_________。
3.晶体三极管工作在截止模式下的外部条件是发射结和_________结均为_________偏置。
4.N沟道MOSFET中,为保证器件正常工作,_________极应接在电位的最低点,而P沟道的MOSFET,则该电极应接在电位的_________。
5.P沟道EMOS管工作在饱和区的条件是_________和_________。
6.放大器的失真根据其产生的机理不同可分为_________失真和_________失真两大类。
7.电流源电路的主要参数是_________和_________。
8.反馈元件并接到输入信号源两端的为_________反馈,否则为_________反馈。
9.负反馈放大电路自激的幅度条件是_________,相位条件是_________。
10.满足理想化条件的集成运放应具有无限大的差模输入电阻、趋于零的_________电阻、无限大的差模电压增益和_________抑制比、无限大的频带宽度以及趋于零的失调和漂移。
二、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
1.杂质半导体中多数载流子浓度( )A.只与温度有关B.取决于掺杂浓度,几乎与温度无关C.与温度无关D.与掺杂浓度和温度都无关2.一个硅二极管在正向电压V D=0.6V时,正向电流I D为10mA,若V D增大到0.66V(即增加10%),则电流I D( )A.约为11mA(也增加10%)B.约为20mA(增大1倍)C.约为100mA(增大到原先的10倍)D.仍为10mA(基本不变)3.某晶体三极管的I B为10μA,I C为1mA,I CEO为0.1mA则该管的β值为( )A. 100B. 110C. 90D. 804.已知某三极管V BE=0.7V,V CE=3V,则该管工作在_________区。
新版模拟电子技术 部分参考答案(二)

习 题 55.1 阻容耦合放大电路如图5.1所示,已知1250ββ==,BEQ 0.7V U =,指出每级各是什么组态的电路,并计算电路的输入电阻i R 。
u S图5.1 习题5.1电路图解: 第一级为共集放大电路,第二级为共射放大电路 (1) )μA (1.51551257.015BQ1=⨯+-=I )m (56.2BQ1CQ1A I I =⋅=β)V (2.2556.215e1CQ1CC CEQ1=⨯-=⋅-=R I V U)(81856.22651300be1Ω=⨯+=r (2) )V (5.215501010BQ2=⨯+=V )mA (64.111.07.05.2EQ CQ2=+-=≈I I)V (5)11.05(64.115CEQ2=++⨯-=U)k (1.164.12651300be2Ω=⨯+=r (3) )k (56.3])1(//['//'e222be b2b12i Ω=++=R r R R R β )k (26.20]//)1(//[2i e111be b1i Ω=++=R R r R R β5.2 电路如图5.2所示,设两管的β=100,U BEQ =0.7V ,求:(1)I CQ1、U CEQ1、I CQ2、U CEQ2;(2)A u1、A u2、A u 、R i 和R o 。
u s-+u o图5.2 习题5.2电路图 图5.3 习题5.3电路图解: (1) CQ1EQ1CQ2010.2mA I I I I ====CQ1BB BEQ EQ160.7 5.3V,0.7V U V U U =-=-==-CEQ1CQ1EQ1 5.3(0.7)6V U U U =-=--=CEQ2CQ2EQ2CC CQ2C2EQ21510.20.47 5.3 4.91(V)U U U V I R U =-=-⋅-=-⨯-=(2) be2i25505.511100r R β===Ω++,i2u1be1100 5.51550R A r β⨯=-=-=- C2u2be210047085.4550R A r β⨯===,u u1u2(1)85.485.4A A A =⨯=-⨯=-i be1550R r ≈=Ω,o o2c2470R R R ≈==Ω5.3 电路如图5.3所示,设VT 1与VT 2的小信号参数分别为β1、r be1和β2、r be2。
模拟电子技术试卷2附答案

考试科目 《模拟电子技术》 专业 (A 类B 卷)学号 姓名 考试日期: 年 月 日一、选择题(8小题,每空2分,共20分)1.电路如图所示,()V sin 05.0i t u ω=,当直流电源电压V 增大时,二极管V D 的动态电阻将__ __。
A .增大,B .减小,C .保持不变2.已知某N 沟道增强型MOS 场效应管的)GS(th U =4V 。
GS u =3V ,DS u =10V ,判断管子工作在 。
A .恒流区,B .可变电阻区 ,C .截止区3. 某直接耦合放大电路在输入电压为 0.1V 时,输出电压为 4V ;输入电压为 0.2V 时,输出电压为 8V (均指直流电压)。
则该放大电路的电压放大倍数为________________。
A .80 ,B .40,C .-40,D .20 4. 在某双极型晶体管放大电路中,测得)m V 20sin (680BE t u ω+=,A μ)10sin (20B t i ω+=,则该放大电路中晶体管的_ ___。
A .2,B .34,C .0.4,D .15. 差分放大电路如图所示。
设电路元件参数变化所引起静态工作点改变不会使放大管出现截止或饱和。
若R e 增加,差模电压放大倍数d u A 。
A .增大,B .减小,C .基本不变6. 为使其构成OCL 电路,V 2CES ≈U ,正常工作时,三极管可能承受的最大管压降≈CEmax U 。
A .36VB .34VC .32VD .18V(-18V)7. 已知图示放大电路中晶体管的=50,=1k 。
该放大电路的中频电压放大倍数约为___ _ _(A .50, B .100, C .200);下限截止频率约为___ __Hz(A .16, B .160, C .1.6k );当输入信号频率f =时,输出电压与输入电压相位差约为 _ _(A .45°, B .-45°, C .-135°, D .-225°)。
模拟电子技术(13)--期末试卷及答案二

模拟电子技术试卷二一、填空题(共10分,每空1分)1、用示波器观察由NPN 管组成的单管共射电路的输出波形时,发现波形顶部被削平,这说明电路出现了 失真,若要消除此类失真,应将Q 点调 。
2、对于PNP 型晶体管,当其工作在饱和区时,发射结为 偏、集电结为 偏。
3、三级放大电路中,在通频带内,A u1=A u2=20dB ,A u3=40dB ,则总的电压增益为 dB ,该电路将输入信号放大了 倍。
4、集成运放采用 藕合方式,输入级采用 放大电路。
5、在反馈电路中,若∣1+AF >1,∣则为______反馈;若∣1+AF <1∣时,则为______反馈。
二、单项选择题(共20分,每小题2分)1. N 型半导体中多数载流子是 ;P 型半导体中多数载流子是 。
A .自由电子 B .空穴 C.正离子2.稳压管的稳压区是指其工作在 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿3. 用于放大时,场效应管工作在特性曲线的 。
A .可变电阻区 B .恒流区 C .截止区4.为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用 。
A.共射放大电路B.共集放大电路C.共基放大电路5. 具有相同参数的相同放大电路的两级放大器,在组成它的各个单级放大器的截止频率处,总的电压放大倍数下降( )。
A . 3dB B . 6dBC . 20dBD . 9dB 6.图2.1所示电路的通带增益0A = 。
A.21R R B.-21R R C.1+21R R图 2.17. 与迟滞比较器相比,单门限比较器抗干扰力 。
A.较强 B.较弱 C.两者相近8. 某仪器需要产生频率在10MH Z ~20MH Z 之间可调的正弦波信号,则选择 类型的正弦波振荡电路更合适。
A. RCB.LCC. 石英晶振9.图2.2所示的电路中组成部分Ⅱ的电路名称为 。
A变压器 B. 稳压电路 C. 整流电路u o+图2.210.直流稳压电源中滤波电路的目的是 。
模拟电路试卷02

(2 分)
I BQ
I EQ 1
1.048 10.4A 101
(1 分) (2 分)
VCEQ VCC I CQ Rc I EQ R f Re 10 1.048 3 1.5 0.2 5.07V
(3)
v Rc AV o vi rbe (1 ) R f
解:UO1≈1.3V(2 分) ,UO2=0(2 分) ,UO3≈-1.3V(2 分) ,UO4≈2V(2 分) 。
2.电路如图所示,其中二极管为理想元件,已知 u 2 100 2 sin 314t V , RL 90 ,试求: (1)该电路的名称及作用; (2)交流电压表 ( V1 ) 、直流电流表 ( A 2 ) 以及直流电压表 ( V2 ) 的读数各是多少?(设电流表内阻为零, 电压表内阻为无穷大)。 (6 分)
. Ii . Ib
+VCC Rb2 C1 + + vi Rb1 Rc C 2 + T Rf Re vo + Ce RL
+
b
rbe
c
. Ic .
+
. Vi Rb1 Rb2
+
Rc . RL Vo
e
Rf
Ib
-
-
(4 分) (2)
I EQ
Rb1 33 10 0.7 R R Vcc VBE b2 b2 133 1.048mA I CQ R f Re 0.2 1.5
5.为了稳定放大电路的静态工作点,可采用 直流 负反馈。为了改善稳定放大电路的动态性能,可 采用 交流 负反馈。
二、单项选择题(本大题共5小题,每小题2分,共10分)
模拟电子技术试卷
模拟电子技术测验 试卷二一、 填空题:将正确的答案填入空格中。
(本大题分15小题,每小题2分,共30分)1. 在分析BJT 放大电路高频响应时,常应用BJT 的__________________________模型对放大电路进行分析。
2. 稳压管反向击穿区的特性曲线越陡,管子的动态电阻就越_____________,稳压性能就越_____________。
3. P N 结在外加正向电压作用下,扩散电流____________漂移电流。
PN 结在外加反向电压作用下,扩散电流_____________漂移电流。
4. 在图示电路中,D 1和D 2均为理想二极管,则当v i >12V 时,v o =_____________V 。
5. 电路如图所示,当v i = 3V 时,v o =_____________V 。
vv i v o6. 功率放大电路是在大信号下工作。
研究的重点是如何在允许的失真情况下,尽可能提高__________________________和__________________________。
7. 乙类双电源互补对称功放电路如下图所示,v i 为正弦波。
在BJT 的饱和压降V CES 忽略不计的条件下,负载R L 上能得到的最大输出功率P om =_____________W 。
8. 理想运算放大器的共模抑制比等于_____________,输出电阻等于_____________。
9. 根据相位平衡条件,判断下图所示电路是否可能振荡。
答:_____________。
v o v i 12 VR B2R B110.电路如图所示,,已知R 1=5k Ω,R 2=15k Ω,R 3=10k Ω,R C=2k Ω,R E =,该电路中的晶体管状态。
11.一单级阻容耦合放大电路的通频带是50Hz ~50kHz ,中频电压增益dB 40=VMA ,最大不失真交流输出电压峰值范围是-3V ~+3V 。
《模拟电子技术基础》试题2
机电3+2《模拟电子技术基础》试题库2考生须知:1.本试卷分问卷和答卷两部分,满分100分,考试时间90分钟。
2.在答题卷密封区内请写明校名、姓名和学籍号。
3.全部答案都请做在答题卷标定的位置上,务必注意试题序号与答题序号相对应,直接做一、填空题(每空1分,共30分)1.根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为、和三类。
2.PN结正偏时,P区接电源的极,N区接电源的极。
3. 三极管按内部结构分为型和型,前者的图形符号是,后者的图形符号是。
4. 硅二极管导通时的正向管压降约 V,锗二极管导通时的正向管压降约 V。
5. 三极管工作在饱和状态的外部电压条件是:发射结,集电结。
6.当测得晶体三极管的集电极对地电压V C接近电源电压V CC时,表明该三极管处于________状态。
7.一放大器无反馈时的放大倍数A=120,加入负反馈后,放大倍数下降为A f=20,它的反馈深度1+AF= ,反馈系数F= 。
8.某工作在放大区的三极管,如果当I B从22μA增大到42μA,I C从1mA变为2mA,则它的放大倍数β为__________。
9.负反馈能使放大器的通频带__________,非线性失真__________。
10.在低通滤波电路中,电容器与负载联,电感与负载联。
11.通常使用法判断反馈放大器的反馈极性。
根据反馈信号是交流还是直流来分,可分为反馈和反馈。
12.由NPN三极管组成的放大电路中,输出电压波形的正半周失真,则产生了失真,它的静态工作点位置。
13.放大器的输出电阻,放大器能力越强。
14.单级共射极放大电路中,输入电压和输出电压的频率,相位。
二、单项选择题(每小题3分,共30分)1.对三极管放大作用的实质,下面说法正确的是( ) A.三极管可以把小能量放大成大能量 B.三极管可以把小电流放大成大电流C.三极管可以把小电压放大成大电压D.三极管可用较小的电流控制较大的电流2. 交流电源电压V 2=11伏的单相桥式整流电路,直流负载电阻RL=5欧,每个二极管通过的电流约为( )安。
电力电子技术-模拟试题2-答案
哈尔滨工业大学远程教育学院 2007年秋季学期电力电子技术模拟试题2(开卷,时间:120分钟)(所有答案必须写在答题纸上)一、填空题(40分,每空1分)1. GTO的多元结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
2.GTO的开通控制方式与晶闸管相似,但是可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。
3. GTO导通过程与普通晶闸管一样,只是导通时饱和程度较浅,导通时管压降增大。
4. GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值I GM之比称为电流关断增益, 该值一般很小,只有 5 左右,这是GTO的一个主要缺点。
5. GTR导通的条件是:集电极承受正电压(NPN型)且基极施加驱动电流。
6. 在电力电子电路中GTR工作在开关状态, 在开关过程中,在截止区和饱和区之间过渡时,要经过放大区。
7. 电力MOSFET导通的条件是:漏源极间加正电源且在栅源极间加正电压U GS,且大于开启电压。
8. 电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的截止区、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的放大区。
9.电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数。
10.IGBT是由MOSFET 和GTR 两类器件取长补短结合而成的复合器件10.PWM控制的理论基础是面积等效原理,即冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。
11.根据“面积等效原理”,SPWM控制用一组等幅不等宽的脉冲(宽度按正弦规律变化)来等效一个正弦波。
12.PWM控制就是对脉冲的宽度进行调制的技术;直流斩波电路得到的PWM 波是等效直流波形,SPWM控制得到的是等效正弦波形。
13.PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称单极性控制方式,PWM 波形在正负极性间变化的控制方式称双极性控制方式,三相桥式PWM型逆变电路采用双极性控制方式。
14.SPWM波形的控制方法:改变调制信号u r的幅值可改变基波幅值;改变调制信号u r的频率可改变基波频率;15.得到PWM波形的方法一般有两种,即计算法和调制法,实际中主要采用调制法。
模拟电子技术试卷及答案
模拟试卷一一、填空(16分)1.半导体二极管的主要特性是___________ 。
2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。
3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ 。
4.为提高放大电路输入电阻应引入___反应;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反应。
5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。
这类功放的能量转换效率在理想情况下,可到达_____,但这种功放有______失真。
6.在串联型稳压电路中,引入了——负反应;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。
二、选择正确答案填空(24分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,那么这只三极管是( )。
A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。
A.P沟道增强型MOS管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管3.在图示2差分放大电路中,假设uI = 20 mV,那么电路的( )。
A.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV。
B.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV。
C.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV。
D.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV。
4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。
A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大5.在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应( )。
A.减小C,减小Ri B.减小C,增大RiC.增大C,减小Ri D.增大C,增大 Ri6.如下图复合管,V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,那么复合后的 b 约为( )。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
中南大学
模拟电子技术试卷(第2套)
一、填空题(除6题外,每空1分,共20分)
1.稳压管是一种特殊的二极管,它工作在____________ 状态.
2.甲类、乙类和甲乙类放大电路中,_______________电路导通角最大;_______________电路效率较高;_______________电路交越失真最大,为了消除交越失真而又有较高的效率一般电路_______________。
3.直接耦合放大电路存在____________ 现象。
4.图1示电路,要求达到以下效果,应该引人什么反馈?
(1)希望提高从b1端看进去的输入电阻,接Rf从_______到________;
(2)希望输出端接上负载RL后,Uo(在给定Ui情况下的交流电压有效值)基本不变,接Rf从_______到________;(用A~F的字符表示连接点)。
5.集成运放内部一般包括四个组成部分,它们是______________,_ __________,______________和_______________。
6.在图2示差动放大电路中,假设各三极管均有β=50,U BE=0.7V。
求
(1)I CQ1=I CQ2=__________mA;(2分)
(2)U CQ1=U CQ2=__________V(对地);(2分)
(3)Ro = __________KΩ。
(2分)
二、OCL 电路如图3所示,已知Vcc=12V ,R L = 8Ω ,vi 为正弦电压。
(10分) 1.求在Vces = 0的情况下,电路的最大输出功率Pmax 、效率η和管耗P T 。
2.求每个管子的最大允许管耗P CM 至少应为多少?
三、某放大电路的频率响应如图4所示。
(12分) 1.该电路的中频放大倍数|A um | = ?
2.该电路的增益频率响应 A U (j ω)表达式如何?
3.若已知其输出电压最大不失真动态范围为Uom = 10V ,当输入信号
)()10502sin(2)105.12sin(1.032V t t Ui ⨯⨯+⨯⨯=ππ时,试判断输出信号是否会失真?
说明理由。
四、如图5所示电路,设已知各元件参数,包括T1的gm 和T2的β及r be ,试求两级增益
Aui、Aus、输入和输出电阻(用表达式表示)。
(12分)
五、在图示6电路中,设R1 = R F =10KΩ,R2=20KΩ,R’= 4KΩ,两个输入电压U i1和U i2的波形如图7所示,试写出Uo的表达式,并在对应的坐标上画出输出电压Uo的波形,且标上相应电压数值。
(10分)
六、用集成运放构成的串联型稳压电路如图8所示。
在Dz的稳压值Uz=+6V,R1=2kΩ,R2=1kΩ,R3=l kΩ时,电源电压为220V,电路输出端接负载电阻R L。
1.计算输出电压Uo的范围为多少?(12分)
2.若T1管的最低管压降为3V,则变压器副边电压有效值U2应为多少伏?
3.在(1)和(2)的条件下,若R L变化范围为100~300Ω,试说明三极管T1在什么时候功耗最大?其值如何?
`
七、理想运放组成如图9所示的电压比较电路。
已知运放输出±Uomax =± 12V ,二极管导通压降为0.7V ,发光二极管LED 导通压降为1.4V 。
(12分) 1.试回答在什么条件下,LED 亮;
2.设LED 工作电流为5mA ~30mA ,确定限流电阻R 的范围;
3.若将运放Al 、A2的同相、反相输入端位置对换,电路其他接线都不变,画出变换后的Uo = f (Ui )曲线。
八、试用集成运放和乘法器设计,实现以下关系:
3222!25
10i i i O U U U U +-= 设模拟乘法器系数K=0.5 V -1。
画出电路原理图;估算电阻元件的阻值。
所选用的电阻值希望在20K ~200K Ω的范围内。
(12分)
参考答案
一、
1. 1. 反向击穿;
2. 2. 甲类、甲乙类、乙类、甲乙类; 3. 3. 零点漂移;
4. 4. (串联负反馈)从C 到F ;(电压负反馈)从A 到E ; 5. 5. 差放输入级、压放中间级、互补输出级、偏置电路; 6. 6. (1)0.5; (2)5; (3)20; 二、 1.
W
R V
P L
CC o 922
max ==
L oM oM
AV C R U I I πππ
==⎰0)(Sin ωinωt 21
W
R V I V P L
CC
AV C CC V 46.11222
)(===π
%
5.78max ==V
o P P
η
W
P P P P o V T T 23.1)(21
max 21=-==
2.W P P
o T 8.12.0max max ==
三、 1.
10=um
A
2.
)101)(101(10
10)
1)(1()(5f j f j
f j
f f j f f j f f
j
A j A H
L L
um
u ++⋅=++= ω
3.输出电压会失真。
输入信号中有两个频率成分150Hz 和50KHz ,这两种信号的放大倍数均为10,所以幅度为2V 的输入信号被放大后,将超过最大不失真输出幅度om U 2=14V
而产生非线性失真。
四、 1.
e be c e be c i g m i g m I
o o o ui R r R R r R R R g R R g U U U U A )1()1()//(1)//(232311ββββ++-≈
++-⋅+=⋅=
c o g g i R R R R R ==21// i s i u s
I u s I I o s o us R R R A U U A U U U U U U A +⋅=⋅=⋅== 五、
t
0.5sin 122
11
ω--=-
-
=I f I f o u R R u R R u
六、 1.
V
U R R R R U R R R R R U Z Z 24~12~3
3
21233210=+++++=
2.
V U U V
U U U I
o CE I 5.222.1272max min =≈
=+=
3.
A U I o o 12.0100min
max =Ω=
A
I R R R U I I o o o E 12.0max 321min
max max =≈+++=
W U U I P o ax E T 8.1)(min Im max max =-=
七、
1. 1. 当U I >6V 或 U I <3V 时,U O =11.3V ,LED 亮; 2. 2.
Ω=-=
K K I U R o 98.1~33.04
.1
3.
八、
3
2
12
11
115.0I f I f o u R R U R R U -
⨯-
=
3
3
2212
24
22
13
1212
24
213
2
225.0I f f I f I f f I f o f o U R R R R U R R U R R R R U R R U R R U +
-=⨯-
-=5
2,2,1024
23
2213
121===∴
R R R R R R R R R R f f f f f
取R 4=20K ,则R f2=200K ,R f1=20K , R 1=10K , R 2=100K , R 3=100k ,
Ω=='K R R R R f 2.6////1211 Ω=='K R R R R f 15////2432。