半导体光电子器件的制作技术
半导体器件的制造工艺
半导体器件的制造工艺半导体器件是现代电子技术中不可或缺的重要组成部分，它们被广泛应用于计算机、通信、医疗、军事等领域。
而半导体器件的核心是芯片，芯片上集成着数亿个晶体管等器件，通过这些器件控制电流，完成信息的处理和传输。
那么，半导体器件的制造工艺是怎样的呢？首先，要制造一颗芯片，首先需要选择适合的半导体材料，例如硅、镓、锗等。
目前，硅是最常用的半导体材料，因为它的物理性质稳定、易于加工，并且具有较好的电学特性。
在材料选择后，需要洁净化处理，为后续的工艺步骤做好准备。
接下来，是制造半导体芯片的关键工艺——沉积。
沉积是指将物质沉积在半导体表面上，用于制造各种器件。
主要有化学气相沉积（CVD）、分子束外延（MBE）等技术。
其中，CVD是最常用的沉积工艺，它通过在高温下将气体分子分解成原子，然后使其在半导体表面沉积，形成一层薄膜。
完成沉积后，需要进行光刻工艺，在芯片表面上覆盖一层光阻，然后利用光刻机将需要制造的器件图形映射到光阻层上，最后使用化学溶液将未被覆盖的部分刻蚀掉，形成器件的图形。
接下来，就是最难的工艺：离子注入。
这一步需要将芯片表面注入所需要的杂质元素，通过控制注入剂量和质量比等参数，改变半导体材料的电学性质。
这一步需要高度精确的控制，因为注入的元素数量一定要精确，否则器件无法正常工作。
完成离子注入后，需要进行电极制作。
这一步需要将金属电极制作在芯片表面，为芯片提供电流。
这个过程非常重要，因为涉及到电极材料与半导体的粘附力、金属材料与半导体的反应性等问题。
注入的杂质元素本身也可以用作电极材料。
最后，进行封装和测试。
封装是将芯片封装在保护性的外壳中，以防止对芯片器件的损伤。
测试是检查芯片工作的正常性和稳定性，通常包括温度测试、电性测量和反复使用测试等。
然而，在制造半导体器件的过程中，还有很多其他的技术问题需要解决，例如微影工艺、微细加工技术、超精密仪器和设备等。
这些都是保证半导体芯片能够得到完美制造的重要技术要素。
新型半导体光电子器件的集成与封装技术研究
新型半导体光电子器件的集成与封装技术研究随着现代科技的发展，半导体光电子器件在光通信、计算机、医疗、能源等领域扮演着重要角色。
为了提高半导体光电子器件的性能和集成度，研究人员们不断探索新型的集成与封装技术。
本文将重点探讨这些技术的最新研究进展。
一、背景随着信息技术与光学技术的快速发展，传统的电子器件已经无法满足市场对于高速传输和大容量存储的需求。
半导体光电子器件由于其光电转换效率高、带宽大以及体积小的特点，成为了未来的发展方向。
然而，单独的半导体光电子器件无法充分发挥其潜力，因此研究人员们开始探索新型的集成与封装技术。
二、集成技术的研究进展1. 混合集成技术混合集成技术将不同材料的光电子器件集成在一起，以实现更高的性能。
常见的混合集成技术包括通过微纳加工将器件聚合到一块衬底上，或者使用分离的光电子器件通过光波导进行数据传输。
此外，研究人员还通过材料和工艺的优化，提高不同材料的互补性，进一步提高了集成技术的效果。
2. 基于硅光子技术的集成硅光子技术是近年来较为热门的研究方向之一。
通过在硅基底上进行材料堆叠、控制光的传输和调控，研究人员成功实现了在硅上集成多个光电子器件的目标。
硅光子技术的发展为半导体光电子器件的集成与封装提供了新的思路和方法。
三、封装技术的研究进展1. 波导封装技术波导封装技术是一种将光学器件与光纤连接的封装方法。
通过在器件上制作波导结构，将光信号从光学器件导出并与光纤连接。
在波导封装技术的研究中，研究人员不断优化波导的制作工艺、材料选择以及耦合效率的提高，以提高封装的稳定性和性能。
2. 端面封装技术端面封装技术是一种将光学器件与外界相连的封装方法。
通过将光学器件的端面与光纤进行直接连接，实现光信号的输入和输出。
在端面封装技术的研究中，研究人员致力于提高连接的精度和稳定性，降低插入损耗，从而提高器件的性能和可靠性。
四、封装材料的研究进展1. 光学封装材料光学封装材料在集成与封装技术中起着重要的作用。
半导体器件制造
半导体器件制造半导体器件是现代电子技术的基础，广泛应用于计算机、通讯、医疗、汽车等各个领域。
而半导体器件的制造过程则是一个复杂而精细的工程，需要经过多个步骤才能得到高质量的产品。
本文将介绍半导体器件制造的一般过程，并深入讨论关键步骤和技术。
一、晶圆制备半导体器件的制造从准备晶圆开始，晶圆是一个平坦的硅片，通常直径为12英寸（300毫米）。
首先，选择高纯度的硅单晶材料作为晶圆的基材，然后通过石墨电弧炉等方法进行熔炼和拉晶，将硅材料拉制成使用尺寸。
二、晶圆清洗晶圆经过初步制备后，需要进行清洗以去除表面的杂质和污染物。
清洗流程一般包括多个步骤，如溶剂洗、酸洗、去膜等。
这些步骤可以确保晶圆表面的纯净度和光洁度达到制造要求。
三、光刻光刻是制造半导体器件中的关键步骤之一，通过光刻技术可以在晶圆表面形成所需的微细结构。
首先，在晶圆表面涂覆一层光刻胶，然后使用掩膜和紫外光刻机将光刻胶暴露于紫外光下，形成所需的图案。
随后，通过显影和清洗等工艺步骤，去除多余的光刻胶，形成希望得到的微细结构。
四、离子注入和扩散离子注入和扩散是控制半导体器件电性能的重要工艺步骤。
通过离子注入，将所需的杂质或离子注入晶圆表面，形成导电或绝缘区域。
而通过扩散，则是在高温下使杂质或离子在晶圆内部扩散，改变晶圆的导电性能。
这些步骤的精确控制和调整对于器件性能至关重要。
五、薄膜沉积薄膜沉积是形成半导体器件的关键步骤之一，通过化学气相沉积或物理气相沉积等方法，在晶圆表面沉积一层薄膜材料，用于形成电极、介电层或其他需要的结构。
沉积薄膜的材料种类繁多，如二氧化硅、聚酰亚胺、金属等，其选择和优化可以有效改善器件的性能。
六、金属线路的制作金属线路的制作是连接和布线半导体器件的重要步骤。
通过光刻和薄膜沉积等技术，在晶圆表面形成金属线路的图案，用于实现电子元器件之间的连接。
这些金属线路通常使用铝、铜或其他导电性能良好的材料制作，而且需要考虑线宽、线距、电阻率等因素。
芯片dbr工艺
芯片dbr工艺芯片DBR工艺是一种常用的半导体制造工艺，用于制作光电子器件中的分布式布拉格反射器（Distributed Bragg Reflector，简称DBR）。
本文将详细介绍芯片DBR工艺的原理、制备过程以及应用领域。
一、芯片DBR工艺的原理芯片DBR工艺是利用半导体材料的能带结构和折射率的变化来实现光的反射和传播控制。
在芯片DBR结构中，通过周期性改变折射率的方式，形成了一个光波的反射结构。
这种反射结构可以选择性地反射特定波长的光，从而实现光的波长选择性传输。
芯片DBR结构一般由多个不同折射率的材料层组成，其中一半层的折射率高，另一半层的折射率低。
二、芯片DBR工艺的制备过程1. 材料准备：芯片DBR工艺需要选择合适的半导体材料，一般常用的有GaAs、InP等。
这些材料需要经过精细的制备和表征，以保证制备出高质量的DBR结构。
2. 设计DBR结构：根据需要反射的光波长和反射系数的要求，设计合适的DBR结构。
这需要考虑到材料的折射率、厚度和周期等因素。
3. 生长DBR结构：利用分子束外延（MBE）或金属有机化学气相沉积（MOCVD）等技术，在衬底上逐层生长DBR结构。
生长过程需要严格控制各层的厚度和材料组分，以确保DBR结构的性能。
4. 制备器件结构：在DBR结构上继续生长其他器件结构，例如激光器、光调制器等，形成完整的光电子器件。
5. 制备光子芯片：将多个DBR结构和其他器件结构组合在一起，制备成光子芯片。
这需要进行精确的对准和封装工艺。
三、芯片DBR工艺的应用领域芯片DBR工艺在光通信和光电子器件领域有着广泛的应用。
其中，光通信领域中的激光器和光调制器是最常见的应用。
芯片DBR结构可以用来实现激光器的波长选择性输出，提高光通信系统的传输效率和稳定性。
同时，芯片DBR结构还可以用于制作光调制器，实现光信号的调制和调制深度的控制。
芯片DBR工艺还可以应用于其他光电子器件的制备，如光检测器、光放大器等。
电子元器件的制造技术及其应用
电子元器件的制造技术及其应用电子元器件是电子技术的基础。
无论是电视、电脑、手机还是汽车、医疗器械，都必须依赖电子元器件。
因此，电子元器件的制造技术和应用一直是电子行业的重要课题。
本文将介绍电子元器件的制造技术及其应用，并探究电子元器件在未来的发展趋势。
一、电子元器件的制造技术1、半导体器件制造技术半导体器件是电子元器件的主要种类，其制造技术涉及晶体生长、晶片制造、器件加工等多个环节。
其中，晶体生长是制造半导体器件的首要步骤。
传统晶体生长技术主要包括Czochralski法和Bridgman法。
Czochralski法是将单晶硅熔体从炉中拉出，使其冷却凝固形成单晶硅。
Bridgman法则是在高温炉中，将熔融材料缓慢冷却而形成单晶。
在晶片制造方面，主要采用刻蚀和光刻技术。
刻蚀技术是利用化学反应将不需要的部分蚀去。
而光刻技术则是将芯片表面覆盖光刻胶，制作出芯片上的图案。
2、印制电路板制造技术印制电路板是将电子器件封装在基板上，是电子产品的关键部件之一。
印制电路板的制造技术包括布线、印制、钻眼以及表面处理等多个环节。
在布线方面，主要实现导线与器件之间的连通。
而印制则是在基板上涂覆有铜箔或其他物质，制成电路路径。
钻眼则是为了实现不同层之间的连通。
最后，表面处理则可以增强印制电路板的耐腐蚀性和可靠性。
3、封装技术封装技术是在电子元器件表面覆盖一层无机或有机材料，用以保护元件不受外部环境影响，并实现在电路板上的连接。
常用的封装方法有贴装封装和插装封装。
贴装封装是将芯片放置在印制电路板上，使用贴片机进行精确的贴装，然后进行焊接。
而插装封装则是通过将元件管脚直接插入印制电路板孔径，实现与印制电路板的连接。
二、电子元器件的应用1、医疗器械电子元器件在医疗器械中的应用越来越重要。
医疗器械中的电子元器件不仅可以实现医学诊断、治疗和康复功能，还可以实现医疗器械的自动化和智能化。
例如，近年来与毒品滥用有关的尿液检测器、心脏起搏器、可穿戴医疗设备等都离不开电子元器件。
大功率半导体激光器的制作方法
大功率半导体激光器的制作方法大功率半导体激光器是一种能够发出高强度、高方向性、高单色性激光光束的光电子器件。
它的制造需要多个步骤和技术，下面将会详细介绍一下大功率半导体激光器的制造方法。
一、制造材料的准备1. 晶体生长：晶体是大功率半导体激光器中最关键的材料，因此要选用高纯度的物质来制备。
以GaAs为例，可以采用分子束外延法、金属有机化学气相沉积法（MOCVD）等方法来生长GaAs单晶。
2. 金属材料制备：制造半导体激光器需要使用到金属材料，需要选择纯度高、物理性质稳定的材料进行制备。
例如，我们通常用的电极是金属钨或铂金微线，需要通过热拔拉的方式来制备。
二、晶体制作1.切割晶片：将单晶加工成具有特定尺寸和形状的晶片，这些晶片将用来生长半导体激光管。
2.表面处理：表面处理技术可以帮助晶片提高表面粗糙度和清洁度，从而增加后续工艺的精度和效率，避免晶片表面存在物质导致其性能不良。
3.外延生长：通过晶体外延生长技术，可以在晶片表面生长一层与晶体结构相同、晶格常数相同的单晶膜。
外延膜由多个纳米级的层堆叠组成，每一层都有着精确的厚度和浓度，从而形成高质量的半导体晶膜。
三、半导体激光器管的制备1.清洗准备: 将晶片通过去除表面的杂质物质、氧化物和污染物质的清洗处理，保证晶片与基板之间的黏附质量，使其更加均匀和平整。
2. 蚀刻：通过蚀刻工艺将外延膜裁剪成具有特定形状、厚度和尺寸的样品。
3. 电极制作: 通过在样片上刻蚀出一定形状的电极，并利用金属电极连接器将电极与外部电路相连。
4.放电：将样片在一定的工艺条件下进行放电，以激发半导体材料中的多种的电子激发态并将它们转移到激光介质，从而实现激光的产生。
五、大功率半导体激光器的封装将激光器管和光学部件封装在一个设备中，通过控制电流、温度以及运行状态，实现激光的稳定和高效发射。
封装过程不仅要保证激光器的工作性能稳定，还要提高封装的可靠性和可重复性。
六、测试将大功率半导体激光器装入专门的测试系统中，对输出功率、波长、光束模式、谐振腔模式等进行测试。
半导体分立器件制造
半导体分立器件制造一、概述半导体分立器件是指由单个晶体管、二极管、三极管等组成的电子元件。
相比于集成电路，它们的结构更简单，功耗更低，可靠性更高，因此在许多领域得到广泛应用。
本文将介绍半导体分立器件制造的过程和技术。
二、晶体管制造1. 单晶硅生长首先要获得高质量的晶体管材料。
通常采用单晶硅生长技术。
这种方法是在高温下将硅熔融，并在恰当的条件下使其逐渐冷却结晶。
这样就可以得到具有均匀结构和良好电学特性的硅单晶。
2. 晶圆制备接下来需要将单晶硅切割成厚度约为1毫米的圆片，即晶圆。
为了保证质量和效率，通常使用钻石刀片进行切割。
3. 硅片清洗为了去除表面污染物和氧化层，在进行后续加工前需要对硅片进行清洗处理。
4. 晶圆蚀刻接下来需要对硅片进行蚀刻处理，以形成晶体管的结构。
通常使用光刻技术和化学蚀刻技术。
在光刻过程中，通过将光线投射到硅片上，形成图案。
然后通过化学蚀刻将不需要的部分去除。
5. 接触制作接下来需要在晶圆上形成金属接触点，以便连接电路。
这一步通常使用金属蒸镀技术和光刻技术。
三、二极管制造1. 晶圆制备与晶体管类似，二极管的制造也需要从单晶硅开始。
首先要将单晶硅生长为大块晶体，并将其切割成厚度约为1毫米的圆片。
2. 硅片清洗清洗处理同样是必要的。
3. 硅片掺杂在进行后续加工前需要对硅片进行掺杂处理。
这个过程是通过向硅片中注入少量的其他元素来实现的。
这些元素会改变硅片的电学特性。
4. 蚀刻和金属沉积接下来需要对硅片进行蚀刻处理和金属沉积，以形成二极管结构。
四、三极管制造1. 晶圆制备与晶体管和二极管一样，三极管的制造也需要从单晶硅开始。
首先要将单晶硅生长为大块晶体，并将其切割成厚度约为1毫米的圆片。
2. 硅片清洗清洗处理同样是必要的。
3. 硅片掺杂在进行后续加工前需要对硅片进行掺杂处理。
这个过程是通过向硅片中注入少量的其他元素来实现的。
这些元素会改变硅片的电学特性。
4. 蚀刻和金属沉积接下来需要对硅片进行蚀刻处理和金属沉积，以形成三极管结构。
第1讲 半导体器件(IC)制作工艺简介
优点：掩模寿命长（可提高10 倍以上），图形缺陷少。 缺点：衍射效应使分辨率下降。 最小可分辨的线宽为：
Wmin 15 d 200 d
当
0.4m, d 5~ 25m 时，Wmin 1.4~ 3.2m
23
(3). 缩小投影曝光技术
光源
透镜
随着线宽的减小和晶片直径的 增大，分辨率与焦深的矛盾越来越 严重。为解决这一问题，人们开发 出了：
13
光源 wafer mask
14
正性光刻胶 硅片 掩膜 二氧化硅膜 光
1. 光刻 胶的涂 覆
2. 前烘
3. 曝光
显影液
4.显影
5. 后烘
6. 腐蚀
7. 光刻 胶的去 15 除
16
光刻 (Photolithography & Etching) 过程如下： 1．涂光刻胶 2. 前烘 3．掩膜对准 4．曝光 5．显影 6．刻蚀：采用干法刻蚀（Dry Etching） 7．去胶：化学方法及干法去胶 (1)丙酮中，然后用无水乙醇
2
Process Flow of Annealed Wafer
Crystal Growth
Si Crystal Wafering Slicing High Temp. Annealed Wafer Annealing (Surface Improvement）
Furnace
Polished Wafer
11
1. 图形转换（光刻与刻蚀工艺）
光刻是加工集成电路微图形结构的关键工艺技 术，通常，光刻次数越多，就意味着工艺越复杂。 另—方面，光刻所能加工的线条越细，意味着工艺 线水平越高。光刻工艺是完成在整个硅片上进行开 窗的工作。 光刻技术类似于照片的印相技术，所不同的是， 相纸上有感光材料，而硅片上的感光材料--光刻胶是 通过旋涂技术在工艺中后加工的。光刻掩模相当于 照相底片，一定的波长的光线通过这个“底片”， 在光刻胶上形成与掩模版（光罩）图形相反的感光 区，然后进行显影、定影、坚膜等步骤，在光刻胶 膜上有的区域被溶解掉，有的区域保留下来，形成 了版图图形。
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0 = 446.9 nm
FWHM = 14.99 nm
EL@20mA
93 meV
0 = 445.9 nm
PL@10K
FWHM = 8.3 nm
LO = 460.5 nm
FWHMLO = 7.5 nm
0 = 450.6 nm
PL@300K
0 350 375 400 425 450
FWHM = 14.5 nm
制作蓝光LED管芯的技术路线（一）
材料退火
制作Ni/Au透明电极
光刻出划片槽和n电 极槽，腐蚀SiO2
PECVD沉积SiO2
ICP干法刻蚀
腐蚀SiO2
制作蓝光LED管芯的技术路线（二）
制作n电极
制作Ni/Au焊盘
划片
减薄蓝宝石衬底， 抛光
扩片
裂片
器件制备工艺方面遇到的问题
• 器件的工作电压偏高 • 干法刻蚀表面粗糙、刻蚀时间难以把握
• • • • • • • • 波长适中 波长稳定 半高全宽小 半高全宽稳定 欧姆接触层的载流子浓度高 载流子的注入效率高 注入到有源区的载流子辐射复合效率高 均匀性好，重复性好
一般LED的光谱特性
Δλ ~ 5nm @0~80mA
Peak Wavelength ( nm )
467 466
Peak Wavelength FWHM
FWHM = 19.2 nm
EL@20mA
0 = 471.5 nm
FWHM = 7.2 nm
40 meV
LO = 486.1 nm
FWHMLO = 12.2 nm
PL@10K
0 = 475.2 nm
FWHM = 18.3 nm
PL@300K
0 350 375 400 425 450 475 500 525 550 575 600 625
项目背景
• 1994年左右高亮度GaN基蓝光LED的研 发成功轰动了全世界 • 1998年前后的一段时间，中国大陆产业 界也非常看好GaN基LED，成为产业界 投资的热点 • 中国大陆有上千家的LED封装厂家，但 均没有技术 • 中国大陆迫切需要GaN基真正开始LED 方面的研发工作
GaN基高亮度蓝光LED的研发项目
实验室的辉煌业绩
• 1991年，国家科委、国家基金委的评估 中被评为A类 • 2002年，信息类国家重点实验室评估中 小组初评和总体复评均名列前茅 • 2004年，国家重点实验室建设二十周年 总结大会上再次被获“国家重点实验室 计划先进集体奖(金牛奖)” • 2007年，在信息类国家重点实验室的评 估中获得优秀
Nakamura的传奇历史
• At that time, in 1989, there were two materials for making blue LEDs: zinc selenide and gallium nitride. • But everybody was working on zinc selenide because that was supposed to be much better. I thought about my past experience: if there are a lot of competition, I cannot win. Only a small number of people at a few universities were working with gallium nitride so I figured I'd better work with that. Even if I succeeded in a making a blue LED using zinc selenide, I would lose out to the competition when it came to selling it.
实验室取得的突出进展
• 氮化镓基宽禁带半导体材料与器件 • DFB-LD与电吸收调制器集成光源等单片 光子集成器件 • 基于集成光电子器件的光纤通信与光纤 网络的关键技术 • 新型光纤光栅器件等新型无源器件
行业背景
• • • • • 光电子行业 薄膜功能材料行业 照明行业 信息行业 光通讯
专业背景
• 一级学科：电子科学与技术 二级学科：物理电子学 • 具有坚实的物理基础： 光学、半导体、固体物理 • 学科交叉日益明显 热能、微波、材料、微细加工、流体力 学
什么是发光二极管(LED)？
评价LED性能的参数
前提条件：一定的管芯尺寸和注入电流条件下 • 正向工作电压 • 发光通量 • 发光功率 • 发光效率 • 发光峰值波长 • 发光峰值的半高全宽 • 热阻 • 寿命
AIXTRON 2000 HT MOVPE
High-resolution XRD
PL measurement system
Dry etching system
PECVD
集成光电子实验室分布情况
一层实验室平面图
103
105
北
106
二层实验室平面图
Office
203 203
201 Office
36
34 465
FWHM ( nm )
FWHM=27 nm @20mA FWHM=35 nm @80mA
464
32
463
30
462 28 461 26 460 0 20 40 60 80
Forward Current ( mA )
材料外延问题的解决方法
• 材料外延涉及很多种参数，如何优化结 构？ • 系统分析问题 • 抓住关键问题 • 先从已有经验出发 • 分析其个性之处
88 meV
575 600 625
475
500
525
பைடு நூலகம்
550
Wavelength (nm)
图1. 迄今为止 GaN 基 LED 材料最窄的室温 EL@20mA 和 PL@300K 光谱半高宽值（ EL中心波长为447 nm）
Luminescence spectrum (a.u.)
0 = 467.3 nm
发光二极管的巨大产业链
原材料配套产业
高纯金属有机源的 合成 高纯气体制备 衬底制备等 特气的合成 高纯金属材料提纯 各种化学药品、光 刻胶、显影液 的生产等 环氧树脂、荧光 粉、金丝、铝丝 封装支架等制造 城市夜景照明、路 灯的规划、设计 特种照明灯具的设 计制造等
产业链
材料外延
管芯制作
器件封装
系统应用
EC
EV
窄谱宽、高波长稳定性蓝光LED
470
Peak Wavelength ( nm )
Δλ < 1nm @0~120mA
469 468 467 466 465 464 463 462 461 460 0 20 40 60 80 100 120
24
Peak Wavelength FWHM
22 20
• • • • • 立项：寻求投资 设备调研、谈判、实验室装修 实验设备的安装和调试 在材料外延和器件制备方面所做的努力 取得的成果
漫长、艰难的设备调研和谈判
• 设备的性能和技术在某种程度上决定了研究的 成败，选设备，就是选技术 • 必须货比三家，把每个厂家的技术优势、劣势、 售后服务水平以及在国际上的使用状况搞清楚 • 要为每一次与厂家及其代理谈判做好充分准备， 做到有备而来，互相尊重 • 抓住有利时机，以合作或培训等形式，争取更 好的性价比
FWHM ( nm )
FWHM~18 nm @20mA FWHM~21 nm @120mA
18 16 14 12 10
Forward Current ( mA )
此结果为目前国际报道的最好结果（Acta Physica Sinica，2004）
基于应变控制的发光光谱特性
Luminescence spectrum (a.u.)
集成光电子学国家重点实验室简介
集成光电子学国家重点联合实验室于1987筹 建，1991年1月通过国家有关部门的验收并正式对 外开放。实验室定位于应用基础研究，基本任务 是研究集成光电子材料与器件及这些器件的应用 技术，为我国的国家信息基础设施建设服务。至 今，本实验室已经成长为国内从事集成光电子材 料与器件及其在光纤通信与网络中的应用的主要 研究基地，以及光电子学领域科研、教学和产业 开发的高级人才的重要培养基地，并且在一些重 要的研究领域产生了一定的国际影响。
212 Office
204
研究目标
高亮度、窄线宽、高波长稳定性GaN基蓝绿光LED
主要研究内容
• 高质量外延材料的获得 • 低工作电压、高光提取效率LED管芯的 制作 • 功率型LED的封装和系统集成技术
外延片的结构形式
外 延 生 长 方 向
6 X 2 inch
外延生长过程
对外延片的指标要求
Nakamura的传奇历史
• So I went to went to my company’s chairman, Nobuo Ogawa, who was my professor’s friend, and the president Eji Ogawa, who was his son-in-law. I asked them if they would let me do research on blue LEDs and they said "Sure. No problem. Go ahead." I was very surprised. I asked them to give me a large budget so I could do it. "Please give me three million U.S. dollars," and they said "Sure. No problem." They had faith in me because, despite the dismal sales, I had developed three new products for this company and I was the only one at Nichia who had succeeded in making new products.