半导体激光器的发展与应用
半导体激光器的研究进展
半导体激光器的研究进展摘要：本文主要述写了半导体激光器的发展历史和发展现状。
以及对单晶光纤激光器进行了重点描述，因其在激光医疗、激光成像、光电对抗以及人眼安全测照等领域具有重大的应用价值，近年来成为新型固体激光源研究的热点。
一、引言。
激光是20 世纪以来继原子能、电子计算机、半导体之后人类的又一重大发明。
半导体激光科学与技术以半导体激光器件为核心，涵盖研究光的受激辐射放大的规律、产生方法、器件技术、调控手段和应用技术，所需知识综合了几何光学、物理光学、半导体电子学、热力学等学科。
半导体激光历经五十余年发展，作为一个世界前沿的研究方向，伴随着国际科技进步突飞猛进的发展，也受益于各类关联技术、材料与工艺等的突破性进步。
半导体激光的进步在国际范围内受到了高度的关注和重视，不仅在基础科学领域不断研究深化，科学技术水平不断提升，而且在应用领域上不断拓展和创新，应用技术和装备层出不穷，应用水平同样取得较大幅度的提升，在世界各国的国民经济发展中，特别是信息、工业、医疗和国防等领域得到了重要应用。
本文对半导体激光器的发展历史和现状进行了综述，同时因单晶光纤激光器在激光医疗、激光成像、光电对抗以及人眼安全测照等领域具有重大的应用价值，本文也将对其做重点描述。
二、大功率半导体激光器的发展历程。
1962 年，美国科学家宣布成功研制出了第一代半导体激光器———GaAs同质结构注入型半导体激光器。
由于该结构的激光器受激发射的阈值电流密度非常高，需要5 × 104～1 ×105 A /cm2，因此它只能在液氮制冷下才能以低频脉冲状态工作。
从此开始，半导体激光器的研制与开发利用成为人们关注的焦点。
1963 年，美国的Kroemer和前苏联科学院的Alferov 提出把一个窄带隙的半导体材料夹在两个宽带隙半导体之间，构成异质结构，以期在窄带隙半导体中产生高效率的辐射复合。
随着异质结材料的生长工艺，如气相外延( VPE) 、液相外延( LPE) 等的发展，1967年，IMB 公司的Woodall 成功地利用LPE 在GaAs上生长了AlGaAs。
半导体激光器的应用
半导体激光器的应用医疗领域是半导体激光器的主要应用领域之一、激光器可以通过光热效应将光能转化为热能，用于治疗皮肤病、血管瘤、青春痘等病症。
此外，激光刀也是目前广泛使用的治疗癌症的手术工具，激光光束能够定点破坏癌细胞，保护周围健康组织，达到肿瘤切除的目的。
通信领域是半导体激光器的另一个重要应用领域。
半导体激光器可以产生高度单色的光束，被广泛应用于光纤通信中的光源。
激光器可将电信号转化为光信号，通过光纤传输，具有传输距离远、带宽大等优点。
目前，光纤通信已经成为主要的通信方式，而激光器又是光纤通信的关键设备之一激光显示器也是一种半导体激光器的应用。
激光显示器利用激光束扫描方式进行图像显示，能够实现高清晰度和高亮度的图像效果。
与传统液晶显示器相比，激光显示器具有色彩饱和度高、对比度大等优势，并且能够生产超薄、柔性显示器，因此广受关注。
材料加工领域也是半导体激光器的重要应用之一、激光束的光能可以在物体上产生高温，从而实现快速切割、焊接、打孔等加工工艺。
激光加工具有加工速度快、无接触、操作灵活等特点，被广泛应用于制造业中的精密加工、微细加工等领域。
半导体激光器还在军事领域、光电子器件领域、生物医学领域、环境监测领域等得到广泛应用。
例如，激光雷达可以实现精确测距，被广泛应用于军事侦察、安防监控等领域；激光测距仪可以应用于仪器仪表、工程测量等领域；激光扫描仪可以实现三维重建，被广泛应用于航空测绘、地质勘探等领域。
总之，半导体激光器在各个领域中都有着重要的应用，随着科技的不断进步和发展，半导体激光器的应用前景也将越来越广阔。
半导体激光器原理及光纤通信中的应用
半导体激光器原理及光纤通信中的应用
半导体激光器是一种利用半导体材料的电子和空穴复合产生光子的器件。
它是一种高效、小型化、低成本的光源，被广泛应用于光通信、激光打印、医疗、材料加工等领域。
半导体激光器的工作原理是利用半导体材料的PN结，在外加电压的作用下，电子和空穴在PN结的结界面处复合，产生光子。
这些光子被反射回来，形成光的共振，从而形成激光。
半导体激光器的优点是功率密度高、发射波长可调、寿命长、体积小、功耗低等。
在光纤通信中，半导体激光器是一种重要的光源。
它可以将电信号转换为光信号，通过光纤传输到接收端，再将光信号转换为电信号。
半导体激光器的发射波长与光纤的传输窗口相匹配，可以实现高速、长距离的光纤通信。
同时，半导体激光器的小型化和低功耗也使得光纤通信设备更加紧凑和节能。
除了光纤通信，半导体激光器还被广泛应用于激光打印、医疗、材料加工等领域。
在激光打印中，半导体激光器可以实现高速、高分辨率的打印，同时也可以实现彩色打印。
在医疗领域，半导体激光器可以用于激光治疗、激光手术等，具有精准、无创、无痛等优点。
在材料加工领域，半导体激光器可以用于切割、焊接、打孔等，具有高效、精准、无污染等优点。
半导体激光器是一种重要的光源，被广泛应用于光通信、激光打印、
医疗、材料加工等领域。
随着科技的不断发展，半导体激光器的性能和应用也将不断提升和拓展。
半导体激光器发展历程
半导体激光器发展历程
1960年，邪恶亚历山大·米勒（Alexander Mihailov）首先发明了
被称为“半导体激光”的器件，但当时，这种激光器仍不够成熟，发出的
激光还不够强。
随后，在米勒的建议下，美国科学家伯克利·威廉姆斯（Berkeley Williams）和英国科学家理查德·威尔斯（Richard Wells）
发明了第一台持久的半导体激光器。
1966年，波士顿喷气研究实验室的科学家马克·埃尔曼（Mark Elman）用GaAs掺杂GaP作为第一次成功的半导体单晶发射激光，其后，
很多科学家也投身到半导体激光器的研究中，致力于把半导体激光器发展
成一个可以更广泛应用于实际场合的技术。
1970年，物理学家丹尼尔·鲍罗斯（Daniel Bowers）利用半导体单
晶发出了可以到达远距离的激光，在同一年，物理学家斯蒂芬·贝尔特（Stephen Belt）也用GaAs掺杂AlGaAs做成了发射激光的半导体激光器，贝尔特的这项成果为广泛应用于通信领域的激光器奠定了基础。
半导体激光器ppt课件
应用：
半导体激光器应用十分广泛，主要分布在军事、生产和医疗方面：
军事：Ⅰ)激光引信。半导体激光器是唯一能够用于弹上引信的激光器。 Ⅱ)激光制导。它使导弹在激光射束中飞行直至摧毁目标。 Ⅲ)激光测距。主要用于反坦克武器以及航空、航天等领域。 Ⅳ)激光雷达。高功率半导体激光器已用于激光雷达系统
目录
CONTENTS
1 基本介绍及发展 2 基本原理及构成
3 主要特性
4 分类、应用及发展前景
基本介绍及发展
高能态电子束>低能态电子束
高能态
低能
态
同频同相
的光发射
同频同相光 谐振腔内多次往返
放大
激光
激光：通过一定的激励方 式，实现非平衡载流子的 粒子数反转，使得高能态 电子束大于低能态电子束， 当处于粒子数反转状态的 大量电子与空穴复合时， 便产生激光。
激光具有很好的方向性和 单色性。用途十分广泛
高功率半导体激光器
① 、1962年9月16日，通用电气公司的罗伯特·霍尔 （Robert Hall） 带领的研究小组展示了砷化镓（GaAs）半导体的红外发射， 首个半 导体激光器的诞生。 ②、70年代，美国贝尔实验室研制出异质结半导体激光器，通过对光 场和载流限制，从而研制出可在室温下连续运转且寿命较长的激光器。 ③、80年代，随着技术提升，出现了量子陷和超晶格等新型半导体激 光器结构； 1983年，波长800nm的单个输出功率已超过100mW，到 了1989年，0.1mm条宽的则达到3.7W的连续输出，转换效率达39%。 ④、90年代在泵浦固体激光器技术推动下，高功率半导体激光器出现 突破进展。。1992年，美国人又把指标提高到一个新水平：1cm线阵 连续波输出功率达121W，转换效率为45%。
半导体激光器的原理及应用
半导体激光器的原理及应用半导体激光器是一种能够将电能转化为光能的半导体器件，是现代通信、医疗、工业等领域不可或缺的重要技术之一。
本文将从基础的物理原理出发，介绍半导体激光器的工作原理和应用。
一、半导体材料简介半导体材料是介于导体和绝缘体之间的材料，其原子构型中有少量杂质原子。
半导体材料的特殊之处在于，其导电性质可以通过外加电场、光照等方式来调制。
常见的半导体材料有硅、锗、镓砷化物等。
二、激光原理激光的产生是基于受激辐射现象。
当光子与原子碰撞时，如果能量正好等于原子内部的能级差，那么这个光子就可被原子吸收，能量转移给原子，使原子的电子从低能级跃迁到高能级。
当这个原子内部的电子因外界干扰或碰撞等因素又回到低能级时，它所携带的能量就会被释放出来，以光子的形式向外辐射。
这种辐射同样有可能再次被某个具有相同能级差的原子吸收，并且继续沿着同一方向辐射，这个过程就是受激辐射。
由于这种激光产生的相干性好，可得到非常细致、强度均一的光束，应用十分广泛。
半导体激光器就利用了这一受激辐射的原理。
三、半导体激光器原理半导体激光器的基本结构是一个具有能带gap的半导体PN结，同时植入其内部的杂质原子能够形成PN结中的空穴和电子。
当在PN结中加加适当的电子能使电子从N区向P区运动，空穴则相反，从P区向N区运动。
而正是在PN结中的能带gap出现(即禁带)，使得被注入的电子和空穴得以快速复合，从而释放出光子。
可以总结，半导体激光器的工作原理是：激光波长区间内半导体PN结处的电注入使其电子与空穴再组合，释放出一个带有相同相位的相干光束，一旦满足了Revaturer P-N结区的泵浦电压，则可以激发形成稳定的激光器。
四、半导体激光器应用半导体激光器在通信领域得到了广泛的应用，在光纤通信和无线通信领域，它的高速、高效、低功耗等特点被广泛应用。
此外，半导体激光器也可以在医疗方面使用，如眼科、牙科、皮肤科等领域，其精细度高、作用深度均匀等特点让医生在手术中得到了极大的帮助。
半导体激光器的应用
半导体激光器的应用半导体激光器的应用摘要：半导体激光器因其波长的扩展、高功率激光阵列的出现以及可兼容的激光导光和激光能量参数微机控制的出现而迅速发展、半导体激光器体积小、重量轻、成本低、波长可选择，其应用范围遍及的领域越来越宽广，其的出现带来了巨大的变化，使科技更发达，人们生活更加丰富多彩，应用范围遍及医学、科技、航天交通，通信等各个领域。
自从1962 年世界上第一台半导体激光器(Diode Laser)发明问世以来[ 1] , 由于其体积小、重量轻、易于调制、效率高以及价格低廉等优点, 被认为是二十世纪人类最伟大的发明之一. 四十几年来半导体激光器逐步应用在激光唱机、光存储器、激光打印机、条形码解读器、光纤电信以及激光光谱学中, 不断扩大应用范围, 进入了一些其它类型激光器难以进入的新的应用领域.半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生受激发射作用的器件.其工作原理是,通过一定的激励方式,在半导体物质的能带(导带与价带)之间,或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间,实现非平衡载流子的粒子数反转,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,便产生受激发射作用.半导体激光器的激励方式主要有三种,即电注入式,光泵式和高能电子束激励式.电注入式半导体激光器,一般是由GaAS(砷化镓),InAS(砷化铟),Insb(锑化铟)等材料制成的半导体面结型二极管,沿正向偏压注入电流进行激励,在结平面区域产生受激发射.光泵式半导体激光器,一般用N型或P型半导体单晶(如GaAS,InAs,InSb等)做工作物质,以其他激光器发出的激光作光泵激励.高能电子束激励式半导体激光器,一般也是用N型或者P型半导体单晶(如PbS,CdS,ZhO等)做工作物质,通过由外部注入高能电子束进行激励.在半导体激光器件中,目前性能较好,应用较广的是具有双异质结构的电注入式GaAs二极管激光器半导体激光器的原理半导体的能带结构。
半导体激光器光放大,粒子数反转及产生激光的条件
一、概述半导体激光器是一种应用广泛的激光器组件，其工作原理主要基于光放大、粒子数反转和产生激光的条件。
本文将从这三个方面展开探讨，分析半导体激光器在光放大、粒子数反转和激光产生方面的原理和条件，以及其在实际应用中的重要性和发展前景。
二、光放大1. 光放大的原理半导体激光器的光放大原理基于电子和空穴在半导体材料中的复合过程。
当外加电压作用下，电子和空穴通过与材料内部的能带结构相互作用，发生辐射复合，并释放出光子。
这些光子在光波导中不断反射，形成光放大。
2. 光放大的条件光放大的条件主要包括外加电压、半导体材料的能带结构和波导结构等因素。
其中，外加电压的大小决定了电子和空穴的注入浓度，能带结构则决定了光子的发射和吸收过程，波导结构则影响了光子的传播和反射。
三、粒子数反转1. 粒子数反转的概念粒子数反转是指在半导体材料中，处于激发态的粒子数多于处于基态的粒子数，从而形成了非热平衡态。
这种粒子数反转是产生激光的前提条件。
2. 粒子数反转的实现粒子数反转的实现需要通过外界光激发或电子注入的方式，将处于材料的基态的电子或空穴激发到高能级，从而实现处于高能级的粒子数多于基态的粒子数，进而实现粒子数反转。
四、产生激光的条件1. 情况一：光放大条件下的粒子数反转在光放大条件下，外界光激发或电子注入导致了粒子数反转，此时，当光子在材料中反射、被吸收和发射后达到一定数量和分布时，就会产生激光。
2. 情况二：激射阈值条件在光放大条件下，粒子数反转达到一定程度时，即达到了激射阈值，此时将会出现放大因子大于1的现象，从而产生了激射效应。
五、半导体激光器的应用和发展半导体激光器作为一种重要的激光器组件，具有体积小、效率高、响应速度快等优势，广泛应用于通信、医疗、材料加工等领域。
随着半导体材料、器件技术的不断发展，半导体激光器的性能和应用领域也在不断拓展和深化，具有广阔的发展前景。
六、结论半导体激光器的光放大、粒子数反转和激光产生是其实现激光放大的基本原理和条件。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
题目：半导体激光器的发展与应用学院：理专业：光姓名：刘半导体激光器的发展与应用摘要：激光技术自1960年面世以来便得到了飞速发展，作为激光技术中最关键的器件激光器的种类层出不穷，这其中发展最为迅速，应用作为广泛的便是半导体激光器。
半导体激光器的独特性能及优点，使其获得了广泛应用。
本文就简要回顾半导体激光器的发展历程，着重介绍半导体激光器在日常生活与军用等各个领域中的应用。
关键词：激光技术、半导体激光器、军事应用、医学应用引言激光技术最早于1960年面世，是一种因刺激产生辐射而强化的光。
激光被广泛应用是因为它具有单色性好、方向性强、亮度高等特性。
激光技术的原理是：当光或电流的能量撞击某些晶体或原子等易受激发的物质，使其原子的电子达到受激发的高能量状态，当这些电子要回复到平静的低能量状态时，原子就会射出光子，以放出多余的能量；而接着，这些被放出的光子又会撞击其它原子，激发更多的原子产生光子，引发一连串的“连锁反应”，并且都朝同一个方前进，形成强烈而且集中朝向某个方向的光。
这种光就叫做激光。
激光几乎是一种单色光波，频率范围极窄，又可在一个狭小的方向内集中高能量，因此利用聚焦后的激光束可以对各种材料进行打孔。
激光因为拥有这种特性，所以拥有广泛的应用。
激光技术的核心是激光器，世界上第一台激光器是1960年由T.H.梅曼等人制成的第红宝石激光器，激光器的种类很多，可按工作物质、激励方式、运转方式、工作波长等不同方法分类。
但各种激光器的基本工作原理均相同，产生激光的必不可少的条件是粒子数反转和增益大过损耗，所以装置中必不可少的组成部分有激励（或抽运）源、具有亚稳态能级的工作介质两个部分。
半导体物理学的迅速发展及随之而来的晶体管的发明，使科学家们早在50年代就设想发明半导体激光器。
在1962年7月美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯（Keyes）和奎斯特（Quist）报告了砷化镓材料的光发射现象，通用电气研究实验室工程师哈尔（Hall）与其他研究人员一道研制出世界上第一台半导体激光器。
半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的一类激光器，由于物质结构上的差异，产生激光的具体过程比较特殊。
常用材料有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。
激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。
自1962年世界上第一只半导体激光器是问世以来，经过几十年来的研究，半导体激光器得到了惊人的发展，它的波长从红外、红光到蓝绿光，被盖范围逐渐扩大，各项性能参数也有了很大的提高！半导体激光器具有体积小、效率高等优点，因此可广泛应用于激光通信、印刷制版、光信息处理等方面。
一、半导体激光器的发展简史半导体激光器以半导体材料作为主要工作物质, 利用其在能带间跃迁发光，用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜，组成谐振腔，使光发生振荡、反馈，产生光的辐射放大，从而输出激光。
早期的半导体激光器以材料的p-n结特性为基础，因外观与晶体二极管类似，也常被称为二极管激光器或激光二极管。
但那时的激光二极管受到很多实际限制，如只能在77K低温下以微秒脉冲工作。
20世纪60年代初期研制的只能以脉冲形式工作的一种半导体激光器仍然在可预见相关领域有很重要的应用。
而后生产的异质结构半导体激光器，是由两种不同带隙的半导体材料薄层（如GaAs,GaAlAs）所组成，最先出现的是单异质结构激光器(1969年)，它是利用异质结提供的势垒把注入电子限制在GaAsP一N结的P区之内，以此来降低阀值的电流密度，其数值比同质结激光器降低了一个数量级，但仍不能在室温下连续工作。
直至1970年，人们才实现了激光波长为9000Å，可在室温连续工作的双异质结GaAs-GaAlAs（砷化镓一镓铝砷）激光器，如砷化稼一稼铝砷激光器。
1978年出现的世界上第一只半导体量子阱激光器(QWL)，大幅度提高了半导体激光器的各种性能。
后来，又由于MOCVD,MBE生长技术的成熟，便成功地研制出了性能更加良好的量子阱激光器，它的阑值电流低、输出功率高，频率响应好，光谱线窄，温度稳定性好，电光转换效率较高。
20世纪70年代末开始，半导体激光器主要向两个方向发展，一是以传递信息为目的的信息型激光器；二是以提高光功率为目的的功率型激光器。
20世纪90年代，在泵浦固体激光器等应用的推动下，连续输出功率100W以上，脉冲输出功率5W以上的高功率半导体激光器取得了突破性进展，国外千瓦级的高功率半导体激光器已经商品化，国内样品器件输出也已达到600W。
20世纪90年代出现的面发射激光器(SEL)是一种在室温下可达到亚毫安的网电流8mW的输出功率和11%的转换效率的半导体激光器。
20世纪90年代末，面发射激光器和垂直腔面发射激光器得到了迅速的发展，且已考虑了在超并行光电子学中的多种应用。
980nm,850nm和780nm 的器件在光学系统中已实现了实用化。
为了满足21世纪信息传输宽带化、信息处理高速化、信息存储大容量化以及军用装备的小型、高精度化等需要，半导体激光器在高速宽带LD、大功率ID，短波长LD，盆子线和量子二、半导体激光器的应用1.在激光光谱学中的应用激光光谱是以激光为光源的光谱技术，主要用于分子光谱、等离子物理、高阶谐波产生的科学应用及大气污染的监测和癌症的诊断等。
而选用半导体激光器作为激光光谱学的光源中有较多优势，它体积小，输入能量低，寿命长，可协调性强且价格低廉。
例如图1即为“SPECDILASV—763—OXY"VCSEL所探测的氧气的吸收光谱(半导体激光器的工作温度为Top=10℃,Iset=4.6mA,加32Hz,10.6mV的锯齿波,256次平均)。
可以看出,通过改变工作电流很容易地得到氧气的两个吸收峰,无模式跳跃。
图1 用760nmVCSEL激光器测得的氧气吸收光谱2.半导体激光器在光固化成型技术中的应用光固化成型法（Stereo lithography Appearance，简称SLA）是最早出现的快速原型制造工艺，由于它成型过程自动化程度高、制作原型表面质量好、尺寸精度较高且能够实现比较精细的尺寸成型，在单件小批量精密铸造、概念设计的交流、产品模型、快速工模具及直接面向产品的模具等诸多方面广泛应用于航空、汽车、电器、消费品以及医疗等行业得到了广泛应用。
其成型原理如图2所示,用特定波长与强度的激光聚焦到光固化材料表面,使之由点到线,由线到面顺序凝固,完成一个层面的绘图作业,然后升降台在垂直方向移动一个层片的高度,再固化另一个层面.这样层层叠加直至构成一个三维实体。
而紫外半导体激光器技术的发展，为SLA提供了最好的光源，在电光效率、成本、体积、寿命和可靠性等指标上堪称最优，在光谱、谱线宽度、功率等性能方面也完全符合其工艺要求，因此现在进行这种新型光源的研究已成为现实。
3.半导体激光器在军事领域的应用伴随激光技术的日趋成熟，半导体激光器的应用范围覆盖了整个光电子学领域，它在军事领域也得到了广泛应用，成为我国国防事业不可或缺的中坚力量。
如半导体激光雷达，主要是波长820~850 nm 的LD 及列阵。
新型半导体激光雷达与被动探测（红外系统）相结合，具有多种成像功能，包括强度成像、距离成像和速度成像等，具有先进的实时图像处理功能，包括各种成像的综合、图像跟踪和目标的自动识别等。
此外，半导体激光器也在激光测距、激光模拟武器、激光警戒、激光制导跟踪、引燃引爆等方面获得了广泛的应用。
4.半导体激光器在医疗上的应用半导体激光器体积小、成本低、寿命长、波长可选择、输出功率稳定等优点，特别适用于医疗设备，其临床应用几乎覆盖了所有其他类型的激光器的应用范围。
如低功率810nm近红外半导体激光器，由于该波长的激光穿透能力强，屈光间质对它吸收最少，光斑直径可调范围大 ,是眼科中最常用的热源，可用于治疗青光眼、硅油注入术后难治性高眼压以及视网膜的光凝和固定等；810nm半导体激光起能够很好被毛囊内黑色素吸收，产生热效应，破坏毛囊，完成脱毛的效果，图3为一半导体激光脱毛仪及其脱毛效果示意图；大功率半导体激光器也广泛应用于肿瘤的激光切割、凝固手术。
这些都为人类的健康进一步提供了保障。
图3导体激光脱毛仪及脱毛效果示意图5.半导体激光器在通信领域的应用半导体激光器在信息的获取，传输，存储和处理以及显示中也得到广泛应用。
21世纪，随着光纤通信的发展，半导体激光器光作为光纤通信系统中的光源，是关键元件,是整个系统的核心部分,短距离的光纤通信采用单模光纤和130~150nm波长的半导体激光器,空间通信用的。
6.半导体激光器在激光打印及印刷市场中的应用激光打印机脱胎于80年代末的激光照排技术，流行于90年代中期。
它是将激光扫描技术和电子照相技术相结合的打印输出设备。
较其他打印设备，激光打印机有打印速度快、成像质量高等优点。
10-100nm的高功率半导体激光器主要用于高速激光打印机。
一般为网络化办公打印机,包括新出现的彩色激光打印机(打印速度为12-35p/min)。
用激光把资料直接写在印刷板上正成为印刷技术工业的一种发展趋势,不仅节省很多中间环节、降低成本,而且加快了速度，因此此种应用预计会稳定增长，如采用1W二极管激光器64元阵列、用光纤藕合配以透镜系统。
目前多数激光、计算机、印刷系统采用卤素银或光敏有机物的光敏材料。
杜邦公司、柯达公司等均在致力于开发此类热敏材料,采用半导体激光器日益增多,此项应用市场也呈蓬勃发展。
图4 一种激光打印机结论本文简要介绍了半导体激光器的发展，详细描述了半导体激光器在激光光谱学、光固化快速成型、军事医疗、数字通信、激光打印及印刷市场等方面的应用，可以看出半导体激光器日后一定会得到更加广泛的应用。
参考文献[1] 激光器件半导体激光器[J]。
中国光学与应用光学文摘 , 2005,(06)[2] 孙再吉。
GaInNAs半导体激光器的开发[J]。
半导体信息 , 2007,(01)[3] 白家岭，龚焕明，魏洁六，张勤英，卢澎，方祖捷，潘慧珍。
半导体激光器的应用与市场[J]。
激光与红外 , 1995,(03)[4] Ketelsen L J P Simple technique for measuring cavity loss in semiconductor lasers1994(17)[5] 半导体激光器发展现状与趋势何兴仁编[6] 基于半导体激光器的光声光谱气体检测及其进展张晓钧，张永刚《半导体光电》 2009年03。