肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别
肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别
肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别肖特基二极管的基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。
肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。
其耐压程度只有40V 左右。
其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。
因此，能制作开关二极管和低压大电流整流二极管。
肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。
其正向起始电压较低。
其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。
其半导体材料采用硅或砷化镓，多为型半导体。
这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。
由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。
其工作频率可达100GHz。
并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
肖特基二极管(Schottky Diodes)：肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。
它的主要特点是具有较低的正向压降（0.3V至0.6V）；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。
肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。
肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。
其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V 左右，而整流电流却可达到几千安培。
这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。
中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
1．结构原理综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。
肖特基二极管的开关损耗__快恢复二极管的开关损耗
肖特基二极管的开关损耗__快恢复二极管的开关损耗肖特基二极管是一种具有独特特性的半导体器件，它被广泛应用于各种电子电路中。
在实际应用中，了解肖特基二极管的开关损耗是非常重要的，因为它直接影响到器件的性能和可靠性。
肖特基二极管的开关损耗分为两个方面：正向导通时的开关损耗和反向截止时的开关损耗。
正向导通时的开关损耗是指当二极管处于正向导通状态时，由于导通电阻的存在，会导致一定的功耗损失。
这个损耗与二极管的导通电流大小以及导通时间有关。
通常情况下，如果导通电流较大或导通时间较长，开关损耗也会相对较大。
为了减小正向导通时的开关损耗，可以选择导通电流较小的二极管或者尽量缩短导通时间。
此外，考虑电路的整体功耗和效率，也可以在设计时选择合适的二极管参数来平衡导通损耗和性能要求。
反向截止时的开关损耗是指当二极管处于反向截止状态时，由于反向电流的存在，会产生一定的功耗损失。
这个损耗与二极管的反向漏电流大小以及反向漏电流存在的时间有关。
通常情况下，如果反向漏电流较大或存在的时间较长，开关损耗也会相对较大。
要减小反向截止时的开关损耗，可以选择反向漏电流较小的二极管或者尽量减少反向漏电流存在的时间。
同样地，设计时还需要考虑电路的整体功耗和效率，以及反向截止时的开关损耗与其他要求的平衡。
为了有效地减小肖特基二极管的开关损耗，除了选择合适的二极管参数以外，还可以采用复合二极管等特殊结构的器件。
复合二极管通过在正向导通和反向截止时选择不同的工作区域，可以减小开关损耗。
总之，了解肖特基二极管的开关损耗对于设计高性能、高效率的电子电路非常重要。
通过选择合适的二极管参数和采用特殊的器件结构，可以有效地减小开关损耗，提高电路的性能和可靠性。
在实际应用中，应根据具体情况综合考虑各种因素，以达到最佳的设计效果。
肖特基二极管、开关二极管、快恢复二极管
肖特基二极管、开关二极管、快恢复二极管是现代电子元件中常见的三种二极管类型。
它们在电子设备中起着不同的作用，本文将分别介绍这三种类型的二极管的特点、应用和工作原理。
一、肖特基二极管1. 特点肖特基二极管，又称作劲步二极管，是一种具有非常快速反应时间和低逆向漏电流的二极管。
它采用了金属-半导体接触来代替传统的P-N 结，因此具有更快的开关速度和更低的开启电压。
2. 应用由于其快速开关特性和低漏电流，肖特基二极管广泛应用于高频开关电源、无线通信设备、医疗设备和汽车电子系统等领域。
3. 工作原理当正向电压施加到肖特基二极管上时，由于金属-半导体接触的特性，电子能够迅速地从金属电极注入到半导体中，使得二极管快速导通；在反向电压下，由于金属-半导体接触的势垒高，几乎没有反向漏电流，因此具有很高的反向击穿电压。
二、开关二极管1. 特点开关二极管是为了快速开关电路而设计的一种二极管，具有较快的反应时间和较低的导通压降。
它专门用于电路的开关控制，能够快速地打开和关闭。
2. 应用开关二极管广泛应用于开关电源、逆变器、直流-直流变换器等高频开关电路中，可以实现高效率和快速响应。
3. 工作原理开关二极管的工作原理和普通二极管相似，但它被优化设计，以实现更快的反应时间和更低的导通压降，从而适合高频开关电路的应用。
三、快恢复二极管1. 特点快恢复二极管是一种具有快速恢复时间和低反向漏电流的二极管。
它采用特殊的工艺和材料设计，在高频开关电路中表现出色良好的性能。
2. 应用快恢复二极管广泛应用于开关电源、逆变器、变频器、汽车电子系统等需要高速开关和快速反应的电路中。
3. 工作原理快恢复二极管的工作原理是通过优化材料和工艺，降低二极管的存储电荷和开关时间，从而实现更快的反应速度和更低的反向漏电流。
以上就是对肖特基二极管、开关二极管、快恢复二极管的介绍，这三种二极管在现代电子设备中扮演着重要的角色，在不同的领域发挥着关键作用。
随着电子技术的不断发展，相信这些二极管类型也会不断得到改进和优化，为电子设备的性能提升和功耗降低做出更大的贡献。
肖特基二极管与高速开关二极管
肖特基二极管与高速开关二极管的比较1. 背景介绍肖特基二极管和高速开关二极管都是常用的电子元件，它们在各种电路中都发挥着重要的作用。
本文将比较这两种二极管的特性和应用，以帮助读者更好地理解它们的优劣和适用场景。
2. 肖特基二极管的特性（1）低反向漏电流：肖特基二极管的开启速度非常快，其反向漏电流比普通二极管要小得多，能有效提高电路的效率和稳定性。
（2）快速恢复时间：肖特基二极管的恢复时间短，可在瞬时高压下迅速进行导通和截止，适合高频开关应用。
3. 肖特基二极管的应用（1）开关电源：肖特基二极管由于其快速开关特性，可用于开关电源的反激电路中，提高功率转换效率。
（2）电源整流：在需要高效、低损耗的电源整流电路中，肖特基二极管也是一个理想的选择。
4. 高速开关二极管的特性（1）超高开关速度：高速开关二极管可在纳秒级别完成导通和截止，适合高频高速开关电路的应用。
（2）低导通压降：高速开关二极管在导通状态时，具有非常低的导通压降，能有效降低功耗损失。
5. 高速开关二极管的应用（1）电子变流器：高速开关二极管广泛应用于电子变流器、逆变器等高频高速开关电路中，以提高整体转换效率和稳定性。
（2）电源管理：在需要快速高效能的电源管理应用中，高速开关二极管也能发挥其优势，提高电路的整体性能。
6. 不同特性造成的应用差异肖特基二极管因其较快的反向恢复时间和低反向漏电流，适合于电源整流等中低频率场合的应用。
而高速开关二极管则适用于高频高速开关电路，如电子变流器、逆变器等。
7. 结论肖特基二极管和高速开关二极管各有其独特的特性和应用场景。
在实际电路设计中，根据具体的需求以及工作频率等因素，选择合适的二极管能够更好地发挥电路的性能。
希望本文所述能为读者在实际应用中提供一定的指导和帮助。
8. 肖特基二极管和高速开关二极管在实际应用中的选型考虑在电子电路设计中，选择合适的二极管对于整个电路性能至关重要。
在选择肖特基二极管或高速开关二极管时，需要考虑以下几个关键因素：（1）工作频率：工作频率是选择肖特基二极管或高速开关二极管的重要考量因素。
肖特基和快恢复二极管外观标识
肖特基和快恢复二极管外观标识一、引言肖特基二极管和快恢复二极管外观标识是电子元器件中的重要标志，也是电路设计和制造过程中必不可少的工具。
在工业自动化、通讯、医疗设备、能源电力等众多领域中均得到了广泛应用。
本篇文章旨在深入探讨肖特基二极管和快恢复二极管的外观标识。
二、肖特基二极管肖特基二极管是一种与普通二极管性质不同的二极管，一般用于高速开关、频率转换和高温环境下的电路。
肖特基二极管的外观标识通常由三部分组成：器件型号、批次代码和生产厂家标识。
1、器件型号器件型号是肖特基二极管最基本的外观标识，通常由一串数字和字母组成。
其中，数字表示器件的主要特性参数，例如：1N5817代表瞬态反向电压为20V，最大整流电流为1A的肖特基二极管。
字母则表示器件的功能和应用范围，例如：1N5817HR代表高可靠性的肖特基二极管。
2、批次代码批次代码是生产厂家为了管理产品质量而设置的，通常由数字和字母组合而成，用于区分不同生产时间和批次的产品。
例如：1N5817A和1N5817B通常代表不同生产时间的产品。
3、生产厂家标识生产厂家标识是肖特基二极管的生产厂家信息，通常由一串字母或代号表示。
一般来说，知名电子元器件生产厂家会在器件上标注自己的名称或LOGO，例如：ON代表罗姆公司，MCC代表微商公司。
三、快恢复二极管快恢复二极管是一种专门用于高速开关的二极管，具有快速恢复时间和低反向恢复电荷等特点。
快恢复二极管的外观标识与肖特基二极管类似，也由器件型号、批次代码和生产厂家标识组成。
1、器件型号快恢复二极管的器件型号也由数字和字母组成，其中数字表示主要特性参数，字母表示功能和应用范围。
例如：BYT08P-400代表80V，4A 的快恢复二极管。
2、批次代码快恢复二极管的批次代码与肖特基二极管类似，由数字和字母组成，用于区分不同生产批次的产品。
3、生产厂家标识快恢复二极管的生产厂家标识与肖特基二极管类似，通常由一串字母或代号表示生产厂家信息。
电力二极管的主要类型
电力二极管的主要类型
电力二极管主要有以下几种类型：
1. 正向导通型二极管（小信号二极管）：也称为通用二极管，主要用于低电压和小电流的应用场合。
常见的正向导通型二极管有硅二极管和锗二极管。
2. 高速开关型二极管（快恢复二极管）：这种二极管具有较快的恢复时间，能够快速关断和开启，适用于高频率开关电路和功率电子器件等领域。
3. 高压整流型二极管：这种二极管能够承受较高的电压并进行整流操作，常用于大功率电子设备和高压电源等应用。
4. 肖特基势垒二极管：肖特基二极管以其低功耗和高开关速度而闻名，因此广泛应用于低功耗电子设备和高频率开关电路。
5. 整流桥二极管：由四个二极管组成的整流桥电路，用于将交变电压转换为直流电压。
以上类型仅为常见的几种电力二极管类型，实际上还有其他特殊用途的二极管，如光电二极管、温度传感二极管等。
不同类型的电力二极管在电流容量、导通特性、工作温度范围等方面都有所区别，根据具体的应用需求选择适合的类型。
快恢复二极管和肖特基二极管从外形上看怎么区分
（六）红外光敏二极管的检测
将万用表置于R×1k档，测量红外光敏二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔所接引脚为正极）为3~10 kΩ左右，反向电阻值为500 kΩ以上。若测得其正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则说明该光敏二极管已击穿或开路损坏。
在测量红外光敏二极管反向电阻值的同时，用电视机遥控器对着被测红外光敏二极管的接收窗口（见图4-75）。正常的红外光敏二极管，在按动遥控器上按键时，其反向电阻值会由500 kΩ以上减小至50~100 kΩ之间。阻值下降越多，说明红外光敏二极管的灵敏度越高。
图4-73是双向触发二极管转折电压的检测方法。
（四）发光二极管的检测
1．正、负极的判别 将发光二极管放在一个光源下，观察两个金属片的大小，通常金属片大的一端为负极，金属片小的一端为正极。
2．性能好坏的判断
用万用表R×10k档，测量发光二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔接正极时）约为10~20kΩ，反向电阻值为250kΩ~∞（无穷大）。较高灵敏度的发光二极管，在测量正向电阻值时，管内会发微光。若用万用表R×1k档测量发光二极管的正、反向电阻值，则会发现其正、反向电阻值均接近∞（无穷大），这是因为发光二极管的正向压降大于1.6V（高于万用表R×1k档内电池的电压值1.5V）的缘故。
2．电压测量法 将万用表置于1V直流电压档，黑表笔接光敏二极管的负极，红表笔接光敏二极管的正极、将光敏二极管的光信号接收窗口对准光源。正常时应有0.2~0.4V电压（其电压与光照强度成正比）。
肖特基二极管和快速二极管的区别
肖特基二极管和快速二极管是电子领域中常见的两种二极管，它们在电子设备中起着重要的作用。
但是，它们之间有着明显的区别，包括工作原理、特性和应用场景等方面。
在本文中，我将从深度和广度的角度对肖特基二极管和快速二极管进行全面评估，以帮助您更好地理解这两种不同的器件。
1. 肖特基二极管肖特基二极管是一种特殊结构的二极管，其结构中包含着肖特基势垒。
肖特基二极管的主要特点是具有快速的开关速度和低的反向漏电流。
这使得肖特基二极管在高频和低噪声应用中得到了广泛的应用。
肖特基二极管通常由金属与半导体材料构成，其工作原理是利用金属与半导体接触时形成的势垒来实现。
2. 快速二极管快速二极管是一种专门设计用于高频、高速电路中的二极管。
与普通二极管相比，快速二极管具有更快的恢复时间和更小的开关时间。
这使得快速二极管在开关电源、逆变器和放大器等高频应用中表现出色。
快速二极管通常由P型硅和N型硅等材料构成，其工作原理是通过减少扩散电容和恢复时间来实现快速的开关速度。
3. 区别比较- 工作原理：肖特基二极管利用金属与半导体接触时形成的肖特基势垒来实现，而快速二极管则通过减少扩散电容和恢复时间来实现快速的开关速度。
- 特性表现：肖特基二极管具有快速的开关速度和低的反向漏电流，适用于高频和低噪声应用，而快速二极管具有更快的恢复时间和更小的开关时间，在高频电路中表现出色。
- 应用场景：肖特基二极管适用于高频和低噪声电路中，如通信设备、收音机等，而快速二极管适用于开关电源、逆变器和放大器等高频应用中。
总结回顾通过对肖特基二极管和快速二极管的深度评估，我们可以看到它们在工作原理、特性表现和应用场景等方面有着明显的区别。
肖特基二极管适用于高频和低噪声电路，快速二极管则适用于高频电路中，具有更快的恢复时间和更小的开关时间。
在实际应用中，选择合适的二极管对电路性能至关重要，因此需要根据具体的应用需求来选择合适的器件。
个人观点和理解在我看来，肖特基二极管和快速二极管的区别不仅体现在其工作原理和特性表现上，更体现在其适用的应用场景和领域上。
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肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别肖特基二极管的基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。
肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。
其耐压程度只有40V 左右。
其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。
因此，能制作开关二极管和低压大电流整流二极管。
肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。
其正向起始电压较低。
其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。
其半导体材料采用硅或砷化镓，多为型半导体。
这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。
由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。
其工作频率可达100GHz。
并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
肖特基二极管(Schottky Diodes)：肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。
它的主要特点是具有较低的正向压降（0.3V至0.6V）；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。
肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。
肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。
其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V 左右，而整流电流却可达到几千安培。
这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。
中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
1．结构原理综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。
肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。
其反向恢复时间已能缩短到10ns 以内。
但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。
因此适宜在低压、大电流情况下工作。
利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。
其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。
从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。
前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)，具有正向压降低（0.4—1.0V）、反向恢复时间很短（0-10纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。
这两种管子通常用于开关电源。
肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒！前者的优点还有低功耗，大电流，超高速！电特性当然都是二极管！快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.肖特基二极管：反向耐压值较低(一般小于150V)，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。
它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。
其正向起始电压较低。
其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。
其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。
这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。
由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。
其工作频率可达100GHz。
并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。
快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.快恢复二极管FRD（Fast Recovery Diode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。
超快恢复二极管SRD（Superfast Recovery Diode），则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。
它们可广泛用于开关电源、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。
1．性能特点1)反向恢复时间什么是反向恢复时间？当外加二极管的电压瞬间从正向转到反向时,流经器件的电流并不能相应地瞬间从正向电流转换为反向电流.此时,正向注入的少数载流子(空穴)被空间电荷区的强电场抽取,由于这些空穴的密度高于基区平衡空穴密度,因而在反向偏置瞬间将产生一个远大于反向漏电流的反向电流,即反向恢复电流IRM.与此同时,符合过程的强化也在加速这些额外载流子密度的下降,直到基区中积累的额外载流子的完全消失,反向电流才下降并稳定到反向漏电流.整个过程所经历的时间为反向恢复时间.反向恢复时间trr的定义是：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。
它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。
反向恢复电流的波形如图1所示。
IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。
Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。
当t≤t0时，正向电流I=IF。
当t＞t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在t=t1时刻，I=0。
然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR逐渐增大；在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。
此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在t=t3时刻达到规定值Irr。
从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。
2）快恢复、超快恢复二极管的结构特点快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。
由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。
快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。
超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。
20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。
从内部结构看，可分成单管、对管（亦称双管）两种。
对管内部包含两只快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。
图2(a)是C 20-04型快恢复二极管（单管）的外形及内部结构。
(b)图和(c)图分别是C92-02型（共阴对管）、MUR1680A型（共阳对管）超快恢复二极管的外形与构造。
它们均采用TO-220塑料封装，主要技术指标见表1。
几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。
更大容量（几百安～几千安）的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。
2．检测方法1）测量反向恢复时间测量电路如图3。
由直流电流源供规定的IF，脉冲发生器经过隔直电容器C加脉冲信号，利用电子示波器观察到的trr值，即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。
设器件内部的反向恢电荷为Qrr，有关系式trr≈2Qrr/IRM由式(5.3.1)可知，当IRM 为一定时，反向恢复电荷愈小，反向恢复时间就愈短。
2）常规检测方法在业余条件下，利用万用表能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性，以及内部有无开路、短路故障，并能测出正向导通压降。
若配以兆欧表，还能测量反向击穿电压。
实例：测量一只超快恢复二极管，其主要参数为：trr=35ns，IF=5A，IFSM=50A，VRM=700V。
将万用表拨至R×1档，读出正向电阻为6.4Ω，n′=19.5格；反向电阻则为无穷大。
进一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。
证明管子是好的。
注意事项：1）有些单管，共三个引脚，中间的为空脚，一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。
2）若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用。
3）测正向导通压降时，必须使用R×1档。
若用R×1k档，因测试电流太小，远低于管子的正常工作电流，故测出的VF值将明显偏低。
在上面例子中，如果选择R×1k档测量，正向电阻就等于2.2kΩ，此时n′=9格。
由此计算出的VF值仅0.27V，远低于正常值(0.6V)。
快恢复二极管的恢复时间是200－500ns超快速二极管的恢复时间是30－100ns肖特基二极管的恢复时间是10ns左右而且他们的正向导通电压也有所不同，肖特基<快恢复<高效率MBRX1100 Vf=0.85V 4007 Vf=1.1V 1N4937 Vf=1.2V UF1007 Vf=1.7V。