霍尔元件测量磁场
霍尔元件测磁场磁极的原理
霍尔元件测磁场磁极的原理霍尔元件是一种常用的磁场测量器件，通过测量磁场的强度来确定磁场的磁极方向。
其原理基于霍尔效应，即当磁场作用于导体中的电荷载流体时，会在导体的一侧产生电势差，这种现象被称为霍尔效应。
霍尔元件由霍尔片、电流源和电压测量装置组成。
霍尔片是一块通电的金属板，上面有一层特殊的材料涂层，这种材料能够感受到磁场的作用。
当有磁场垂直于霍尔片表面时，磁场会在材料中产生一种特殊的电场分布，从而使霍尔片两侧产生不同电势。
为了测量霍尔片两侧的电势差，需要在霍尔片上施加一定的电流。
电流源会将电流输入到霍尔片上，使其成为一个电流载体。
当霍尔片处于磁场中时，电流载体受到洛伦兹力的作用，导致电荷在霍尔片内部运动。
由于磁场的作用，电荷在霍尔片宽度方向上会积累，从而产生电势差。
为了测量霍尔片两侧的电势差，需要使用电压测量装置。
电压测量装置连接在霍尔片的两侧，可以测量出霍尔片两侧的电压差。
根据霍尔效应的原理，电压差与磁场的强度成正比，因此可以通过测量电压差来确定磁场的强度。
根据霍尔效应的原理，可以推导出霍尔元件测量磁场磁极的方法。
首先，需要将霍尔元件放置在待测磁场的位置上，并保持霍尔片的平面与磁场线垂直。
然后，施加一定的电流到霍尔元件上，并使用电压测量装置测量霍尔片两侧的电压差。
根据电压差的数值，可以推断出磁场的强度和磁极的方向。
需要注意的是，霍尔元件只能测量磁场的强度和磁极的方向，无法确定磁场的具体分布情况。
此外，霍尔元件的测量结果可能会受到外界干扰的影响，因此在测量时需要注意排除干扰因素。
总结起来，霍尔元件通过测量霍尔效应来确定磁场的磁极方向。
其原理是利用磁场对电流载体的作用，产生霍尔电势差，通过测量电势差来确定磁场的强度和磁极的方向。
霍尔元件是一种常用的磁场测量器件，广泛应用于工业控制、磁场测量等领域。
根据霍尔效应测磁场的几种方法归纳总结
根据霍尔效应测磁场的几种方法归纳总结霍尔效应是一种常用于测量磁场强度的物理现象。
通过研究霍尔效应，人们发展出了多种方法来测量磁场。
本文将对根据霍尔效应测磁场的几种方法进行归纳总结。
1. 霍尔元件法：霍尔元件是一种基于霍尔效应原理的传感器。
当电流通过霍尔元件时，磁场会引起霍尔电压的产生。
通过测量霍尔电压的大小，可以确定磁场的强度。
霍尔元件法是一种简单而常用的测磁场方法。
霍尔元件法：霍尔元件是一种基于霍尔效应原理的传感器。
当电流通过霍尔元件时，磁场会引起霍尔电压的产生。
通过测量霍尔电压的大小，可以确定磁场的强度。
霍尔元件法是一种简单而常用的测磁场方法。
2. 霍尔传感器法：与霍尔元件法相似，霍尔传感器也是基于霍尔效应原理的传感器。
不同之处在于，霍尔传感器一般具有更高的灵敏度和更广的工作范围。
它可以通过将霍尔传感器放置在需要测量的磁场中，并测量其输出电压来确定磁场的强度。
霍尔传感器法：与霍尔元件法相似，霍尔传感器也是基于霍尔效应原理的传感器。
不同之处在于，霍尔传感器一般具有更高的灵敏度和更广的工作范围。
它可以通过将霍尔传感器放置在需要测量的磁场中，并测量其输出电压来确定磁场的强度。
3. 霍尔探针法：霍尔探针是一种用于测量磁场强度的工具。
它通常由霍尔元件和测量电路组成。
通过将霍尔探针置于磁场中，并测量输出电压，可以得到磁场的强度值。
霍尔探针法在磁场测量和磁场分布研究中得到广泛应用。
霍尔探针法：霍尔探针是一种用于测量磁场强度的工具。
它通常由霍尔元件和测量电路组成。
通过将霍尔探针置于磁场中，并测量输出电压，可以得到磁场的强度值。
霍尔探针法在磁场测量和磁场分布研究中得到广泛应用。
4. 霍尔效应测试仪：霍尔效应测试仪是一种专门用于测量磁场强度的设备。
它通常具有较高的精度和稳定性。
通过将样品放置在霍尔效应测试仪中，仪器可以直接测量并显示磁场的强度值。
霍尔效应测试仪一般用于科研、工业生产等领域。
霍尔效应测试仪：霍尔效应测试仪是一种专门用于测量磁场强度的设备。
霍尔法测磁场
霍尔法测磁场
霍尔法是一种测量磁场强度的方法，利用霍尔效应的原理。
霍尔效应是指当电流通过一块具有特定材料的导体时，垂直于电流和磁场方向的电压差产生。
这个电压差被称为霍尔电压，它与通过导体的电流和磁场强度成正比。
霍尔法测量磁场强度的步骤如下：
1. 准备霍尔元件：选择一块具有霍尔效应的材料，通常为霍尔片或霍尔传感器。
2. 连接电路：将霍尔元件连接到电路中，通常包括一个电流源以供电流通过霍尔元件，以及一个电压测量器来测量霍尔电压。
3. 设置磁场：将待测磁场放置在霍尔元件附近，确保磁场垂直于电流方向。
4. 测量电压：通过调节电流源使得电流通过霍尔元件，同时使用电压测量器测量霍尔电压。
5. 计算磁场强度：利用已知的电流值和比例关系，根据测量到的霍尔电压计算出磁场强度。
需要注意的是，为了准确测量磁场强度，霍尔元件应该被放置在磁场的均匀区域，并且不受其他电磁干扰。
另外，不同的霍尔元件对应不同的电路连接方式和计算公式，具体操作需要根据具体的霍尔元件和电路要求来确定。
使用霍尔效应测量磁场的步骤与要点
使用霍尔效应测量磁场的步骤与要点磁场是我们日常生活中不可或缺的一部分，它在电子设备、能源产业和科学研究中起着重要的作用。
而测量磁场的方法有很多种，其中一种常用的方法就是通过霍尔效应来测量磁场的强度和方向。
本文将介绍使用霍尔效应测量磁场的步骤与要点。
首先，我们需要了解霍尔效应的原理。
霍尔效应是指当电流通过一块导体时，如果该导体处于磁场中，就会在导体两侧产生一定的电势差。
这个电势差就是霍尔电压，它与磁场的强度和方向有关。
霍尔效应的原理是基于洛伦兹力和电子的漂移速度之间的相互作用。
接下来，我们需要准备一些实验器材。
首先是霍尔元件，它通常是一块薄片状的半导体材料，如硅或镓。
其次是电源，用来提供电流。
还需要一个磁场源，可以是永磁体或电磁铁。
最后是一个电压测量仪器，如万用表或示波器。
在实验过程中，首先需要将霍尔元件连接到电路中。
霍尔元件有三个引脚，分别是电源引脚、接地引脚和输出引脚。
电源引脚和接地引脚用来给霍尔元件提供电流，输出引脚用来测量霍尔电压。
将电源的正极连接到电源引脚，负极连接到接地引脚，然后将输出引脚连接到电压测量仪器。
接下来，我们需要将磁场源靠近霍尔元件。
可以调整磁场源的位置和方向，以改变磁场的强度和方向。
当磁场源靠近霍尔元件时，会在霍尔元件两侧产生一个电势差，即霍尔电压。
通过电压测量仪器可以测量到这个电势差的数值。
在实验过程中，有几个要点需要注意。
首先，要保持实验环境的稳定。
外部的干扰会影响到测量结果的准确性，因此需要尽量避免外部干扰，如电磁辐射和温度变化。
其次，要保持电路的稳定。
电源的电流和电压要保持稳定，以确保测量结果的可靠性。
最后，要注意测量的精度。
可以通过调整电流的大小和测量仪器的灵敏度来提高测量的精度。
使用霍尔效应测量磁场的步骤与要点就是以上所述。
通过了解霍尔效应的原理，准备实验器材，连接电路，调整磁场源的位置和方向，测量霍尔电压，并注意实验环境的稳定、电路的稳定和测量的精度，我们就可以准确地测量磁场的强度和方向。
用霍尔元件测量磁场
用霍尔元件测量磁场1879年，24岁的美国人霍尔发现，如果在载流导体的垂直方向上加上磁场，则在与电流和磁场都垂直的方向上将建立一个电场，这种现象被称为霍尔效应。
利用霍尔效应，可以测量磁场和半导体材料的有关参数；在自动控制和测量技术等方面霍尔效应也得到广泛应用。
[实验目的](1)了解霍尔效应的原理。
(2)学习用霍尔元件测量通电螺线管内部的磁场。
[实验仪器]霍尔元件测螺线管磁场装置、电流与电压数字显示器、开关等。
[实验原理]一、用霍尔元件测量磁场的工作原理霍尔元件是根据霍尔效应原理研制的一种磁电转换元件，是由半导体材料做成的。
如图25-1所示，把一块n 型(即参加导电的载流子是电子)半导体薄片放在垂直于它的磁场中，在薄片的四个侧面A 、A′及D 、D′分别引出两对导线，当沿A 、A′方向通过电流I 时，薄片内定向移动的电子将受到洛仑兹力f B 的作用， f B = evB （25—1）式中e 、v 分别是电子的电量和移动的速度。
电子受力偏转的结果，使得电荷在D 、D′ 两侧聚积而形成电场，这个电场又给电子一个与f B 相反方向的电场力f E ，两侧电荷积累越多，f E 便越大。
最后，当上述两力相等时(f B = f E ),电荷的积累才达到动态平衡。
此时，在薄片D 、D′之间建立的电场称为霍尔电压V H ，这种现象即为霍尔效应。
设b 、d 为薄片的宽度和厚度，n 为电子浓度，则有：f B = f E b V e evB H = （25—2） evbdn I -= （25—3）由(25-2)式和(25-3)式可得：IB K end IB V H H =-= （25—4） 式中endK H 1-=叫做霍尔元件的灵敏度。
同理，如果霍尔元件是P 型(即参加导电的载图25-1流子是空穴)半导体，则epd K H 1-=其中p 为空穴浓度。
因为K H 和载流子的浓度成反比，而半导体的载流子浓度又远比金属的载流子浓度低，所以采用半导体材料制作霍尔元件，并且将此元件做得很好。
霍尔元件测量磁场实验报告
霍尔元件测量磁场实验报告1. 引言嘿，大家好，今天咱们来聊聊一个酷炫的实验，那就是用霍尔元件测量磁场。
这玩意儿听起来可能有点高深，但其实也没那么复杂。
就像喝水一样，简单明了，来，跟我一块儿探究吧！霍尔元件，它的工作原理就像魔法一样。
你只需把它放到磁场中，它就能告诉你磁场的强度。
是不是很神奇？而且我们用这个实验，不仅能让大家对物理有更直观的认识，还能让学习变得更有趣，谁不想当个科学小达人呢？2. 实验原理2.1 霍尔效应首先，咱们得聊聊霍尔效应。
简单来说，就是当电流流过一个导体，放在垂直磁场里时，导体的一侧会出现电压差，这就是霍尔电压。
哇，这个原理听起来就像是在讲故事一样，对吧？电流、磁场、电压，这些元素混在一起，真的是一场科学的盛宴。
霍尔元件通过这种效应，能把磁场的强度转化成电信号，太厉害了！2.2 实验准备在实验之前，咱们得准备一些材料。
别担心，所需的东西可不复杂：一个霍尔元件、一块电源、一根电流表，还有一个可以调节磁场的装置。
哦，对了，还有个小黑板，用来记录数据。
只要把这些东西都准备好，就可以开始这场科学之旅啦！记得保持耐心哦，科学可不是一蹴而就的事情。
3. 实验步骤3.1 连接电路接下来，咱们开始实验。
首先，把霍尔元件连上电源。
电流一开，霍尔元件就开始“工作”了。
真是好像打开了一扇新世界的大门！记得检查一下连接是不是牢靠，别让电流跑了。
这就像养花，浇水的时候要保证水分足够，也不能太多，否则就容易烂根。
3.2 测量磁场好了，现在就轮到咱们测量磁场了。
把霍尔元件放进调节好的磁场里，慢慢调整磁场强度。
每次调整后，看看电流表上的数值，哇，真的是一目了然，数据在眼前一闪一闪的，就像星星一样。
记得要记录下每个强度对应的电压哦，数据可不能遗漏！这些数据将来可是你展示成果的“秘密武器”呢！4. 数据分析4.1 结果讨论当数据收集完后，咱们就要进行数据分析了。
看看这些数值有没有规律，能不能从中找到一些有趣的结论。
霍尔效应法测磁场实验报告
霍尔效应法测磁场实验报告一、实验目的1、了解霍尔效应的基本原理。
2、学习用霍尔效应法测量磁场的原理和方法。
3、掌握霍尔元件的特性和使用方法。
二、实验原理1、霍尔效应将一块半导体薄片置于磁场中（磁场方向垂直于薄片平面），当有电流通过时，在垂直于电流和磁场的方向上会产生一个横向电位差，这种现象称为霍尔效应。
这个横向电位差称为霍尔电压，用＄U_H$ 表示。
霍尔电压的大小与电流＄I$、磁感应强度＄B$ 以及薄片的厚度＄d$ 等因素有关，其关系式为：＄U_H ＝ K_H IB$其中，＄K_H$ 称为霍尔系数，它与半导体材料的性质有关。
2、用霍尔效应法测磁场若已知霍尔元件的灵敏度＄K_H$ ，通过测量霍尔电压＄U_H$ 和电流＄I$ ，就可以计算出磁感应强度＄B$ ：＄B ＝＼frac{U_H}｛K_H I}＄三、实验仪器霍尔效应实验仪、直流电源、毫安表、伏特表、特斯拉计等。
四、实验步骤1、仪器连接（1）将霍尔效应实验仪的各个部件按照说明书正确连接。
（2）将直流电源、毫安表、伏特表等仪器与实验仪连接好。
2、调节仪器（1）调节直流电源的输出电压，使通过霍尔元件的电流达到预定值。
（2）调节特斯拉计，使其归零。
3、测量霍尔电压（1）在不同的磁场强度下，测量霍尔元件两端的电压。
（2）改变电流的方向，再次测量霍尔电压。
4、数据记录将测量得到的数据记录在表格中，包括电流、磁场强度、霍尔电压等。
五、实验数据及处理1、实验数据记录｜电流（mA）｜磁场强度（T）｜霍尔电压（mV）（正电流）｜霍尔电压（mV）（负电流）｜｜｜｜｜｜｜50|01|256|－258|｜50|02|512|－515|｜50|03|768|－771|｜100|01|512|－515|｜100|02|1024|－1028|｜100|03|1536|－1542|2、数据处理（1）计算每个测量点的平均霍尔电压：＄U_{H平均} ＝＼frac{U_{H正} ＋ U_{H负}｝｛2}＄（2）根据霍尔系数＄K_H$ 和平均霍尔电压、电流计算磁场强度：＄B ＝＼frac{U_{H平均}｝｛K_H I}＄3、绘制曲线以磁场强度为横坐标，霍尔电压为纵坐标，绘制霍尔电压与磁场强度的关系曲线。
霍尔元件测磁场的原理
霍尔元件测磁场的原理
霍尔元件是一种常用的测量磁场的器件，其原理是基于霍尔效应。
霍尔效应是
指当导体内有电流通过时，如果将导体置于磁场中，磁场会对电流产生作用，从而在导体的两侧产生电压差，这种现象就是霍尔效应。
而霍尔元件正是利用了这一效应来测量磁场的。
霍尔元件通常由霍尔片、电源、电压输出、信号处理等部分组成。
当霍尔元件
置于磁场中时，磁场会使霍尔片上的载流子偏转，从而在霍尔片的两侧产生电压差。
这个电压差与磁场的强度成正比，因此可以通过测量霍尔片两侧的电压差来确定磁场的强度。
在实际应用中，霍尔元件可以用于测量磁场的大小、方向和分布等信息。
例如，在电机控制系统中，可以利用霍尔元件来检测电机转子的位置，从而实现精确的控制。
在磁传感器中，霍尔元件也可以用来检测磁场的变化，从而实现磁场传感和磁场监测等功能。
除了测量磁场外，霍尔元件还可以应用于其他领域。
例如，在汽车行业中，霍
尔元件可以用于测量车速和转速，从而实现车辆的精准控制。
在工业自动化领域，霍尔元件可以用于检测传送带的速度和位置，实现物料的精准输送。
在医疗器械中，霍尔元件也可以用于测量心脏起搏器的工作状态，从而确保患者的健康。
总的来说，霍尔元件作为一种测量磁场的器件，具有灵敏度高、响应速度快、
精度高等优点，因此在工业、汽车、医疗等领域有着广泛的应用前景。
随着科技的不断进步，相信霍尔元件在未来会有更广泛的应用，为人们的生活带来更多的便利和舒适。
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4.1.1. 霍尔元件测量磁场置于磁场中的载流导体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场。
这个现象是霍普金斯大学研究生霍尔于1879年发现的，后被称为霍尔效应。
根据霍尔效应，人们用半导体材料制成霍尔元件，它具有对磁场敏感、结构简单、体积小、频率响应宽、输出电压变化大和使用寿命长等优点。
利用它可以测量磁场；可以研究半导体中载流子的类别和特性等；也可以利用它制作传感器，用于磁读出头、隔离器，转速仪等。
量子霍耳效应更是当代凝聚态物理领域最重要的发现之一，它在建立国际计量的自然基准方面也起了重要的作用。
【实验目的】1.了解霍耳效应法测量磁场的原理和方法。
2.测定所用霍耳片的霍耳灵敏度。
3.用霍耳效应法测量通电螺线管轴线上的磁场。
4.用霍耳效应法测量通电线圈和亥姆霍兹线圈轴线上的磁场，验证磁场叠加原理，验证亥姆霍兹线圈中央存在均匀磁场。
【实验原理】1．霍耳效应及其测磁原理把一块半导体薄片（锗片或硅片等）放在磁感应强度大小为B 的磁场中（B 的方向沿z 轴方向），如图4.5.1所示。
从薄片的四个 侧面A 、A ’、D 、D ’上分别引出两对 电极，沿纵向（即x 轴正向）通以电流 I H ，则在薄片的两个横向面D 、D ’之间 就会产生电势差，这种现象称为“霍耳 效应”，产生的电势差称为霍耳电势差。
根据霍耳效应制成的磁电变换元件称为 霍耳元件。
霍耳效应是由洛伦兹力引起 的，当放在垂直于磁场方向的半导体薄片 通以电流后，薄片内定向移动的载流子 受到洛伦兹力F B ：B v F B ⨯=q （4.5.1）式中，q 、v 分别是载流子的电荷和移动速度。
载流子受力偏转的结果使电荷在D 、D ’两端面积聚而形成电场（图4.5.1中设载流子是负电荷，故F B 沿y 轴负方向），这个电场又给载流子一个与F B 反设方向的电场力F E 。
设E 表示电场强度，U DD ’表示D 、D ’间的电势差，b 表示薄片宽度，则bU qqE F DD E '== （4.5.2） 达到稳定状态时，电场力和洛伦兹力平衡，有E BF F =即bU qqvB DD '=图4.5.1 霍尔效应原理图载流子的浓度用n 表示，薄片厚度用d 表示，则电流nqvbd I H =，故得dBI R nqd B I U H H H DD ==' （4.5.3） 式中，nqR H 1=称为霍耳系数，它表示材料的霍耳效应的大小。
通常，（4.5.3）式写成如下形式：B I K U H H DD =' （4.5.4）比例系数nqdd R K H H 1==称为霍耳元件的灵敏度，它的大小与材料的性质及薄片的尺寸有关，对一定的霍耳元件是一个常数，可用实验测定。
由（4.5.4）式可以看出，如果知道了霍耳元件灵敏度K H ，用仪器分别测出流过霍耳片的电流I H 及相应的霍耳电压U DD ’ ，就可算出磁感强度B 的大小，这就是用霍耳效应测量磁场的原理。
半导体材料有N 型（电子型）和P 型（空穴型）两种。
前者的载流子为电子，带负电；后者的载流子为空穴，相当于带正电。
由图4.5.1可以看出，若载流子为N 型，则D 面电势低于D ’，0'<DD U ；若载流子为P 型，则D 面电势高于D ’，0'>DD U 。
因此，知道了载流子类型，可以根据U DD ’的正负确定待测磁场的方向；反之，知道了磁场方向亦可以确定载流子的类型。
2．实验中的副效应及其消除法伴随着霍耳效应还经常存在着一些其他的副效应，它们都将带来附加的电势差，所以在使用霍耳元件时还需设法消除这些附加电势差。
这些副效应包括：（1）埃廷豪森效应。
这是一种温度梯度效应。
由于载流子的速度不相等，它们在磁场作用下，速度大的受到洛伦兹力大，绕大圆轨道运动，速度小的则绕小圆轨道运动。
这样导致霍耳元件的一端（D 端）较另一端（D ’端）具有较多的能量而形成一横向的温度梯度，该温度梯度引进的D 、D ’两端出现温差电动势U t ，U t 的正负与电流I H 和磁感应强度B 的方向有关。
（2）能斯特效应。
由于输入电流两端的焊接点处电阻不相等，通电后发热程度不同，并因温度差而产生电流，使D 、D ’两端附加一个电压U N ，U N 的正负只与磁感应强度B 的方向有关，与电流I H 的方向无关。
（3）里纪-勒杜克效应。
由能斯特效应产生的电流也有埃廷豪森效应，由此而产生附加电压U S ，U S 的正负也只与磁感应强度B 的方向有关，而与电流I H 的方向无关。
（4）不等势电压。
由于材料的不均匀或几何尺寸的不对称使D 和D ’两个面上的电极不在同一等势面上，因此而形成电压U O ，U O 的正负仅与电流I H 的方向有关，与外磁场的方向无关。
综上所述，在确定的电流I H 和磁场B 的条件下，实测的D 、D ’两端的电压不只是U DD ’，还包括以上副效应带来的附加电压，即O S N t D D U U U U U U ++++=' 这些附加电压会产生系统误差，但它们的正负和电流I H 或磁感应强度B 的方向各有一定的关系，测量时，通过改变I H 和B 的方向，并进行恰当处理，就可以消除这些附加电压的影响。
其方法如下：+B 、+I H 时测量 O S N t D D U U U U U U ++++='1 （4.5.5） +B 、-I H 时测量 O S N t D D U U U U U U -++--='2 （4.5.6）-B 、-I H 时测量 O S N t D D U U U U U U ---+='3 （4.5.7） -B 、+I H 时测量 O S N t D D U U U U U U +----='4 （4.5.8） 由以上四式中消去U O 、U N 和U S ，得)(4'4321t D D U U U U U U +=-+-一般U t 较U DD ’小得多，在误差允许范围内可以略去，则)(414321'U U U U U DD -+-=（4.5.9） 3．长直螺线管可以证明无限长的直螺线管内存在着一个均匀磁场，其磁感应强度为B nI B 0μ= （4.5.10）实际上的螺线管长度都是有限的，但当其长度远大于其直径时，就可以近似地认为是“无限长”了。
在其轴线上端部处的磁感应强度为B nI B 021'μ=（4.5.11） 式中，I B 是通过螺线管的电流强度，单位为A ，n 是螺线管单位长度上的匝数，单位为m -1，0μ是真空磁导率，B 的单位为T 。
4．亥姆霍兹线圈一对半径为R ，平行地同轴放置且距离也为R ，通以相同大小和相同方向电流的线圈称为亥姆霍兹线圈，如图4.5.2所示。
它产生的磁场是由两个线圈分别产生的磁场叠加而成的，可以证明在其中心O 附近存在着一个均匀磁场。
单个线圈轴线上的磁感应强度为232220)(2x R NI R B B+=μ （4.5.12）式中，N 为线圈的匝数，x 为距圆心的距离，R 为线圈半径。
亥姆霍兹线圈中心处的磁感应强度为RNI RNI B BB 0230716.058μμ≈=（4.5.13）5．霍耳效应实验仪本实验所用霍耳效应实验仪分 为电源和测试台两大部分。
电源为仪器提供励磁电流I B 和霍耳片工作电流I H ，同时检测霍耳片上的电压。
测试台装有同轴的可以通电的螺线管和一对线圈， 以及处于螺线管和线圈轴线上，沿轴线方向位 置可调的霍耳片，同时还有四个双刀双掷开关，用以控制通电方式。
电源的面板所如图4.5.3所示。
电流显示转换开关上方为电流表，当该开关打向右边时，电表显示的是霍耳片工作电流I H ，打向左边时电表显示的为励磁电流I B 。
励磁电流和霍耳片工作电流均可通过电位器在一定范围内调节，面板右侧的数字表用于显示霍耳片上的电压。
CZ 1和CZ 2为两个航空插座。
CZ 1通过电缆将励磁电流导向测试台，CZ 2通过电缆将霍耳片工作电流导向测试台上的霍耳片，同时将霍耳片上的电压引入电源，通过测量后加以显示。
电源的主要技术参数如下：励磁电流：调节范围2.1~0A ；电流稳定度%2±。
霍耳片工作电流：调节范围5~0mA ；电流稳定度%2±。
以上两项电流值均通过三位图4.5.2亥姆霍兹线圈半数字表显示，单位为mA ，所显示的是电流的绝对值。
霍耳片上的电压U 通过三位半数字表显示，单位为mA 在显示其绝对值的同时，还显示其正负符号。
测试台的俯视图如图4.5.4所示CZ 1’和CZ 2’通过电缆分别与电源上CZ 1和CZ 2相连通。
L 3为螺线管，其直径为47mm ，单位长度匝数n =1400m -1。
L 1和L 2为两个相同的线圈，等效半径R =47mm ，匝数N =100，两线圈相距d =R 。
如果L 1和L 2同时通以相同方向、相同大小的电流，就构成了亥姆霍兹线圈。
安装时，L 1、L 2和L 3保持同轴。
S 3、S 4、S 5、S 6用于控制通电方式。
S3是霍耳片工作电流换向开关；S 4是励磁电流换向开关；S 5是螺线管接通或线圈接通转换开关，打向“螺线管通”一侧，励磁电流只通过螺线管，而不通过线圈；打向“线圈通”一侧，励磁电流不通过螺线管而只通过线圈；至于通过哪个线圈，要由S 6控制；S 6是线圈通电控制开关，仅S 5打向“线圈通”一侧时才起作用。
当S 6打向左或右时，可分别选择左线圈L 1单独通电或右线圈L 2单独通电，S 6处于中间位置，即与闸刀两边都不接触时，L 1和L 2同时通电。
移动尺A 装于支架P 与Q 上，且通过L 1、L 2、L 3的轴线。
尺的左端贴有霍耳片H ，尺的侧面贴有标尺B 。
支架P 上有读数窗，窗下刻线所指示的标尺读数即为霍耳片到螺线管L 3右端的距离，H 在L 3内部时读数为正，H 在L 3外面时读数为负，支架Q 上装有手轮S ，转动S 可以调节移动尺沿左右方向移动。
标尺最小分度1mm ，调节范围为-100mm-210mm 。
霍耳效应实验仪电路原理框图见图4.5.5。
【实验仪器及介绍】 霍耳效应实验仪图4.5.4 霍耳效应实验仪测试台俯视图 4.5.3 霍耳效应实验仪电源面【实验内容与步骤】1.将霍耳效应实验仪的两根电缆分别连接 CZ 1和CZ 1’，以及CZ 2和CZ 2’，实验完毕 后不要拔下，以免多次插拔造成插头损坏。
2.将S 3和S 4打向“+”（或“-”），S 5打向 “螺线管通”。
打开电源开关，预热10 分钟。
3.将电源上的转换开关打向左边，调节“励磁电流调节电位器”，使励磁电流为I B =1000mA 左右。
对于这个电流值，在实验过程中要经常监测，通常不会有大的变化，如应果变化量超过5mA 应随时调节。