半导体物理-05

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【精品】半导体物理(SEMICONDUCTOR PHYSICS )PPT课件

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• 适当波长的光照可以改变半导体的导电能力
如在绝缘衬底上制备的硫化镉(CdS)薄膜,无光照时的暗电阻为几十 MΩ,当受光照后电阻值可以下降为几十KΩ
• 此外,半导体的导电能力还随电场、磁场等的作用而改变
• 本课程的内容安排
以元素半导体硅(Si)和锗(Ge)为对象: • 介绍了半导体的晶体结构和缺陷,定义了晶向和晶面 • 讨论了半导体中的电子状态与能带结构,介绍了杂质半导体及其 杂质能级 • 在对半导体中载流子统计的基础上分析了影响因素,讨论了非平 衡载流子的产生与复合 • 对半导体中载流子的漂移运动和半导体的导电性进行了讨论,介 绍了载流子的扩散运动,建立了连续性方程 • 简要介绍了半导体表面的相关知识
• 化学比偏离还可能形成所谓反结构缺陷,如GaAs晶体中As 的成份偏多,不仅形成Ga空位,而且As原子还可占据Ga空 位,称为反结构缺陷。
• 此外高能粒子轰击半导体时,也会使原子脱离正常格点位 置,形成间隙原子、空位以及空位聚积成的空位团等。
• 位错是晶体中的另一种缺陷,它是一种线缺陷。
• 半导体单晶制备和器件生产的许多步骤都在高温下进行,因而在 晶体中会产生一定应力。
共价键方向是四面体对称的,即共价键是从正四面体中心原子出 发指向它的四个顶角原子,共价键之间的夹角为109°28´,这种正四面 体称为共价四面体。
图中原子间的二条连线表示共有一对价电子,二条
线的方向表示共价键方向。
共价四面体中如果把原子粗
略看成圆球并且最近邻的原
子彼此相切,圆球半径就称 为共价四面体半径。
图1.6 两种不同的晶列
• 晶列的取向称为晶向。 • 为表示晶向,从一个格点O沿某个晶向到另一格点P作位移 矢量R,如图1.7,则
R=l1a+l2b+l3c • 若l1:l2:l3不是互质的,通过

半导体物理习题j解答课-第五章

半导体物理习题j解答课-第五章

解:(1)由两种载流子Hall系数的公式可知:
RH
p nb2 ( p nb)2 e
由题意可知
np
ni2
p 9n
n
ni 3
3.671015 cm3
p 3ni 3.31016 cm3
3.31016 cm3 3.67 1015 cm3 104 RH (3.31016 cm3 3.67 1015cm3 102 )2 1.61019 C

证明:由霍尔系数公式可知,RH
p nb2 ( p nb)2 e
若R(T0)=0,则必有:p=nb2。
由电中性条件p=Na+n及p=nb2 可得:Na=n(b2-1)
n
Na b2 1
p
nb2
b2 b2 1
Na
b=n/p
(T0 ) 0 nen pep ep ( p nb)
=e
p
N
a
(
b2 b2
半导体物理习题课-第五章
5.1 电子的平均动能为3kT/2,若有效质量为0.2m,试
求室温时电子热运动的方均根速度。设电子的迁
移率为1000cm2/Vs,算出102V/cm电场下的漂移速
度,并把它与上面的结果作比较。
解:(1) 电子的平均动能的表达式:
1 2
mn*vT2
3 2
kT
vT
3kT mn*
解:(1)从图5.7可知电阻率与掺杂浓 度的对应关系,对于N-Ge而言:
1 0.02cm Nd1 2.01017 cm3 2 0.01cm Nd2 5.51017 cm3
因此,若要使N-Ge的电阻率由1变到2,需要 再掺入施主杂质,浓度为:
Nd2 - Nd1 (5.5- 2.0)1017 cm3 3.51017 cm3

(完整word版)半导体物理知识点总结.doc

(完整word版)半导体物理知识点总结.doc

一、半导体物理知识大纲核心知识单元 A:半导体电子状态与能级(课程基础——掌握物理概念与物理过程、是后面知识的基础)半导体中的电子状态(第 1 章)半导体中的杂质和缺陷能级(第 2 章)核心知识单元 B:半导体载流子统计分布与输运(课程重点——掌握物理概念、掌握物理过程的分析方法、相关参数的计算方法)半导体中载流子的统计分布(第 3 章)半导体的导电性(第 4 章)非平衡载流子(第 5 章)核心知识单元 C:半导体的基本效应(物理效应与应用——掌握各种半导体物理效应、分析其产生的物理机理、掌握具体的应用)半导体光学性质(第10 章)半导体热电性质(第11 章)半导体磁和压阻效应(第12 章)二、半导体物理知识点和考点总结第一章半导体中的电子状态本章各节内容提要:本章主要讨论半导体中电子的运动状态。

主要介绍了半导体的几种常见晶体结构,半导体中能带的形成,半导体中电子的状态和能带特点,在讲解半导体中电子的运动时,引入了有效质量的概念。

阐述本征半导体的导电机构,引入了空穴散射的概念。

最后,介绍了Si、Ge 和 GaAs 的能带结构。

在 1.1 节,半导体的几种常见晶体结构及结合性质。

(重点掌握)在 1.2 节,为了深入理解能带的形成,介绍了电子的共有化运动。

介绍半导体中电子的状态和能带特点,并对导体、半导体和绝缘体的能带进行比较,在此基础上引入本征激发的概念。

(重点掌握)在 1.3 节,引入有效质量的概念。

讨论半导体中电子的平均速度和加速度。

(重点掌握)在1.4 节,阐述本征半导体的导电机构,由此引入了空穴散射的概念,得到空穴的特点。

(重点掌握)在 1.5 节,介绍回旋共振测试有效质量的原理和方法。

(理解即可)在 1.6 节,介绍 Si 、Ge 的能带结构。

(掌握能带结构特征)在 1.7 节,介绍Ⅲ -Ⅴ族化合物的能带结构,主要了解GaAs 的能带结构。

(掌握能带结构特征)本章重难点:重点:1、半导体硅、锗的晶体结构(金刚石型结构)及其特点;三五族化合物半导体的闪锌矿型结构及其特点。

《半导体物理学》课程教学大纲

《半导体物理学》课程教学大纲

《半导体物理学》课程教案大纲一、课程说明(一)课程名称:《半导体物理学》所属专业:物理学(电子材料和器件工程方向)课程性质:专业课学分:学分(二)课程简介、目标与任务:《半导体物理学》是物理学专业(电子材料和器件工程方向)本科生的一门必修课程。

通过学习本课程,使学生掌握半导体物理学中的基本概念、基本理论和基本规律,培养学生分析和应用半导体各种物理效应解决实际问题的能力,同时为后继课程的学习奠定基础。

本课程的任务是从微观上解释发生在半导体中的宏观物理现象,研究并揭示微观机理;重点学习半导体中的电子状态及载流子的统计分布规律,学习半导体中载流子的输运理论及相关规律;学习载流子在输运过程中所发生的宏观物理现象;学习半导体的基本结构及其表面、界面问题。

(三)先修课程要求,与先修课与后续相关课程之间的逻辑关系和内容衔接:本课程的先修课程包括热力学与统计物理学、量子力学和固体物理学,学生应掌握这些先修课程中必要的知识。

通过本课程的学习为后继《半导体器件》、《晶体管原理》等课程的学习奠定基础。

(四)教材与主要参考书:[]刘恩科,朱秉升,罗晋生. 半导体物理学(第版)[]. 北京:电子工业出版社. .[]黄昆,谢希德. 半导体物理学[]. 北京:科学出版社. .[]叶良修.半导体物理学(第版)[]. 上册. 北京:高等教育出版社. .[]. . , ( .), , , .二、课程内容与安排第一章半导体中的电子状态第一节半导体的晶格结构和结合性质第二节半导体中的电子状态和能带第三节半导体中电子的运动有效质量第四节本征半导体的导电机构空穴第五节回旋共振第六节硅和锗的能带结构第七节族化合物半导体的能带结构第八节族化合物半导体的能带结构第九节合金的能带第十节宽禁带半导体材料(一)教案方法与学时分配课堂讲授,大约学时。

限于学时,第节可不讲授,学生可自学。

(二)内容及基本要求本章将先修课程《固体物理学》中所学的晶体结构、单电子近似和能带的知识应用到半导体中,要求深入理解并重点掌握半导体中的电子状态(导带、价带、禁带及其宽度);掌握有效质量、空穴的概念以及硅和砷化镓的能带结构;了解回旋共振实验的目的、意义和原理。

半导体物理器件

半导体物理器件

半导体物理器件
嘿,朋友们!今天咱就来聊聊半导体物理器件这个神奇的领域呀!
你说半导体物理器件像不像一个充满魔法的宝库?里面藏着各种各样让人惊叹不已的宝贝呢!比如说晶体管,那可真是个了不起的小家伙。

它就像一个超级小英雄,在电子世界里冲锋陷阵,让我们的电子设备变得如此强大和智能。

想想看啊,没有这些半导体物理器件,我们的手机能那么智能吗?能随时随地和朋友聊天、看视频、玩游戏吗?那肯定不行呀!这就好像没有了翅膀的鸟儿,想飞也飞不起来呀。

再看看那些集成电路,它们就像是一个个精密的城市,无数的半导体器件在里面和谐共处,共同完成各种复杂的任务。

这多厉害呀!它们把复杂的电路集成在那么小的一块芯片上,这得需要多么高超的技术和智慧呀!
还有二极管,它就像一个交通指挥员,指挥着电流的流向,让一切都井井有条。

要是没有它,那电流不就乱套了嘛。

咱再说说半导体物理器件的发展,那可真是日新月异呀!就像我们跑步一样,速度越来越快。

以前那些又大又笨的电子设备,现在都变得小巧玲珑了,这可都是半导体物理器件的功劳呀!
而且呀,半导体物理器件的应用那叫一个广泛。

从日常生活中的各种电子产品,到工业生产中的自动化设备,再到航天航空等高科技领域,哪里都有它们的身影。

这就好像是一把万能钥匙,能打开各种神奇的大门。

你说这半导体物理器件是不是特别神奇?特别重要?它们就像是电子世界的基石,没有它们,我们的生活可就完全不一样啦!所以呀,我们可得好好感谢那些研究和制造半导体物理器件的科学家和工程师们,是他们让我们的生活变得如此丰富多彩呀!难道不是吗?。

《半导体物理学》课件

《半导体物理学》课件
重要性
半导体物理学是现代电子科技和信息 科技的基础,对微电子、光电子、电 力电子等领域的发展具有至关重要的 作用。
半导体物理学的发展历程
19世纪末期
半导体概念的形成,科学家开始认识到 某些物质具有导电性介于金属和绝缘体
之间。
20世纪中叶
晶体管的商业化应用,集成电路的发 明,推动了电子科技和信息科技的发
半导体中的热电效应
总结词
解释热电效应的原理及其在半导体中的应用。
详细描述
当半导体受到温度梯度作用时,会在两端产生电压差 ,这一现象被称为热电效应。热电效应的原理在于不 同温度下,半导体内部载流子的分布不同,导致出现 电势差。热电效应在温差发电等领域有应用价值,可 以通过优化半导体的材料和结构来提高热电转换效率 。
分析器件在长时间使用或恶劣环 境下的性能退化,以提高其可靠 性。
THANKS
THANK YOU FOR YOUR WATCHING
06
半导体材料与工艺
半导体材料的分类和特性
元素半导体
如硅、锗等,具有稳定的化学性质和良好的半导 体特性。
化合物半导体
如砷化镓、磷化铟等,具有较高的电子迁移率和 光学性能。
宽禁带半导体
如金刚石、氮化镓等,具有高热导率和禁带宽度 大等特点。
半导体材料的制备和加工
气相沉积
通过化学气相沉积或物理气相沉积方法制备 薄膜。
05
半导体器件的工作原理
二极管的工作原理
总结词
二极管是半导体器件中最简单的一种 ,其工作原理基于PN结的单向导电性 。
详细描述
二极管由一个P型半导体和一个N型半 导体结合而成,在交界处形成PN结。 当正向电压施加时,电子从N区流向P 区,空穴从P区流向N区,形成电流; 当反向电压施加时,电流极小或无电流 。

刘恩科半导体物理学

刘恩科半导体物理学半导体物理学是研究半导体材料及其性质、特性和应用的学科。

刘恩科半导体物理学是以中国科学家刘恩科命名的,他是中国半导体物理学的开拓者和奠基人。

本文将介绍刘恩科半导体物理学的研究内容、重要成果以及对半导体技术发展的贡献。

刘恩科半导体物理学主要研究半导体材料的电学和光学性质,以及半导体器件的物理特性和工作原理。

半导体材料是介于导体和绝缘体之间的一类材料,具有导电能力的同时也能够控制电流流动。

半导体器件是利用半导体材料的特性制成的电子器件,如二极管、场效应晶体管(MOSFET)、光电二极管等。

刘恩科半导体物理学的研究内容包括半导体材料的能带结构、电子与空穴运动、载流子的输运、杂质掺杂、PN结、MOS结构等。

通过对这些基本的物理过程的研究,可以深入理解半导体材料的特性和器件的工作原理,从而推动半导体技术的发展。

刘恩科半导体物理学的重要成果之一是对半导体光电子学的研究。

光电子学是利用光与半导体材料相互作用的现象和机制来实现能量转换和信息处理的学科。

刘恩科在半导体光电子学领域做出了重要贡献,研究了半导体材料的光学性质以及光与电子的相互作用机制,提出了一系列重要理论和实验结果。

这些成果不仅推动了半导体光电子学的发展,也为光电子器件的设计与制造提供了基础。

刘恩科半导体物理学还研究了半导体材料的电子输运性质。

电子输运是指载流子(电子或空穴)在半导体材料中自由移动的过程。

刘恩科通过理论计算和实验研究,揭示了半导体材料中电子输运的机制和规律,为半导体器件的性能优化和电子设备的制造提供了理论依据。

刘恩科半导体物理学对半导体技术的发展产生了深远影响。

半导体技术是现代电子信息技术的基础,广泛应用于计算机、通信、光电子、能源等领域。

刘恩科半导体物理学的研究成果为半导体技术的进步提供了理论支持和实验依据,推动了半导体材料与器件的创新和改进。

刘恩科半导体物理学是一门研究半导体材料及其性质、特性和应用的学科,主要研究半导体材料的电学和光学性质,以及半导体器件的物理特性和工作原理。

半导体物理学ppt课件

在电场
②当电流密度一定时, dEF/dx与载流子浓
度成反比 ③上述讨论也适用于电子子系及空穴子系
(用准费米能级取代费米能级):
J =n
dEF dx
J =p
dEF dx
35
36
★ 正向偏压下的p-n结
①势垒: ♦ 外电压主要降落
于势垒区 ♦ 加正向偏压V, 势
垒高度下降为 e(VD-V),
荷区的产生—复合作用。 P型区和N型区的电阻率都足够低,外加电压全部降落
在过渡区上。
57
准中性区的载流子运动情况
稳态时, 假设GL=0
0

DN
d 2np dx2

n p
n
......x

xp

0

DP
d 2pn dx2
边界条件:

pn
p
......x

xn
图6.4
欧姆接触边界
以及工作温度
24
③接触电势差:
♦ pn结的势垒高度—eVD 接触电势差—VD
♦ 对非简并半导体,饱和电离近似,接触 电势为:
VD

kT e
ln nn0 np0

kT e
ln
NDNA ni2
♦ VD与二边掺杂有关,
与Eg有关
25
电势
图6-8
电子势能(能带)
26
④平衡p-n结的载流子浓度分布: ♦ 当电势零点取x=-xp处,则有: EC (x) EC qV (x)
52
53
54
理想二极管方程
PN结正偏时
55
理想二极管方程
PN结反偏时

半导体物理


其他半导体器件的原理和结构
THANKS
谢谢您的观看
半导体材料的晶体结构
具有自由电子的能带,导带与真空能级之间的跃迁称为直接跃迁。
半导体材料的电子能带结构
导带
具有空穴的能带,价带与真空能级之间的跃迁称为间接跃迁。
价带
导带和价带之间的能量差距,也称为带隙或禁带宽度。
能隙
本征半导体
具有自由电子和空穴的半导体材料,如硅和锗。
非本征半导体
不具有自由电子和空穴的半导体材料,如氧化物、硫化物和磷化物等。
半导体材料的导电性能
03
半导体中的载流子
载流子是指半导体中能够参与导电的粒子,通常为电子和空穴。
定义
根据电荷性质,载流子可分为电子和空穴;根据运动状态,可分为自由载流子和束缚载流子。
分类
载流子的定义和分类
漂移
在电场作用下,载流子受到电场力作用而产生的定向运动称为漂移。
扩散
由于载流子浓度不均匀,高浓度区域的载流子向低浓度区域扩散,导致电流由高浓度区域流向低浓度区域。
光的量子性
光不仅具有波动性,还具有量子性。光的粒子数密度和相干性等性质在半导体中起着重要作用,例如在光子晶体和光子集成电路中。
光的能量和光子
光具有能量,其能量与频率成正比。光子是光的粒子,具有能量和动量,与物质粒子之间发生相互作用。
光学性质的基本概念
光电效应的发现和规律
光电效应的物理过程
光电效应的应用
输运
介电常数用于描述半导体材料对电场的响应能力,其大小与材料的极化性质、频率等因素有关。在半导体物理中,介电常数是描述半导体材料性能的重要参数之一。
介电常数
载流子的输运和介电常数
04

《半导体物理学》【ch05】 非平衡载流子 教学课件


复合理论
1 直接复合——电子在导带和价带之间的直接跃迁, 引起电子和空穴的直接复合。
间接复合电子和空穴通过禁带的能级(复合中心)进行复合。根据间接复合过程发生的位置,又可以把
2 它分为体内复合和表面复合。载流子复合时, 一定要释放出多余的能量。放出能量的方法有三种:
1.发射光子,伴随着复合,将有发光现象,常称为发光复合或辐射复合; 2.发射声子,载流子将多余的能量传给晶格,加强晶格的振动; 3.将能量给予其他载流子,增大它们的动能,称为俄歇(Auger)复合。
集成电路科学与工程系列教材
第五章
非平衡载流子
半导体物理学
01
非平衡载流子 的注入与复合
非平衡载流子的注入与复合
处于热平衡状态的半导体在一定温度下,载流子浓度是一定的。这种处于热平衡状态下的载流子浓度, 称为平衡载流子浓度,前面各章讨论的都是平衡载流子。用no 和po分别表示平衡电子浓度和空穴浓 度,在非简并情况下,它们的乘积满足下式
当外界的影响破坏了热平衡,使半导体处于非平衡状态时,就不再存在统一的费米能级,因为前 面讲的费米能级和统计分布函数都指的是热平衡状态。事实上,电子系统的热平衡状态是通过热 跃迁实现的。在一个能带范围内,热跃迁十分频繁,在极短时间内就能形成一个能带内的热平衡。 然而, 电子在两个能带之间,例如,导带和价带之间的热跃迁就稀少得多,因为中间还隔着禁带。
非平衡载流子的注入与复合
最后, 载流子浓度恢复到平衡时的值,半导体又回到平衡态。由此得出结论,产生非平衡载流子的外 部作用撤除后,半导体的内部作用使它由非平衡态恢复到平衡态,过剩载流子逐渐消失。这一过程称为 非平衡载流子的复合。 然而,热平衡并不是一种绝对静止的状态。就半导体中的载流子而言,任何时候电子和空穴总是不断地 产生和复合, 在热平衡状态,产生和复合处于相对的平衡,每秒钟产生的电子和空穴数目与复合的数 目相等,从而保持载流子浓度稳定不变。 当用光照射半导体时,打破了产生与复合的相对平衡,产生超过了复合,在半导体中产生了非平衡载流 子, 半导体处于非平衡态。
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设 k 0 位于[100]方向上,则在六个等价 <100>方向的等价点上都存在相同极值 对于kx轴上的极值点
h2 E (k ) E0 2
k0 (k x 0 ,0,0)

kz
2 ( k x k0 x ) 2 ( k y k z2 ml* mt*
* x
m*
* * m* x m y mz
1 m*
1 ml*mt*
B沿任意方向, 能测到三个吸收峰 Si : ml* 0.98m0 , mt* 0.19m0
常见半导体的能带结构 硅的能带结构
Si : ml* 0.98m0 , mt* 0.19m0
h2 h2 2 2 2 2 2 E1, 2 (k ) Ev Ak 2 B 2k 4 C 2 (k x ky ky k z k z2k x E3 (k ) Ev Ak 2 2m0 2m0
E
1 d 2E * me h 2 dk 2
1
k1
有效质量
有效质量概括了晶体内 部势场对电子的作用
dE dk
2
k
* 导带底的有效质量
E (k ) E (0) k
k 0
1 d 2E 2 dk 2
k 2
k 0
E (k ) Ec
hk * 2me
正格子空间 倒格子空间
a a3 b1 2 ,
晶体结构的周期性 能量状态的周期性
a a1 b2 3 , a a2 b3 1
正格子基矢 倒格子基矢
ai b j ij
a1 , a2 , a3
b1 , b2 , b3
f x m* x dv x dt dv y m* x
dt dvz fz m dt
* z
f y m* y
* , , , , dvx eB (v y vz ) 0 vx vx exp(it ) imx vx eBv y eBvz 0 dt , * , , , dv y m* eB (vz vx ) 0 v y v y exp(it ) imv vv eBvz eBvx 0 y dt * , , , , * dv z mz eB (vx v y ) 0 vz vz exp(it ) imz vz eBvx eBv y 0 dt
#13
金刚石结构的第一布里渊区是由 多少个面所围成?
A. 6 B.8 C.14 D.16
面心立方倒格子 是体心立方格子
v
+4 价 电 子 +4 +4 +4 +4 +4 共 价 键
1 dE h dk
E
E ( k ) E ( k )
v(k ) v(k )
k1 空穴 k v
+4
+4
+4
v(k ) 0
s 1,2 m m m m m
* x
i
B j
* * * s 3,4 m* m* y ml x mz mt
* * * s 5,6 m* m* z ml x my mt
c
eB m*
B沿[111]方向, 只能测到一个吸收峰

* * * Si : mhh 0.53m0 , mlh 0.16m0 , m3 h 0.25m0 ; 0.04eV


1 3
1 m*
* * m* x m y mz * * 3m* x m y mz
1 m*
2 2 m* m* m* x y z
2
m m m
* * ml 2mt * * 3ml mt 2
* x
* y
* z
s 16
1 m*
1 m*
B沿[110]方向, 能测到二个吸收峰
E0 kx
ky
( 能带极值位于K空间某一点 k 0 k0 x , k0 y , k0 z )
2 (k z k0 z ) 2 h 2 (k x k0 x ) 2 (k y k0 y ) E (k ) E0 2 m* m* m* x y z
* 1
原子 晶体, 能级 能带 #12 在倒格子空间(K空间)中每一个状态所占的体积应等于 A.正格子元胞体积的倒数 C.倒格子元胞体积的倒数 布里渊区边界方程
1 K h (k K h ) 0 2
B. 晶体体积的倒数 D. 倒格子元胞的体积
布里渊区的体积与倒格子元胞的体积应完 全相同,也应等于正格子元胞体积的倒数 布里渊区中的状态数等于正格子的原胞数次微商就小,有效质量就越大
* 价带顶的有效质量
E (k ) E (0) h k * 2me
2 2
E (k ) E (0)
dE dk
k
k 0
1 d 2E 2 dk 2
k 2
k 0
m m
* h
* e
E
一维 等能点 二维 等能线 三维 等能面
f h dk dt
+4 空穴 +4
+4 +4 自由电子
正电荷 向下能 量越高
k
+4
+4
+4
+4
+4
ε
k
J ev(k ) ev(k1 ) ev(k1 )
* 外力作用下晶体中电子运动状态的变化 dk 1 dE dv f h v a h dk dt dt
* f me a
1
1
2 h 2 k x2 k y k z2 E (k ) E0 ( * * * ) 2 m x m y mz
各向同性
2 k x2 k y k z2
kz R
1 * 2 m E ( k ) E0 R 2 2 h


各向异性
2 ky k x2 k z2 1 2 m* 2m* 2 m* x ( E E0 ) y ( E E0 ) z ( E E0 ) h2 h2 h2
im* x eB eB
eB im* y
eB eB 0
* z
c
1 m*
eB m*
2 2 m* m* m* x y z * * m* x m y mz 2
eB im
* N型硅中有效质量的测量
kz 5 4 1 kx 6 2 3 ky
k
* l * y * z * t
dv dt
E'
k
h2k 2 E (k ) Ev * 2mh
f ma
* 电子在外电场作用下 e me * e mh
k
E" k
dv dt
1
空穴: 具有正电荷和正有效质量的粒子
1 d 2E * me h 2 dk 2
三维:?
K空间的等能面
* 纵向有效质量 m* x ml
ky kx
1
* * m* y mz mt 横向有效质量
1 d 2E m h 2 dk 2
* e
回旋共振 * 各向同性情况
高频电场
电磁波
磁场
F ev B
f evB sin
v
B
f

v|| v
1 d 2E * m h 2 dk 2 , my x
* x 1

1 d 2E 1 d 2E , m* 2 2 2 z h dk h dk 2 y z
* * m* x my mz m *
能带极值位于K空间原点
1 2E 1 2E 2 1 2E 2 1 2E 2 E kx ky kz 2 E (k ) E (0) k k 2 E (k ) E0 2 k x2 2 k y2 2 k z2 2 k k 0 k k 0
一、已知硅的晶格常数为0.543nm,计算: 1 .晶体硅的原子密度 (2) 2. (100)面的原子面密度 (18) 3. (110)面的面间距 (25) 4. 两个最近邻硅原子的距离 (5) 5.如果把每个原子看成是刚性球体 ,则所有原子在空间中 所 占据的 体积比例 (12) 二、已知面心立方晶胞的边长为a,计算: 1. 晶胞中所含格点数 (2) 2. 原胞的体积 (5) 3. [110]与[100]晶向之间的夹角 (3) 4. (111)和(100) 晶面之间的夹角 (15) 5. (111)面上的格点密度 (26) 09300190005 09300190068
2 v r
B
f ev B
设圆周运动的半径
r
圆周运动的向心加速度
a
圆周运动的角频率 回旋共振频率
2 v m*v f m*a m*v 圆周运动的向心力 r r

Bc
eB m*
E
m*
e
Bc
B
* 各向异型情况
k i B j
B Bi Bj Bk v v x i v y j vz k F ev B f xi f y j f z k e[(v y B vz B )i (vz B vx B ) j (vx B v y B )k ]

1 , 0 2
1 m*
* m* x my * * 2m * x m y mz
s 14
ml* mt* 2ml*mt*
2
s 5,6
1 m*
1 ml*mt*
B沿[100]方向, 能测到二个吸收峰 m 1, 0 1 s 1,2 m* mt* s 36
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