第2章电子线路课件

(3) 由于∣U12∣= 0.3V，故该管为锗管，且1、2管 脚中一个是e极，一个是b极，则3脚为c极。又因为，3 脚电位最高，故该管为NPN型，从而得出1脚为b极，2 脚为e极。
2.1.5 三极管的测试及手册的使用 1.万用表测试三极管 常见几种国产三极管管脚图排列如表2.2所示。
表2.2 常用三极管管脚排列
静态值
IB IC IE UCE UBE
正弦交流分量 瞬时值 有效值
总电流或电压 瞬时值
直流电 源
对地电压
ibΒιβλιοθήκη IbicIcie
Ie
uce
Uce
ube
Ube
iB iC iE uCE uBE
VCC VBB VEE
2.2思考题

简述基本放大电路的工作原理。

放大电路的性能指标有那些?
返 回
2.3 放大电路的静态工作点 对输出波形的影响
值，所测阻值越大，表明ICEO越小。PNP管的接法与
之相反。
(3)判别β的大小 将万用表置于hFE档，将三极管的c、b、e管脚插 入面板上相映的插孔中，利用表头读数即可。
2.手册的使用 (1) 根据电路对三极管的要求查阅手册，从而确定
选用三极管的型号，其极限参数ICM、U(BR)CEO和PCM
应分别大于电路对管子的集电极最大允许电流、集电 极—发射极间击穿电压和集电极最大允许功耗的要求。
图2.14 基本放大电路
2.工作原理
设输入正弦交流信号为ui，则
uBE= UBE +ui iB=IB+ib iC=IC+ic uCE = UCC iC RC， 最后，通过隔直电容的作用，uCE中的交流成分
uce到达输出端，形成输出电压uo。上述各电流、电压 波形如图2.15所示。
图2.15 放大器有关电流、电压波形
饱和时的UCE称为饱和压降，用UCES表示，UCES很
小，一般约为0.3V。工作在此区的三极管相当于一个 闭合的开关，没有电流放大作用。
2.1.4 三极管的主要参数
1.电流放大系数
电流放大系数是反映三极管电流放大能力的基本参 数，主要有 和β
2.极间反向电流
(1) ICBO是指发射极开路时从集电极流到基极的反
U3 = 1.8V U3 = -2.7V U3 = 0V
解： (1) 由于U13 = U1- U3= 0.7V，故该管为硅管，且1、 3管脚中一个是e极，一个是b极，则2脚为c极。又因为2 脚电位最高，故该管为NPN型，从而得出1脚为b极，3 脚为e极。 (2) 由于∣U23∣= 0.3V，故该管为锗管，且2、3管 脚中一个是e极，一个是b极，则1脚为c极。又因为1脚 电位最低，故该管为PNP型，从而得出2脚为b极，3脚 为e极。
(2) 输出特性曲线中，截止区以上平坦段组成的区 域称为放大区。其特点是：发射结正偏，集电结反偏。
此时IC受控于IB；同时IC与UCE基本无关，可近似看成
恒流。此区内三极管具有电流放大作用。
(3) 输出特性曲线中，UCE≤UBE的区域，即曲线的
上升段组成的区域称为饱和区。饱和区的特点是：发
射结和集电结均为正偏。
2.1 半导体三极管 2.2 基本放大电路 2.3 放大电路的静态工作点对输出波形的影响 2.4 放大电路的直流偏置方式 2.5 放大电路的三种组态 2.6 放大电路性能指标的估算 2.7 多级放大电路 2.8 放大电路的频率特性 本章小结
2.1 半导体三极管
2.1.1 三极管的结构 三极管是由两个PN结构成的，其基本特性是具有电 流放大作用。三极管按其结构不同分为NPN型和PNP型两 种。相应的结构示意图及电路符号如图2.1所示。
集电结反偏，使集电极电位高于基极电位，于是在 集电结上有一个较强的电场，把由发射区注入到基区的
自由电子大部分拉到集电区，形成集电极电流IC。 调节Rb，改变IB的大小，得出相应的IC和IE的数
据，如表2.1所示。
表2.1 电流放大实验数据
IB(mA) -0.004 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
例2.2 若测得放大电路中工作在放大状态的三个三 极管的三个电极对地电位U1、U2、U3分别为下述数值， 试判断它们是硅管还是锗管？是NPN型还是PNP型？ 并确定c、b、e极。
(1) U1 = 2.5V (2) U1 = -6V (3) U1 = -1.7V
U2 = 6V U2 = -3V U2 = -2V
（3）由于IB = 0.1mA，IC = 4mA，故：
IC 4 40
IB 0.1
2.1.3 三极管的特性曲线 1.输入特性曲线 三极管的输入特性曲线如图2.5所示。
图2.5 三极管的输入特性曲线
由图2.5所示的输入特性曲线可以看出： 曲线是非线性的，也存在一段死区，当外加UBE电 压小于死区电压时，三极管不能导通，处于
三极管按其所用半导体材料不同，分为硅管和锗 管；
按用途不同，分为放大管、开关管和功率管； 按工作频率不同，分为低频管和高频管； 按耗散功率大小不同，分为小功率管和大功率管 等。 一般硅管多为NPN型，锗管多为PNP型。
2.1.2 三极管的电流放大作用
1.三极管放大的条件
三极管实现电流放大的外部偏置条件：发射结正 偏，集电结反偏，此时，各电极电位之间的关系是：
大了，因此称三极管为电流控制型器件。
例2.1 测得工作在放大状态的三极管两个电极的 电流如图2.4所示。
（1）求另一个电极的电流，并在图中标出实际方 向。
（2）标出e、b、c极，并判断出该管是NPN型还 是PNP型管。
（3）估算其β值。
图2.4 例2.1图
解： （1）图2.4(a)中①、②管脚的电流均为流入， 则③管脚的电流必为流出，且大小为 0.1+4=4.1(mA)，如图2.4(b)所示。 （2）由于③管脚的电流最大，①管脚的电流最 小，因此①管脚为b极，②管脚为c极，③管脚为e 极。又由于③管脚的发射极电流为流出，故该管为 NPN型管。
向电流。如图2.7(a)所示。
图2.7 极间反向电流
(2) 穿透电流ICEO 是指基极开路（IB=0）、集电极与发射极之间加
上规定的电压时，从集电极流到发射极的电流。如
图2.7(b)所示。它与ICBO之间的关系为： ICEO = (1+β) ICBO
3.极限参数
(1)集电极最大允许电流ICM
(2) 集电极—发射极间击穿电压U(BR)CEO (3) 集电极最大允许功耗PCM
在(b)图中，若Q点位置偏高（Q1），由于在输入信 号正半周的部分时间内三极管工作于饱和状态，使输
出电压uo=uce出现了下平顶失真，这种失真称为饱和失
真。
若Q点位置偏低（Q2），由于在输入信号负半周的部
分时间内三极管工作于截止状态，使输出电压uo=uce出
截止状态。
三极管正常工作时，UBE变化不大，对于硅管， UBE约为0.7V左右，锗管的约为0.3V左右。
2.输出特性曲线
当IB取值不同时，就有一条不同的输出特性曲线，
如图2.6所示。
图2.6 三极管的输出特性曲线
3.三极管的三个工作区
(1) 三极管输出特性曲线中，IB=0的输出特性曲线
以下，横轴以上的区域称为截止区。其特点是：发射 结和集电结均为反偏，各电极电流很小，相当于一个 断开的开关。
返 回
2.2 基本放大电路
2.2.1 放大电路的基本知识 1.放大的概念 所谓放大，就是用较小的输入信号去控制较大 的输出信号，且输出与输入之间有相应的变化关系。 其方框图如图2.11所示。
图 2.11 放大电路方框图
2.放大电路的性能指标 (1) 放大倍数
Au

输出电压 输入电压

uo ui
(2) 当三极管的型号确定后，应选极间反向电流小 的管子。
(3) 在维修电子设备时，若发现三极管损坏，应该 用同型号的管子替换。若找不到同型号的管子而需要用 其它型号的管子来替换时，应注意：要用同种材料、同
种类型的管子替换；替换管子的参数ICM、U(BR)CEO和
PCM一般不得低于原管。
三极管的命名方法见附录1，型号参数举例见附录4 及附录5。
由图2.15可以看出：uo的幅度远大于ui的幅度， 可见该电路将ui进行了放大，且uo与ui的相位相反。
晶体管放大电路中各电流、电压的名称和符号如 表2.3所示。
表2.3 放大电路中各电流、电压的名称和符号
名称
基极电流 集电极电流 发射极电流 集-射极电压 基-射极电压 集电极电源 基极电源 发射极电源
IC(mA) 0.004 0.01 1.09 2.08 3.07 4.06 5.05
IE(mA) 0
0.01 1.10 2.10 3.10 4.10 5.10
由表可得：三极管各电极电流分配关系是：
IE = IB + IC 由于基极电流很小，因而IE≈IC。
通常称 I C 为共射极直流电流放大系数，因而
图2.1 三极管的结构及符号
三极管内部结构分为发射区、基区和集电区， 相应的引出电极分别为发射极e、基极b和集电极c。
发射区和基区之间的PN结称为发射结，集电 区和基区之间的PN结称为集电结。
电路符号中，发射极的箭头方向表示三极管在 正常工作时发射极电流的实际方向。
三极管在制作时，其内部结构特点是： (1 ) 发射区掺杂浓度高； (2 ) 基区很薄，且掺杂浓度低； (3 ) 集电结面积大于发射结面积。 以上特点是三极管实现放大作用的内部条件。
Ai

输出电流 输入电流

io ii
Ap

负载获得的功率 信号源提供的功率

Po Pi
（2）输入电阻ri ri就是向放大电路输入端看进去的等效电阻，ri