数字集成电路设计基础 宁波大学 2017年博士研究生考博真题
宁波大学高级数字系统设计2015--2016,2018,2020年考博初试真题
科目代码 : 2606 科目名称：
高级数字系统设计
四、（20 分）利用 ROM 和累加器设计一个频率分辨率小于 0.5Hz 的 DDS 正弦信号发生器，ROM 采用 256×8bit，频率控制字 M 为 8 位。
试给出：1. 相位累加器的最少位数，时钟频率，最高输出频率。（12 分） 2. 画出电路结构框图。（8 分）
③ 完成上述操作后，返回初始状态。
画出该数字系统的算法状态机图。（15 分）
6．简述数字电路设计中流水线技术提升电路运行速度的原理。（20 分）
第2页共2页
宁波大学 2018 年博士研究生招生考试初试试题(B 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码 : 2606 科目名称：
高级数字系统设计
4. 电路及输入信号波形如下所示，（1）试画出输出信号波形，说明此电路功能；（2）用 HDL 描述该 电路。 （20 分）
Signal DQ
DQ
Out 异或 门
Clk
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宁波大学 2020 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码： 2606 总分值： 100 科目名称：
五、（20 分）设计 4 位乘 3 位二进制数乘法器的算法流程图，电路结构如图 1 所示。
Start
A4 B3
乘法电路
7P
图1
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宁波大学 2015 年攻读博士学位研究生 入 学 考 试 试 题(B 卷) (答案必须写在答题纸上)
考试科目: 适用专业:
高级数字系统设计 微纳信息系统
科目代码： 2606
表1
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结构力学 宁波大学 2017年博士研究生考博真题
题三图
四、 求图示刚架结构 C 点的水平位移
CF ， 已知柱 AB 和梁 BC 的截面惯性
矩分别为 I 和 1.2 I 。 错误!未找到引用源。 错误!未找到引用
错误 ! 未找到引 用源。0kN C 错误!未找 到引用源。 B 1.2I kN
I
4kN A 2m 13kN 2m
题四图
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6m
源。（20 分）
2kN/m
7kN
宁波大学 2017 年博士研究生招生考试初试试题(B 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码 :
3803
科目名称：
结构力学
五、 一超静定梁受荷载作用如图所示。求：（1）判断超静定次数；（2）用力法分析该结构，绘 出弯矩图 ，剪力图。（20 分）
F A
B
C
二、 试对图示体系进行几何构造（组成）分析。（20 分）
题二图
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宁波大学 2017 年博士研究生招生考试初试试题(B 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码 :
3803
科目名称：
结构力学
三、图示平面桁架受载荷 P 作用。（1）计算桁架中各杆内力并指出受压或受拉；（2）如果杆件 可以承受的最大拉力和压力分别为 1.5kN 和 1kN，请确定载荷 P 的最大许可值。（20 分）l/2l/2l题五图
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宁波大学 2017 年博士研究生招生考试初试试题(B 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码 :
3803
科目名称：
结构力学
一、 刚架结构受荷载作用如图所示。求：（1）判定该结构是静定还是超静定的？（2）绘制图
宁波大学2020年《3810数字集成电路设计基础》考博专业课真题试卷
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码： 3810 总分值： 100 科目名称：
Hale Waihona Puke 数字集成电路设计基础一、设计满足下列要求的电路图，要求使用的 MOS 管最少。（15 分）
1．用静态互补 CMOS 电路实现逻辑关系 Y ABD CD ；（8 分）
D cp3 cp1
cp1
cp1
cp2
Q
Q
V(cp1)
V(D)
三、求如图所示的 CMOS 反相器在理想阶跃输入情况下的上升和下降时间。设VTP ,VTN 分别为 PMOS 和 NMOS 的阈值电压， KP , KN 分别表示 PMOS 和 NMOS 的器件跨导。(15 分)
VDD
Vin CL
四、 如图所示是一个 CMOS 版图，采用 0.25um 双阱 CMOS 工艺，NMOS 宽长比 6λ/2λ，PMOS 宽长比 6λ/2λ。（15 分）
数字集成电路设计基础
(N-diffusion)、P+扩散层(P-diffusion)、各类通孔(Vias)；
3) 标明版图尺寸（MOS 管使用指定尺寸，其它版图使用最小尺寸）。
五、设 N 型扩散层（n-diffusion）的方块电阻 Rndiff=2Ω/□，N 型扩散层底部电容（bottomwall capacitance）Cndiff, 为 bot 0.6fF/um2,N 型扩散层侧壁电容（sidewall capacitance）Cndiff, side 为 0.3fF/um，λ=0.25um。计算图示所示的漏极寄生电阻与寄生电容。（20 分）
多晶硅
源极
漏极 16λ
4λ
食品化学 宁波大学 2017年博士研究生考博真题
二、问答题（每题 16 分，共 64 分）
1．简述映鱼肉的鲜度？ 2．何谓脂肪自动氧化？在食品贮存及加工中，应采取哪些措施控制脂肪自动氧化的发生？（至 少说出 4 条措施） 3. 水果中果胶存在形式主要有哪 3 种？水果未成熟比较坚硬、成熟后变软而富有弹性、过熟变得 软烂，试解释这一现象？ 4． 结合鱼糜生产实际， 你认为对其加工下脚料可进行哪些方面的开发利用， 请说明研究开发思路。 （至少 2 个产品）
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宁波大学 2017 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码:
3820
科目名称：
食品化学
一、简答题（每题 6 分，共 36 分）
1．利用所学的淀粉糊化和老化知识点，简要说明方便面的制作原理。 2．什么叫环状糊精？它的结构有什么特点？ 3．反映鱼肉蛋白冷冻变性的指标有哪些？ 4．在食品加工中，美拉德反应有哪些有利的作用和不利的影响？（有利和不利各举 2 例） 5．简述甜味理论中 AH/B 生甜团学说的基本要点，并列出四种不同结构类型的甜味剂名称。 6．将下列英文翻译为中文： ① Enzymatic browning； ② Water holding capaticy ； ③ Moisture sorption isotherms
宁波大学2017年考研真题【信息科学与工程学院】911电子线路(模拟电路+数字电路)初试试卷(A卷)
科目代码:911科目名称：电子线路（模拟电路+数字电路）适用专业:电路与系统通信与信息系统信号与信息处理电子与通信工程集成电路工程计算机技术一、单项选择题（本大题共5小题，每小题5分，共25分）1.电路如图1所示，二极管的导通电压0.7V D U =，则图1中二极管的工作状态及输出电压值为（）。
A 、D1导通，D2截止，0.7V O U =B 、D1截止，D2导通， 5.3V O U =-C 、D1截止，D2截止，12V O U =D 、D1导通，D2导通，0.7V O U =2.对于RC 耦合单管共射放大电路，若其上、下限频率分别为H f 、L f ，则当L f f =时，下列描述正确的是（）。
A 、o U 滞后i U 45︒B 、o U 滞后i U ︒135C 、o U 超前iU ︒45D 、o U 超前iU 135︒3.如下图2所示单相桥式整流、电容滤波电路，电容量足够大时，已知副边电压有效值为210V U =，测得输出电压的平均值() 4.5V O AV U =，则下列描述正确的是（）。
A 、电路正常工作B 、电容C 开路C 、负载R L 开路D 、电容C 和二极管D 1同时开路图2图24．为了克服零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（）。
A 、共射电路B 、共集电路C 、差动放大电路D 、OCL 互补对称功放电路5.关于多级放大电路下列说法中错误的是（）。
A 、Au 等于各级电压放大倍数之积；B 、Ri 等于输入级的输入电阻；C 、Ro 等于输出级的输出电阻；D 、级数越多，通频带越宽。
图1D1D212V+_U O 6V3kΩ科目代码:911科目名称：电子线路（模拟电路+数字电路）适用专业:电路与系统通信与信息系统信号与信息处理电子与通信工程集成电路工程计算机技术二、填空题：（每小题5分，共5题，共25分）1．用卡诺图化简法将Y ABC ABD C D ABC ACD ACD =+++++化为最简与或形式2．求逻辑函数Y ABC AC BC =++的最小项之和形式3．写出图3的输出逻辑函数式图34．在CMOS 电路中有时采用图4所示的扩展功能用法，写出Y 的逻辑式。
宁波大学2604半导体器件2015--2016,2018--2020年考博真题
(答案必须写在考点提供的答题纸上) A. 3 B. 2(答案必须写在考点提供的答题纸上)(答案必须写在考点提供的答题纸上)考试科目:半导体器件科目代码：2604适用专业:微纳信息系统一、单项选择题：本大题共5小题，每小题5分，共25分。
在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填在题前的括号内。
错选、多选或未选均不得分。
()1.在半导体太阳能电池中，关于暗电流说法正确的是A.没有光照时电流B.由外加偏压产生C.其方向与光电流方向相同D.由光生电压降落在势垒区而产生()D正常工作时，其MOS单元半导体表面所处状态是A.强反型B.多子积累C.深耗尽D.多子耗尽()3.在以下复合跃迁中，非辐射复合跃迁是A.带间复合B.激子复合C.俄歇复合D.不存在()4.与LED量子效率有关的因素有A.结两侧参杂浓度B.结深C.表面反射D.以上都有关()5.太阳能电池工作时，对应P-N结内部处于：A.正偏电压B.反偏电压C.没有电压D.耗尽第1页共2页考试科目:半导体器件科目代码：2604适用专业:微纳信息系统二问答题(共35分)1.采用载流子扩散与漂移的观点分析PN结的单向导电性。
(10分)2.试述NPN双极型晶体管的四种工作模式。
(15分)3.试述金属-半导体接触：肖特基接触与欧姆接触的各自特点。
(10分)三．计算与推导(共40分)1.计算一硅p-n结在300K时的内建电势，其N A＝1018cm-3和N D＝1015cm-3．(10分)2.一理想晶体管其发射效率为0.999，集基极漏电流为10μA，假设I B=0，请算出由空穴所形成的放大模式发射极电流。
(15分)3.简述评估太阳能电池器件性能的四个基本参数，那些因素会影响太阳能电池器件性能（15分）第2页共2页考试科目:半导体器件科目代码：2604适用专业:微纳信息系统第1页共2页一、判断题（共20分，每题１分）1.（）半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。
光电子学 宁波大学 2017年博士研究生考博真题
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宁波大学 2017 年博士研究生招生考试初试试题(B 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码 :
2605
科目名称：
光电子学
一、 简答题(6 题，共 50 分)
1. 如何理解激光谱线的均匀加宽和非均匀加宽？(8 分) 2. 激光器主要由哪些部分组成？各部分的作用是什么？(8 分) 3. 非稳腔和稳定腔的区别是什么？举例说明哪些是非稳腔？(8 分) 4. 依据光照产生光电子是否逸出材料表面，光电效应可分为内光电效应和外光电效应。列举你 所学过的光电效应中，那些属于内光电效应，那些属于外光电效应？为什么外光电效应对应 的截止波长比较短？为什么实际使用的探测器会出现短波和长波两个截止波长？(8 分) 5. 如何理解激光谐振腔衍射理论的自再现模？ (9 分) 6. LED 发光二极管的主要特点以及未来发展趋势1. 由两个凹面镜组成的球面腔，如图。凹面镜的曲率半径分别为 2m、3m，腔长为 1m。发光 波长 600nm。(15 分) (1)求出等价共焦腔的焦距 f；束腰大小 w0 及束腰位置； (2)求出距左侧凹面镜向右 3.333 米处的束腰大小 w 及波面曲率半径 R； 2. 一束 Ar+高斯激光束激光波长 514.5nm，束腰半径为 0.41mm，束腰位置恰好在凸透镜前表 面上，激光输出功率为 400w (指有效截面内的功率)，透镜焦距为 10mm，计算 Ar+激光束 经透镜聚焦后，焦点处光斑有效截面内的平均功率密度。(请利用 q 参数和 ABCD 定律求解) (15 分) 3. 解释物质温度与光谱辐射的关系，(1)试证明黑体辐射极大值的位移定律常数是普朗克公式 的必然结果， (2) 估算黑体辐射条件下产生峰值为 3.8m 的中红外光的温度 ( 维恩常数 b=2897.8m•K。)(20 分)
宁波大学《2605光电子学》考博专业课真题试卷
宁波大学 2016 年攻读博士学位研究生 入 学 考 试 试 题(A 卷) (答案必须写在答题纸上)
考试科目: 适用专业:
光电子学 信息功能材料与器件
科目代码： 2605
9. 激光的饱和光强
。
A．与入射光强有光
B. 与泵浦有关；
C. 由原子的最大跃迁截面和能级寿命决定
D. 与反转集居数密度有关。
10. 激光器的应用领域包括
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宁波大学 2018 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
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宁波大学 2017 年博士研究生招生考试初试试题(B 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码 : 2605 科目名称：
光电子学
一、 简答题(6 题，共 50 分)
1. 如何理解激光谱线的均匀加宽和非均匀加宽？(8 分) 2. 激光器主要由哪些部分组成？各部分的作用是什么？(8 分) 3. 非稳腔和稳定腔的区别是什么？举例说明哪些是非稳腔？(8 分) 4. 依据光照产生光电子是否逸出材料表面，光电效应可分为内光电效应和外光电效应。列举你
2. 下列条件哪一个是激光振荡充分必要条件：
。（ 为往返相移）
A. 2 q, G0
B. 2q, n 0
C. 2q, n0 0
D. 2q, G 0 0
3. 下列腔型中，肯定为稳定腔的是
。
A. 凹凸腔
B. 平凹腔
C. 对称共焦腔 D. 共心腔
4. 下列哪种技术不能改善激光的相干性
4. He—Ne 激光器的中心频率 0 ＝4.74×1014Hz，荧光线宽 ＝1.5l09Hz。今腔长 L＝lm，问可
能输出的纵模数为若干？为获得单纵模输出，腔长最长为多少？（12 分）
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宁波大学 2017 年博士研究生招生考试初试试题(B 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码 :
3810
科目名称：
数字集成电路设计基础
4.
在图 3 所示 MOS 管结构图上，标出 MOS 管可能的寄生电容，并列出各个寄生电容名称。
(10 分)
G
S
D
图 3. MOS 管结构
(10 分)
wl
图 6. SRAM 电路
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宁波大学 2017 年博士研究生招生考试初试试题(B 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码 :
3810
科目名称：
数字集成电路设计基础
10. 试回答下列问题：(10 分) (a) 在 CMOS 版图规则中，多晶硅线能否与金属线相交？若多晶硅与 P 扩散区交叉，会产生 什么器件； (b) MOS 管由三种漏电流，试说明在 45nm 工艺下，哪两种漏电流起主要作用？
图 1. 一阶 RC 网络
2.
图 2 为某逻辑门的版图，且 NMOS 管的沟道长度为 2λ，沟道宽度为 3λ，写出 VOUT 的逻辑
表达式，并在图中标识出 NMOS 沟道长度与沟道宽度的尺寸。(10 分)
VOUT
VA
VB
图 2. 逻辑门版图
3.
说明反相器的功耗由哪几部分组成，并列出每一项功耗的具体表达式。(10 分学 2017 年博士研究生招生考试初试试题(B 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码 :
3810
科目名称：
数字集成电路设计基础
1.
一个从 0V 到 1.2V 的跳变施加在图 1 所示的 RC 电路上。计算电容器上的电压达到如下值
所需要的时间： （a）达到 0.6V， （b）达到 1.2V， （c）从 1.2V 的 10%上升到 90%。(10 分)
5.
计算图 4 所示电路的 Elmore 延时，其中 Cint 与 Cfan 分别表示驱动器的本征电容和扇出门的
输入电容，rw, cw, L 表示互连线单位长度的等效电阻、单位长度的等效电容与互连线长。(10 分)
VIN Cint
(rw, cw, L)
VOUT Cfan
图 4. 反相器驱动电路
6.
设计布尔函数 F X Y Z T W 的 nMOS 晶体管网络。(10 分)
R=100KΩ, C=10μF。试画出 uc 和 u0 的波形，并求出 u0 的频率以及占空比。(10 分)
图 5. 施密特触发器电路
8. 用传输管逻辑、CPL 逻辑实现下列功能的晶体管级电路。(10 分) (a) 二输入的 AND (b) 二输入的 NOR
9.
试分析图 6 所示的 SRAM 电路功能，并根据位线 wl 的波形，画出信号 q 与信号 q 的波形。
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宁波大学 2017 年博士研究生招生考试初试试题(B 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码 :
3810
科目名称：
数字集成电路设计基础
7.
在图 5 所示电路中，已知 CMOS 集成施密特触发器的电源 VDD=15V, VT+=10V，VT-=5V,