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LED发光二极管原理(图文)讲解学习

LED发光二极管原理(图文)半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。 一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用(一)LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P 区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光,如图1所示。 假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。 理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即λ≈1240/Eg(mm)式中Eg的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管成本、价格很高,使用不普遍。 (二)LED的特性 1.极限参数的意义(1)允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值,LED发热、损坏。 (2)最大正向直流电流IFm:允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。(3)最大反向电压VRm:所允许加的最大反向电压。超过此值,发光二极管可能被击穿损坏。 (4)工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围,发

有机发光二极管显示研究现状与发展

暨南大学 研究生课程论文 论文题目:有机发光二极管显示研究现状与发展 学院:理工学院 学系:物理系 专业:物理电子学 课程名称:发光与显示技术 学生姓名:汤华清 学号:1034234006 指导教师:刘彭义 2011年06 月15 日

有机发光二极管显示研究现状与发展 汤华清 (暨南大学物理系,广州510632) 摘要:有机电致发光二极管( OLED) 因其白光材料的多样性、制程的简单性和成本低廉性, 特别是其面光源的属性, 相较于电致发光二极管( LED) 的点光源, 更有望成为未来显示器件的主角。本文介绍OLED 显示技术的最新进展, 分别阐述了OLED的显示原理,分类及优缺点。OLED器件的显示材料,OLED制备的核心工艺与技术, 其中包括氧化铟锡(ITO)基片的清洗和预处理、阴极隔离柱制备、有机功能薄膜和金属电极的制备、彩色化技术、封装技术、显示驱动技术。并简要介绍了OLED技术的应用前景。 Abstract:Because the organic electroluminescence diode (OLED) its white light material's multiplicity, the system regulation's simplicity and cost inexpensive, specially its photo source's attribute, compares in the electroluminescence diode (LED) the point source, will become in the future display device's lead hopefully. This article introduced that the OLED display technology the newest progress, elaborated the OLED display principle separately, the classification and the good and bad points. , OLED component's demonstration material, OLED preparation core craft and technology, including the indium oxide tin (ITO) the substrate clean and the pretreatment, the negative pole insulated column preparation, the organic function thin film and metal electrode's preparation, the multicolored technology, the seal technology, the demonstration actuation technology. And introduced the OLED technology application prospect briefly. 关键词:OLED;显示技术;发光元件;彩色化技术;驱动电路 1.引言 OLED 具有全固态、主动发光、高对比度、超薄、低功耗、无视角限制、响应速度快、工作范围宽、易于实现柔性显示和3D显示等诸多优点,将成为未来20 年最具“钱景”的新型显示技术。同时,由于OLED 具有可大面积成膜、功耗低以及其它优良特性,因此还是一种理想的平面光源,在未来的节能环保型照明领域也具有广泛的应用前景。 2.OLED概述 2.1 OLED发展过程 1963年Pope发表了世界上第一篇有关OLED的文献,当时使用数百伏电压,加在有机芳香族Anthracene(葸)晶体上时,观察到发光现象。但由于电压过高,发光效率低,未得到重视。直到1987年伊士曼柯达公司的C.W. Tang及Steve Van Slyke等人发明以真空蒸镀法制成多层式结构的OLED器件后,研究开发才活越起来。同年,英国剑桥大学卡文迪许实验室的Jeremy Burroughes证明高分子有机聚合物也有电致发光效应。1990年英国剑桥大学的Friend等人成功的开发出以涂布方式将多分子应用在OLED上,即Polymer(多聚物,聚和物) LED,亦称PLED。不但再次引发第二次研究热潮,更确立了OLED在二十一世纪产业中所占的重要地位。近年来有源OLED(TFT-OLED)成为研究热点。OLED所用的TFT需采用多晶硅技术,与LCD所用的TFT有很大差别。OLED与低温多晶硅技术结合使得开发较大尺寸的显示屏成为可能。OLED的应用大概可以分为三个阶段:

LED显示屏显示原理

LED显示屏系统原理及工程技术 导读:LED显示屏是利用发光二极管点阵模块或像素单元组成的平面式显示屏幕。由于它具有发光率高、使用寿命长、组态灵活、色彩丰富以及对室内外环境适应能力强等优点,自20世纪80年代后期开始,随着LED制造技术的不断完善,在国外得到了广泛的应用。 本主题首先介绍了LED显示屏的发展与应用概况。 在第一章中叙述了LED显示器件的基本工作原理及特性,详细介绍了LED点阵显示屏的具体电路和参数。第二章针对广泛应用的图文显示屏,在介绍它的基本组成之后,对各部分LED显示屏电路进行了深入的分析,并给出了完整实用的硬件电路图和全部汇编语言程序清单。 第三章的内容是图象显示屏,侧重分析了LED显示屏的灰度控制方法,并介绍了集成电路TLC5902的特性及应用。 第四章讨论了当时最先进的视频显示屏,就视频信号源的组织、视频LED显示屏的结构、主要集成电路芯片,以及配套的应用软件等,分别介绍了ZQL9701、DS90C031等芯片的技术特性和LEDSHOW、“LED管理工具&rdquo等软件的使用方法。书后还附有我国LED的行业标准。本书可供从事各类LED显示屏工作的工程技术人员参考,也可作为大专院校有关专业的教书参考书或教材。 前言 LED显示屏是利用发光二极管点阵模块或像素单元组成的平面式显示屏幕。由于它具有发光率高、使用寿命长、组态灵活、色彩丰富以及对室内外环境适应能力强等优点,自20世纪80年代后期开始,随着LED 制造技术的不断完善,在国外得到了广泛的应用。在我国改革开放之后,特别是进入90年代国民经济高速增长,对公众场合发布信息的需求日益强烈,LED显示屏的出现正好适应了这一市场形势,因而在LED显示屏的设计制造技术与应用水平上都得到了迅速的提高。 LED显示屏经历了从单色、双色图文显示屏,到图象显示屏,一直到今天的全彩色视频显示屏的发展过程。无论在期间的性能(提高亮度LED显示器及蓝色发光灯等)和系统的组成(计算机化的全动态显示系统)等方面都取得了长足的进步。目前已经达到的超高亮度全彩色视频显示的水平,可以说能够满足各种应用条件的要求。其应用领域已经遍及交通、证券、电信、广告、宣传等各个方面。我国LED显示屏的发展可以说基本上与世界水平同步,至今已经形成了一个具有相当发展潜力的产业。应该指出的是,我国LED产业不但在应用技术上取得了巨大的成功,而且在创新能力上有出色的表现,例如北京中庆数据设备公司研制的ZQL9701超大规模芯片,就代表了当前LED显示屏控制电路的国际水平。 与国内LED显示屏产业的迅速发展相比,目前关于LED显示屏的图书资料显得太少,不便于设计制造人员及运用维护人员的工作,由此萌发了编写一本LED显示屏技术用书的想法,适逢电子科技大学出版社之邀,斗胆动笔草就本书。书中分别就LED显示屏的概况、LED显示器件、图文显示屏、图象显示屏、视频显示屏等有关技术问题进行了叙述,以期使从事各类LED显示屏工作的读者能够从本书中得到一些有用的材料。 由于LED显示屏是多种综合应用的产品,涉及光电子学、半导体器件、数字电子电路、大规模集成电路、单片机及微机等各个方路及方法还要花较大篇幅进行介绍,容易冲淡主题。反过来采用集成电路和单片机等简单普及的刻与LED显述硬件又有软件。上述各个领域都自成体系,在本书中无法一一尽述,只能以显示意直接有关的部分,而不追求各相关技术自身的完成性;二、尽量采用简单普及的方案进不方案,可以追求相关技术的先进性。例如在一些控制电路中,能用常规集成电路实现,而又面,既示避免各个相关技术“从头说起”的麻烦,从而达到精简内容突出重点的目的。而不行描屏有进行讨论。书中在处理相关领域技术方面采取了以下两条对策:一、侧重叙述屏为主线,介绍相关技术在LED显示屏中的应用,不采器件的方案。 LED电子显示屏控制原理

有机发光二极管原理及应用

有机发光二极管原理及应用 梁亮5030209282 有机发光二极管诞生于1979年,由柯达公司罗切斯特实验室的邓青云博士及同事范斯莱克所发明。 ⑴有机发光二极管(OLED)的原理 有机发光二极管(OLED)同普通发光二极管(LED)发光的原理相同,即利用半导体经过渗透杂质处理后形成PN结,电子由P型材料引入,当电子与半导体内的空穴相遇时,有可能掉到较低的能带上,从而放出能量与能隙相同的光子,从而形成发光二极管。发光二极管的光线波长取决于发光材料的能隙大小。若要使二极管产生可见光,就要使材料的低能带与高能导带之间的能隙大小必须落在狭窄的范围内,大约2至3电子伏特。能量为一电子伏特的光子波长为1240纳米,处于红外区,当能量达到3电子伏特时,发出光子的波长约为400纳米左右,呈紫色。 有机发光二极管与传统发光二极管的区别在于,有机发光二极管所采用的半导体材料为有机分子材料。按照分子大小区分,可分为两大类:小分子的称之为低分子OLED,大分子的称为高分子OLEDP型有机分子。当P型有机分子和N型有机分子接触时,在两者的接触面就会产生类似发光二极管一样的发光现象。此外,采用氧化铟锡作为P型接触材料。由于氧化铟锡为透明导电材料,易于载流子注入,而且具有光线传播还需要有透明性能,非常适合做P型接触材料。 OLED的典型结构非常简单:玻璃基板(或塑料基衬)上首先有一层透明的氧化铟锡阳极,上面覆盖着增加稳定性的钝化层,再向上就是P型和N型有机半导体材料,最顶层是镁银合金阴极。这些涂层都是热蒸镀到玻璃基板上的,厚度非常薄,只有100到150纳米,小于一根头发丝的1%,而传统LED的厚度至少需要数微米。在电极两端加上2V到10V的电压,PN结就可以发出相当明亮的光。这种基本结构多年来一直没有太大的变化,人们称之为柯达型。由于组成材料的分子量很小,甚至小于最小的蛋白质分子,所以柯达型的OLED 又被称为低分子OLED。 第二种有机发光材料为高分子聚合物,也称为高分子发光二极管(PLED),由英国剑桥大学的杰里米伯勒德及其同事首先发现。聚合物大多由小的有机分子以链状方式结合在一起,以旋涂法形成高分子有机发光二极管。 旋转涂布工艺采用的原理是:在旋转的圆盘上(通常为每分钟1200转至1500转)滴上数滴液体,液体会因为旋转形成的离心力而呈薄膜状分布。在这种状态下,液体凝固后便可在膜体上形成晶体管等组件。膜体的厚度可通过调节液体粘度及旋转时间来调整。旋涂之后,要采取烘干的步骤来除去溶剂。 最初PLED是由一种称之为次苯基二价乙烯基(PPV)单层活性聚合物,夹于氧化铟锡和钙之间形成。铟锡氧化物为载流子注入层,而钙为电子传递层。现在的PLED又增添了一层聚合物载流子注入层。PPV聚合物产生黄光,具有效率高寿命长的特点,这是由于在低压工作环境下,聚合物层具有良好的导电性能。这种PLED应用于计算机显示器,其寿命可长达

有机发光二极管显示原理及应用

有机发光二极管显示原理及应用 摘要:有机电致发光二极管( OLED) 因其白光材料的多样性、制程的简单性和成本低廉性, 特别是其面光源的属性, 相较于电致发光二极管( LED) 的点光源, 更有望成为未来显示器件的主角。本文介绍OLED 显示技术的最新进展, 分别阐述了OLED的显示原理,分类及优缺点。OLED器件的显示材料,OLED制备的核心工艺与技术,并简要介绍了OLED技术的应用前景。 关键词:OLED;显示技术; 1.引言 OLED 具有全固态、主动发光、高对比度、超薄、低功耗、无视角限制、响应速度快、工作范围宽、易于实现柔性显示和3D显示等诸多优点,将成为未来20 年最具“钱景”的新型显示技术。同时,由于OLED 具有可大面积成膜、功耗低以及其它优良特性,因此还是一种理想的平面光源,在未来的节能环保型照明领域也具有广泛的应用前景。 2.OLED发展过程 OLED的应用大概可以分为三个阶段: (1)1997-2001年,OLED的试验阶段,在这个阶段,OLED开始走出实验室,主要应用在汽车音响面板,PDA手机上。但产量非常有限,产品规格也很少,均为无源驱动,单色或区域彩色,很大程度上带有试验和试销性质。2001年全球销售额仅1.5亿美元。

(2)2002-2005年,OLED的成长阶段,这个阶段人们将能广泛接触到带有OLED的产品,包括车载显示器,PDA、手机、DVD、数码相机、头盔用微显示器和家电产品。产品正式走入市场,主要是进入传统LCD、VFD等显示领域。仍以无源驱动、单色或多色显示、10英寸以下面办为主,但有源驱动的、全彩色和10英寸以上面板也开始投入使用。 (3)2005年以后,OLED的成熟阶段,随着OLED产业化技术的日渐成熟,OLED将全面出击显示器市场并拓展属于自己的应用领域。其各项技术优势将得到充分发掘和发挥。 3.OLED显示原理 图1.:OLED结构图

LED显示屏技术现状与发展前景(精)

LED显示屏技术现状与发展前景 摘要:本文详细介绍了LED显示屏的原理、应用领域、发展方向。探讨了中国LED领域的现状,认为LED产品的市场前景十分广阔。 关键词:LED显示屏电压低耗电省价格低市场前景 1、引言 LED显示屏是发光二极管主要应用领域之一,近年来发展迅速。目前,LED显示屏制作技术先进,售价低,国外公司很难在大陆竞争市场。据不完全统计,1998年我国LED 显示屏生产厂商有150多家,制造各类显示屏约五万平方米,实现产值14亿元,LED产业取得了举世瞩目的成绩。近年来,在产品结构、制作技术、产品质量、量产水平、市场占有等方面,紧逼日本的态势,在世界LED产业中紧挨美国、日本之后,位居世界第三。五年来,每年平均增长达20%以上,1997年台湾十大光电产品中占第四位,产值18870百万元新币, Epistar Corp已经开发成功用于全彩色灯和显示器的红色、绿色、蓝色芯片,这些芯片光强超过70mcd。一家正在投产的公司,利用MOVPE技术生产InGaAlp超亮度的发光材料和芯片。台湾有七家生产LED芯片的公司,生产各色传统芯片,占世界产量的七成以上。 LED显示屏可以显示变化的数字、文字、图形图像,不仅可以用于室内环境还可以用于室外环境,具有投影仪、电视墙、液晶显示屏无法比拟的优点。 2、LED显示屏的原理 LED显示屏:又叫电子显示屏或者飘字屏幕。是由LED点阵组成,通过红色或绿色灯珠的亮灭来显示文字、图片、动画、视频,内容可以随时更换,各部分组件都是模块化结构的显示器件。通常由显示模块、控制系统及电源系统组成。显示模块由LED灯组成的点阵构成,负责发光显示;控制系统通过控制相应区域的亮灭,可以让屏幕显示文字、图片、视频等内容,恒舞动卡主要是播放动画的;电源系统负责将输入电压电流转为显示屏需要的电压电流。

LED工作原理

LED 工作原理 液晶是一种介乎于液体和晶体之间的物质,其显示的原理是通过给液晶施加不同的电压来改变其分子排列状态,从而控制光线的通过量,以便显示多种多样的图像。而液晶自身并不会发光,它只是控制光线的通过与否,因此所有的液晶面板都需要背光源来提供照明。 图1 液晶驱动原理 实际上,LED 也就是我们通常所说的发光二极管,通俗些讲,它就是在PN 结中注入载流子,少数载流子与多数载流子复合后,释放出能量,表现以光的形式,从而实现电致发光。它也并非什么新物件了,这些年已经被应用在户外广告、标牌、指示灯、汽车前大灯、电器按键背光源等多个方面。 发光二极管,是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。LED 的心脏是一个半导体的晶片,晶片的一端附在一个支架上,一端是负极,另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成,一部分是P 型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N 型半导体,在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候,它们之间就形成一个P-N 结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候,电子就会被推向P 区,在P 区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是LED 发光的原理。 Field OFF Field ON 0//>-=?⊥εεε

图4 LED背光光源的工作原理 更重要的是,LED可发出从紫外到红外不同波段、不同颜色的光线,早些时候,LED 还只能发出单波长光线,还不能像白炽灯那样工作,甚至只有蓝、红、绿等颜色。 如果只是这样的话,LED无法被做成白光源,也就没法被应用为液晶电视的背光源了。而这些年,众多液晶电视厂商也都在这方面动脑筋,着重开发白光LED背光源。在这一方面,日本企业一直都是先行者,它们在1996年就提出了些解决方案,以日亚化学为例,它们提出的方案就是在蓝色LED上涂抹黄色荧光粉实现白光输出。 LED背光的优势点: 首先,采用了LED 背光,液晶面板的体积将进一步缩小;其次,LED是由众多栅格状的LED 组成,每个“格子”中都拥有一个LED,这样LED 背光就能实现真正的光源平面化;我们知道,平面化光源不仅有优异的亮度均匀性,还不需要复杂的光路设计,应用了L ED的液晶电视就可以被做得更薄,还能实现真正的光源平面化另外,在发光寿命方面,LE D背光源技术更是可以超出传统的CCFL许多。咱们知道,普通的CCFL 背光源的使用寿命一般在3万小时左右,即便是顶级的CCFL背光源的寿命也不过6万小时。而LED 背光则完全没有这样的问题,现阶段白色LED 背光的寿命已经高达10万小时,很多专家还提出这一成绩甚至有进一步发展的空间,消费者即使是24小时不间断使用,LED液晶电视也

发光二极管技术资料汇总.doc

发光二极管 目录[隐藏] 简介 公式 物理特性 发光二极管分类 LED光源的特点 LED光参数介绍 LED光度测量原理 二、发光二极管的类型、主要参数 简介 公式 物理特性 发光二极管分类 1. 1.普通单色发光二极管 2. 2.(超)高亮度单色发光二极管(2种) 3. 3.变色发光二极管 4. 4.闪烁发光二极管 5. 5.电压控制型发光二极管 6. L ED的结构及发光原理 LED光源的特点 1. 1. 电压 2. 2. 效能 3. 3. 适用性 4. 4. 稳定性 5. 5. 响应时间 6. 6. 对环境污染 7. 7. 颜色 8. 8. 价格 LED光参数介绍 1. 1发光效率和光通量 2. 2发光强度和光强分布 3. 3波长 LED光度测量原理 1. 1光强度的测量方法 2. 2光通量的测量方法 3. 3LED的光谱功率分布测量方法: 二、发光二极管的类型、主要参数

1. 1.普通单色发光二极管 2. 2.(超)高亮度单色发光二极管(2种) 3. 3.变色发光二极管 4. 4.闪烁发光二极管 5. 5.电压控制型发光二极管 6. 6.红外发光二极管 [编辑本段] 简介 发光二极管简称为LED。由镓(Ga)与砷(AS)、磷(P)的化合物制成的二极管,当电子与空穴复合时能辐射出可见光,因而可以用来制成发光二极管,在电路及仪器中作为指示灯,或者组成文字或数字显示。磷砷化镓二极管发红光,磷化镓二极管发绿光,碳化硅二极管发黄光。 它是半导体二极管的一种,可以把电能转化成光能;常简写为LED。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成,也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后,从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子,在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合,产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料

LED显示屏系统原理

LED显示屏系统原理 LED显示屏是利用发光二极管点阵模块或像素单元组成的平面式显示屏幕。由于它具有发光率高、使用寿命长、组态灵活、色彩丰富以及对室内外环境适应能力强等优点,自20世 纪80年代后期开始,随着LED制造技术的不断完善,在国外得到了广泛的应用。在我国改革开放之后,特别是进入90年代国民经济高速增长,对公众场合发布信息的需求日益强烈,LED显示屏的出现正好适应了这一市场形势,因而在LED显示屏的设计制造技术与应用水 平上都得到了迅速的提高。 LED显示屏经历了从单色、双色图文显示屏,到图象显示屏,一直到今天的全彩色视频显示屏的发展过程。无论在期间的性能(提高亮度LED显示器及蓝色发光灯等)和系统 的组成(计算机化的全动态显示系统)等方面都取得了长足的进步。目前已经达到的超高亮 度全彩色视频显示的水平,可以说能够满足各种应用条件的要求。其应用领域已经遍及交通、 证券、电信、广告、宣传等各个方面。我国LED显示屏的发展可以说基本上与世界水平同 步,至今已经形成了一个具有相当发展潜力的产业。应该指出的是,我国LED产业不但在 应用技术上取得了巨大的成功,而且在创新能力上有出色的表现,例如北京中庆数据设备公 司研制的ZQL9701超大规模芯片,就代表了当前LED显示屏控制电路的国际水平。 与国内LED显示屏产业的迅速发展相比,目前关于LED显示屏的图书资料显得太少, 不便于设计制造人员及运用维护人员的工作,由此萌发了编写一本LED显示屏技术用书的 想法,适逢电子科技大学出版社之邀,斗胆动笔草就本书。书中分别就LED显示屏的概况、 LED显示器件、图文显示屏、图象显示屏、视频显示屏等有关技术问题进行了叙述,以期使从事各类LED显示屏工作的读者能够从本书中得到一些有用的材料。 由于LED显示屏是多种综合应用的产品,涉及光电子学、半导体器件、数字电子电路、 大规模集成电路、单片机及微机等各个方路及方法还要花较大篇幅进行介绍,容易冲淡主题。 反过来采用集成电路和单片机等简单普及的刻与LED显述硬件又有软件。上述各个领域都 自成体系,在本书中无法尽述,只能以显示意直接有关的部分,而不追求各相关技术自 身的完成性;二、尽量采用简单普及的方案进不方案,可以追求相关技术的先进性。例如在一些控制电路中,能用常规集成电路实现,而又面,既示避免各个相关技术从头说起”的麻 烦,从而达到精简内容突出重点的目的。而不行描屏有进行讨论。书中在处理相关领域技术 方面采取了以下两条对策:一、侧重叙述屏为主线,介绍相关技术在LED显示屏中的应用, 不采器件的方案。 LED电子显示屏控制原理 (一)系统组成本系统由计算机专用设备、显示屏幕、视频输入端口和系统软件等组成。 ?计算机及专用设备:计算机及专用设备直接决定了系统的功能,可根据用户对系统的不同要求选择不同的类型。 ?显示屏幕:显示屏的控制电路接收来自计算机的显示信号,驱动LED发光产生画面, 并通过增加功放、音箱输出声音。 ?视频输入端口:提供视频输入端口,信号源可以是录像机、影碟机、摄像机等,支

常用二极管型号及参数手册范本

查询 >> 二极管资料 >> 二极管资料大全 硅双向触发二极管参数 二极管资料大全 常用快速恢复二极管资料稳压二极管参数 变容二极管参数 电视机\VCD\DVD用二极管发光二极管参数 发光二极管符号显示 圆形发光二极管参数 激光二极管参数 特殊模型发光二极管 光电二极管参数 七段发光二极管参数 九段发光二极管参数 字母发光二极管参数 4×4圆矩发光二极 5×7圆矩发光二极 5×8圆矩发光二极 6×8圆矩发光二极 8×8圆矩发光二极 16×16圆矩发光 装饰式七段发光二极 裸发光二极管灯参数 裸发光二极管显示器 圆形发光二极管参数 闪烁圆形发光二极管 通用激光二极管参数 带监视器激光二极管 圆形发光二极管参数 金属封装发光二极管 圆柱平顶发光二极管 1.塑封整流二极管 序号型号 I F V RRM V F Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200~1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02~13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02~13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02~13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02~13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02~13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD

LED发光二极管工作原理及检测方法

LED发光二极管工作原理及检测方法 发光二极管LED(Light-EmittingDiode)是能将电信号转换成光信号的结型电致发光半导体器件。 1、发光二极管LED主要特点 (1)在低电压(1.5~2.5V)、小电流(5~30mA)的条件下工作,即可获得足够高的亮度。 (2)发光响应速度快(10-7~10-9 s),高频特性好,能显示脉冲信息。 (3)单色性好,常见颜色有红、绿、黄、橙等。 (4)体积小。发光面形状分圆形、长方形、异形(三角形等)。其中圆形管子的外径有φ1、φ2、φ3、φ4、φ5、φ8、φ10、φ12、φ15、φ20(mm)等规格,直径1mm的属于超微型LED。 (5)防震动及抗冲击穿性能好,功耗低,寿命长。由于LED的PN结工作在正向导通状态,本射功耗低,只要加必要的限流措施,即可长期使用,寿命在10万小时以上,甚至可达100万小时。 (6)使用灵活,根据需要可制成数码管、字符管、电平显示器、点阵显示器、固体发光板、LED 平极型电视屏等。 (7)容易与数字集成电路匹配。 2.发光二极管的原理 发光二极管内部是具有发光特性的PN结。当PN结导通时,依靠少数载流子的注入以及随后的复合而辐射发光。普通发光二极管的外形、符号及伏安特性如图1 所示。LED正向伏安特性曲线比较陡,在正向导通之前几乎有电流。当电压超过开启电压时,电流就急剧上升。因此,LED属于电流控制型半导体器件,其发光亮度L(单位cd/m2,读作坎德拉每平方米)与正向电流IF近似成正双,有公式L =K IFm 式中,K为比例系数,在小电流范围内(IF=1~10mA),m=1.3~1.5。当IF>10mA时,m=1,式(L =K IF 即亮度与正向电流成正比。以磷砷化镓黄色LED为例,相对发光强度与正向电流的关系如图2所示。LED的正向电压则与正向电流以及管芯的半导体材料有关。使用时应根据所要求的显示亮度来选取合适的IF值(一般选10mA左右,对于高亮度LED可选1~2mA),既保证亮度适中,也不会损坏LED。若电流过大,会烧毁LED的PN结。此外,LED的使用寿命将缩短。 由于发光二极管的功耗低、体积小,色彩鲜艳、响应速度快、寿命长,所以常用作收录机、收音

led显示及动态显示原理

4位7段LED显示 在单片机应用系统中经常使用发光二极管来显示,发光二极管简称LED (Light Emitting Diode)。LED的价格便宜,而且配置比较灵活,与单片机的接口也比较方便。 在这里将讲解如何使用中颖的单片机进行4位7段LED显示的方法。 1.7段LED的结构原理 单片机中经常使用7段LED来显示数字,也就是用7个LED构成字型“8”,并另外用一个圆点LED来显示小数点,也就是说一共有8个LED,构成了“8.”的字型。 7段LED分共阴级和共阳极两种,共阴级7段LED的原理图和管脚配置图如图1-1所示,共阳级7段LED的原理图和管脚配置图如图1-2所示。实际中,各个型号的7段LED的管脚配置可能不会是一样的,在实际应用中要先测试一下各个管脚的配置,再进行电路原理图的设计。 图1-1共阴极7段LED

图1-2 共阳极7段LED 共阳极7段LED是指发光二极管的阳极连接在一起为公共端的7段LED,而共阴极7段LED是指发光二极管的阴极连接在一起为公共端的7段LED。一个7段LED由8个发光二极管组成,其中7个发光二极管构成字型“8”的各个笔划(a~g),另一个发光二极管为小数点(dp)。 当在某一段发光二极管上施加一定的正向电压时,该段LED即被点亮;不加电压则为暗。以共阳极7段LED为例,若是要显示“5.”,则需要在VCC上加上电压,向dp、g、f、e…、a送出00010010的信号,就能显示出来。 为了保护各段LED不因电流过大而损坏,需在各个段上外加限流电阻保护。 共阳极7段LED显示0~F的编码表如表1-1所示(以dp为最高位,a为最 低位)。 表1-1 显示字符 dp g f e d c b a 段选码 0 1 1 0 0 0 0 0 0 C0H 1 1 1 1 1 1 0 0 1 F9H 2 1 0 1 0 0 1 0 0 A4H 3 1 0 1 1 0 0 0 0 B0H 4 1 0 0 1 1 0 0 1 99H 5 1 0 0 1 0 0 1 0 92H 6 1 0 0 0 0 0 1 0 82H 7 1 1 1 1 1 0 0 0 F8H 8 1 0 0 0 0 0 0 0 80H 9 1 0 0 1 0 0 0 0 90H

LED发光二极管工作原理

半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。 一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用 (一)LED发光原理 发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光,如图1所示。

假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即λ≈1240/Eg(mm)式中Eg的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管成本、价格很高,使用不普遍。 (二)LED的特性 1.极限参数的意义 (1)允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值,LED发热、损坏。 (2)最大正向直流电流IFm:允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。 (3)最大反向电压VRm:所允许加的最大反向电压。超过此值,发光二极管可能被击穿损坏。 (4)工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围,发光二极管将不能正常工作,效率大大降低。 2.电参数的意义 (1)光谱分布和峰值波长:某一个发光二极管所发之光并非单一波长,其波长大体按图2所示。由图可见,该发光管所发之光中某一波长λ0的光强最大,该波长为峰值波长。 2)发光强度IV:发光二极管的发光强度通常是指法线(对圆柱形发光管是指其轴线)方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为(1/683)W/sr时,则发光1坎德拉(符号为cd)。由于一般LED的发光二强度小,所以发光强度常用坎德拉(mcd)作单位。 (3)光谱半宽度Δλ:它表示发光管的光谱纯度.是指图3中1/2峰值光强所对应两波长之间隔. (4)半值角θ1/2和视角:θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向(法向)的夹角。半值角的2倍为视角(或称半功率角)。 图3给出的二只不同型号发光二极管发光强度角分布的情况。中垂线(法线)AO的坐标为相对发光强度(即发光强度与最大发光强度的之比)。显然,法线方向上的相对发光强度为1,离开法线方向的角度越大,相对发光强度越小。由此图可以得到半值角或视角值。

LED显示屏技术要求汇总

LED显示屏技术要求 3、设计依据及质量要求 (1)设计依据: 1)招标图纸、招标文件 2)设计与施工规范 ●《LED显示屏测试方法》(SJ/T11281-2007) ●《LED显示屏通用规范》(SJ/T11141- 2003) ●《电工电子产品基本环境试验规则总则》(GB2421) ●《电工电子产品基本环境试验规则总则》(GB2421) ●《电工电子产品基本环境试验规则名称术语》(GB2422) ●《电工电子产品基本环境试验规则低温试验方法》(GB2423.1) ●《电工电子产品基本环境试验规则高温试验方法》(GB2423.2) ●《电工电子产品基本环境试验规程试验恒定湿热试验方法》(GB2423.3) ●《电工电子产品基本环境试验规程试验水试验方法》(GB2423.38) ●《电网电源供电的家用和类似一般用途的电子及有关设备的安全要求》 (GB8898-88) ●《信息技术设备(包括电气事务设备)的安全》(GB 4943-95) ●《计算机站场地安全要求》(GB9366-88) ●《工业与民用电力装置的接地设计规范》(GBJ65-88) ●《工业企业通信接地设计规范》(GBJ79-89) ●《电力设备接地设计技术规程》(SDJ8-98) ●《火灾自动报警系统设计规范》 ●运输包装收发货标志(GB6388-86) ●包装储运图示标志(GB191-90) ●《厅堂扩声系统声学特性指标》GYJ25-86 ●《厅堂扩声系统设计规范》GB50371-2006 ●《厅堂扩声特性测量法》GB/T4959-1995 ●《客观评价厅堂语言可懂度的RASTI法》GB/T14476 ●信息技术设备(包括电气事务设备)的安全(GB4943) ●《高耸结构设计规范》

LED显示屏工作原理及工程技术

LED显示屏工作原理及工程技术 工作原理 LED显示屏是利用发光二极管点阵模块或像素单元组成的平面式显示屏幕。由于它具有发光率高、使用寿命长、组态灵活、色彩丰富以及对室内外环境适应能力强等优点,自20世纪80年代后期开始,随着LED制造技术的不断完善,在国外得到了广泛的应用。在我国改革开放之后,特别是进入90年代国民经济高速增长,对公众场合发布信息的需求日益强烈,LED显示屏的出现正好适应了这一市场形势,因而在LED显示屏的设计制造技术与应用水平上都得到了迅速的提高。 LED显示屏经历了从单色、双色图文显示屏,到图象显示屏,一直到今天的全彩色视频显示屏的发展过程。无论在期间的性能(提高亮度LED显示器及蓝色发光灯等)和系统的组成(计算机化的全动态显示系统)等方面都取得了长足的进步。目前已经达到的超高亮度全彩色视频显示的水平,可以说能够满足各种应用条件的要求。其应用领域已经遍及交通、证券、电信、广告、宣传等各个方面。我国LED显示屏的发展可以说基本上与世界水平同步,至今已经形成了一个具有相当发展潜力的产业。应该指出的是,我国LED产业不但在应用技术上取得了巨大的成功,而且在创新能力上有出色的表现,例如北京中庆数据设备公司研制的ZQL9701超大规模芯片,就代表了当前LED显示屏控制电路的国际水平。 与国内LED显示屏产业的迅速发展相比,目前关于LED显示屏的图书资料显得太少,不便于设计制造人员及运用维护人员的工作,由此萌发了编写一本LED显示屏技术用书的想法,适逢电子科技大学出版社之邀,斗胆动笔草就本书。书中分别就LED显示屏的概况、LED显示器件、图文显示屏、图象显示屏、视频显示屏等有关技术问题进行了叙述,以期使从事各类LED显示屏工作的读者能够从本书中得到一些有用的材料。 由于LED显示屏是多种综合应用的产品,涉及光电子学、半导体器件、数字电子电路、大规

发光二极管LED工作原理

发光二极管工作原理 发光二极管通常称为LED,它们虽然名不见经传,却是电子世界中真正的英雄。它们能完成数十种不同的工作,并且在各种设备中都能找到它们的身影。它们用途广泛,例如它们可以组成电子钟表表盘上的数字,从遥控器传输信息,为手表表盘照明并在设备开启时向您发出提示。如果将它们集结在一起,可以组成超大电视屏幕上的图像,或是用于点亮交通信号灯。 本质上,LED只是一种易于装配到电子电路中的微型灯泡。但它们并不像普通的白炽灯,它们并不含有可烧尽的灯丝,也不会变得特别烫。它们能够发光,仅仅是半导体材料内的电子运动的结果,并且它们的寿命同普通的晶体管一样长。 在本文中,我们会分析这些无所不在的闪光元件背后的简单原理,与此同时也会阐明一些饶有趣味的电学及光学原理。 二极管是最简单的一种半导体设备。广义的半导体是指那些具有可变导电能力的材料。大多数半导体是由不良导体掺入杂质

(另一种材料的原子)而形成的,而掺入杂质的过程称为掺杂。 就LED而言,典型的导体材料为砷化铝镓(AlGaAs)。在纯净的砷化铝镓中,每个原子与相邻的原子联结完好,没有多余的自由电子(带负电荷的粒子)来传导电流。而材料经掺杂后,掺入的原子打破了原有平衡,材料内或是产生了自由电子,或是产生了可供电子移动的空穴。无论是自由电子数目的增多还是空穴数目的增多,都会增强材料的导电性。 具有多余电子的半导体称为N型材料,因其含有多余的带负电荷的粒子。在N型材料中,自由电子能够从带负电荷的区域移往带正电荷的区域。 拥有多余空穴的半导体称为P型材料,因为它在导电效果上相当于含有带正电荷的粒子。电子可以在空穴间转移,从带负电荷的区域移往带正电荷的区域。因此,空穴本身就像是从带正电荷的区域移往带负电荷的区域。 一个二极管由一段P型材料同一段N型材料相连而成,且两端连有电极。这种结构只能沿一个方向传导电流。当二极管两端不加电压时,N型材料中的电子会沿着层间的PN结(junction)运动,去填充P型材料中的空穴,并形成一个耗尽区。在耗尽区内,半导体材料回到它原来的绝缘态——即所有的空穴都被填

LED发光二极管工作原理、特性及应用

LED发光二极管工作原理、特性及应用 半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。 一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用 (一)LED发光原理 发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向 截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光,如图1所示。 假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即λ≈1240/Eg(mm)式中

Eg的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管成本、价格很高,使用不普遍。 (二)LED的特性 1.极限参数的意义 (1)允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值,LED发热、损坏。 (2)最大正向直流电流IFm:允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。 (3)最大反向电压VRm:所允许加的最大反向电压。超过此值,发光二极管可能被击穿损坏。 (4)工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围,发光二极管将不能正常工作,效率大大降低。 2.电参数的意义 (1)光谱分布和峰值波长:某一个发光二极管所发之光并非单一波长,其波长大体按图2所示。由图可见,该发光管所发之光中某一波长λ0的光强最大,该波长为峰值波长。 2)发光强度IV:发光二极管的发光强度通常是指法线(对圆柱形发光管是指其轴线)方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为(1/683)W/sr时,则发光1坎德拉(符号为cd)。由于一般LED的发光二强度小,所以发光强度常用坎德拉(mcd)作单位。 (3)光谱半宽度Δλ:它表示发光管的光谱纯度.是指图3中1/2峰值光强所对应两波长之间隔. (4)半值角θ1/2和视角:θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向(法向)的夹角。半值角的2倍为视角(或称半功率角)。 图3给出的二只不同型号发光二极管发光强度角分布的情况。中垂线(法线)AO的坐标为相对发光强度(即发光强度与最大发光强度的之比)。显然,法线方向上的相对发光强度为1,离开法线方向的角度越大,相对发光强度越小。由此图可以得到半值角或视角值。

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