场效应管的检测与识别
场效应管万用表检测
场效应管万用表检测IGBT有三个电极, 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极)一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。
场效应管的检测
场效应管的检测一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。
要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。
（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表之欧阳法创编
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。
要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。
场效应管检测方法
场效应管检测方法
场效应管（也叫MOSFET）的检测方法如下：
1. 使用万用表检测场效应管的极性。
将万用表调至二极管测量档位，将黑表笔连接到TO（源/栅/发射）引脚，然后将红表笔依次接触与TO引脚相连的D（漏极/集电极）和G（栅极/基极）引脚。
如果万用表的示数没有变化或者非常小，说明场效应管是P型的；如果示数明显有变化，说明场效应管是N型的。
2. 使用万用表检测场效应管导通。
将万用表调至二极管测量档位，将黑表笔连接到TO（源/栅/发射）引脚，然后将红表笔依次接触与TO引脚相连的D（漏极/集电极）和G（栅极/基极）引脚。
如果万用表的示数为低阻值，说明场效应管导通；如果示数为高阻值，说明场效应管截止。
3. 使用数字万用表或示波器检测场效应管的漏极/集电极电压和栅极/基极电压。
将黑表笔接触到场效应管的TO（源/栅/发射）引脚，将红表笔依次接触到场效应管的D（漏极/集电极）和G（栅极/基极）引脚。
通过读取数字万用表上的电压示数或示波器上的波形变化，可以确定场效应管所处的工作区域（截止、饱和或放大）。
以上是常用的场效应管检测方法，具体方法可以根据具体的测试设备和需求进行适当的调整。
场效应管测量经验
场效应管检测方法与经验∙∙三芹∙2位粉丝∙1楼场效应管检测方法与经验一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。
要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。
项目6场效应管的检测与识别
• 方法二：用万用表的黑笔任接一个电极，另一表笔依次接触其余两个电 极，测其阻值。若两次测得的阻值近似相等，则该黑笔接的为栅极G，
余下的两个为D极和S 极。
• 2．放大倍数的测量
• 将万用表置于“R×1 k”挡或“R×100”挡，两只表笔分别接触D极和S 极，用手靠近或接触G极，此时表针右摆，且摆动幅度越大，放大倍数 越大。
项目6场效应管的检测与识别
• 器 件
项目
导电机构 导电方式 控制方式
类型 放大参数 输入电阻 抗辐射能力
•
噪声 热稳定性 制造与识别
场效应管
三极管
只用多子 电场漂移 电压控制 P沟道，N沟道 Gm=1～6 ms 107～1015 在宇宙射线辐射下，仍能正常工作 小 好 简单，成本低，便于集成化
既用多子，又用少子 载流子浓度扩散及电场漂移 电流控制 PNP、NPN β=50～100或更大 102～104 差 较大 差 较复杂
• 对MOS管来说，为防止栅极击穿，一般测量前先在其G—S极间接一只 几兆欧的大电阻，然后按上述方法测量。
项目6场效应管的检测与识别
•3．判别JEET的好坏
• 检查两个PN结的单向导电性，PN结正常，管子是好的， 否则为坏的。测漏、源间的电阻RDS，应约为几千欧；若 RDS→0或RDS→∞，则管子已损坏。测RDS时，用手靠近 栅极G，表针应有明显摆动，摆幅越大，管子的性能越好。
• 3．场效应管的主要参数
• 场效应管的直流参数主要有夹断电压UGS(Off)、开启电压UGS(th)和饱和 漏极电流IDSS。
• 场效应管的交流参数主要有低频跨导gm、极间电容等；极限参数包括最 大耗散功率PDM、漏源击穿电压U(BR)DS和栅源击穿电压U(BR)GS等。
如何测试判断场效应管好坏？
如何测试判断场效应管好坏？1、场效应管的检测方法：把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管在量测的时候只应有一次有读数，而且数值在300--800左右，2、如果在最终测量结果中测的只有一次有读数，并且为0时须万用表短接场效应管的引脚，3、重新测量一次，若又测得一组为300--800左右读数时此管也为好管。
4、将万用表开到二极管档，用万用表的两个表笔量测D、S极和G、S极，看看两极之间的读数是不是很小，如果这个值在50以下，则可以判断为这个效应管已经被击穿场效应管（Field Effect Transistor）又称场效应晶体管，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。
由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，[1]它属于电压控制型半导体器件。
主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属- 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。
场效应管具有输入电阻高（10 7～10 15Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。
（1）场效应管是电压控制器件，它通过V GS(栅源电压)来控制I D（漏极电流）；（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（10 7～10 12Ω）很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。
6.场效应管识别与测量详解
O
-2 V
2
VDS /V
ID 只受 VGS 控制，而与 VDS 近似无关。
数学模型：
V GS I D I DSS 1 V GS(off)
在饱和区，JFET 的 ID 与 VGS 之间也满足平方律关 系，但由于 JFET 与 MOS 管结构不同，故方程不同。
利用半导体内的电场效应，通过栅源电压 VGS 的变化，改变阻挡层的宽窄，从而改变导电沟道的 宽窄，控制漏极电流 ID。 综上所述，JFET 与 MOSFET 工作原理相似， 它们都是利用电场效应控制电流，不同之处仅在于 导电沟道形成的原理不同。
3、 结型场效应管特性曲线 伏安特性曲线
NJFET 输出特性
截止区
ID = 0 以下的工作区域。 条件： VGS < VGS(th) 沟道未形成时的工作区 特点： IG 0，ID 0
O ID/mA VDS = VGS – VGS(th)
VGS = 5 V
4.5 V 4V 3.5 V VDS /V
相当于 MOS 管三个电极断开。
击穿区
• VDS 增大到一定值时漏衬 PN 结雪崩击穿 ID 剧增。 • VDS 沟道 l 对于 l 较小的 MOS 管 穿通击穿。
10、场效应管的特性 曲线
NEMOS 管输出特性曲线
非饱和区
沟道预夹断前对应的工作区。 条件： 特点：
ID/mA VDS = VGS – VGS(th) VGS = 5 V 4.5 V
VGS > VGS(th) V DS < VGS – VGS(th)
O
4V 3.5 V
VDS /V
ID 同时受 VGS 与 VDS 的控制。
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知识2场效应管的检测
下面以结型场效应管（JFET）为例说明有关检测方法。
1．电极的判别
根据PN结的正、反向电阻值不同的现象可以很方便地判别出结型场效应管的G、D、S极。
方法一：将万用表置于“R×1 k”挡，任选两电极，分别测出它们之间的正、反向电阻。若正、反向的电阻相等（约几千欧），则该两极为漏极D和源极S（结型场效应管的D、S极可互换）余下的则为栅极G。
方法二：用万用表的黑笔任接一个电极，另一表笔依次接触其余两个电极，测其阻值。若两次测得的阻值近似相等，则该黑笔接的为栅极G，余下的两个为D极和S极。
2．放大倍数的测量
将万用表置于“R×1 k”挡或“R×100”挡，两只表笔分别接触D极和S极，用手靠近或接触G极，此时表针右摆，且摆动幅度越大，放大倍数越大。
对MOS管来说，为防止栅极击穿，一般测量前先在其G—S
教学过程及教学设计
极间接一只几兆欧的大电阻，然后按上述方法测量。
3．判别JEET的好坏
检查两个PN结的单向导电性，PN结正常，管子是好的，否则为坏的。测漏、源间的电阻RDS，应约为几千欧；若RDS→0或RDS→∞，则管子已损坏。测RDS时，用手靠近栅极G，表针应有明显摆动，摆幅越大，管子的性能越好。
教学
手段
（含教法、学法、设备、教具、课件等）
教法：任务驱动法学法：自主、探讨ppt
常见数字集成电路
教学过程及教学设计
【回顾】
各种电子元器件
【导入】
场效应管（FET）属于电压控制型半导体器件。其特点是输入电阻很高（107～1015）、噪声小、功耗低、无二次击穿现象，受温度和辐射影响小，特别适用于要求高灵敏度和低噪声的电路。场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于它们的构造和工作原理截然不同，所以二者的差别很大。在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管所无法替代的。
第____周第____次课系主任审核签字：___________
教学课题/
实训项目
场效应管的检测与识别
教学
目标
（1）熟悉各种场效应管的类型和用途。
（2）熟悉各种场效应管的形状和规格。
（3）掌握用万用表检测场效应管的方法。
重点
难点
（1）熟悉各种场效应管的类型和用途。
（3）掌握用万用表检测场效应管的方法。
教学过程及教学设计
【新课讲授】
知识1场效应管的类型
1．场效应管的类型
场效应管分为结型（JFET）和绝缘栅型（MOSFET）。结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种；绝缘栅型场效应管除有N沟道和P沟道之分外，还有增强型与耗尽型之分。
场效应管和三极管二者的比较情况如表6.3所示。
2．场效应管的特点
（1）场效应管是单极性晶体管
场效应管的交流参数主要有低频跨导gm、极间电容等；极限参数包括最大耗散功率PDM、漏源击穿电压U(BR)DS和栅源击穿电压U(BR)GS等。
4．场效应管的选择和使用
（1）选择场效应管要适应电路的要求
当信号源内阻高，希望得到好的放大作用和较低的噪声系数时；当信号为超高频和要求低噪声时；当信号为弱信号且要求低电流运行时；当要求作为双向导电的开关等场合，都可以优先选用场效应管。
【总结】
各种场效应管的类型和用途。
各种场效应管的形状和规格。
用万用表检测场效应管的方法。
【作业】
1．场效应管有何应用？场用表来判断场效应管的好坏和极性？
3．能否用万用表来测量MOS场效应管的好坏和极性？
课
后
记
事
场效应管靠多子导电，管中运动的只是一种极性的载流子；三极管既利用多子，又利用少子。由于多子浓度不易受外因的影响，因此在环境变化较强烈的场合，采用场效应管比较合适。
（2）场效应管的输入阻抗特别高
场效应管适用于高输入电阻的场合。场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级。
3．场效应管的主要参数
场效应管的直流参数主要有夹断电压UGS(Off)、开启电压UGS(th)和饱和漏极电流IDSS。
教学过程及教学设计
（2）使用场效应管注意事项
结型场效应管的栅源电压不能反接，但可以在开路状态下保存。MOS场效应管在不使用时，必须将各极引线短路。焊接时，应将电烙铁外壳接地，以防止由于烙铁带电而损坏管子。不允许在电源接通的情况下拆装场效应管。
结型场效应管可用万用表定性检查管子的质量，而绝缘栅型场效应管则不能用万用表检查，必须用测试仪，测试仪需有良好的接地装置，以防止绝缘栅击穿。