Silvaco器件仿真ppt课件
合集下载
SilvacoTCAD器件仿真优秀课件

Silvaco TCAD 器件仿真(三)
Tang shaohua, SCU
*
1
Silvaco学习
这一讲主要内容
材料特性设置 物理模型设置 特性获取 结果分析 从例子hemtex01.in看整个流程
*
2
Silvaco学习
材料参数
状态Material,设置材料参数 材料参数和物理模型的选取有关,常用的
Silvaco学习
特性获取Biblioteka CE击穿特性:impact selb
method trap climit=1e - 4 maxtrap=10
#
solve init
solve vbase=0.025
solve vbase=0.05
solve vbase=0.2
#
contact name=base current
tmun
p0
mup
Tl 300
tmup
*
状态 Mobility Mobility Mobility Mobility
低场迁移率模型中可用户定义的参数
参数
默认值
Mun
1000
Mup
500
Tmun
1.5
Tmup
1.5
11
单位 cm2/Vs cm2/Vs
Silvaco学习
物理模型
推荐的模型 MOSFETs类型:srh,cvt,bgn BJT,thyristors等:Klasrh,klaaug,kla,bgn 击穿仿真:Impact,selb
Solve vgate=0.05 vstep=0.05 vfinal=1.0 name=gate
Solve ibase=1e-6
*
Tang shaohua, SCU
*
1
Silvaco学习
这一讲主要内容
材料特性设置 物理模型设置 特性获取 结果分析 从例子hemtex01.in看整个流程
*
2
Silvaco学习
材料参数
状态Material,设置材料参数 材料参数和物理模型的选取有关,常用的
Silvaco学习
特性获取Biblioteka CE击穿特性:impact selb
method trap climit=1e - 4 maxtrap=10
#
solve init
solve vbase=0.025
solve vbase=0.05
solve vbase=0.2
#
contact name=base current
tmun
p0
mup
Tl 300
tmup
*
状态 Mobility Mobility Mobility Mobility
低场迁移率模型中可用户定义的参数
参数
默认值
Mun
1000
Mup
500
Tmun
1.5
Tmup
1.5
11
单位 cm2/Vs cm2/Vs
Silvaco学习
物理模型
推荐的模型 MOSFETs类型:srh,cvt,bgn BJT,thyristors等:Klasrh,klaaug,kla,bgn 击穿仿真:Impact,selb
Solve vgate=0.05 vstep=0.05 vfinal=1.0 name=gate
Solve ibase=1e-6
*
工艺与器件仿真工具SILVACO

第3章 工艺及器件仿真工具
SILVACO-TCAD
浙大微电子
SILVACO简介
SILVACO-TCAD是由SILVACO公司研发的 计算机辅助设计仿真软件,用于半导体器件和集 成电路的研究和开发、测试和生产中。这套完整 的工具使得物理半导体工艺可以给所有阶段的IC 设计提供强大的动力:工艺仿真(ATHENA)和 器件仿真(ATLAS);SPICE 模型的生成和开发; 互连寄生参数的极其精确的描述;基于物理的可 靠性建模以及传统的CAD。所有这些功能整合在 统一的框架,为工程师在完整的设计中任何阶段 中所做更改而导致的性能、可靠性等效果,提供 直接的反馈。
2020/4/8
浙大微电子
5/118
创建一个初始结构
• 定义初始直角网格
− 在UNIX或LINUX系统提示符下,输入命令:deckbuild-an&,以 便进入deckbuild交互模式并调用ATHENA程序。这时会出现如下 图所示deckbuild主窗口,点击File目录下的Empty Document, 清空Deckbuild文本窗口;
接下来,我们通过干氧氧化在硅表面生成栅极氧化 层,条件是1个大气压,950°C,3%HCL, 11分钟。为 了完成这个任务,可以在ATHENA的Commands菜单 中依次选择Process和Diffuse …,ATHENA Diffuse菜 单将会出现。
2020/4/8
浙大微电子
18/118
栅极氧化
2020/4/8
浙大微电子
28/118
⑨ 为了观察优化过程,我们可以将Targets模式改为Graphics 模式,如下左图所示; ⑩ 最后,点击Optimize键以演示最优化过程。仿真将会重新运 行,并且在一小段时间之后,重新开始栅极氧化这一步骤。最优 化的结果为,温度925.727°C,偏压0.982979,以及抽样氧化 厚度100.209 Å,如右图所示;
SILVACO-TCAD
浙大微电子
SILVACO简介
SILVACO-TCAD是由SILVACO公司研发的 计算机辅助设计仿真软件,用于半导体器件和集 成电路的研究和开发、测试和生产中。这套完整 的工具使得物理半导体工艺可以给所有阶段的IC 设计提供强大的动力:工艺仿真(ATHENA)和 器件仿真(ATLAS);SPICE 模型的生成和开发; 互连寄生参数的极其精确的描述;基于物理的可 靠性建模以及传统的CAD。所有这些功能整合在 统一的框架,为工程师在完整的设计中任何阶段 中所做更改而导致的性能、可靠性等效果,提供 直接的反馈。
2020/4/8
浙大微电子
5/118
创建一个初始结构
• 定义初始直角网格
− 在UNIX或LINUX系统提示符下,输入命令:deckbuild-an&,以 便进入deckbuild交互模式并调用ATHENA程序。这时会出现如下 图所示deckbuild主窗口,点击File目录下的Empty Document, 清空Deckbuild文本窗口;
接下来,我们通过干氧氧化在硅表面生成栅极氧化 层,条件是1个大气压,950°C,3%HCL, 11分钟。为 了完成这个任务,可以在ATHENA的Commands菜单 中依次选择Process和Diffuse …,ATHENA Diffuse菜 单将会出现。
2020/4/8
浙大微电子
18/118
栅极氧化
2020/4/8
浙大微电子
28/118
⑨ 为了观察优化过程,我们可以将Targets模式改为Graphics 模式,如下左图所示; ⑩ 最后,点击Optimize键以演示最优化过程。仿真将会重新运 行,并且在一小段时间之后,重新开始栅极氧化这一步骤。最优 化的结果为,温度925.727°C,偏压0.982979,以及抽样氧化 厚度100.209 Å,如右图所示;
第三讲 Silvaco TCAD 器件仿真 PPT

大家应该也有点累了,稍作休息
大家有疑问的,可以询问和交流
材料特性
材料的参数有工艺参数和器件参数 材料参数是和物理模型相关联的 软件自带有默认的模型和参数 可通过实验或查找文献来自己定义参数
物理模型
物理量是按照相应的物理模型方程求得的 物理模型的选择要视实际情况而定 所以仿真不只是纯粹数学上的计算
工艺级别的网格,这些网格某些程度上不是计算器件参数所必需的。例如在计算如 阈值电压、源/漏电阻,沟渠的电场效应、或者载流子迁移率等等。Devedit可以帮 助在沟渠部分给出更多更密度网格而降低其他不重要的区域部分,例如栅极区域或 者半导体/氧化物界面等等。以此可以提高器件参数的精度。简单说就是重点区域重 点给出网格,不重要区域少给网格。
二、半导体器件仿真软件使用
本章介绍ATLAS器件仿真器中所用到的语句和参数。 具体包括:
1.语句的语法规则 2.语句名称 3.语句所用到的参数列表, 包括类型,默认值及参数的描述 4.正确使用语句的实例
学习重点(1) 语法规则 (2)用ATLAS程序语言编写器件结构
1. 语法规则
规则1: 语句和参数是不区分大小写的。 A=a 可以在大写字母下或小写字母下编写。abc=Abc=aBc
计算方法
在求解方程时所用的计算方法 计算方法包括计算步长、迭代方法、初始化
策略、迭代次数等
计算不收敛通常是网格引起的
特性获取和分析
不同器件所关注的特性不一样,需要对 相应器件有所了解
不同特性的获取方式跟实际测试对照来 理解
从结构或数据文件看仿真结果
了解一下ATLAS
ATLAS仿真框架及模块 仿真输入和输出 Mesh 物理模型 数值计算
例: 命令语句 DOP 等同于 doping, 可以作为其命令简写。 但建议不要过度简单,以免程序含糊不清,不利于将来调用时阅读。
SilvacoTCAD工艺仿真模块及工艺仿真流程PPT课件

go athena line x loc=0.0 spac=0.02 line x loc=1.0 spac=0.10 line y loc=0.0 spac=0.02 line y loc=2.0 spac=0.20
init two.d diffuse time=30 temp=1200 dryo2 tonyplot quit
Page 16
第16页/共32页
2.2.1 初始化的命令及参数
• 命令initialize可定义衬底或初始化仿真
• 衬底参数: material, orientation, , resitivity …
• 初始化仿真: infile导入已有的结构 仿真维度,, two.d … 网格和结构,, scale, flip.y …
主要内容
第一部分 第二部分 第三部分
工艺仿真器介绍 工艺仿真流程 总结
Page 1
第1页/共32页
1 工艺仿真器介绍
第一部分 第二部分 第三部分
工艺仿真器介绍 工艺仿真流程 总结
Page 2
第2页/共32页
3
第3页/共32页
1.1 工艺仿真模块 DeckBuild 集成环境
器真仿刷印电光 器真仿蚀刻和积淀英精 器真仿蚀刻积沉诺卡托蒙
Page 22
第22页/共32页
2.3.2 Diffuse做氧化的例子
氧化时间30分钟,1200度,干氧
diffuse time=30 temp=1200 dryo2
氧化时间30分钟,1000度,氧气流速10sccm
diffuse time=30 temp=1000 f.o2=10
干氧氧化的完整语法:
及能量和不定形材料引起的分离通道影响
init two.d diffuse time=30 temp=1200 dryo2 tonyplot quit
Page 16
第16页/共32页
2.2.1 初始化的命令及参数
• 命令initialize可定义衬底或初始化仿真
• 衬底参数: material, orientation, , resitivity …
• 初始化仿真: infile导入已有的结构 仿真维度,, two.d … 网格和结构,, scale, flip.y …
主要内容
第一部分 第二部分 第三部分
工艺仿真器介绍 工艺仿真流程 总结
Page 1
第1页/共32页
1 工艺仿真器介绍
第一部分 第二部分 第三部分
工艺仿真器介绍 工艺仿真流程 总结
Page 2
第2页/共32页
3
第3页/共32页
1.1 工艺仿真模块 DeckBuild 集成环境
器真仿刷印电光 器真仿蚀刻和积淀英精 器真仿蚀刻积沉诺卡托蒙
Page 22
第22页/共32页
2.3.2 Diffuse做氧化的例子
氧化时间30分钟,1200度,干氧
diffuse time=30 temp=1200 dryo2
氧化时间30分钟,1000度,氧气流速10sccm
diffuse time=30 temp=1000 f.o2=10
干氧氧化的完整语法:
及能量和不定形材料引起的分离通道影响
Silvaco器件仿真ppt课件

e. 点击Load example f. 与这个例子相关的输入文件会载入到 g. deckbuild的文本窗口中
h. 此输入文件以及与之相关的其他文件会 i. 自动拷贝到你的工作目录中去
通过点击中间的程序控制窗口 中的run按钮,来运行输入文件。
一旦工艺模拟完成,MOS管的结构将会自动显示出来。如图所示,这是MOS管的 结构图。接下来会自动传递给器件仿真器 - ATLAS来进行器件仿真。
7. 可选择的工艺及器件仿真工具简介 Avanti: Tsuprem4/ Medici
Tsuprem4/Medici是Avanti公司 的二维工艺、器件仿真集成软 件包。Tsuprem4是对应的工艺 仿真软件,Medici是器件仿真 软件。
ISE-TCAD
工艺及器件仿真工具ISE-TCAD 是瑞士 ISE ( Integrated Systems Engineering ) 公司 开发的生产制造用设计(DFM: Design For Manufacturing) 软件,是一种建立在物理基础 上的数值仿真工具,它既可以 进行工艺流程的仿真、器件的 描述,也可以进行器件仿真、 电路性能仿真以及电缺陷仿 真等。基本上是成为行业标准, 功能强大,已被收购,升级版 为Sentaurus TCAD。
器件仿真
工艺描述
几何结构及掺杂
电学特性
(Device parameter extraction tools)
器件模拟参数提取
IC电路特性
(IC Circuit Simulation)
电路模拟用器件模型参数 IC电路仿真
3. 有什么用? 一方面,充分认识半导体物理学,半导体器件物理学等这些抽象 难懂的理论基础知识在半导体工业中的实际应用。加强理论教学 的效果。 仿真也可以部分取代了耗费成本的硅片实验,可以降低成本,缩 短了开发周期和提高成品率。也就是说,仿真可以虚拟生产并指 导实际生产。
SilvacoTCAD器件仿真

Solve vgate=0.05 vstep=0.05 vfinal=1.0 name=gate
Solve ibase=1e-6
2020/3/3
15
Silvaco学习
特性获取
I-V 特性:
solve vdrain=0.1 solve vdrain=0.2
… solve vdrain=2.0
转移特性:
11
单位 cm2/Vs cm2/Vs
Silvaco学习
物理模型
推荐的模型 MOSFETs类型:srh,cvt,bgn
BJT,thyristors等:Klasrh,klaaug,kla,
bgn
击穿仿真:Impact,selb
例句:
Model bgn fldmob srh
Models conmob fldmob srh auger temp=300 print
2020/3/3
17
Silvaco学习
特性获取
2020/3/3
电流控制性器件的输出特性:
solve init solve vbase=0.05 vstep=0.05 vfinal=0.8 name=base contact name=base current
#
solve ibase=2.e - 6 save outf=bjt_ib_1.str master solve ibase=4.e - 6 save outf=bjt_ib_2.str master
报错信息:
“trap times more than 4 times” 指计算不收敛。
2020/3/3
14
Silvaco学习
特性获取
加偏执是用solve状态 先需要设置数据保存在日志文件,之后才
Silvaco器件仿真

参数取
通过仿真结果提取器件参数,为进一步分析 提供数据支持。
可靠性分析
对器件的可靠性进行评估,预测器件在不同 环境下的性能表现。
软件应用领域
集成电路设计
用于集成电路设计中的器件级仿真,验证电路 设计的正确性和性能。
微电子工艺开发
用于微电子工艺开发中的过程控制和优化,提 高工艺水平。
光电器件仿真
用于光电器件仿真,研究光电器件的物理特性和性能表现。
案例二:晶体管仿真
总结词
晶体管是现代电子电路中的核心元件,其仿真分析对于电路设计和优化具有重要意义。
详细描述
在Silvaco仿真软件中,可以对晶体管进行建模和仿真分析,包括电流-电压特性、频率 响应、噪声性能等参数。通过仿真,可以预测晶体管在实际电路中的性能表现,为电路
设计提供优化依据。
案例三:集成电路仿真
需要加强与物理学、化学、生物学等其他学科的合作,以实现多物理 场耦合仿真的突破。
人才培养与交流
加强国内外学术交流与合作,培养具备创新能力和实践经验的器件仿 真人才是未来的重要机遇。
THANKS
感谢观看
另一款功能强大的器件仿真软件,适用于多 种应用领域。
Keysight
除了提供测试测量解决方案外,也提供器件 仿真工具。
ANSYS
一个多物理场仿真软件,可用于器件的热、 电磁、流体等多方面仿真。
02
Silvaco仿真软件介绍
软件特点
高效性
Silvaco仿真软件采用先进的算法和计算技术,能够 快速准确地模拟器件性能,大大缩短了设计周期。
仿真流程
建立模型
根据器件的物理结构和参数,建立数学模型。
设置仿真参数
根据实际需求,设置初始条件、边界条件、输入信号等仿真参数。
SilvacoTCAD器件仿真专题培训课件

Silvaco学习
物理模型
推荐的模型
MOSFETs类型:srh,cvt,bgn BJT,thyristors等:Klasrh,klaaug,kla,
bgn
击穿仿真:Impact,selb
例句:
Model bgn fldmob srh
Models conmob fldmob srh auger temp=300 print
GP 特性:
solve vcollector=2 solve vbase=0.0 vstep=0.1 vfinal=2 name=base
contact name=base common=collector solve vbase=0.0 vstep=0.1 vfinal=2 name=base
*
16
Material taun0=1.e-9 taup0=1.e-9 f.conmun=hemtex01_interp.lib material align=0.6
*
8
Silvaco学习
光学参数
在光电特性仿真中材料的光学参数(折射 率实部和虚部)尤为重要。
两种方法可设置材料的光学参数
1、C解释器编写参数文件 2、添加、更改材料的折射率文件内的信息
impact selb material=InGaAs an2=5.15e7 ap2=9.69e7 bn2=1.95e6 \ bp2=2.27e6
impact selb material=InP an2=1e7 ap2=9.36e6 bn2=3.45e6 bp2=2.78e6
material region=1 taun0=5.0e-10 taup0=1.0e-9 vsatn=2.5e7 \ mun0=4000 mup0=200
物理模型
推荐的模型
MOSFETs类型:srh,cvt,bgn BJT,thyristors等:Klasrh,klaaug,kla,
bgn
击穿仿真:Impact,selb
例句:
Model bgn fldmob srh
Models conmob fldmob srh auger temp=300 print
GP 特性:
solve vcollector=2 solve vbase=0.0 vstep=0.1 vfinal=2 name=base
contact name=base common=collector solve vbase=0.0 vstep=0.1 vfinal=2 name=base
*
16
Material taun0=1.e-9 taup0=1.e-9 f.conmun=hemtex01_interp.lib material align=0.6
*
8
Silvaco学习
光学参数
在光电特性仿真中材料的光学参数(折射 率实部和虚部)尤为重要。
两种方法可设置材料的光学参数
1、C解释器编写参数文件 2、添加、更改材料的折射率文件内的信息
impact selb material=InGaAs an2=5.15e7 ap2=9.69e7 bn2=1.95e6 \ bp2=2.27e6
impact selb material=InP an2=1e7 ap2=9.36e6 bn2=3.45e6 bp2=2.78e6
material region=1 taun0=5.0e-10 taup0=1.0e-9 vsatn=2.5e7 \ mun0=4000 mup0=200
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
2. 在整个学科中所处的位置是什么? 从纵向来讲,和其他CAD类或仿真类课程一样,它是基础理论知 识和实际生产的链接点。 从横向来讲, 电路模拟、工艺模拟、器件模拟之间的关系可以用下 面的结构图来表示
本门课程 重点学习部分
(Process Simulation)
工艺仿真
(Device Simulation)
(3) 什么是半导体器件仿真器?
前面提及的理论基础不仅仅是同学们学习这门功课所需要的 前期基础知识,也同样是开发仿真软件中最需要的理论基础。为 什么呢? 因为仿真实质上是通过仿真器来完成的。 一般仿真器实质上等于(输入接口+模型库+算法+输出接口) 核心部分是模型库的建立,精度,处理速度需要通过算法来调节。 一个半导体仿真器弄能是否强劲,就是看模型库是否强大。所以 它是随着对半导体理论的探索和对实验数据的累计的发展而发展 的。
Sentaurus TCAD Sentaurus Process 整合了: ⑴Avanti 公司的Tsuprem系列工艺级仿真工具(Tsupremⅰ,Tsupremⅱ, Tsupremⅲ 只能进行一维仿真,到了第四代的商业版Tsuprem4能够完成二维模拟)以及Taurus Process 系列工艺级仿真工具; (2)ISE Integrated Systems Engineering公司的ISE TCAD 工艺级仿真工具Dios(二维) FLOOPS-ISE(三维)以及 Ligament(工艺流程编辑) 系列工具,将一维、二维和 三维仿真集成于同一平台。 Sentaurus Device 整合了 (1)Avanti 的Medici和 Taurus Device (2)ISE 的DESSIS 器件 物理特性仿真工具, 充实并 修正了诸多器件物理模型, 推出新的器件物理特性分析 工具Sentaurus Device。
器件仿真
工艺描述
几何结构及掺杂
电学特性
(Device parameter extraction tools)
器件模拟参数提取
IC电路特性
(IC Circuit Simulation)
电路模拟用器件模型参数 IC电路仿真
件物理学等这些抽象 难懂的理论基础知识在半导体工业中的实际应用。加强理论教学 的效果。 仿真也可以部分取代了耗费成本的硅片实验,可以降低成本,缩 短了开发周期和提高成品率。也就是说,仿真可以虚拟生产并指 导实际生产。
4.学习这门功课需要哪些准备?
半导体物理学 半导体器件物理学、MOS、BJT、Diode、功率器件等 集成电路工艺技术 简单的电路基础。
5. 学到什么程度?具体学什么? 掌握模拟仿真软件的使用,对半导体器件的特性进行模拟和分析。 具体为:
1. 复习现有以硅为主的超大规模集成电路工艺技术。学习工艺仿 真软件的使用方法 (氧化、扩散、离子注入、淀积、刻蚀、光刻等) 2. 熟悉并学会使用器件仿真软件 (1)学习如何用仿真语句编写器件的结构特征信息 (2)学习如何使用atlas器件仿真器进行电学特性仿真
3. 对半导体工艺仿真及器件仿真中所用到的模型加以了解 4*. 利用工艺器件仿真软件,培养和锻炼工艺流程设计和新器件开 发设计等方面的技能。
6. 半导体器件仿真的历史发展
1949年: 半导体器件模拟的概念起源于此年肖克莱(Shockley)发表的论文, 这篇文章奠定了结型二级管和晶体管的基础。但这是一种局部分 析方法,不能分析大注入情况以及集电结的扩展。 1964年: 古默尔(H.K.Gummel)首先用数值方法代替解析方法模拟了一维 双极晶体管,从而使半导体器件模拟向计算机化迈进。 1969年: D.P.Kennedy和R.R.O’Brien第一个用二维数值方法研究了JFET。 J.W.Slotboom用二维数值方法研究了晶体管的DC特性。 从此以后,大量文章报导了二维数值分析在不同情况和不同器件 中的应用。相应地也有各种成熟的模拟软件,如CADDET和 MINIMOS等。
一、概论:半导体仿真概述 Introduction of Semiconductor Simulation
1. 这门课是研究什么的?
(1)什么是仿真? 仿真和另外一个词汇建模(modeling)是密不可分的。 所谓建模就是用数学方式抽象地总结出客观事物发展的一般规律。 仿真是在这个一般规律的基础上,对某事物在特定条件下的行动 进行推演和预测。 因此可以说建模是仿真的基础,仿真是随着建模的发展而发展的。 建模和仿真的关系可以比作程序设计中算法和语言的关系。
Silvaco器件仿 真
平时:30% 上机+考试:70%
内容大纲
一、 半导体仿真概述 二、 半导体器件仿真软件使用 三、 Diode器件仿真 四、BJT器件仿真 五、半导体工艺仿真软件使用 六、MOS工艺及器件仿真 七、总结与复习 2学时 2学时+2学时上机 2学时+2学时上机 4学时+4学时上机 4学时+4学时上机 4学时+4学时上机 2学时+4学时上机
(2)什么是半导体器件仿真? 那么像电子IT行业里面的仿真软件按用途分是多种多样的。仅仅是 集成电路这个行业来讲,就分电路仿真、器件仿真、工艺仿真等。 再深入下去研究,研究固体物理学,半导体物理学也都有相关的仿 真软件可以进行原子、分子级别的仿真。 包括工艺仿真和器件电学特性仿真两个部分。 研究单个元器件从生产工艺到性能特性的。
如前图所表,这个器件仿真在逻辑上是基础于电路仿真的。 工艺仿真可以实现离子注入、氧化、刻蚀、光刻等工艺过程的 模拟。 可以用于设计新工艺,改良旧工艺。 器件仿真可以实现电学特性仿真,电学参数提取。 可以用于设计新型器件,旧器件改良,验证器件的电学特性。 如MOS晶体管,二极管,双极性晶体管等等。提取器件参数, 或建立简约模型以用于电路仿真。
7. 可选择的工艺及器件仿真工具简介 Avanti: Tsuprem4/ Medici
Tsuprem4/Medici是Avanti公司 的二维工艺、器件仿真集成软 件包。Tsuprem4是对应的工艺 仿真软件,Medici是器件仿真 软件。
ISE-TCAD
工艺及器件仿真工具ISE-TCAD 是瑞士 ISE ( Integrated Systems Engineering ) 公司 开发的生产制造用设计(DFM: Design For Manufacturing) 软件,是一种建立在物理基础 上的数值仿真工具,它既可以 进行工艺流程的仿真、器件的 描述,也可以进行器件仿真、 电路性能仿真以及电缺陷仿 真等。基本上是成为行业标准, 功能强大,已被收购,升级版 为Sentaurus TCAD。