晶体三极管的结构、符号、类型
3晶体三极管
2.三极管内部载流子的运动规律
集电结反偏， 集电结反偏， 有少子形成的反 向电流ICBO。 基区空穴 向发射区的 扩散形成电流 IEP可忽略。 可忽略。 进入P 进入P 区的电 子少部分与基区 的空穴复合， 的空穴复合，形 成电流IBN ，多 数作为非平衡少 子扩散到集电结 B RB IB IBN E IE IC ICBO C ICN
v
v
i
i
输出特性曲线各区的特点： 输出特性曲线各区的特点：
（1）饱和区 a.发射结正偏，集电结正偏或反 发射结正偏， 发射结正偏 偏电压很小。 偏电压很小。 UCE≤UBE b. iC明显受uCE控制, 明显受 控制 iC＜βiB
1
4 3
i
C/
mA
iB =
µ 100 A 80 60
饱和区
随着VCE的变化而迅速变化。 的变化而迅速变化。 随着
∆iC
∆iB
β=
放大区 截止区
∆iC ∆iB
U CE =常量
β是常数吗？什么是理想三极管？什么情况下 β = β ? 是常数吗？什么是理想三极管？ 是常数吗
2. 输出特性
iC = f (uCE ) I
数 B =常
对应于一个I 就有一条i 变化的曲线。 对应于一个 B就有一条 C随uCE变化的曲线。 输出特性曲线特点： 输出特性曲线特点： a. 各条特性曲线形状相同 b. 每条输出特性起始部分很陡 V时 uCE=0 V时，因集电极无收 b （集电结反压增加， 当集电结反压增加， 吸引电子能力增强,ic增大 增大） 吸引电子能力增强 增大） 集作用， =0。 集作用，iC=0。 c．每条输出特性当超过某一数 u c ．CE ↑ → Ic ↑ 。 值时（ ），变得平坦 值时（约1V），变得平坦 ）， d. 曲线比较平坦的部分， 曲线比较平坦的部分， 的增加而略向上倾斜。 随vCE的增加而略向上倾斜。 d每条输出特性当超过某一数值时（约1V），变得平坦 每条输出特性当超过某一数值时（ 1V），变得平坦 ）， 这是基区宽变效应） （这是基区宽变效应） • CB ↑→ 基区宽带变窄 → B 1V后 当uCE ＞CE后，收集电子的能力足够强。这时，发射到基区的电子 1V ↑→ 收集电子的能力足够强。这时， 变小 • 都被集电极收集， 再增加， 基本保持不变。 都被集电极收集，形成iC。所以uCE再增加，iC基本保持不变。 iC •→ β = iB ↑→ iB 若不变则 C ↑
晶体三极管的结构和类型
晶体三极管的结构和类型双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管PN结。
正向偏置的EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的CB 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流I C。
在共发射极晶体管电路中, 发射结在基极电路中正向偏置, 其电压降很小。
绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。
由于V BE很小，所以基极电流约为I=5V/50kΩ=0.1mA。
B如果晶体管的共发射极电流放大系数β=I C / I B=100, 集电极电流I C=β*I B=10mA。
在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流i b，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/i b=β，实现了双极晶体管的电流放大作用。
金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。
当栅G 电压V G增大时，p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。
当表面达到反型时，电子积累层将在n+ 源区S 和n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。
当V DS≠0时，源漏电极之间有较大的电流I DS流过。
使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压V T。
当V GS>V T并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的V DS下也将产生不同的I DS, 实现栅源电压V GS对源漏电流I DS的控制。
二、晶体管的命名方法晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。
三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。
晶体三极管_结构及放大原理
晶体三极管又称晶体管、双极型晶体管；在晶体管中有两类不同的载流子参与导电。
一、晶体管的结构和类型
1.晶体管的结构
在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就形成三极管。
2.晶体管的类型
基极为P的称为NPN型，基极为N的称为PNP型。
二、晶体管的电流放大作用
晶体管的放大状态的外部条件：发射结正偏且集电结反偏。
发射结正偏：发射区的载流子可以扩散到基区
集电结反偏：基区的非平衡少子(从发射区扩散到基区的载流子)可以漂移到集电区。
如果发射结正偏，集电结也正偏，出现的情况将是发射区的载流子扩散到基区，同时集电区的载流子也漂移到基区。
1.晶体管内部载流子运动
①发射结正偏：发射区载流子向基区扩散，基区空穴向发射区漂移
②集电极反偏，非平衡少子运动：从发射区过来的载流子到达基区后，称为非平衡少子(基区是P带正电，载流子是电子，所以是非平衡少子；基区空穴虽然是多子，但是数量比较少)，一方面与基区的空穴复合(少量)；另一方面，由于集电极反偏，会产生非平衡少子的漂移运动，非平衡少子从基区漂移到集电极，从而产生漂移电流。
由于集电极面积非常大，所以可以产生比较大的漂移电流(到达基区的载流子，由于集电极反偏，所以对基区的非平衡少子有吸引，集电极带正电，非平衡少子带负电）
③集电极反偏，少子漂移电流：由于集电结反偏，处于基区的少子(电子)会漂移运到到集电区；集电区的少子(空穴)会漂移运动到基区
2.晶体管中的电流分关系
三、共射电路放大系数
1.直流放大系数：放大系数：I c=(1+β)I B
2.交流放大系数：直流电流放大系数可以代替交流电流放大系数
四、结语
希望本文对大家能够有所帮助。
检测三极管的B,C,E极以及PNP型与NPN型
怎样检测三极管的B,C,E极以及PNP型与NPN型一、晶体三极管的结构类型晶体三极管通常称为晶体管或三极管,是各种电子设备的常用元件。
三极管的内部结构和电路符号如图5-49所示。
它是由两个相距很近的PN结组成的,一般都有三个电极,即发射极E、基极B和集电极C。
三个电极分别与三极管内部半导体的三个区(发射区、基区和集电区)相接。
发射区与基区之间的PN结称为发射结:集电区与基区之间的PN结称为集电结。
按PN结的不同组合方式,晶体三极管分为PNP 型和NPN型两种,这两种类型的三极管在电路符号上是有区别的。
PNP型管的发射极箭头向内,NPN型管的发射极箭头向外。
二者电源电压的连接方式是不同的。
二、晶体管的检测方法利用数字万用表不仅能判定晶体管电极、测量管子的共发射极电流放大系数hFE,还可鉴别硅管与锗管。
由于数字万用表电阻档的测试电流小,所以不适用于检测晶体管,应使用二极管档及hFE档进行测试。
1.鉴别基极B将数字万用表拨至二极管档,红表笔固定任接某个引脚,用黑表笔依次接触另外两个引脚,如果两次显示值均小于1V或都显示溢出符号“1”,则红表笔所接的引脚就是基极B。
如果在两次测试中,一次显示值小于1V,另一次显示溢出符号“1”,表明红表笔接的引脚不是基极B,此时应改换其他引脚重新测量,直到找出基极B为止。
2.区分NPN管与PNP管仍使用数字万用表的二极管档。
按上述操作确认基极B之后,将红表笔接基极B,用黑表笔先后接触其他两个引脚。
如果都显示0.500~0.800V,则被测管属于NPN 型;若两次都显示溢出符号“1”,则表明被测管属于PNP管。
3.区分集电极C与发射极E(兼测hFE值)鉴别区分晶体管的集电极C与发射极E,需使用数字万用表的hFE档。
如果假设被测管是NPN型管,则将数字万用表拨至hFE档,使用NPN插孔。
把基极B插入B 孔,剩下两个引脚分别插入C孔和E孔中。
若测出的hFE为几十~几百,说明管子属于正常接法,放大能力较强,此时C孔插的是集电极C,E孔插的是发射极E,参见图5-50(a)。
3极管的表示电路符号
3极管的表示电路符号
3极管，也称为晶体管，在电路符号中主要有三个部分表示：发射极（E）、基极（B）和集电极（C）。
具体如下：
* 发射极（E）：通常标记为一个箭头指向基极，这是电子和空穴的发射点。
* 基极（B）：通常为一个细长的线，连接发射极和集电极，是控制电流流动的地方。
* 集电极（C）：通常标记为一个箭头指向发射极，是收集电子和空穴的地方。
需要注意的是，3极管有两种结构：NPN型和PNP型。
它们的电路符号表示略有不同，但基本原理相同。
NPN型3极管的电路符号中，发射极箭头指向基极，集电极箭头指向发射极；而在PNP型3极管的电路符号中，发射极箭头指向基极，集电极箭头指向发射极。
以上信息仅供参考，建议查阅专业书籍获取更准确和全面的信息。
概述三极管的分类、符号、识别和检测方法等内容
概述三极管的分类、符号、识别和检测方法
等内容
三极管，又称为晶体三极管（Transistor），是一种基础的半导体器件。
根据结构和作用方式的不同，三极管可以分为NPN型和PNP 型两种类型。
1. NPN型三极管：由两个N型半导体材料夹着一个P型半导体材料构成。
其中，N型半导体材料分别连接外接的阴极（接收或控制信号的输入端）、基极（控制信号的输入端）和漏极（输出端）。
2. PNP型三极管：由两个P型半导体材料夹着一个N型半导体材料构成。
其中，P型半导体材料分别连接外接的阴极（接收或控制信号的输入端）、基极（控制信号的输入端）和漏极（输出端）。
符号上，NPN型三极管用一个三箭头箭头指向P型区，PNP型三极管则相反，用一个三箭头箭头指向N型区。
识别和检测方法如下：
1. 观察外观：三极管通常有三个引脚，其中两个引脚距离较近，另一个引脚与之间距离较远。
根据引脚的排列和标记，可以判断三极管的类型（NPN型还是PNP型）。
2. 测试引脚：用测试仪或多用表测量三极管的引脚之间的电阻。
根据测量结果，可判断出三极管的类型和状态（工作正常或故障）。
3. 使用替代器件：如果无法识别三极管的类型或状态，可以使用替代器件进行测试。
安装同类型的三极管来替代原本的三极管，并观察电路的工作情况来判断三极管的类型和状态。
第三讲 晶体三极管
§2.2.3 三极管的主要参数
电流放大系数 三极管的参数是 用来表征管子性 能优劣适应范围 的，是选管的依 据，共有以下三 大类参数。
极间反向电流ICBO 、 ICEO
极限参数
• 极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO
最大集电 极电流 c-e间击穿电压 最大集电极耗散功 率，PCM＝iCuCE
4.下列NPN型三极管各个极的电位，处于放 大状态的三极管是（ ） A VC=0.3V，VE=0V， VB=0.7V B VC=-4V， VE=-7.4V，VB=-6.7V C VC=6V， VE=0V， VB=-3V D VC=2V， VE=2V， VB=2.7V 5.如果三极管工作在截止区，两个PN结状 态（ ） A．均为正偏 B．均为反偏 C．发射结正偏，集电结反偏 D．发射结反偏，集电结正偏
三极管符号
结构特点：
基区很薄且杂质浓度很低；
发射区掺杂浓度高； 集电区面积很大。
二．分类
（1）按半导体结构不同：NPN 型和 PNP 型。
（2）按功率分：小功率管和大功率管。
（3）按工作频率分：低频管和高频管。
（4）按管芯所用半导体材料分：锗管和硅管。
（5）按结构工艺分：合金管和平面管。
（6）按用途分：放大管和开关管。
放大区：发射结正向偏置，集电结反向偏置。
饱和区：发射结和集电结均正向偏置。
截止区：发射结电压小于开启电压，集电结 在电路中的连接方式
共发射极连接 共基极连接 共集电极连接
三极管的特性曲线
概 念
特性曲线是 指各电极之 间的电压与 电流之间的 关系曲线
输入特性曲线
输出特性曲线
（1）三极管的电流放大作用，实质上是用较小的基极电 流信号控制集电极的大电流信号，是“以小控大”的作用。 （2）三极管的放大作用，需要一定的外部条件。
三极管种类及符号
三极管种类及符号一、三极管的种类1.半导体三极管：由半导体材料制成，是电子电路中最常用的三极管。
2.真空三极管：在真空封装下，利用控制栅极电压来控制阴极和阳极之间的电流，适用于高频和真空环境。
3.晶体三极管：由晶体材料制成，具有高频率、低噪声等特性，适用于高频放大和振荡电路。
4.金属氧化物半导体管：由金属氧化物半导体材料制成，具有高速度、低功耗等优点，适用于数字电路和大规模集成电路。
5.绝缘栅场效应管：通过控制栅极电压来控制源极和漏极之间的电流，具有高输入阻抗、低噪声等优点，适用于模拟电路和数字电路。
6.其他类型三极管：如光电三极管、磁敏三极管等，根据特殊应用需求而设计。
二、三极管的符号三极管的符号通常表示其类型和结构，常用符号有以下几种：1.E型符号：表示半导体三极管，其中E表示电气特性，也是电子电路中最常用的三极管符号。
2.V型符号：表示真空三极管，其中V表示真空封装。
3.jon图标：表示晶体三极管，其中j表示晶体，o表示有机物。
4.FET 图标：表示绝缘栅场效应管，其中F表示场效应管，E表示电子型，T表示三端型。
5.其他类型三极管的符号根据其类型和结构进行设计。
三、三极管封装形式三极管的封装形式是指其安装方式和使用方法，常用的封装形式有以下几种：1.TO-92封装：是一种塑料封装，由两个引脚通过塑料支架与外壳相连，使用时将外壳固定在印制板上。
2.TO-126封装：是一种大型塑料封装，适用于功率较大的三极管。
3.TO-251/252封装：是一种小型的金属封装，适用于高频和高灵敏度的应用。
4.SOT-23封装：是一种小型塑料封装，具有短引脚和扁平形状，适用于表面贴装技术。
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晶体三极管的结构、符号、类型
（一）结构和符号
在一块极薄的硅或锗基片上制作两个PN结就构成三层半导体，从三层半导体上各自接出一根导线，就是三极管的三个电极，再封装在管壳里就制成了晶体三极管。
三个电极分别叫做放射极e、基极b、集电极c，对应的每层半导体分别称为放射区、基区、集电区。
放射区与基区交界处的PN结叫放射结，集电区与基区交界处的PN结叫集电结。
依据基区材料是P型还是N型半导体，三极管有NPN型和PNP型两种组合型式。
它们的基本结构如图（a）所示。
三极管的文字符号为"V"，图形符号如图（b）和（c）所示。
两种符号的区分在于放射极箭头的方向不同，箭头方向表示放射结加正向电压时的电流方向。
图2是常见的几种国产三极管封装和形状。
功率大小不同的三极管有着不同的体积和封装形式，在晶体管手册中有详细说明。
图1 体管晶体三极管的结构和符号
a) 结构b) 符号c) 大功率管
外壳集电极
早期生产的三极管有的采纳玻璃封装；有些超小型三极管采纳陶瓷环氧封装；绝大多数大、中、小型三极管采纳金属外壳封装；大功率晶体三极管管壳是集电极，通常作成扁平外形并有安装螺钉孔，
有的大功率三极管的集电极制成螺栓外形，这样能使三极管和散热器连接一体便于散热。
近年来越来越多的中、小功率三极管采纳硅酮塑料封装。
三极管的制造工艺较多，图2-3和图2-4分别是用合金工艺和平面工艺制作的三极管结构示意图。
不论哪种结构，都必需具有以下共同特点：
1. 放射区的掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
2. 基区都做得很薄（约几到几十微米），集电结面积制作得比放射结面积大。
由于在结构上有这些特点，三极管并不等于两个二极管的简洁组合，也不能将放射极和集电极颠倒使用。
图2 几种晶体三极管的形状和封装
图3 合金法工艺制作的晶体三极管管芯
图4 平面工艺制作的晶体三极管管芯
（二）类型
型号各种三极管都有自己的型号，根据国家标准GB249－74的规定，国产三极管的型号也是由五个部分组成。
表2-1中其次、第三档所列的是三极管常见类型，对其含意需搞清晰。
2. 分类通常按以下几个方面进行分类：
（1）依据制造材料的不同，三极管分为锗管与硅管两类。
它们的特性大同小异。
硅管受温度影响较小，工作较稳定，因此在通信设备上常用硅管。
（2）依据三极管内部基本结构，分为NPN型和PNP型两类。
目前我国生产的硅管多数是NPN型（也有少量PNP型），一般采纳平面工艺制造。
锗管多数是PNP型（也有少量NPN型），一般采纳合金工艺制造。
（3）依据工作频率不同，可分为高频管（工作频率等于或大于3兆赫）和低频管（工作频率低于3兆赫）。
（4）依据用途的不同，分为一般放大三极管和开关三极管。
（5）依据功率不同，分为小功率管（耗散功率＜1瓦＝和大功率管（耗散功率≥1瓦）。
表1 晶体三极管的型号。