100道电子技术入门知识讲解——电的基础知识讲解

100道电子技术入门知识讲解——电的基础知识讲解
100道电子技术入门知识讲解——电的基础知识讲解

100道电子技术入门知识讲解——电的基础知识讲解.txt-两个人同时犯了错,站出来承担的那一方叫宽容,另一方欠下的债,早晚都要还。-不爱就不爱,别他妈的说我们合不来。学电子基础很重要,如果你还是电子新手,你的一切迷惑将在这里揭晓!看完之后是否觉得茅舍顿开,那么恭喜你入门了!

一、电的基础知识

1、电是什么?电有几种?电有何重要特性?

电是最早从“摩擦起电”现象中表现出来实物的一种属性。电有正负两种。“同性相斥,异性相吸”是电的重要特性。

2、如何理解“电是实物的一种属性”?

电来源于实物本身一般情况,实物本身就存在等量的正负电荷,因而不显示电的特性;由于某种原因当实物失去或得到某种电荷,对外才会显示电的特性。

3、“摩擦起电”是物体变成带电状态的唯一方法,请说明?

不对。除了摩擦之外,受热、化学变化等其它原因都可能使物体变成带电状态。

4、什么是导体和绝缘体?举例说明。

容易导电的物体叫导体;极不容易导电的物体叫绝缘体。金属物和带杂质的水溶液都是导体;塑料、空气、干燥的木头是绝缘体。

5、塑料棒与羊毛摩擦后能吸起小纸绡,而金属物不能,所以金属物无法“摩擦起电”,对吗?为什么?

不对,金属物同样可以“摩擦起电”只是因为金属为良导体,电荷很快通过人体对地放电中和,所以不显示带电状态。

6、各种导体导电性能都一样吗?

不一样。例如铜的导电性能比铝好,铝的导电性能又比铁好。而带杂质的水溶液的导电性能较差,但还是属于导体。

7、导体为什么容易导电?而绝缘体不容易导电?

导体存在可以移动的电荷,绝缘体中可以移动的电荷极少所以导体容易导电,而绝缘体不容易导电。

8、绝缘体在任何情况下都不导电吗?举例说明。

不对。如空气在电压达到一定强度,就会被电离变成导体。雷电就是空气在高压静电下突然变成导体的自然现象。

9、什么叫“击穿”现象?

原来是绝缘体的物质处在高压电场下变成了导体,这一现象称为“击穿现象”,雷电就是空气被高压静电击穿的一种现象。

10、人体为什么也会导电?

人体含有大量的溶解有其他物质的水溶液,因此也会导电。

11、电流是怎样形成的?

导体中能够自由移动的电荷在外电力的作用下,进行有规则的移动,就形成电流。

12、表示电流大小的单位是用哪位科学家的名字来命名的他的主要贡献是什么?

表示电流大小的单位是用法国科学家安培的名字来命名。安培的主要贡献是研究确定了电流与磁场之间的作用力关系。

13.导体中电流的方向是怎样规定的?

电流的方向习惯上以正电荷移动的方向为正向。

14、金属导体依靠什么导电,其移动方向如何?

金属导体依靠可以自由移动的“自由电子”来导电,“自由电子”带负电荷,其移动方向与正电荷移动方向相反。

15、常听说“交流”与“直流”,到底是怎么一回事?举例说明。

工作电流的大小方向不随时间变化的叫直流电。工作电流的大小方向随时间变化的叫交流电。手电简是直流电工作方式,家庭白炽灯照明是交流电工作。

16、电压是怎么一回事?

就象水位差会保持水压一样,电位差也会对电荷产生电作用力,电位差也叫做电压。

17、电压的单位取自哪一位科学家的名字?他的主要贡献是什么?

电压的单位取自发明了“伏特电池”的科学家伏特的名字“伏特”,简称“伏”,符号“V”。他的主要贡献是发明了“伏特电池”,为电的利用和研究创造了极其重要的条件。

18、什么是“安全电压”?

对人体而言,大于36V的电压,会有生命危险。故规定小于36V的电压称为安全电压。

19、举例说明日常生活中常遇到的电压数值?

民用交流电的电压为220V;一节干电池的标称为1.5V;一节镍镉充电电池的标称电压一般为1.2V左右;铅蓄电池每组电压约为2V左右。等等。

20、如何用干电池得到更高的电压?

将干电池串联起来可得到1.5V倍乘的电压,如两节电池串联可得到3V电压、3节可得到4.5V ……以此类堆。

21、什么是电源?举例说明。

将其它形式的能量转变为电能的装置叫做电源,如干电池将化学能转化成电能:发电机低压同步发电机将机械能转化成电能;太阳能电池将太阳能转化成电能等等。

22、直流电源可调直流稳定电源WYJ 与交流电源有什么区别?请说明。

提供直流形式的电源称直流电源,提供交流形式的电源称交流电源,民用交流电是交流电源,干电池是直流电源。

23、什么是负载?举例说明。

与电源相反,把电能转化成其它形式能量的装置叫做负载。如电灯将电能转化成光能,电动机将电能转化成机械能等。

24、通常使用的电灯即白炽灯是谁发明的?

美国发明家爱迪生。

25、磁场有什么特性?

磁场总是存在两个极性相反磁力最强的区域,称磁极。磁极分北极(N)和南极(S)两种,其特性是:同极性相斥,异极性相吸。

26、磁场是怎么产生的?

运动的电荷产生磁场,磁现象来源于电荷的运动。

27、第一个揭示电能够产生磁场的科学家是谁?

19世纪二十年代,丹麦物理学家奥斯特第一次向公众演示了通电的导体使磁针产生编转的实验,从而揭示了电与磁之间的密切联系。

28、“指南针”现象说明了什么?

最早由中国人发明的“指南针”,说明了地球存在着一个大磁场。

29、第一个实现“磁生电”的科学家是谁?

英国科学家法拉第1831年实现了“磁生电”的科学实验,并研究发现了电磁感应现象。

30、谁发现了电磁波?

英国科学家麦克斯韦用数学方法总结前人有关电和磁的研究成果时,推算出变化的电磁场,会在其周围空间传播形成电磁波。

31、第一个证实电磁波存在的科学家是谁?他的名字用来表示什么物理单位?

麦克斯韦提出电磁波理论的15年之后,德国青年赫兹研制出一个巧妙的装置,第一次证实了电磁波理论。他的名字用来表示频率的单位。

32、什么是电磁波频率?

单位时间内完成电磁周期变化的次数,称为电磁波频率,其单位是“赫兹”,简称“赫”,符号“Hz”。常用单位还有“KHz”(千赫)、“MHz”(兆赫)。

33、无线电波与可见光本质是否一样?

是的,无线电波与可见光都是电磁波,只是频率不同,无线电波频率较低。无线电波与可见光的传播速度一样。

34、波长与频率是什么关系?

电磁波完成一次电磁周期转化,其传播的距离称为波长。波长等于光速除以频率。频率越高,波长越短。

35、经常听到中波、短波收音机是怎么区别的?

根据频率与波长的对应关系,接收频率在500KHz到1600KHz为中波收音机,接收频率在3MHz 到30MHz之间为短波收音机。

36、率先实现用的无线电通信实验,是哪两位科学家?

意大利人马可尼和俄国人波波夫。马可尼还获得诺贝尔奖。

37、什么是业余无线电通信活动?

业余无线电通信活动做为业余业务划入国际电信条约,是指“不是为了金钱利益,而是专为个人对无线电技术抱有兴趣,并经正当许可者从事自我训练、通信和技术研究的业务”。无偿享受国际电信联盟划归给业余无线电爱好者使用的无线电频率资源,进行电子技术,通信技术和信息处理技术等方面的学习,研究和实践,显著增进参与者在技术、语言、人文和地理等方面的知识才能。

38、什么是电路?电路“三要素”是什么?

电流的通路叫做电路。电路必须是封闭的,即电荷从电源的正极流出,必须能回到电源的负极才能形成电流,因此电路又称电回路。电源、负载和连接它们之间构成回路的导线,是任何一个电路必不可少的要素。

39、电路有几种状态?什么状态是最危险的?

电路有三种状态:一、电路处处相通形成回路。二、电路某处断开形不成回路,叫做开路或断路。三、电路某一部分原来存在电压的两端意外导通,叫做短路。其中短路可能损坏电源装置和元器件,是用危险的状态,必须加以避免。

40、什么是电阻?电阻的单位是用哪位科学家的名字来命名的?他的主要贡献?

电路中对电流通过有阻碍作用并且造成能量损耗的部份叫做电阻。电阻的单位用德国物理学家欧姆的名字来命名。他的主要贡献是通过大量的实验,研究出电压、电流和电阻三个电学量之间的关系,总结出最基本的电路定律——欧姆定律。

41、什么是“欧姆定律”?

导体中的电流和导体两端的电压成正比,和导体的电阻成反比。或者电阻不变时电流随着电压的增大而增大,电压不变时电流随电阻的增大而减小。

42、举例说明什么是串联,什么是并联?假定负载是两个灯泡。

两个灯泡在电路中有两种可能的接法。如果将两个灯泡一个接一个按前后顺序连接,叫做串联。将两个灯泡的两端并排连接在一起叫做并联。

43、两个电阻串联,阻值更大还是最小?并联呢?

串联更大,并联则更小。

44、如何理解“电功”?怎样表示其大小?

不同形式的能量转化过程中可以用“功”来表示其数量关系。电流的能量传递给负载转化成

其它的数量,可以用电功来表示其数量关系。电功等于电量与电压的乘积,其单位常用千瓦时。千瓦时也可用来衡量耗电量,此时,l千瓦时等于消耗l“度”电。

45、1000瓦灯泡亮2个小时,所做的电功为多少?消耗多少度电?

电功2千瓦时,消耗2度电。

46、什么是电功率?

单位时间内所做的电功大小,就是电功率。可以用来衡量同电器转化电功的能力大小。

47、电功率与负载的电压、电流成什么关系?单位是什么?

电功率等于电压与电流的乘积,即成正比关系。单位是瓦特,常用“W”来表示。

48、用万用表测量直流电压对应注意什么?

测量直流电压前电压值选择大于待测电压的直流电压档,不必断开电路,红表笔接高电位端,黑表笔接低电位端。

49、用万用表测量直流电流应注意什么?

测量电流时,须先将待测电路断开,选择大于待测电路电流的直流电流档,使电流从红表笔流入电表,从黑表笔流出电表。

50.怎样使用指针式万用表测量电阻?

尽量选择指针指向中部的欧姆档,测试前应调零,并注意切勿用手指触碰待测电阻或表笔的两端。

完整版电子技术基础课程标准

电子技术基础课程标准 [ 课程名称] 《电子技术基础》 [ 适用专业] 中等职业学校电工电子专业 [ 课程性质] 本课程是中等职业学校电工电子专业应用性很强的的一门基础必修课程,贯彻以培养学生实践技能为重点,基础理论与实际应用相结合的指导思想。主要内容分为两类:第一类为模拟电子技术。第二类为数字电子技术。在教学中要根据中职学生的知识基础及就业岗位需求组织教学内容,注重理论与实践相结合,从而提高学生分析问题及解决问题的能力,增强学生适应职业变化的能力,为继续学习打下基础。 [ 课程目标] 1、知识目标与技能目标 通过本课程的学习,使学生掌握电子技术各种基本功能电路的组成、基本工作原理、性能特点,熟悉电子技术工艺技能和电子仪器的正确使用方法,初步具有查阅电子元器件手册,正确使用元器件的能力、读识常见电子线路图的能力、测试常用电路功能及排除故障的能力。能复述逻辑门电路的功能,并能利用逻辑门电路设计简单的组合逻辑电路,并能分析简单时序逻辑电路的功能。为后续课程学习准备必要的知识,为今后从事实际

工作打下必要的基础。 2、过程与方法学会理论联系实际,使课内与课外实验,科技活动紧密结合,提高学生学习兴趣,增强掌握运用所学理论知识解决相关专业领域实际问题的能力。 充分利用实验设备,加大实验比重,使学生动手能力明显提高。培养学生查阅科技资料的能力。 3、情感态度与价值观参与科技活动的热情,勇于探究与日常生活有关 的电学问题;享受快乐的学习过程及学习成果,养成持之以恒的学习精神;形成主动与他人合作的精神,具有团队精神;关心国内外科技发展现状与趋势,有强烈的使命感与责任感。 [ 课程基本理念] 注重以人为本的教学理念,培养学生个性发展;以理论与实验相结合,充分体会有关电子基础知识的重要性;注重学科渗透,关注科技发展,有机结合时代的新产品;创造团结协作的氛围,提倡学习方式的多样化;从分析解决实际问题,提高学生应知能力;建立学习结果与学习过程并重的评价机制。 [ 课程内容和要求] 序 教学内容课程内容与要求考核要求 号 1 晶体二极1 、熟悉二极管器1. 半导体的概念;二极管的单

《电子技术基础》正式教案

电 子 技 术 基 础 教 案 §1-1 半导体的基础知识

目的与要求 1. 了解半导体的导电本质, 2. 理解N型半导体和P型半导体的概念 3. 掌握PN结的单向导电性 重点与难点 重点 1.N型半导体和P型半导体 2. PN结的单向导电性 难点 1.半导体的导电本质 2.PN结的形成 教学方法 讲授法,列举法,启发法 教具 二极管,三角尺 小结 半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。在半导体中,如果载流子浓度分布不均匀,因为浓度差,载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动,这种运动称为扩散运动。 多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动 PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态,外加反向电压时处于截止状态。 布置作业 1.什么叫N型半导体和P型半导体 第一章常用半导体器件 §1-1 半导体的基础知识 自然界中的物质,按其导电能力可分为三大类:导体、半导体和绝缘体。 半导体的特点: ①热敏性 ②光敏性 ③掺杂性 导体和绝缘体的导电原理:了解简介。

一、半导体的导电特性 半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质,如硅(Si)、锗(Ge)。硅和锗是4价元素,原子的最外层轨道上有4个价电子。 1.热激发产生自由电子和空穴 每个原子周围有四个相邻的原子,原子之间通过共价键紧密结合在一起。两个相邻原子共用一对电子。室温下,由于热运动少数价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子,同时在共价键中留下一个空位这个空位称为空穴。失去价电子的原子成为正离子,就好象空穴带正电荷一样。 在电子技术中,将空穴看成带正电荷的载流子。 2.空穴的运动(与自由电子的运动不同) 有了空穴,邻近共价键中的价电子很容易过来填补这个空穴,这样空穴便转移到邻近共价键中。新的空穴又会被邻近的价电子填补。带负电荷的价电子依次填补空穴的运动,从效果上看,相当于带正电荷的空穴作相反方向的运动。 3.结论 (1)半导体中存在两种载流子,一种是带负电的自由电子,另一种是带正电的空穴,它们都可以运载电荷形成电流。 (2)本征半导体中,自由电子和空穴相伴产生,数目相同。 (3)一定温度下,本征半导体中电子空穴对的产生与复合相对平衡,电子空穴对的数目相对稳定。 (4)温度升高,激发的电子空穴对数目增加,半导体的导电能力增强。 空穴的出现是半导体导电区别导体导电的一个主要特征。 二、N型半导体和P型半导体 本征半导体 完全纯净的、结构完整的半导体材料称为本征半导体。 杂质半导体 在本征半导体中加入微量杂质,可使其导电性能显著改变。根据掺入杂质的性质不同,杂质半导体分为两类:电子型(N型)半导体和空穴型(P型)半导体。 1. N型半导体 在硅(或锗)半导体晶体中,掺入微量的五价元素,如磷(P)、砷(As)等,则构成N型半导体。 在纯净半导体硅或锗中掺入磷、砷等5价元素,由于这类元素的原子最外层有5个价电子,故在构成的共价键结构中,由于存在多余的价电子而产生大量自由电子,这种半导体主要靠自由电子导电,称为电子半导体或N型半导体,其中自由电子为多数载流子,热激发形成的空穴

模电基础知识

一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电 极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/F )。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于 1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy )1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。

电子技术基础习题带答案

【理论测验】 一、单项选择题: 1.不属于对助焊剂的要求的是(C ) A、常温下必须稳定,熔点应低于焊料 B、在焊接过程中具有较高的活化性,较低的表面张力,粘度和比重应小于焊料 C、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用,焊接后的残留物难清洗 D、不产生有刺激性的气味和有害气体,熔化时不产生飞溅或飞沫 2.松香酒精溶液的松香和酒精的比例为(B ) A、1:3 B、3:1 C、任何比例均可 3.烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头,使用寿命长的烙铁头是( A ) A、合金头 B、纯铜头 4.焊接一般电容器时,应选用的电烙铁是( A ) A、20W内热式 B、35W内热式 C、60W外热式 D、100W外热式5.150W外热式电烙铁采用的握法是( B ) A、正握法 B、反握法 C、握笔法 6.印刷电路板的装焊顺序正确的是(C ) A、二极管、三极管、电阻器、电容器、集成电路、大功率管,其它元器件是先小后大。 B、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管,其它元器件是先大后小。 C、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管,其它元器件是先小后大。 D、电阻器、二极管、三极管、电容器、集成电路、大功率管,其它元器件是先大后小。7.在更换元器件时就需要拆焊,属于拆焊用的工具的是(A ) A、电烙铁、铜纺织线、镊子 B、电烙铁、铜纺织线、螺丝刀 C、电烙铁、镊子、螺丝刀 D、铜纺织线、镊子、螺丝刀 二、多项选择题 1.焊点出现弯曲的尖角是由于(AB ) A、焊接时间过长,烙铁撤离方向不当 B、焊剂太多,烙铁撤离方向不当 C、电烙铁功率太大造成的 D、电烙铁功率太小造成的 2.焊接一只低频小功率三极管应选用的电烙铁是(A ) A、20W内热式 B、35W内热式 C、50W外热式 D、75W外热式 3.75W外热式电烙铁(B ) A、一般做成直头,使用时采用握笔法 B、一般做成弯头,使用时采用正握法 C、一般做成弯头,使用时采用反握法 D、一般做成直头,使用时采用正握法4.下列电烙铁适合用反握法的是( D ) A、20W B、35W C、60W D、150W 5.20W内热式电烙铁主要用于焊接( D ) A、8W以上电阻 B、大电解电容器 C、集成电路 D、以上答案都不对6.焊点表面粗糙不光滑( B ) A、电烙铁功率太大或焊接时间过长 B、电烙铁功率太小或焊丝撤离过早 C、焊剂太多造成的 D、焊剂太少造成的 7.电烙铁“烧死”是指( C ) A、烙铁头不再发热 B、烙铁头粘锡量很多,温度很高 C、烙铁头氧化发黑,烙铁不再粘锡 D、烙铁头内电热丝烧断,不再发热

(完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴 ( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V 阳

模电知识总结

第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7.PN结

*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 ?直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

《电子技术基础》二极管的基础知识

课题:晶体二极管 教学目标: 知识目标:1、掌握晶体二极管的构成、符号 2、掌握晶体二极管的导电特性 3、分析使用二极管时的主要参数及伏安特性 能力目标:1、培养学生分析、探究问题的能力 2、培养学生灵活运用知识的能力 3、培养学生的动手和实践能力 情感目标:使学生在学习过程中,获得知识的同时进一步激发学生学习的动机和兴趣 教学重点:晶体二极管的构成、符号、导电特性及伏安特性的分析 教学难点:1、伏安特性分析。 2、几个参数的记忆及区分。 教学方法:启发、引导、观察、讨论、讲解、实验结合 课时安排: 2课时 (教学用具:多媒体课件,实验用器材) 教学过程: 新课导入:提出学习目标,复习提问导入新课 1、什么是半导体?常见的的半导体材料有哪几种? 2、半导体根据内部载流子的不同分为哪几种? 新课讲授: 一、二极管的结构和符号 (一)结构 在本征半导体上利用特殊工艺分别渗入硼元素和磷元素加工出P型半导体和N型半导体,在P型和N型半导体的结合部位形成一个特殊的结构,即PN结,PN结是构成各种半导体器件的基础。 在P区和N区两侧各接上电极引线,并将其封装在密封的壳体中,即构成半导体二极管,如图。接在P区的引线称为阳极(正极)用a表示,接在N区的引线称为阴极或负极,用k表示。 二极管的核心即是一个PN结。 (二)符号 电子技术中的元件在电路图中都是用符号来表示的,如电阻用什么符号表示? 二极管的符号如下图: 图中三角箭头代表二极管正向导电时电流的方向。

(三)分类 1、二极管根据所用半导体材料不同分为锗管和硅管。 2、根据内部结构不同可分为点接触型和面接触型。点接触型主要用于高频小电流场合如:检波、混频、小电流整流。面接触型主要用于低频大电流场合如:大电流整流。 知识拓展 认识常见的几种二极管:小功率二极管、大功率二极管、贴片二极管、发光二极管等。 要求:学生课后利用网络查找更多形式的二极管。 二、二极管的导电特性 通过实验来探究学习二极管的导电特性,在做实验之前首先了解一下实验所用的元件 (一)认识元件 认识实验中使用的元件:电池、电阻、开关、二极管、指示灯。 (二)实验一 实验电路如下图:讲解电路构成。 请实验小组说明指示灯情况,说明了什么? 结论:指示灯亮,说明二极管导通,称为导通状态。 二极管导通时,其阳极电位高于阴极电位,此时的外加电压称为正向电压,二极管处于正向偏置状态,简称“正偏”。 (三)实验二 实验电路如下图:讲解电路构成。 请实验小组说明指示灯情况,说明了什么? 结论:灯泡不亮,说明二极管不导通,称为截止状态

模拟电路基础知识大全

模拟电路基础知识大全 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。

电子技术基础知识讲解学习

1.2电子技术基础知识 一、填空 1、电容器的主要技术指标有Vmax、标称电容值、和允许误差范围四只200μF/50V的电容器串联,等效电容量为50μF。 2、三极管的极限参数有Pcm、Icm、BVceo。(集电极、发射极、击穿电压) 3、有一个稳压二极管稳压电路,焊接后挑食时发现其稳压输出端只有0.7伏的电压,经检查元件是好的,出现这种故障的原因是接反。 4、稳压管工作在反向击穿区,稳压管接入电路时,阴极应接电压的正极,阳极接负极,反映稳压管性能的参数时动态电阻。 6、晶闸管三个电极的名称是阳极、阴极和门极。 7、在晶体管放大电路中,反馈信号取自于输出电压,这种反馈叫做电压反馈。 8、三极管放大电路设置静态工作点的目的是获得最大不失真输出。 9、场效应管是通过改变栅源电压来改变漏极电流的,所以它是一个电压控制器件;根据结构的不同,场效应管可分为结型和绝缘栅型两种类型。 10、把集成运放接成负反馈组态是集成运放线性应用的必要条件。而在开环或正反馈时,集成运放工作在非线性工作状态。 11、已知某深度负反馈电路A Ud=100,F=0.1,则A Uf=9。 12、正弦波振荡电路一般由基本放大电路、反馈电路、选频网络和稳压电路等四个环节组成,而且缺一不可。 13、若采用市电供电,则通过变压、整流、滤波和稳压后可得到稳定的直流电。 14、理想运算放大器的开环放大倍数A od为∞,输入阻抗为∞,输出阻抗R od为0,共模抑制比K CMR为∞,频带宽度BW为∞。 15、串联型稳压电源电路包括调整输出、比较放大、采样和基准电位四个环节。 16、一个10位的DAC,输出电压满量程为10V,则它的分辨率为1/(210-1),能分辨的最小电压值为10/210V。 17、TTL电路多余管脚可以悬空,CMOS电路则不能悬空。 18、三极管放大器有共集、共射和共基三种基本组态。 19、多级放大器的级间耦合方式一般有直接耦合、光电耦合和变压器耦合三种。 20、为了抑制直流放大器中的零点漂移,最常采用的方法是差放、温度孔径和负反馈等措施。 21、集成运放按输入方式的不同可分为反相输入、同相输入和差放输入三种形式。 22、运算放大器是一种高增益的多级放大器,其输入级一般采用差分输入,输出级一般采用跟随。 23、RC电路最主要的应用包括耦合、微分和积分三种。 24、最基本的逻辑关系有与门、非门、或门三种。 25、七段数码显示器通常分为共阳和共阴。

模电知识总结

第一部分半导体的基本知识二极管、三极管的结构、特性及主要参数;掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。 1、导体导电和本征半导体导电的区别:导体导电只有一种载流子:自由电子导电半导体 导电有两种载流子:自由电子和空穴均参与导电自由电子和空穴成对出现,数目相等,所带 电荷极性不同,故运动方向相反。 2、本征半导体的导电性很差,但与环境温度密切相关。 3、杂质半导体 (1) N型半导体一一掺入五价元素(2) P型半导体一一掺入三价元素 4、PN 结——P 型半导体和N 型半导体的交界面

5、PN结的单向导电性——外加电压 輕qo 0£) 00 GO e?;①乜QQ 05 ① <5 ffi ? <9 0?① Q O ? GT? G) 耗尽层' F 阿—H NS 禺〕16 P+蜡如正向电压时导逓 在交界面处两种载流子的浓度差很大;空间电荷区又称为耗尽层 反向电压超过一 定值时,就会反 向击穿,称之为 反向击穿电压

正向偏置反向偏置 6、二极管的结构、特性及主要参数 (1) P区引出的电极一一阳极;N区引出的电极一一阴极 温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,反向特性曲线 下移。二极管的特性对温度很敏感。 其中,Is为反向电流,Uon为开启电压,硅的开启电压一一0.5V,导通电压为0.6~0.8V,反向饱和电 流<0.1叭,锗的开启电压一一0.1V,导通电压为0.1~0.3V,反向饱和电流几十[A。 (2 )主要参数 1)最大整流电流I :最大正向平均电流 2)最高反向工作电流U :允许 外加的最大反向电流,通常为击穿电压U的一半 3)反向电流I:二极管未击穿时的反向电流,其值越小,二极管的单向导电性越好,对 温度越敏感 4)最高工作频率f :二极管工作的上限频率,超过此值二极管不能很好的体现单向导电性 7、稳压二极管 在反向击穿时在一定的电流范围内(或在一定的功率耗损范围内) ,端电压几乎不变,表现出稳压特 性,广泛应用于稳压电源和限幅电路中。 (1) 稳压管的伏安特性 W(b| 用L2.1U意压诊的伏安埒性和裁效电路 M试疋特性Cb}时号恳竽故审.歸

电子技术基础(含答案).docx

精品文档《电子技术基础》课程习题集 西南科技大学成人、网络教育学院版权所有 习题 【说明】:本课程《电子技术基础》(编号为 08001)共有单选题 , 简答题 , 计算 题 1, 作图题 1, 作图题 2, 计算题 2, 分析题 , 化简题等多种试题类型,其中,本 习题集中有 [ 计算题 2, 作图题 2] 等试题类型未进入。 一、单选题 1.测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是U =1.2V ,U =0.5V ,U =3V,该三极管处在() B E C 状态。 A. 击穿 B.截止 C.放大 D.饱和 2.二极管的主要特性是()。 A. 放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 3.在 N 型半导体中()。 A. 只有自由电子 B. 只有空穴 C.有空穴也有电子 D. 没有空穴也没有自由电子 4.三极管的两个PN结都正偏,则晶体三极管的状态是()。 A. 放大 B.饱和 C.截止 D.倒置 5.工作在放大状态的某三极管,当输入电流 I B=10μA时,I C=1mA;而 I B=20μA时,I C=1.8mA, 则该三极管的交流电流放大系数为()。 A.50 B.80 C.100 D.180 6.稳压管的稳压是其工作在()。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿区 D.正向死区 7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、 -10V和 -9.3V,则该管为()。 A.NPN硅管 B.NPN锗管 C.PNP硅管 D.PNP锗管 8.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。 A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷 9.测得 NPN型硅三极管三个电极电位分别 为:U B=2.8V , U E=2.1V , U C= 3.6V ,则该管处于 ()状态。

模电基础知识教程

模电基础教程 01单元半导体器件基础 半导体的导电特性 导体、绝缘体和半导体 本征半导体的导电特性 杂质半导体的导电特性 PN结 晶体二极管 二极管的结构与伏安特性 半导体二极管的主要参数 半导体二极管的等效电路与开关特性 稳压二极管 晶体三极管 三极管的结构与分类 三极管内部载流子的运动规律、电流分配关系和放大作用 三极管的特性曲线 三极管的主要参数 三极管的开关特性 场效应管 结型场效应管 绝缘栅型场效应管 特殊半导体器件 发光二极管 基本放大电路的工作原理 基本放大电路的组成 直流通路与静态工作点 交流通路与放大原理 放大电路的性能指标

放大电路的图解分析法 放大电路的静态图解分析 放大电路的动态图解分析 输出电压的最大幅度与非线性失真分析 微变等效电路分析法 晶体管的h参数 晶体管的微变等效电路 用微变等效电路法分析放大电路 静态工作点的稳定 温度变化对静态工作点的影响 工作点稳定的电路 场效应管放大电路 场效应管放大电路的静态分析 多级放大电路 多级放大电路的级间耦合方式 多级放大电路的分析方法 放大电路的频率特性 单级阻容耦合放大电路的频率特性 多级阻容耦合放大电路的频率特性 03单元负反馈放大电路反馈的基本概念和分类 反馈的基本概念和一般表达式 反馈放大电路的类型与判断 负反馈放大电路基本类型举例 电压串联负反馈放大电路 电流并联负反馈放大电路 电流串联负反馈放大电路 电压并联负反馈放大电路 负反馈对放大电路性能的影响 降低放大倍数 提高放大倍数的稳定性

展宽通频带 减小非线性失真 改变输入电阻和输出电阻 负反馈放大电路的分析方法 深度负反馈放大电路的近似计算 *方框图法分析负反馈放大电路 04单元功率放大器功率放大电路的基本知识 概述 甲类单管功率放大电路 互补对称功率放大电路 OCL类互补放大电路 OTL甲乙类互补对称电路 复合互补对称电路 05单元直接耦合放大电路 概述 直接耦合放大电路中的零点漂移 基本差动放大电路的分析 基本差动放大电路 基本差动放大电路抑制零点漂移的原理 基本差动放大电路的静态分析 基本差动放大电路的动态分析 差动放大电路的改进 06单元集成运算放大器集成电路基础知识 集成电路的特点 集成电路恒流源 有源负载的基本概念 集成运放的典型电路及参数 典型集成运放F007电路简介 集成运放的主要技术参数

模拟电子技术基础知识讲解

常用半导体器件 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(√)(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(×) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。(×) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。(×) (5)若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,则其输入电阻会明显变小。(√) 二、选择正确答案填入空内。 (1)PN结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏(4)U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 (5)在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体,加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 (6)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 (7)工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图T1.4

电子技术入门之维修基础知识

电子技术入门之维修基础知识 一、电容篇 1、电容在电路中一般用“C加”数字表示(如C25 表示编号为25 的电容)。电容是由两 片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。 电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关。 容抗XC=1/2πf c (f 表示交流信号的频率, C 表示电容容量) 电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶 电容等。 2 、识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法 3 种。电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF )、微法(uF )、纳法(nF )、皮法(pF )。其中: 1 法拉=103 毫法=106 微法=109 纳法=1012 皮法 容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10 uF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示 6 字母表示法:1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字表示法:一般用三位数字表示容量大小,前两位表示有效数字,第三位数字是倍率。 如:102 表示10×102PF=1000PF 224 表示22×104PF=0.22 uF 3 、电容容量误差表 符号 F G J K L M 允许误差±1%±2%±5%±10% ±15% ±20% 如:一瓷片电容为104J 表示容量为0. 1 uF 、误差为±5%。

4、故障特点 在实际维修中,电容器的故障主要表现为: (1)引脚腐蚀致断的开路故障。 (2)脱焊和虚焊的开路故障。 (3)漏液后造成容量小或开路故障。 (4)漏电、严重漏电和击穿故障。 二、二极管 晶体二极管在电路中常用“D加”数字表示,如:D5 表示编号为 5 的二极管。 1、作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性,无绳电话机中常 把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。 电话机里使用的晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如1N4004 )、隔离二极管(如 1N4148 )、肖特基二极管(如BAT85 )、发光二极管、稳压二极管等。 2 、识别方法:二极管的识别很简单,小功率二极管的N 极(负极),在二极管外表大多 采用一种色圈标出来,有些二极管也用二极管专用符号来表示P 极(正极)或N 极(负极), 来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识 也有采用符号标志为“P、”“N” 别,长脚为正,短脚为负。 3 、测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二 极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚 好相反。 稳压二极管

模电基础知识

模拟电路基础 复习资料 一、填空题 1.在P 型半导体中,多数载流子是( 空隙 ),而少数载流子是( 自由电子 )。 2.在N 型半导体中,多数载流子是( 电子 ),而少数载流子是( 空隙 )。 3.当PN 结反向偏置时,电源的正极应接( N )区,电源的负极应接( P )区。 4.当PN 结正向偏置时,电源的正极应接( P )区,电源的负极应接( N )区。 4.1、完全纯净的具有晶体结构完整的半导体称为 本征半导体 ,当掺入五价微量元素便形成 N 型半导体 ,其电子为 多数载流子,空穴为 少数载流子 。当掺入三价微量元素便形成 P 型半导体 ,其 空穴为多子 ,而 电子为少子 。 4.2、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的,而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。 4.3、二极管有一个PN 结,它具有单向导电性,它的主要特性有:掺杂性、热敏性、光敏性。可作开关、整流、限幅等用途。硅二极管的死区电压约为0.5V ,导通压降约为0.7V ,锗二极管的死区电压约为0.1V 、导通压降约为0.2V 。 5、三极管具有三个区:放大区、截止区、饱和区,所以三极管工作有三种状态:工作状态、饱和状态、截止状态,作放大用时,应工作在放大状态,作开关用时,应工作在截止、饱和状态。 5.1、三极管具有二个结:即发射结和集电结。饱和时:两个结都应正偏;截止时:两个结都应反偏。 放大时:发射结应( 正向 )偏置,集电结应( 反向 )偏置。 5.2、三极管放大电路主要有三种组态,分别是: 共基极电路、共集电极电路、共发射极电路。共射放大电路无电压放大作用,但可放大电流。共基极放大电路具有电压放大作用,没有倒相作用。且共基接法的输入电阻比共射接法低. 5.3、共射电极放大电路又称射极输出器或电压跟随器,其主要特点是电压放大倍数小于近似于1、输入电阻很大、输出电阻很小。 5.4单管共射放大电路中,1.交直流并存,2.有电压放大作用,3.有倒相作用。 5.5微变等效电路法适用条件:微小交流工作信号、 三极管工作在线性区。 5.6图解法优点: 1. 即能分析静态, 也能分析动态工作情况;2. 直观 形象;3. 适合分析工作在大信号状态下的放大电路。缺点: 1. 特性曲线存在误差;2. 作图麻烦,易带来误差; 3. 无法分析复杂电路和高频小工作信号。 5.7微变等效电路法 优点:1.简单方便;2.适用于分析任何基本工作在线性范围的简单或复杂的电路。 缺点:1.只能解决交流分量的计算问题; 2. 不能分析非线性失真;3. 不能分析最大输出幅度 。 6.根据理论分析,PN 结的伏安特性为)1(-=T U U S e I I ,其中S I 被称为( 反向饱和 ) 电流,在室温下T U 约等于( 26mV )。 7.BJT 管的集电极、基极和发射极分别与JFET 的三个电极( 漏极 )、( 栅极 )和( 源极 )与之对应。 7.1.场效应管是电压控制元件,三极管是电流控制元件。 场效应管输入电阻非常高,三极管输入电阻较小。场效应管噪声小,受外界温度及辐射的影响小, 存在零温度系数工作点。场效应管的制造工艺简单, 便于集成。存放时,栅极与源极应短接在一起。 焊接时,烙铁外壳应接地。 7.2共漏极放大电路又称源极输出器或源极跟随器。 7.3多级放大电路的耦合方式:阻容耦合,优点:各级 Q 点相互独立,便于分析、设计和调试。缺点: 不易放大低频信号无法集成。直接耦合,优点:可放大交流和直流信号;便于集成。缺点: 各级Q 点相互影响;零点漂移较严重。变压器耦合,优点:有阻抗变换作用,各级静态工作点互不影响。缺点:不能放大直流及缓慢变化信号; 笨重;不易集成。

模拟电路基础知识大全

一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。 6、晶体三极管具有放大作用时,发射结(正偏),集电结(反偏)。 7、三极管放大电路共有三种组态()、()、()放大电路。

数字电子技术基础第五版期末知识点总结

数电课程各章重点 第一、二章逻辑代数基础知识要点各种进制间的转换,逻辑函数的化简。 一、二进制、十进制、十六进制数之间的转换;二进制数的原码、 码和补码.8421 码 二、逻辑代数的三种基本运算以及5种复合运算的图形符号、 和真值表:与、或、非 三、逻辑代数的基本公式和常用公式、基本规则 逻辑代数的基本公式 逻辑代数常用公式: 吸收律:A ? AB二A 消去律:A A B AB AB A 多余项定律:AB AC B^ AB AC 反演 定律:忑二A B A B二九B AB AB A B 基本规则:反演规则和对偶规则,例1-5 四、逻辑函数的三种表示方法及其互相转换 逻辑函数的三种表示方法为:真值表、函数式、逻辑图会从这三种中任一种推出其它二种,详见例1-7 五、逻辑函数的最小项表示法:最小项的性质;例1-8 六、逻辑函数的化简:要求按步骤解答 1、利用公式法对逻辑函数进行化简反 表达式

2、 利用卡诺图对逻辑函数化简 3、 具有约束条件的逻辑函数化简 =B AD C BD =B 亠D 亠AD 亠C =B 亠D 亠C 例1.2 利用卡诺图化简逻辑函数 约束条件为a m (0、、、2、4、8) 解:函数Y 的卡诺图如下: 第三章 门电路知识要点 各种门的符号,逻辑功能。 一、 三极管开、关状态 1、 饱和、截止条件:截止:V be 5,饱和:i B I BS 」 2、 反相器饱和、截止判断 二、 基本门电路及其逻辑符号 与门、或非门、非门、与非门、 0C 门、三态门、异或; 解: F (ABCD ) = ABC AB AD C BD 例1.1 利用公式法化简 F(ABCD)二ABC AB AD C BD =AB AB AD C BD (ABC C = AB C) (AB AB =B) (B BD D) (D 入D =D) Y(ABCD)八 m(356、7、

2016《电子技术工艺基础》考试试题

《电子技术工艺基础》考试试题 (考试时间:60分钟,满分100分) 学号__________ 姓名__________ 班级___________ 评分__________ 一、填空题(每空1分,共50分) 1、各代电子组装工艺中的技术:手工装联焊接技术、通孔插装技术、表面组装技术、微组装技术。 2、1904年,弗莱明发明了第一只电子二极管(真空二极管) 标志着世界从此进入了电子时代;1947年,Bell实验室肖克利发明第一只晶体管(点接触三极管) ;1958年,TI基尔比研制成功第一块数字IC ,宣布电子工业进入了集成电路时代。 3、皮肤干燥时,人体电阻可呈现100kΩ以上,一旦潮湿,电阻可降到1kΩ一下。 4、下列logo代表什么 A:B:C: A、中国强制认证(China Compulsory Certification,CCC) B、国际标准化组织(International Organization for Standardization,ISO) C、国际电信联盟(International Telecommunication Union,ITU) 5、电烙铁的握法如图 (a) 反握法(b) 正握法(c) 握笔法 6、下列英文缩写名词对应的中文,ASIC:专用集成电路,FPGA:现场可编程逻辑门阵列,SoC:片上系统,DFM:可制造性设计,DFX:最优化设计。 7、CPLD/FPGA芯片设计流程:设计输入、设计编译、综合优化、仿真校验、测试下载。 8、列举三个敏感电阻:光敏电阻、热敏电阻、压敏电阻。

11、IC引脚的形状主要有:针式引脚、J形引脚、L形引脚、球状引脚。 12、IC产业链上、中、下游分别对应:IC设计、IC制造、IC封装和测试。 13、芯片按使用领域可分为军用品、工业用品、民用/商用品三大类。 14、电容器的国际单位是法/法拉(F),其中1F= 1012PF,电阻器的国际单位是欧姆(Ω),其中1MΩ= 103KΩ,电感器的国际单位是亨(H),其中1mH= 10-3 H 15、直热式电烙铁的分为内热式、外热式。 16、半导体二极管按其所使用的材料可分为硅管和锗管两类。 17、半导体二极管实质上就是一个PN 结,它具有的特性是单向导电性。 18、电阻器的标识方法有直标法、文字符号法、色标法和数码表示法。 19、集成电路最常用的封装材料有塑料、陶瓷、金属三种,其中使用最多的封装形式是塑料封装。 20、电阻器通常称为电阻,在电路中起分压、分流和限流等作用,是一种应用非常广泛的电子元件。 21、电阻值在规定范围内可连续调节的电阻器称为可变电阻器(电位器)。 22、电阻器的主要技术参数有标称阻值、允许偏差、额定功率、温度系数。 23、电容器在电子电路中起到耦合、滤波、隔直流和调谐等作用。 24、电容器的主要技术参数有标称容量、额定电压、绝缘电阻、允许偏差、温度系数。 25、波峰焊的工艺流程为__焊前准备、涂敷焊剂、预热、波峰焊接、冷却、清洗。 99、电容器型号命名由四个字母数字等四部分构成(例如CC23),这四部分依次代表:电容、介质材料、外形结构、产品序号。 二、判断题(每小题1分,共10分) 1、电感品质因数Q越高,损耗功率越大,电路效率越高。(√) 2、U盘中的Flash存储器芯片属于ROM。(×)

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