新型显示器件
新型电子全息显示器件及其驱动技术研究

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维普资讯
当前 铁 电薄 膜应 用研 究 中最 吸 引 人 的是 铁 电薄 膜 在 光 电 子 学 和集 成 光 学 中 的应 用 ] 。随 着 现 代
信息技术的发展 , 急切期盼高速、 大容量、 实时或准实时的光电子信息处理系统 , 这种信息处理将电子学 技术 和光 学技 术 紧密 结合 , 而 能克 服 全 光 学 系 统 或 全 电子 学 系统 的缺 陷 。铁 电 薄膜 除 具有 铁 电 、 从 介
电、 电、 压 热释 电性 质外 , 还具 有重要 的 电光 特性 , 括 电光效 应 、 包 非线 性光 学效 应 、 光折 变 效应 等 。这些
特性使铁电薄膜成为在光电子学和集成光学 中应用 的重要候选材料 。 目前在光阀、 光开关 、 光谱滤色
不 同 的是 , 电子 全 息显 示器 可 以实 时改写 , 再 现 的二 维全 息 图像 可 以随着 电子全 息 显示 器所 显示 的全 则 息 干涉 图像 的变化 而实 时 变化 。这 种方 法 可实 现 二维 全 息实 物 图像 再 现 , 存取 / 出时 间短 , 储 量大 , 读 存
新 型 电子全 息 显 示 器 件 及 其 驱 动 技 术 研 究
黄海 山
( 漳州城市 职业 学院 信 息技 术系 , 福建 漳州 [ 摘 33 0 ) 6 00
要 ] 阐述 了电子全息显 示器件 所用 的铁 电材 料的 电光特性及 器件结构 , 鉴其驱 动技 术 , 借 并针 对
本 器件 高分 辨率的特性 , 出了一种适合 电子 全息显 示器件 的驱动技术——分 区分块 的驱 动方法。 提 [ 关键 词 ] 铁 电 ; 电子 全息 ; 驱动 电路
LED显示屏关键技术指标

LED显示屏关键技术指标LED显示屏是一种新型的平面显示器件,广泛应用于室内外广告牌、舞台背景、体育场馆、电子商务展示、交通信息发布等领域。
为了满足各种不同应用场景的需要,LED显示屏的关键技术指标有很多,下面将从像素密度、亮度、色彩表现、灰度等几个方面进行详细介绍。
第三,色彩表现:色彩表现是指显示屏能够呈现的颜色范围。
较广的色彩表现范围可以使得显示内容更加丰富多彩,更加真实准确。
目前常见的LED显示屏色彩表现标准是sRGB色彩空间,可以覆盖大部分可见光谱范围。
第四,灰度:灰度是指显示屏能够表现的不同亮度层次的数量,决定了显示屏在表现细节和屏幕过渡效果等方面的能力。
较高的灰度可以使得显示内容更加细腻,色彩过渡更加自然。
一般来说,LED显示屏的灰度需要在8-14位之间,高端产品甚至可以达到16位。
第六,可视角度:可视角度是指观察者能够正常看到显示内容的范围,决定了显示屏的视觉效果。
较大的可视角度可以保证大范围内的观众都能够看到屏幕上的内容。
一般来说,LED显示屏的可视角度要求在160度以上,高端产品可以达到178度甚至更高。
第七,色温和色调调节:色温和色调调节是指能够根据需要调节显示屏的颜色温度和色调,以适应不同的场景需求。
可以根据具体情况选择冷暖色温,以及调整红、绿、蓝通道的色调比例,使得显示效果更加符合实际需求。
综上所述,LED显示屏的关键技术指标包括像素密度、亮度、色彩表现、灰度、刷新率、可视角度以及色温和色调调节等。
这些指标的选择和配置需要根据具体应用场景的需求来确定,以确保LED显示屏能够有最佳的展示效果。
户内新型高密度LED显示器件及显示屏的研究

文 章 编 号 :0 6 6 6 (0 2 0 — 2 9 0 10 — 2 8 2 器 件 及 E D显 显 示屏 的研 究
周 伯 平 。 生 祥 姬
ZHO U Bo pn , I e g xa g - ig J Sh n - in
( hi h a gJ g u l t n o, t.S i z u n e e 0 0 1 , hn ) S i z u n i h aE c o .L , hi h a gH b i 5 0 C i j a n er C d j a 1 a
Ab ta t h h rc e f it g a e i ut h s t e c a a t r t f ih d n i ,s o t s rc :T e c a a t ro n e r t d cr i a h h r c e i i o hg e st c sc y h r
c n i p o e t e r l bly o lc r nc e up e t a d f xbly a m r v h ei i f ee to i q im n n l ii ,a d i e f r a c i a i t e i t n t p r m n e s s o b te h n dvso o p n n s Usn n e rt d w a fp o u t E ds l e ie e t rt a iiin c m o e t . ig it g a e y o r d ci a L D ipa d vc , on y t e m e a h l p c a ig t c n lg ,s le h n e r t o ue a d s a ig pth a . h t l el a k gn e h oo y ov s t e it g a i m d l n o kn i e t s on
柔性oled工艺流程

柔性oled工艺流程柔性OLED(Organic Light-Emitting Diode)是一种新型的显示技术,具有薄、轻、柔性等特点,可以应用于可弯曲和可折叠的显示设备上。
柔性OLED的制程工艺相对于传统液晶显示器来说更为复杂和严格。
本文将简介柔性OLED的制程流程。
首先,柔性OLED的制程流程可以分为基底制备、有机光电器件制备和封装三个主要过程。
其中,基底制备包括基底材料的选择和准备工作,有机光电器件制备包括有机发光层和电子传输层的制备工序,封装则是将制备好的器件进行封装保护。
基底制备是柔性OLED制程的第一步,基底材料通常选择透明、柔性和耐高温等特点的材料,如聚酯薄膜。
首先,将基底通过机械和化学方法进行清洗,去除表面的杂质和污垢。
然后,进行表面处理,使表面具有一定的粗糙度,以增加后续工序的附着力。
最后,通过真空沉积或其他方法在基底上形成导电层,如ITO(Indium Tin Oxide)。
有机光电器件制备是柔性OLED制程的核心过程。
首先,在导电层上形成电子传输层和空穴传输层。
电子传输层通常采用长寿命的无机材料,如镓钌合金;空穴传输层则采用有机材料,如PEDOT:PSS(聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚对苯二甲酸乙二醇酯)。
然后,在两个传输层之间形成发光层,发光层通常由有机小分子或聚合物材料组成,不同的材料可以产生不同的颜色。
最后,在顶部形成电子注入层和空穴注入层,以帮助电子和空穴在器件内部进行注入和输运。
封装是柔性OLED制程的最后一步,其目的是保护制备好的有机光电器件,防止其受到空气、湿气和尘埃等环境因素的损害。
封装工艺可以分为有机封装和无机封装两类。
有机封装是将有机材料(如聚合物、树脂)涂覆在器件上,并使用粘合剂将封装材料粘贴在基底上。
无机封装是将玻璃等无机材料直接粘贴在器件上。
封装完成后,需要通过真空以及其他方法去除气泡和杂质,保证封装层的质量。
总之,柔性OLED的制程流程包括基底制备、有机光电器件制备和封装三个主要过程。
tft器件的4种结构

tft器件的4种结构
TFT(薄膜晶体管)是一种关键的电子器件,常用于平面显示器(如液晶显示屏)和其他电子设备中。
TFT器件的结构可以分为以下四种:
1. 单晶硅TFT结构,单晶硅TFT是一种常见的TFT器件结构,其中薄膜晶体管由单晶硅材料制成。
这种结构具有高电子迁移率和较低的漏电流,适用于高性能的显示器和其他电子设备。
2. 多晶硅TFT结构,多晶硅TFT使用多晶硅材料来制造薄膜晶体管。
与单晶硅TFT相比,多晶硅TFT的制造成本更低,但电子迁移率较低,因此适用于一些对性能要求不那么严格的应用。
3. 氧化铟锡TFT结构,氧化铟锡(ITO)TFT是一种新型的TFT 器件结构,它使用氧化铟锡作为半导体材料。
这种结构具有高透明度和柔韧性,适用于柔性显示器和其他需要透明电子器件的应用。
4. 钙钛矿TFT结构,钙钛矿TFT是近年来备受关注的一种新型TFT结构,钙钛矿材料具有优异的光电特性和可调制的能带结构,使得钙钛矿TFT在显示器和光电器件领域具有巨大的潜力。
这些不同的TFT器件结构各自具有特定的优点和应用领域,了
解它们的结构特点有助于选择合适的TFT器件用于特定的电子应用。
厚膜介质电致发光显示器件

能储 存 电荷 , 而增 强 了 内部 电场 强 度 , 著 提 高 从 显
民用领域, 单色电致发光显示器件和彩色 电致发光
显 示器 件均 已实 现商 品化 。 18 年 , 膜 电致 发 光 91 薄
了薄膜电致发光效率。 器件上下两极构成 了一个 电 容, 中至少有一个电极是透 明的, 其 以便能够观察所 发出的光。与有源液晶显示器件相 比。 交流薄膜 电 致发光显示器件具有如下独特的优点: 高清晰度、 大
视角 、 高亮 度 、 响应速 度 、 高 使用 温 度范 围大 、 结实坚
显示器件研制成功, 这种显示器具有高对比度. 已成 功地应用于航天飞机和工业控制等领域。
2 薄膜电致发光显示器件
电致 发 光显 示 器 件按 工 艺 可 分 为二 种 , 种 是 一
固、 低功耗和长寿命。
单色 交 流 薄 膜 电 致 发 光 显 示 器 的 亮 度 可 达 101i分 辨 率 可 达 V 00p, GA(4 8 ) 60x4 0 或
X A 18 04 , G (20x12 ) 在性能方 面, 薄膜 电致 发光显示器件胜过 I D或 P P显示器。其 . C D 突出特点是 : 高分辨 率, 最高可达到 3 级灰 2
度 . ห้องสมุดไป่ตู้ 显示 效 果 : 亮 度达 2 0 1i即 使 X A 高 00p: 在明亮 的 环境 下 也 容 易 阅 读 ; 应 快 速 . 响 小
产生所需的电致图案。采用这种方法制作的原型样 机的尺寸是 6 英寸 ×2英寸,5 ×6 个象 素, 素 26 4 象
大小 为 O 5 米 。该 样机 是制 作在 O7毫 米 厚的 铝 .毫 .
基板 上的 。
力。 以大规模生产大尺寸显示器, 难 这极大地限制 了
第二章TFT操作原理

第二章TFT操作原理TFT(薄膜晶体管)液晶操作原理是一种新型的显示技术,它采用了薄膜晶体管作为控制元件,通过调节薄膜晶体管的通断来控制液晶分子的排列状态,从而实现显示效果。
TFT液晶显示屏由若干个像素点组成,每个像素点由红、绿、蓝三个分色器件组成。
每个分色器件由一个薄膜晶体管和一个液晶分子层组成。
液晶分子分为两种状态:平行状态和垂直状态。
当薄膜晶体管通电时,液晶分子会转变为平行状态,从而允许光线穿过。
当薄膜晶体管断电时,液晶分子会转变为垂直状态,从而阻止光线穿过。
TFT液晶显示屏的操作原理可以分为两个主要步骤:扫描和刷新。
首先是扫描,也叫做行选扫描。
显示控制器会依次扫描每一行像素点,并对每一个像素点进行控制。
工作原理是:显示控制器会发送一个扫描信号到第一行像素点,该行像素点的红、绿、蓝三个分色器件分别接收到相应的信号,然后通过调节薄膜晶体管的通断来控制液晶分子的状态。
在接收到扫描信号的同时,每个像素点会记录下当前接收到的信号,以备下一次刷新时使用。
接着,显示控制器会发送一个扫描信号到第二行像素点,然后到第三行,一直循环扫描下去。
通过这种方式,显示控制器可以逐行控制每一个像素点的状态。
接下来是刷新,也叫做列选刷新。
显示控制器会依次刷新每一列像素点,并将图像信号发送到相应的像素点。
工作原理是:显示控制器会发送一个刷新信号到第一列像素点,该列像素点的红、绿、蓝三个分色器件会接收到相应的信号,并根据之前记录下的状态来控制液晶分子的状态。
通过调节薄膜晶体管的通断,液晶分子会呈现出相应的颜色。
然后,显示控制器会发送一个刷新信号到第二列像素点,然后到第三列,一直循环刷新下去。
通过这种方式,显示控制器可以逐列刷新每一个像素点的状态,最终形成完整的图像。
总结起来,TFT液晶显示屏的操作原理是利用薄膜晶体管作为控制元件,通过调节晶体管的通断,控制液晶分子的排列状态,从而实现像素点的控制和图像显示。
操作过程主要包括扫描和刷新,其中扫描通过逐行控制像素点的状态,而刷新则通过逐列发送图像信号到像素点来形成完整的图像。
CRT、LCD、PDP、OLED三种显示器件的工作原理及特点分析

CRT、LCD、PDP、OLED三种显示器件的工作原理及特点分析摘要显示器应该是将一定的电子文件通过特定的传输设备显示到屏幕上再反射到人眼的一种显示工具。
是完成电光转换并将各像素综合成为图像的作用最终把接受到的电视信号在荧光屏上重现出来。
它的应用也非常广泛,大到卫星监测、小至看视频,可以说在现代社会里,它的身影无处不在,其结构一般为圆型底座加机身,随着彩显技术的不断发展,现在出现了一些其他形状的显示器,而且越来越明细,而且它们经历了从黑白到彩色,从球面到柱面再到平面直角,直至纯平的发展。
在这段加速度前进的历程中,显示器的视觉效果在不断得到提高,色彩、分辨率、画质、带宽和刷新率等各项指标均有大幅度的提升。
目前广泛应用的电视显示器主要分以下几种:CRT(阴极射线管)显示器、LCD(液晶)显示器、PDP(等离子)显示器、OLED(发光二极管面光源)显示器等新型的平板显示器。
本设计主要分析了CRT、LCD、PDP、OLED显示原理和特点,优缺点,和介绍了主要的生产厂家以及未来的发展趋势。
关键词:CRT LCD PDP OLED 显示原理目录绪论CRT是一种使用阴极射线管的显示器,曾是应用最广泛的显示器之一,CRT纯平显示器具有可视角度大、无坏点、色彩还原度高、色度均匀、可调节的多分辨率模式、响应时间极短等LCD显示器难以超越的优点,而且现在的CRT显示器价格要比LCD显示器便宜不少。
LCD 液晶显示器是,LCD 的构造是在两片平行的玻璃当中放置液态的晶体,两片玻璃中间有许多垂直和水平的细小电线,透过通电与否来控制杆状水晶分子改变方向,将光线折射出来产生画面。
比CRT要好的多,但是价钱较其贵。
现在LCD已经替代CRT成为主流,价格也已经下降了很多,并已充分的普及。
PDP等离子显示板,是一种利用气体放电的显示技术,其工作原理与日光灯很相似。
它采用等离子管作为发光元件,屏幕上每一个等离子管对应一个像素,屏幕以玻璃作为基板,基板间隔一定距离,四周经气密性封接形成一个个放电空间。
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新型显示器件发展迅速,OLED 是继电子管、半导体集成电路后,形成的又一个规模庞大的电子器件产业,其应用范围涵盖彩电、计算机、大屏幕、计算器、游戏机、PDA、手机及室外大屏幕显示等方面。
OLED 新型显示技术及相关产业的产品占到信息产业总产值的30% 以上,成为电子信息产业的基础支撑产业之一,其发展快慢、技术水平高低,直接影响整个电子信息制造业的发展。
显示技术的不断进步带动了显示产业跨越式的发展。
显示器市场更加强调轻薄、高画质、人性化等功能。
从传统的黑白、彩色、超平、纯平CRT 显示器,到如今大放异彩的LCD、PDP 平面显示器,显示产业的规模日渐壮大。
OLED 显示技术的飞速发展已经动摇了LCD 与PDP 的霸主地位,成为未来显示领域极具竞争力的新星。
OLED 显示技术是一门相当年轻的显示技术,依其所使用的有机半导体材料大致可分为小分子器件和高分子器件(PLED)两种。
小分子OLED 技术发展的较早,因而技术也较为成熟。
高分子器件(PLED)的发展始于1990 年,由于聚合物可以采用旋涂、喷墨印刷等方法制备薄膜,从而有可能大大地降低器件生产成本,但目前该技术远未成熟。
由于OLED 具有高亮度、宽视角、响应速度快、易于实现高分辨率全彩色显示、低电压直流驱动、低功耗、发光效率比高、温度特性宽、耐恶劣环境能力好等优点,而且成本低,制造工艺简单,所以非常适用于手机、PDA、数码相机、DVD、GPRS 等小尺寸显示,其产业前景正受到世界各国的普遍关注。
OLED 显示技术在过去10 多年的时间里取得了巨大的进展。
目前荧光小分子器件发光效率已经超过16 lm/w;而磷光小分子器件的发光效率则已接近30 lm/w;能够推出全彩色OLED 的公司和研究单位越来越多,采用低温多晶硅TFT 驱动的全彩色器件也已经被开发了出来;白光OLED 得到了广泛的重视,已制成的白光器件可以在100cd/m2 亮度下保持较长时间。
有机发光显示技术基本达到了实际应用的要求,特别是在发光效率方面,OLED 远远高于PDP 的水平。
目前,OLED 技术能够满足实用化的要求,但技术的优势还没有发挥出来,在材料、彩色化、大尺寸、柔软显示IC、封装和生产工艺等方面都还有改进的余地。
从长远来看,OLED 未来的发展将沿着小尺寸、中尺寸、大尺寸、超大尺寸;单色、多色、彩色;无源、有源硬屏、软屏的方向进行发展,最理想的显示器应该是TFT-AM-OLED。
全球OLED 产业发展迅速随着OLED 显示屏越来越多地用于替代手机中的LCD 显示屏,2003 年全球OLED 的显示屏面板市场的销售收入达到 2.51 亿美元,而到2004 年全球OLED 显示屏面板市场的销售收入就突破了 4.08 亿美元,同比增长了63%。
iSuppli 预测,全球OLED 显示屏面板市场2005 年的销售收入将达到 6.15 亿美元,比2004 年增长50.7%。
2004 年,全球OLED 显示屏面板的销售量为3100 万块,几乎比2003 年的1680 万块的销售量增加了一倍。
2004 年,三星SDI 在全球OLED 显示屏面板市场排名第一位,占市场份额的44%,超过了日本的先锋公司。
2004 年,全球OLED 显示屏面板市场的销售收入有89% 来自于手机市场。
在未来10 年内,手机将一直是OLED 显示屏的最大的应用市场。
根据Display Search 最新的统计数据,2005 年第三季全球OLED 出货量为1670 万片,产值达到 1.309 亿美元,较去年同期增长144%。
预测到2008 年,全球OLED 产业有望快速增长到22 亿美元以上。
目前全球已经量产的OLED 生产线至少有多条,中试线也有几十条之多。
国际上从事OLED 研究开发及产业化的公司有一百家以上,其中一部分公司已开始进行批量生产。
日本厂商在OLED 的技术上起步较早,以东北先锋为首,TDK、三洋电机、索尼、精工- 爱普生、NEC 等大厂在OLED 技术的开发上都投下不少心力。
欧美地区也有众多公司投入研发,如:CDT、Kodak、DuPont、UDC、eMagin、PHILIPS 等,韩国已有三星、LG、现代等10 余家企业宣布涉足OLED 产业,台湾地区也有来宝、东源激光、友达、胜园等14 家厂商投入到OLED 产业。
近几年OLED 发展很快,2001 年索尼和三星分别研制成功13 和15.1 英寸有源有机发光显示屏,2002 年东芝研制成功17 英寸TFT OLED 样机,2003 年索尼推出了24 英寸TFT OLED 样品,2004 年精工爱普生开发出40 英寸有机电致发光显示器面板。
我国OLED 产业发展现状2003 年,国内信利半导体引进了一条小批量OLED 生产线,目前正在进行产品及市场方面的开发,2005 年10 月份投产,主要生产无源OLED。
清华大学于1996 年成立OLED 项目组从事OLED 技术研究,建成了中国大陆第一个OLED 中试线。
上海广电从事多年OLED 技术研究,在2005 年一季度建成中试线,进行小批量生产。
上海大学于1990 年开始OLED 研究工作,研制出白色发光器件和绿色矩阵显示器件。
吉林大学从1994 年开始在新型OLED 材料开发及性能研究方面开展了深入系统的研究工作,在新型电致发光配合物材料方面取得了一些有创新
性的成果。
2005 年11 月 6 日,清华大学和北京维信诺公司在昆山建立了我国内地首条OLED 大规模生产线,投资金额预计达7.5 亿元人民币。
清华大学和维信诺的OLED 产业化发展规划包括两个阶段:第一阶段建设两条中小尺寸OLED 生产线,2005 ~2006 年建设第一条OLED 大规模生产线,2008 年前后再建设第二条生产线,产品主要用于手机、MP3 播放器、车载显示器和数码相机上,两条生产线产能开辟后,年产中小尺寸OLED 器件将达2000 万件左右,年产值约为12 亿元人民币。
第二阶段将根据市场和技术发展情况,在2008 年后投资建设1 条大尺寸OLED 生产线,产品拓展至10 英寸以上的全彩显示器。
核心技术已经有所突破目前我国OLED 的技术和产业化整体水平与国外仍有两年左右的差距,但是在部分核心技术上已经具有国际先进水平,并取得了一定的研究成果。
在器件结构方面,我国开发的单层结构器件减少了材料、设备和工艺过程,降低了成本;在材料方面,吉林大学开展了三线态磷光材料的性能研究,维信诺和清华大学联合开发的红光材料获得很高的发光亮度;在OLED 的彩色化方面,我国也已经开发出26 万色全彩OLED 样品,已经追上世界水平。
与国际水平的差距尽管取得了很大进展,但与国际水平相比,我国在OLED 的技术和产业化方面仍然存在一定差距:在知识产权方面低分子OLED 材料和结构的基本专利主要掌握在美国柯达公司手里,有些专利将要过期,但其一系列后续专利,仍然形成了比较完整的专利体系。
高分子PLED 材料和结构的基本专利主要掌握在英国CDT 公司和美国DuPont 等公司手中。
在有源驱动方面,日本的三洋、Sharp、SEL、Eldis 韩国的三星、LG、台湾的工研院都掌握一定量的核心专利。
我国清华大学和维信诺已申请了42 项国内外OLED 专利,吉林大学和长春光机所各申请了10 项。
这些专利涉及OLED 材料、器件结构、工艺技术以及驱动技术等。
国际上,OLED 专利持有者在80 年代末的不超过 5 家,现在已经发展到了200 多家,核心技术的不断突破,使得各专利持有者的互补性越来越强,没有一家公司能够仅凭自身的专利技术就能生产出最先进的产品,知识产权方面的合作不可避免。
在技术方面同国际前沿有机发光显示技术比较,我国还存在明显的一些技术差距。
突出表现为:有机发光红绿蓝三色材料解决方案不完善,无法提供具备实用性的蓝光发光材料;磷光材料的红绿蓝三色实用化材料还没有开发成功。
在生产设备方面我国没有OLED 生产设备的制造厂商,关键设备在日本、韩国、欧洲企业手中。
除此之外ITO 玻璃、光刻胶等原材料,也都存在类似的问题。
在生产方面由于我国TFT 技术发展滞后,面板的制备技术薄弱,生产管理经验积累不足,因此在有源OLED 的生产工艺开发方面难度较大,同时也缺乏生产管理人才,这是我国OLED 产业化建设的弱点。
总之我国OLED 上下游产业链尚不完备,OLED 高素质的技术和管理人才紧缺,政府和企业对OLED 的资金投入不够等都制约了我国产业化的进展。
在驱动IC 方面全球已经有多家公司在从事OLED 驱动IC 的设计和生产,而我国只能从国外引进驱动IC;在大尺寸和彩屏技术上由于设备条件相对落后,资金投入相对缺乏,目前与国外发展有很大差距;这些环节上存在的不足都一定程度地制约了我国有机发光显示技术的发展。
2006 年,大屏幕显示器件市场将继续扩大,竞争将继续升温,随着在材料研究、工艺技术、生产设备、成本控制、半导体技术和市场应用等方面的不断进步,今后3-5 年将是OLED 技术走向成熟并迎来市场高速增长的阶段。
我国OLED 企业需要抓住机遇,增强自主开发能力,加速OLED 本土制造和大规模生产,完善OLED 产业链。
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