宽禁带半导体材料和工艺设计
宽禁带半导体功率器件——材料、物理、设计及应用
宽禁带半导体功率器件——材料、物理、设计及应用1.引言1.1 概述宽禁带半导体功率器件作为半导体领域中的重要分支，具有广阔的应用前景。
它是基于宽禁带半导体材料的器件，具备了高功率、高电压和高温度等特点，适用于能源领域、通信领域以及其他一系列领域。
在本文中，我们将对宽禁带半导体功率器件的材料、物理性质、设计原理以及应用领域进行深入研究和探讨。
首先，我们将介绍宽禁带半导体材料的定义和分类，以及其在器件制备中的重要性。
接着，我们将详细探讨宽禁带半导体材料的物理性质，包括载流子浓度、迁移率和反向饱和电流等关键参数的影响因素和变化规律。
其次，我们将深入研究宽禁带半导体功率器件的设计原理，包括器件结构、电场分布以及载流子输运等方面的理论基础。
这部分内容将着重介绍宽禁带半导体功率器件的设计要点，包括提高器件电流密度、减小漏电流和改善器件热特性等方面的关键技术和方法。
最后，我们将重点关注宽禁带半导体功率器件在能源领域和通信领域的应用。
特别是在能源领域，宽禁带半导体功率器件可以广泛应用于太阳能电池、风力发电和电动车等领域，为可再生能源的开发和利用提供支持。
在通信领域，宽禁带半导体功率器件的高频特性和高功率特性，使其成为无线通信系统中的重要组成部分。
总之，本文将全面介绍宽禁带半导体功率器件的材料、物理性质、设计原理以及应用领域，并对其现状进行总结和展望。
通过深入研究和探讨，我们希望能够进一步提高宽禁带半导体功率器件的性能和应用水平，为相关领域的发展做出贡献。
文章结构部分的内容如下：1.2 文章结构本文将分为引言、正文和结论三部分来展开对宽禁带半导体功率器件的讨论。
引言部分将首先对宽禁带半导体功率器件进行概述，介绍其基本概念和特点。
接着将介绍文章的结构和内容安排，以便读者能够清晰地理解全文的逻辑发展。
正文部分将分为三个主要章节：材料、设计和应用。
在材料章节中，我们将详细介绍宽禁带半导体材料的特点和性质，包括它们的禁带宽度、载流子浓度和迁移率等重要参数。
宽禁带半导体材料
其他应用
宽禁带半导体材料在传感器、太阳 能电池、电子束器件等领域也有应 用。
02
宽禁带半导体材料的性质
物理性质
高击穿电场
宽禁带半导体具有高的击穿电 场，可使其在高温和高频下保
持优良的导电性能。
高热导率
宽禁带半导体的热导率较高，有 利于器件的高温工作。
低有效质量
宽禁带半导体具有低的有效质量， 有助于提高其电子和空穴的迁移率 。
方法。
该方法的基本原理是将金属有机物作 为源材料，通过控制反应温度、反应 压力、反应气体的种类和输送到反应 炉中的量等参数，实现高质量宽禁带
半导体材料的可控制备。
与传统的化学气相沉积法相比，金属 有机物化学气相沉积法具有更高的生 长速率和更低的成本，同时还可以实 现不同类型宽禁带半导体材料的可控
制备。
总结词
宽禁带半导体材料具有宽带隙和高透光性等特性，因此在光电器件领域也有 着广泛的应用前景。
详细描述
宽禁带半导体材料在光电器件领域主要应用于LED、激光器和光检测器等光电 器件的制作。这些器件可以应用于光纤通信、光信息处理和光电传感等领域 。
传感和MEMS应用
总结词
宽禁带半导体材料具有高灵敏度、高分辨率和高稳定性等优点，因此在传感和 MEMS领域也有着广泛的应用前景。
该方法的基本原理是将反应气体输送到反应炉中，在一定的温度和压力下，反应气体发生 化学反应并生成固态薄膜。
通过控制反应气体的种类和输送到反应炉中的量，可以精确地控制薄膜的生长速率和厚度 ，从而实现高质量宽禁带半导体材料的可控制备。
溶胶-凝胶法
溶胶-凝胶法是一种在宽禁带半导体材料制备中常用的化学方法。
微波射频应用
总结词
宽禁带半导体材料具有高频率特性、低损耗和高功率容量等 优势，因此在微波射频领域也具有广泛的应用前景。
超宽禁带半导体材料技术关键核心技术
超宽禁带半导体材料技术关键核心技术超宽禁带半导体材料技术是当今半导体领域的一个重要研究方向。
它具有广泛的应用前景，可以在光电子器件、高温电子器件、高功率电子器件等领域发挥重要作用。
本文将从材料的定义、特性、制备方法以及应用等方面进行探讨。
我们来了解一下超宽禁带半导体材料的定义。
超宽禁带半导体材料是指具有较大能隙（禁带宽度）的半导体材料。
相比传统的半导体材料，超宽禁带半导体材料的禁带宽度通常大于3电子伏特（eV），甚至可以达到10eV以上。
这种特殊的禁带宽度使得超宽禁带半导体材料具有一些独特的性质和应用。
超宽禁带半导体材料的特性主要包括以下几个方面。
首先，由于禁带宽度较大，超宽禁带半导体材料具有较高的载流子禁带能量，可以实现高温下的电子传输。
其次，超宽禁带半导体材料的载流子迁移率较高，具有较好的导电性能。
此外，超宽禁带半导体材料还具有较高的光吸收系数和较低的光子能量损失，可以实现高效的光电转换。
针对超宽禁带半导体材料的制备方法，目前主要有以下几种。
一种是通过合金化方法，将两种或多种禁带宽度不同的半导体材料进行合金化，形成超宽禁带半导体材料。
另一种是通过掺杂方法，在传统的半导体材料中引入特定的杂质，改变其禁带宽度，从而形成超宽禁带半导体材料。
此外，还可以通过物理气相沉积、分子束外延等方法来制备超宽禁带半导体材料。
超宽禁带半导体材料在各个领域都有广泛的应用。
在光电子器件方面，超宽禁带半导体材料可以用于制造高效的太阳能电池、光电探测器等器件，提高能量转换效率。
在高温电子器件方面，超宽禁带半导体材料可以用于制造高温传感器、高温功率器件等，具有较好的稳定性和可靠性。
在高功率电子器件方面，超宽禁带半导体材料可以用于制造高功率电子器件，提高电子器件的工作效率和可靠性。
超宽禁带半导体材料技术是当前半导体领域的一个热门研究方向。
通过对材料的定义、特性、制备方法以及应用进行探讨，我们可以看到超宽禁带半导体材料具有广阔的应用前景和重要的科学研究价值。
ZnS宽禁带半导体毕业设计
宽禁带半导体ZnS物性的第一性原理研究摘要硫化锌（ZnS）是一种新型的II-VI族宽禁带电子过剩本征半导体材料，其禁带宽度为3.67eV,具有良好的光致发光性能和电致发光性能。
在常温下禁带宽度是3.7eV，具有光传导性好，在可见光和红外范围分散度低等优点。
ZnS和基于ZnS的合金在半导体研究领域己经得到了越来越广泛的关注。
由于它们具有较宽的直接带隙和很大的激子结合能，在光电器件中具有很好的应用前景。
本文介绍了宽禁带半导体ZnS目前国内外的研究现状及其结构性质和技术上的应用。
阐述了密度泛函理论的基本原理，对第一性原理计算的理论基础作了详细的总结，并采用密度泛函理论的广义梯度近似（GGA）下的平面波贋势法，利用Castep软件计算了闪锌矿结构ZnS晶体的电子结构和光学性质。
电子结构如闪锌矿ZnS晶体的能带结构，态密度。
光学性质如反射率，吸收光谱，复数折射率，介电函数，光电导谱和损失函数谱。
通过对其能带及结构的研究，可知闪锌矿硫化锌为直接带隙半导体，通过一系列对光学图的分析，可以对闪锌矿ZnS的进一步研究做很好的预测。
关键词ZnS;宽禁带半导体；第一性原理；闪锌矿结构-I -First-principles Research on Physical Properties of Wide Bandgap Semiconductor ZnSAbstractZinc sulfide (ZnS) is a new family of ll-VI wide band gap electronic excess in tri nsic semic on ductor material with good photolu min esce nee properties and electroluminescent properties. At room temperature band gap is 3.7 eV, and there is good optical transmission in the visible and infrared range and low dispersi on. ZnS and Zn S-based alloy in the field of semic on ductor research has bee n paid more and more atte nti on. Because of their wide direct ban dgap and large excit on binding en ergy, the photovoltaic device has a good prospect.This thesis describes the current research status and structure of nature and tech ni cal applicati ons on wide band gap semic on ductor ZnS. Described the basic principles density functional theory, make a detailed summary for the basis of first principles theoretical calculations, using the density functional theory gen eralized gradie nt approximati on (GGA) un der the pla ne wave pseudopote ntial method, calculated using Castep software sphalerite ZnS crystal structure of electronic structure and optical properties. Electronic structures, such as sphalerite ZnS crystal band structure, density of states. Optical properties such as reflecta nee, absorpti on spectra, complex refractive in dex, dielectric function, optical conductivity spectrum and the loss function spectrum. Band and the structure through its research known as zin cble nde ZnS direct band gap semic on ductor,Through a series of optical map an alysis, can make a good predicti on for further study on zin cble nde ZnS.Keywords ZnS; Wide ban dgap semic on ductor; First-pri nciples; Zin cble nde structure-2-目录摘要 (I)Abstract (II)第1章绪论 ........................................................... 1..1.1 ZnS半导体材料的研究背景 ....................................... 1.1.2 ZnS的基本性质和应用........................................... 1.1.3 ZnS材料的研究方向和进展 (3)1.4 ZnS的晶体...................................................... 4.1.4.1 ZnS晶体结构 ............................................... 4.1.4.2 ZnS的能带结构............................................. 5.1.5 ZnS的发光机理................................................. 6.1.6研究目的和主要内容.............................................. 7.2.1相关理论......................................................... 9.2.1.1密度泛函理论 (9)2.1.2交换关联函数近似........................................... 1.12.2总能量的计算 (13)2.2.1势平面波方法 (14)2.2.2结构优化 (16)2.3 CASTEP软件包功能特点........................................ 1.8第3章ZnS晶体电子结构和光学性质.................................... 1.93.1闪锌矿结构ZnS的电子结构 (19)3.1.1晶格结构 (19)3.1.2能带结构 (20)3.1.3态密度 (21)3.2闪锌矿ZnS晶体的光学性质 (24)结论 (30)致谢 (31)参考文献 (32)附录A (33)附录B (45)-ill -第1章绪论1.1 ZnS半导体材料的研究背景Si是应用最为广泛的半导体材料，现代的大规模集成电路之所以成功推广应用，关键就在于Si半导体在电子器件方面的突破。
华大半导体宽禁带半导体材料生产流程
华大半导体宽禁带半导体材料生产流程
华大半导体宽禁带半导体材料的生产流程主要包括材料准备、晶体生长、切割
和加工、工艺控制等环节。
首先，材料准备是生产流程的第一步。
在生产宽禁带半导体材料之前，需要准
备所需的原材料，例如硅、镓、砷等。
这些原材料需经过精细处理和纯化，以确保最终产品的质量和性能。
其次，晶体生长是生产流程的关键环节。
在晶体生长过程中，先将纯净的原料
加入炉中，并且通过高温和压力的控制，让原料逐渐晶化形成单晶。
晶体生长过程中，需要严格控制温度、压力和其他参数，以确保晶体的质量和结构完整性。
切割和加工是接下来的步骤。
在晶体生长完毕后，需要将晶体切割成合适的大
小和形状。
这涉及到用适当的方法切割晶体，通常使用切割工具和磨削技术来进行。
切割完毕后，通过特定的加工工艺，例如研磨、抛光等，对晶体进行表面的处理，以提高其光洁度和平整度。
最后，工艺控制是整个生产流程的重要环节。
在整个生产过程中，需要严格控
制每个步骤的工艺参数和条件，以确保最终产品的质量和性能。
这包括控制温度，监控压力，并进行合适的工艺调整和优化。
总结起来，华大半导体宽禁带半导体材料的生产流程包括材料准备、晶体生长、切割和加工、工艺控制等步骤。
通过严格控制每个环节的条件和参数，可以生产出高质量的宽禁带半导体材料，用于各种应用领域。
宽禁带半导体技术
宽禁带半导体技术李耐和概述根据半导体材料禁带宽度的不同，可分为宽禁带半导体材料与窄禁带半导体材料。
若禁带宽度Eg＜2ev （电子伏特），则称为窄禁带半导体，如锗（Ge）、硅（Si）、砷化镓（GaAs）以及磷化铟（InP）；若禁带宽度Eg＞2.0-6.0ev，则称为宽禁带半导体，如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、4H碳化硅（4H－SiC）、6H碳化硅（6H－SiC）、氮化铝（AIN）以及氮化镓铝（ALGaN）等。
宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强以及良好的化学稳定性等特点，非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件；而利用其特有的禁带宽度，还可以制作蓝、绿光和紫外光器件和光探测器件。
因此，美国、日本、俄罗斯等国都极其重视宽禁带半导体技术的研究与开发。
从目前宽禁带半导体材料和器件的研究情况来看，研究重点多集中于SiC和GaN技术，其中SiC技术最为成熟，研究进展也较快；GaN技术应用广泛，尤其在光电器件应用方面研究比较深入。
目前，多家半导体厂商演示了具有高功率、高功率附加效率（PAE）、高增益以及较宽工作带宽的宽禁带半导体。
这些器件工作频率范围很宽，从不足1GHz到40GHz，而且性能优异。
虽然自20世纪90年代以来的10多年时间里，SiC器件的演示结果非常喜人，但是高性能宽禁带器件的产量一直很低。
一个主要原因就是无法得到理想的SiC基底――不但要具有足够高电阻系数，可以提供半绝缘特性，而且严重缺陷（如微孔）数量要足够低。
由于没有高质量的基底，就无法通过宽禁带材料的同质/异质外延生长获得制作微波与毫米波器件所需的高度一致性、具有足够高电子迁移率的大尺寸晶片。
值得一提的是，在过去的3年里，SiC基底研制进展迅速，不仅圆片直径有所加大，而且缺陷数量与电阻率都达到了大批量生产性能优异的宽禁带器件与MMIC（单片微波集成电路）的技术要求。
宽禁带半导体材料与器件
宽禁带半导体材料与器件一、引言宽禁带半导体材料是一种具有较大带隙能量的半导体材料，其带隙能量通常大于3电子伏特（eV）。
相对于传统的窄禁带半导体材料，宽禁带半导体材料具有独特的物理和电学性质，使其在光电子器件等领域具有广泛的应用前景。
本文将介绍宽禁带半导体材料的特点、制备方法以及一些常见的宽禁带半导体器件。
二、宽禁带半导体材料的特点1. 带隙能量大：宽禁带半导体材料的带隙能量大，使其能够吸收更高能量的光子，具有较高的光电转换效率。
2. 热稳定性好：宽禁带半导体材料的热稳定性较好，能够在高温环境下工作，适用于高温电子器件的制备。
3. 抗辐照性强：宽禁带半导体材料对辐射的敏感性较低，能够在辐射环境下工作，适用于核能、航天等领域的应用。
4. 电子迁移率高：宽禁带半导体材料的电子迁移率较高，电子在材料中的移动速度快，有利于电子器件的高速运算。
三、宽禁带半导体材料的制备方法1. 气相沉积法：通过在高温下将气体中的半导体原子沉积在衬底上，形成薄膜材料。
常用的气相沉积方法有化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）等。
2. 液相法：将半导体材料的前驱体溶解在溶剂中，然后通过溶液的化学反应使其沉淀成固态材料。
常用的液相法有溶胶-凝胶法和热解法等。
3. 固相法：通过高温反应使固态材料之间发生化学反应，生成宽禁带半导体材料。
常用的固相法有熔盐法和固相扩散法等。
四、宽禁带半导体器件1. 光电二极管：宽禁带半导体材料的高带隙能量使其能够吸收更高能量的光子，具有较高的光电转换效率。
光电二极管利用了宽禁带半导体材料的这一特点，可用于光电转换和光通信等领域。
2. 激光器：宽禁带半导体材料的高带隙能量使其能够产生更高能量的光子，适用于激光器的制备。
宽禁带半导体激光器具有较高的输出功率和较窄的谱线宽度，广泛应用于光通信、医疗和军事等领域。
3. 高温电子器件：宽禁带半导体材料的热稳定性好，能够在高温环境下工作，适用于高温电子器件的制备。
碳化硅器件工艺
碳化硅器件工艺
碳化硅(SiC)是一种新兴的宽禁带半导体材料,相比传统的硅(Si)材料,它具有更高的临界电场强度、更高的热导率、更高的饱和电子漂移速率和更好的抗辐射能力等优点。
因此,碳化硅器件在高温、高功率、高频和恶劣环境等极端条件下表现出优异的性能,已广泛应用于军事、航空航天、电力电子、通讯等领域。
1. 碳化硅材料制备
碳化硅材料主要有两种制备方法:物理气相沉积法(PVD)和化学气相沉积法(CVD)。
PVD法包括离子束溅射、真空蒸发和激光溅射等。
CVD法则包括热CVD、等离子体增强CVD、金属有机CVD等多种方式。
其中,最常用的是热CVD法,通过在高温炉中对高纯度气体进行反应生长,可制备出高质量的单晶和多晶碳化硅材料。
2. 碳化硅器件制造工艺
碳化硅器件的制造工艺与传统硅器件类似,主要包括外延生长、掺杂、光刻蚀刻、离子注入等关键工艺步骤。
但由于碳化硅材料的特殊性,工艺条件和细节与硅器件有所不同。
例如,碳化硅的掺杂要采用更高的温度和特殊方法;蚀刻过程需使用特殊的腐蚀液或等离子体;离子注入需更高的能量等。
3. 主要碳化硅器件
主要的碳化硅功率器件包括肖特基二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等。
这些器件可广泛应用于电力电子变流器、开关电源、无线电通信系统、雷达等各个领域。
此外,碳化硅也可制作高温、高功率、高频的传感器、探测器等其他器件。
碳化硅器件工艺作为新兴的半导体器件制造技术,其发展壮大将极大推动电子产品向高功率、高频、高温以及恶劣环境等方向发展,为国民经济和国防建设做出重要贡献。
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宽禁带半导体材料与工艺1.1 宽禁带半导体的概念和发展宽禁带半导体（WBS）是自第一代元素半导体材料（Si）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料。
这类材料主要包括SiC（碳化硅）、C-BN（立方氮化硼）、GaN（氮化镓、）AlN（氮化铝）、ZnSe（硒化锌）以及金刚石等。
第二代半导体GaAs与Si相比除了禁带宽度增大外，其电子迁移率与电子饱和速度分别是Si的6倍和2倍，因此其器件更适合高频工作。
GaAs场效应管器件还具有噪声低、效率高和线性度好的特点但相比第三代半导体GaN和SiC，它的热导率和击穿电场都不高，因此它的功率特性方面的表现不足。
为了满足无线通信、雷达等应用对高频率、宽禁带、高效率、大功率器件的需要从二十世纪九十年代初开始，化合物半导体电子器件的研究重心开始转向宽禁带半导体。
我们一般把禁带宽度大于2eV的半导体称为宽禁带半导体。
宽禁带半导体材料具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。
1.2 主要的宽禁带半导体材料近年来，发展较好的宽禁带半导体材料主要是SiC和GaN，其中SiC的发展更早一些，碳化硅、氮化镓、硅以及砷化镓的一些参数如下图所示：图1-1 半导体材料的重要参数如上图所示，SiC和GaN的禁带宽度远大于Si和GaAs，相应的本征载流子浓度小于硅和砷化镓，宽禁带半导体的最高工作温度要高于第一、第二代半导体材料。
击穿场强和饱和热导率也远大于硅和砷化镓。
2.1 SiC材料纯碳化硅是无色透明的晶体。
工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同，而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色，透明度随其纯度不同而异。
碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的α-SiC和立方体的β-SiC（称立方碳化硅)。
α-SiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体，已发现70余种。
β-SiC于2100℃以上时转变为α-SiC。
SiC是IV-IV族二元化合物半导体，也是周期表IV族元素中唯一的一种固态化合物。
构成元素是Si和C，每种原子被四个异种原子所包围,形成四面体单元(图25a)。
原子间通过定向的强四面体SP3键(图25b)结合在一起，并有一定程度的极化。
SiC具有很强的离子共价键，离子性对键合的贡献约占12%,决定了它是一种结合稳定的结构。
SiC具有很高的德拜温度，达到1200-1430K,决定了该材料对于各种外界作用的稳定性，在力学、化学方面有优越的技术特性。
它的多型结构如图所示：图2-1 碳化硅的多型结构碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍；用以制成的高级耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高，节能效果好。
低品级碳化硅（含SiC约85%）是极好的脱氧剂，用它可加快炼钢速度，并便于控制化学成分，提高钢的质量。
此外，碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。
碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9.5级，仅次于世界上最硬的金刚石（10级），具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能抗氧化。
2.2 GaN材料GaN是一种极稳定，坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃。
GaN具有高的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。
在大气压下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。
它在一个晶胞中有4个原子。
因为其硬度高，又可以作为良好的涂层保护材料。
在室温下，GaN不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中溶解速度又非常缓慢。
但是NaOH、H2SO4和H3PO4能较快地腐蚀质量差的GaN，这种方法可以用来检测质量不高的GaN晶体。
GaN在HCL或H2气氛高温下呈现不稳定特性，而在N2气下最为稳定。
GaN基材料是直接跃迁型半导体材料,具有优良的光学性能,可作出高效率的发光器件,GaN基LED的发光波长范围可从紫外到绿色光Ⅲ族氮化物主要包括GaN、ALN、InN、ALInN、GaInN、ALInN和ALGaInN 等，其禁带宽度覆盖了红、黄、绿、蓝、紫和紫外光谱范围。
GaN是Ⅲ族氮化物中的基本材料，也是目前研究最多的Ⅲ族氮化物材料。
GaN的电学性质是决定器件性能的主要因素。
目前GaN的电子室温迁移率可以达到900cm²/（V * s）。
GaN材料所具有的禁带宽度大、击穿电场高、电子饱和速度高是制作高温、大功率器件的最佳材料。
氮化物半导体材料存在六方纤锌矿和立方闪锌矿两种不同的晶体结构，如氮化镓的结构下图所示：图2-2 氮化镓的结构晶体结构的形成主要由晶体的离子性决定，氮化物的离子性强，所以纤锌矿是氮化镓的常见结构，闪锌矿结构是亚稳态结构。
GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。
目前，随着MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。
用GaN 材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。
调制掺杂的AlGaN/GaN结构具有高的电子迁移率(2000cm2/v·s)、高的饱和速度(1×107cm/s)、较低的介电常数，是制作微波器件的优先材料；GaN较宽的禁带宽度(3.4eV) 及蓝宝石等材料作衬底，散热性能好，有利于器件在大功率条件下工作。
对于GaN材料，长期以来还有衬底单晶，异质外延缺陷密度相当高等问题还没有解决，但是GaN半导体器件的水平已可实用化。
InGaN系合金的生成，InGaN/AlGaN 双质结LED，InGaN单量子阱LED，InGaN多量子阱LED等相继开发成功。
InGaN与AlGaP、AlGaAs系红色LED组合形成亮亮度全色显示。
这样三原色混成的白色光光源也打开新的应用领域,以高可靠、长寿命LED为特征的时代就会到来。
日光灯和电灯泡都将会被LED所替代。
LED将成为主导产品，GaN晶体管也将随材料生长和器件工艺的发展而迅猛发展，成为新一代高温度频大功率器件。
3.1 宽禁带半导体的工艺氧化工艺SiC的氧化层与硅器件制作中的SiO2具有十分相似的作用，例如氧化层作为工艺过程的掩膜，用作金属-氧化物-半导体（MOS）结构的绝缘层、作为器件表面的电学钝化层等。
外延生长前的氧化过程还可以除去SiC衬底上的抛光损伤。
由于SiC可以被氧化成SiO2，因此器件制作中可以与成熟的硅器件平面工艺相兼容。
实现热氧化不需要特殊的不同于在硅上获得SiO2时所利用的工艺设备，它们的区别仅仅是碳化硅的氧化速度明显减少，采用干氧氧化和湿氧氧化进行热氧化，还可以在N2O中获得SiO2，可使用氮化物或氮氧化物绝缘体应用于高温器件。
热氧化法主要包括干氧氧化和湿氧氧化，干氧氧化：Si+O2→SiO2 ，它的优点是结构致密、干燥、均匀性和重复性好，掩蔽能力强，与光刻胶黏附性好，也是一种理想的钝化膜。
高质量SiO2薄膜如MOS栅氧化层一般都采用此法制备。
湿氧氧化：氧化剂是通过高纯水（一般被加热到95 0C左右）的氧气，既有氧又有水。
氧化速度介于干氧和水汽氧化之间，具体与氧气流量、水汽含量等有关也可用惰性气体（氮气或氩气）携带水汽进行氧化热氧化的优点：质量好，表面态密度小，可很好控制界面陷阱和固定电荷，性质不太受湿度和中等热处理温度的影响，因此是集成电路中最重要的制备SiO2方法。
3.2 光刻光刻是集成电路工艺中的关键性技术，最早的构想来源于印刷技术中的照相制版。
它的概念是将掩模版上的图形（电路结构）“临时”（嵌套式）转移到硅片上的过程。
光刻技术在半导体器件制造中的应用最早可追溯到1958年，实现了平面晶体管的制作。
光刻工艺的成本在整个IC芯片加工成本中几乎占三分之一，IC集成度的提高，主要归功用于光刻技术的进步。
集成电路中对光刻的基本要求：（1）高分辩率。
通常把线宽作为光刻水平的标志，也用加工图形线宽的能力来代表IC的工艺水平。
（2）高灵敏度的光刻胶（指胶的感光速度）。
为了提高IC产量，希望曝光时间越短越好。
（3）低缺陷。
在光刻中引入的缺陷的影响比其它工艺更严重，比如重复导致多数片子都变坏。
（4）精密的套刻对准。
允许的套刻误差为线宽的10%。
（5）对大尺寸硅片的加工。
在大尺寸硅片上满足上述光刻要求的难度更大。
光刻工艺的主要步骤图如下：图3-1光刻工艺步骤图光刻的主要步骤：（1）涂胶（甩胶）：在硅片表面形成厚度均匀、附着性强、没有缺陷的光刻胶薄膜。
之前需要脱水烘焙，并且涂上HMDS或TMSDEA用以增加光刻胶与硅片表面的附着能力（2）前烘：去溶剂，减少灰尘污染，保持曝光精确度，减少显影溶解致厚度损失，减轻高速旋转致薄膜应力。
由于前烘，光刻胶的厚度会减薄10%~20% （3）曝光：光刻胶通过掩模曝光，以正胶为例，感光剂DQ受光变为乙烯酮，再变为羧酸（易溶于碱液）（4）显影：正胶的曝光区和负胶的非曝光区在显影液中溶解，使曝光后光刻胶层中形成的潜在图形显现出来。
图形检查，不合格的返工，用丙酮去胶（5）坚膜：高温处理过程，除去光刻胶中的剩余溶液，增加附着力，提高抗蚀能力。
坚膜温度（光刻胶玻璃态转变温度）高于前烘和曝光后烘烤温度，在这个温度下，光刻胶将软化，表面在表面张力的作用下而圆滑化，减少光刻胶层中的缺陷，并修正光刻胶图形的边缘轮廓（6）刻蚀或注入（7）去胶：将光刻胶从硅片的表面除去，包括干法去胶和湿法去胶。
干法去胶就是用等离子体（如氧等离子体）将光刻胶剥除。
湿法去胶又分为有机溶剂（常用丙酮）去胶和无机溶剂（如H2SO4和H2O2）去胶，而金属化后必须用有机溶剂去胶。
干法去胶和湿法去胶经常搭配进行。
以在SiO2氧化膜上光刻为例，如下图，首先在有SiO2覆盖的硅片表面涂布一层对紫外光敏感材料，这种材料是一种液态物质叫做光刻胶。
将少量液态光刻胶滴在硅片上，再经过高速旋转后，则在硅片表面形成一层均匀的光刻胶薄膜。
甩胶之后，在较低的温度(80oC-100oC)下进行一定时间烘焙，其目的是，使光刻胶中的溶剂挥发，从而改善光刻胶与表面的粘附性。
硬化后的光刻胶与照像所使用的感光胶相似。
图3-2 光刻图接下来用UV光通过掩模版的透光区使光刻胶曝光，如图（b）所示。
掩模版是预先制备的玻璃或石英版，其上复制有需要转移到SiO2薄膜上的图形。
掩模版的暗区可以阻挡UV光线通过。
曝光区域中的光刻胶会发生光化学反应，反应的类型与光刻胶的种类有关。
对于负性光刻胶，在经过光照的区域会发生聚合反应，变得难以去除。
浸入显影剂之后，曝光区域发生聚合反应的负胶保留下来，而没有曝光的区域的负胶被分解掉，溶于显影液中。