晶体二极管
晶体二极管的特点
晶体二极管的特点
1. 晶体二极管单向导电性可强啦！就好比单方向的通道，电流只能从这头往那头流，反方向就不行嘞！比如说在整流电路里，它就能让电流乖乖地只朝着需要的方向跑，厉害吧！
2. 它的伏安特性也很有意思呀！电流和电压之间有着特别的关系，就像人和影子一样，电压一变，电流也会跟着变，你说神奇不神奇！像在一些电子设备里，就是靠着这个特性来实现稳定工作的哟。
3. 晶体二极管的开关特性那叫一个迅速！简直就像闪电一样快！在数字电路中，它能快速地开启和关闭，这速度，简直了！比我眨眼还快呢！
4. 还有呢，它的稳定性那可是杠杠的呀！不管环境怎么变化，它就在那稳稳地工作着，就如同坚定的卫士一样！比如一些恶劣环境下的设备，靠的就是它的稳定呀。
5. 哎呀呀，晶体二极管的耐高温性能也不错哦！就像能在炎热沙漠中顽强生存的仙人掌一样，高温也不怕，照样好好工作嘞！在一些高温设备里就能看到它的身影呢。
6. 晶体二极管体积小但能量大呀！别看它小小的，作用可大着呢，就好像小身材大能量的大力士！许多小巧的电子玩意儿都离不开它哟。
7. 它的成本还低呢，这不就是物廉价美嘛！简直就是我们的好朋友呀！广泛应用在各种地方，真的太实用啦！
8. 晶体二极管真的是电子世界的宝贝呀！有了它，电子设备才能更好地工作，我们的生活也变得更加丰富多彩啦！它真的太重要啦，不可替代呀！。
晶体二极管的知识点总结
晶体二极管的知识点总结一、晶体二极管的结构晶体二极管是由多个不同类型的半导体材料制成的。
其中，P型半导体材料和N型半导体材料被交替地组合在一起，形成PN结。
当PN结受到外部电压作用时，它就能够控制电流的流动。
晶体二极管通常有三个导电端：阳极（A）、阴极（K）和门极（G）。
阳极和阴极是用来控制电流流动的，而门极是用来控制PN结的导通和截止。
二、晶体二极管的工作原理当晶体二极管处于正向偏置状态时，即阳极连接到P型半导体材料，阴极连接到N型半导体材料时，PN结上的势垒就会被外部电压突破，从而使电流得以流动。
这时，晶体二极管表现出很低的电阻，从而能够导通电流。
相反，当晶体二极管处于反向偏置状态时，即阳极连接到N型半导体材料，阴极连接到P 型半导体材料时，PN结上的势垒就会加大，从而使电流无法流动。
这时，晶体二极管表现出非常高的电阻，从而能够截止电流。
三、晶体二极管的特性1. 峰值反向电压（PRV）：晶体二极管能够承受的最大反向电压。
超过这个电压值，晶体二极管就会击穿，从而导致PN结上的势垒被突破，电流得以流动。
2. 正向电压降（VF）：当晶体二极管导通时，阳极和阴极间的电压降。
3. 反向饱和电流（IRSM）：当晶体二极管反向偏置时，PN结上的反向电流。
4. 导通电流（ITM）：当晶体二极管处于正向偏置状态时，PN结能够承受的最大电流。
四、晶体二极管的应用由于其快速开关速度和可靠的性能，晶体二极管在很多领域有着广泛的应用。
它们常常用于电源供应、电动机控制和光电子装置等。
例如，交流电源中的整流电路就是需要使用晶体二极管的。
此外，晶体二极管还被用于电动车的控制系统中，以及用于光电二次发射表面（PMT）等光电子设备。
总之，晶体二极管是一种重要的半导体器件，它能够控制电流的流动，并且有着广泛的应用领域。
通过深入了解其结构、工作原理和特性，我们可以更好地应用晶体二极管，从而更好地服务于社会的发展。
晶体二极管概念
晶体二极管概念什么是晶体二极管？晶体二极管（Diode）是一种半导体器件，由P型半导体和N型半导体组成。
它具有正向导通和反向截止的特性，是电子学中最基本的元件之一。
晶体二极管的主要功能是将电流限制在一个方向上，从而实现电流的整流和开关控制。
晶体二极管的结构晶体二极管的结构由P型半导体和N型半导体的结合构成。
P型半导体具有正电荷载流子（空穴），而N型半导体具有负电荷载流子（电子）。
当P型半导体和N型半导体连接在一起时，形成了PN结。
PN结上的电子会从N区域向P区域扩散，而空穴则从P区域向N区域扩散。
这种扩散会导致PN结上形成一个电势垒，阻止了进一步的扩散。
晶体二极管的工作原理晶体二极管的工作原理可以分为正向偏置和反向偏置两种情况。
正向偏置当晶体二极管的正端连接到正电压，负端连接到负电压时，即为正向偏置。
在这种情况下，电势垒会变窄，使得电子和空穴能够克服电势垒，通过PN结流动。
这时晶体二极管呈现出低电阻状态，称为正向导通。
正向偏置时，电流从P区域注入到N区域，形成电流流动的闭合回路。
反向偏置当晶体二极管的正端连接到负电压，负端连接到正电压时，即为反向偏置。
在这种情况下，电势垒会变宽，阻止电子和空穴通过PN结。
这时晶体二极管呈现出高电阻状态，称为反向截止。
反向偏置时，只有极小的反向漏电流通过晶体二极管。
晶体二极管的应用晶体二极管由于其独特的电流特性，广泛应用于各种电子设备中。
整流器晶体二极管的最基本应用是作为整流器，将交流电转换为直流电。
在正向偏置的情况下，晶体二极管只允许电流在一个方向上流动，实现了电流的单向传输。
信号检测晶体二极管还可以用作信号检测器。
当信号电压超过晶体二极管的正向电压阈值时，晶体二极管开始导通，将信号提取出来。
光电二极管晶体二极管的一种特殊类型是光电二极管。
光电二极管可以将光能转换为电能，常用于光电探测器和光通信中。
晶体二极管的特性晶体二极管具有以下特性：1.正向电压阈值：晶体二极管在正向偏置时需要一定的电压才能开始导通。
晶体二极管的归纳总结
晶体二极管的归纳总结晶体二极管（Diode）是一种具有非线性电阻特性的电子元器件，广泛应用于电子电路中。
它具有正向导通和反向截止的特性，被广泛用作整流器、开关以及信号调制等电路的基本元件。
本文将对晶体二极管的工作原理、分类、特性以及应用进行归纳总结。
一、晶体二极管的工作原理晶体二极管是一种半导体器件，由P型和N型半导体材料组成。
在P-N结中，P型半导体的掺杂原子与N型半导体的掺杂原子形成势垒，使得P区电子豁免区域中电子浓度较高，N区电子豁免区域中空穴浓度较高。
当外加电压使P区电势相对于N区升高，势垒减小，使得P 区的电子跨越势垒进入N区，形成正向电流。
当外加电压反向时，势垒增大，使得P-N结处形成耗尽区，电流几乎为零。
二、晶体二极管的分类根据材料、结构和用途的不同，晶体二极管可以分为多种类型。
常见的晶体二极管包括硅二极管、锗二极管、肖特基二极管、LED（发光二极管）等。
1. 硅二极管硅二极管是最常见和广泛使用的一种二极管。
它具有较高的工作温度、稳定性和可靠性，被广泛应用于各种电子电路中。
2. 锗二极管锗二极管是晶体二极管的一种，其主要特点是正向导通电压较低，适用于低电压应用电路。
3. 肖特基二极管肖特基二极管是一种利用PN结形成的金属与N型半导体之间的势垒来控制电流流动的二极管。
与普通PN结二极管相比，肖特基二极管具有较低的正向导通电压和快速响应速度。
4. LED（发光二极管）LED是一种能够将电能直接转换为光能的二极管。
它具有高效率、长寿命、低功耗等特点，被广泛应用于指示灯、背光源、室内外照明等领域。
三、晶体二极管的特性晶体二极管具有以下主要特性：1. 非线性特性晶体二极管在正向电压作用下具有较低的电阻，呈现出导通状态，而在反向电压作用下电阻很大，呈现出截止状态，具有明显的非线性特性。
2. 稳压性能晶体二极管具有稳压能力，能够在一定的工作电压范围内稳定输出，被广泛应用于稳压电源电路中。
3. 快速开关特性晶体二极管具有快速开关特性，可以迅速从导通状态切换到截止状态，被广泛应用于高频开关电路中。
晶体二极管的介绍
晶体二极管的介绍晶体二极管又称为二极管或晶导二极管，是一种最简单、最常用的半导体元件之一。
晶体二极管是一种具有非线性特性的电子器件，在电子学和电路领域中发挥着重要作用。
一、晶体二极管的结构晶体二极管的结构由两个半导体材料组成，通常为P型半导体和N 型半导体。
在P-N结区域，存在着P型半导体中的多余的空穴和N型半导体中的多余电子。
当形成P-N结后，多余的电子和空穴会发生复合，形成带电离子。
在这个过程中，形成了一个耗尽区，也叫“空隙区”。
二、晶体二极管的原理晶体二极管的工作原理基于P-N结耗尽区的特性，主要包括正向偏置和反向偏置两种情况。
1.正向偏置当正向电压作用于晶体二极管时，P型半导体端的空穴会向N型半导体端移动，而N型半导体端的电子也会向P型半导体端移动。
这样，耗尽区中的带电离子会变少，使得耗尽区变窄，从而减小了阻挡电压。
当正向电压超过阻挡电压时，晶体二极管会处于导通状态，电流能流过。
2.反向偏置当反向电压作用于晶体二极管时，P型半导体端为负电压，N型半导体端为正电压。
这样，P-N结的耗尽区会变宽，形成一个高阻抗区，阻挡电流流过。
如果反向电压过大，会使得结区耗尽区击穿，形成电流突增，此时二极管呈现放大效应。
三、晶体二极管的特性晶体二极管具有许多特性，如整流特性、导通压降、击穿电压等。
1.整流特性晶体二极管具有只允许电流沿一个方向通过的特性，即正向导通，反向截止。
这使得晶体二极管在电路中起到整流作用，将交流信号转换为直流信号。
2.导通压降当晶体二极管处于正向导通时，会产生一定的入侵（正向电流）和热效应（正向电压）。
这是由于耗尽区的宽度和载流子浓度变化导致的。
晶体二极管的导通压降一般在0.6V-0.7V左右。
3.反向截止特性在正向偏置下，晶体二极管会导通，具有一定的电流流过。
但在反向偏置下，晶体二极管不会导通，只有极少量微弱电流通过，具有很高的电阻。
四、晶体二极管的应用晶体二极管由于其简单、可靠、低成本的特点，被广泛应用于各种电子设备和电路中。
晶体二极管概念
晶体二极管概念
晶体二极管是一种半导体电子器件，它具有单向电导性和整流功能。
它有两个引脚，分别为正极和负极。
正极连接带有正电压的电源时能够导通电流，而连接带有负电压的电源时则不能导通电流。
晶体二极管的主要优点是其相对简单的结构和可靠性。
晶体二极管是由 P 型半导体和 N 型半导体组成的。
在制造过程中，将普通硅材料加入掺杂剂，使其中一部分成为 P 型半导体，另一部分成为 N 型半导体。
当 P 型半导体和 N 型半导体接触时，会形成一个 PN 结。
当 PN 结正极连接正电压时，P 型半导体的电子会流向 N 型半导体，形成电流。
而当PN结正极连接负电压时，N型半导体高浓度的杂质离子会吸收并抵消 P型半导体中的电子，从而阻止电流的流动。
晶体二极管的主要应用是整流。
在直流电源中，晶体二极管可以将正半周期的电流转化为负电压，而将负半周期的电流挡住不传递。
由于晶体二极管的阻抗很小，它可以承受很高的电流。
因此，它也可以用作保护电路中的限流器。
除了整流之外，晶体二极管还可以用于LED、激光二极管、太阳能电池、电子闸和变压器等器件中。
在LED和激光二极管中，晶体二极管将电能转换为光能，从而产生光谱。
在太阳能电池中，晶体二极管可
以将太阳能转换为电能，从而提供电力。
在变压器中，晶体二极管可以作为开关使用，控制电流的流动方向。
总之，晶体二极管在电子领域中具有广泛的应用前景。
它不仅可以用于整流、保护电路、LED、激光二极管、太阳能电池等器件中，还可以作为开关来控制电路中的电流。
随着半导体技术的发展，晶体二极管的应用将会越来越广泛。
晶体二极管
主要参数：稳定电压VZ、稳定电流IZ、最大工作电流IZM、 最大耗散功率PZM、动态电阻rZ等。
即二极管正偏导通，反偏截止。这一导电特性称为二 极管的单向导电性。
[例1.1.1] 图1.1.3所示电路中，当开关S闭合后，H1、H2 两个指示灯，哪一个可能发光？ 解 由电路图可知，开关S闭合后，只有二极管V1正极电位高 于负极电位，即处于正向导通状态，所以H1指示灯发光。
图1.1.3 [例1.1.1]电路图
图1.1.8 万用表检测二极管
2.判别好坏 万用表测试条件：R×1kΩ。 (1)若正反向电阻均为零，二极管短路； (2)若正反向电阻非常大，二极管开路。 (3)若正向电阻约几千欧姆，反向电阻非常大，二极管正常。
图1.1.8 万用表检测二极管
1.1.5 二极管的分类、型号和参数 1．分类 （1）按材料分：硅管、锗管 （2）按PN结面积：点接触型（电流小，高频应用）、面 接触型（电流大，用于整流） （3）按用途：如图1.1.9所示。
图1.1.9 二极管图形符号
①整流二极管：利用单向导电性把交流电变成直流电的二极管。 ②稳压二极管：利用反向击穿特性进行稳压的二极管。 ③发光二极管：利用磷化镓把电能转变成光能的二极管。 ④光电二极管：将光信号转变为电信号的二极管。 ⑤变容二极管：利用反向偏压改变PN结电容量的二极管。 2．型号举例如下：
L）、变压器（
T）等
1．晶体二极管
（1）外形：由密封的管体和两 条正、负电极引线所组成。管体外 壳的标记通常表示正极。如图1.1.1 （a）所示；
（2）符号：如图。其中： 三角形——正极， 竖杠——负极， V——二极管的文字符号。
图1.1.1 晶体二极管的外形 和符号
2．晶体二极管的单向导电性：
晶体二极管经验外观
晶体二极管经验外观
晶体二极管是一种半导体器件，也是电子行业中非常重要的一个组成部分。
它通常由一个P型半导体和一个N型半导体组成，具有单向导电性质，被广泛应用于电路中。
晶体二极管经验外观包括以下几个方面：
1. 外观形状：晶体二极管一般为小型组件，通常呈现圆柱形、矩形、扁平形等形状。
2. 颜色：晶体二极管的颜色通常为黑色、红色、绿色、黄色等，不同颜色代表着不同的材料和性能。
3. 引脚位置：晶体二极管通常有两个引脚，分别位于两端，有些二极管还会有第三个引脚。
4. 标识：晶体二极管通常会在外壳上印有型号、批次、生产厂家等信息。
5. 表面状态：晶体二极管的表面应当平整光滑，无明显划痕和凹陷。
6. 封装方式：晶体二极管常采用胶封、金属封、管壳封等方式进行封装，以保护器件不受外界影响。
总之，晶体二极管的外观可以反映其质量和性能，对于使用者来说，了解晶体二极管的外观特征非常重要，可以帮助他们更好地选择和使用晶体二极管。
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3．主要参数 ． （1）普通整流二极管 最大整流电流I ①最大整流电流 FM：二极管允许通过的最大正向工作电流 平均值。 平均值。 最高反向工作电压V ②最高反向工作电压 RM：二极管允许承受的反向工作电 压峰值。 压峰值。 规定的反向电压和环境温度下， ③反向漏电流IR：规定的反向电压和环境温度下，二极管反 反向漏电流 向电流值。 向电流值。 （2）稳压二极管 主要参数：稳定电压VZ、稳定电流IZ、最大工作电流IZM、 主要参数：稳定电压 稳定电流 最大工作电流 最大耗散功率P 动态电阻r 最大耗散功率 ZM、动态电阻 Z等。
动画 二极管的伏安特性
4．特点： 特点： （1）正向特性 正向电压V 小于门坎电压V 二极管V截止 截止， ①正向电压 F小于门坎电压 T时，二极管 截止， 正向电流I 正向电流 F = 0； ； 其中， 其中，门槛电压
0 .5 V (Si) VT = 0.2V (Ge)
导通， 急剧增大。 ②VF＞VT时，V导通，IF急剧增大。 导通 导通后V两端电压基本恒定： 导通后 两端电压基本恒定： 两端电压基本恒定
图1.1.8 万用表检测二极管
1.1.5 二极管的分类、型号和参数 二极管的分类、 1．分类 按材料分：硅管、 （1）按材料分：硅管、锗管 （2）按PN结面积：点接触型（电流小，高频应用）、面 ） 结面积：点接触型（电流小，高频应用）、面 结面积 ）、 接触型（电流大，用于整流） 接触型（电流大，用于整流） （3）按用途：如图 所示。 ）按用途：如图1.1.9所示。 所示
[例1.1.1] 图1.1.3所示电路中，当开关 闭合后，H1、H2 例 所示电路中， 闭合后， 所示电路中 当开关S闭合后 两个指示灯，哪一个可能发光？ 两个指示灯，哪一个可能发光？ 由电路图可知，开关S闭合后 只有二极管V 闭合后， 解 由电路图可知，开关 闭合后，只有二极管 1正极电位高 于负极电位，即处于正向导通状态，所以H 指示灯发光。 于负极电位，即处于正向导通状态，所以 1指示灯发光。
图1.1.3
[例1.1.1]电路图 例 电路图
1.1.2 PN结 结 二极管由半导体材料制成。 二极管由半导电能力介于导体与绝缘体之间的一种物 ．半导体： 如硅（ ）或锗（ ）半导体。 质。如硅（Si）或锗（Ge）半导体。 半导体中，能够运载电荷的的粒子有两种： 半导体中，能够运载电荷的的粒子有两种：
1．晶体二极管 （1）外形：由密封的管体和两 ）外形： 条正、负电极引线所组成。 条正、负电极引线所组成。管体外 壳的标记通常表示正极。如图1.1.1 壳的标记通常表示正极。如图 （a）所示； ）所示； （2）符号：如图。其中： 符号：如图。其中： 三角形——正极， 正极， 三角形 正极 竖杠——负极， 负极， 竖杠 负极 二极管的文字符号 V——二极管的文字符号。 二极管的文字符号。
图 1.1.1 晶体二极管的外形 和符号
2．晶体二极管的单向导电性： 晶体二极管的单向导电性：
动画 晶体二极管的单向导电性 （1）正极电位＞负极电位，二极管导通； 正极电位＞负极电位，二极管导通； （2）正极电位＜负极电位，二极管截止。 正极电位＜负极电位，二极管截止。 即二极管正偏导通，反偏截止。这一导电特性称为二 即二极管正偏导通，反偏截止。这一导电特性称为二 极管的单向导电性。 极管的单向导电性。
4．PN结：N型和 型半导体之间的特殊薄层叫做 结。 ． 结 型和P型半导体之间的特殊薄层叫做 型和 型半导体之间的特殊薄层叫做PN结 PN结是各种半导体器件的核心。如图 结是各种半导体器件的核心。 所示。 结是各种半导体器件的核心 如图1.1.5所示。 所示 PN结具有单向导电特性。即： 结具有单向导电特性。 结具有单向导电特性 P区接电源正极，N区接电源负极，PN结导通；反之，PN 区接电源正极， 区接电源负极 区接电源负极， 结导通 反之， 结导通； 区接电源正极 结截止。 结截止。 晶体二极管之所以具有单向 导电性， 导电性，其原因是内部具有一个 PN结。其正、负极对应于 结 结 其正、负极对应于PN结 型和N型半导体 的P型和 型半导体，如图 型和 型半导体，如图1.1.5所 所 示。
1.1.4 二极管的简单测试 用万用表检测二极管如图1.1.8所示。 所示。 用万用表检测二极管如图 所示 1. 判别正负极性 万用表测试条件： × 万用表测试条件：R×100 或R×1k ； × 将红、黑表笔分别接二极管两端。所测电阻小时， 将红、黑表笔分别接二极管两端。所测电阻小时，黑表 笔接触处为正极，红表笔接触处为负极。 笔接触处为正极，红表笔接触处为负极。
ＰＮ结 图1.1.5 ＰＮ结
1.1.3 二极管的伏安特性 1．定义：二极管两端的 ．定义： 电压和流过的电流之间的关 系曲线叫作二极管的伏安特 系曲线叫作二极管的伏安特 性。
2．测试电路：如图所示。 ．测试电路：如图所示。
图1.1.6 测试二极管伏安特性电路
3．伏安特性曲线：如图所示。 ．伏安特性曲线：如图所示。
图1.1.8 万用表检测二极管
2.判别好坏 2.判别好坏 万用表测试条件： × kΩ。 万用表测试条件：R×1kΩ。 (1)若正反向电阻均为零，二极管短路； (1)若正反向电阻均为零，二极管短路； 若正反向电阻均为零 (2)若正反向电阻非常大，二极管开路。 (2)若正反向电阻非常大，二极管开路。 若正反向电阻非常大 (3)若正向电阻约几千欧姆，反向电阻非常大，二极管正常。 (3)若正向电阻约几千欧姆，反向电阻非常大，二极管正常。 若正向电阻约几千欧姆
1.1 晶体二极管
1.1.1 晶体二极管的单向导电特性 1.1.2 PN结 结 1.1.3 二极管的伏安特性 1.1.4 二极管的简单测试 1.1.5 二极管的分类、型号和参数 二极管的分类、
1.1
晶体二极管
1.1.1 晶体二极管的单向导电特性
元件：电阻（R）、电容（C）、电感（L）、变压器（T）等 电子元器件 器件：晶体二极管、晶体三极管等
自由电子：带负电 空穴：带与自由电子等量的正电 均可运载电荷 — —载流子
载流子：在电场的作用下定向移动的自由电子和空穴， 载流子：在电场的作用下定向移动的自由电子和空穴， 统称载流子。如图1.1.4所示。 所示。 统称载流子。如图 所示
图1.1.4 半导体的两种载流子
2．本征半导体：不加杂质的纯净半导体晶体。如本征硅或 ．本征半导体：不加杂质的纯净半导体晶体。 本征锗。 本征锗。 本征半导体电导率低，为提高导电性能，需掺杂， 本征半导体电导率低，为提高导电性能，需掺杂，形成杂质 半导体。 半导体。 3．杂质半导体：为了提高半导体的导电性能，在本征半导 ．杂质半导体：为了提高半导体的导电性能， 体（4价）中掺入硼或磷等杂质所形成的半导体。 价 中掺入硼或磷等杂质所形成的半导体。 根据掺杂的物质不同，可分两种： 根据掺杂的物质不同，可分两种： 型半导体： 或锗)中掺入少量硼元素 （1）P型半导体：本征硅 或锗 中掺入少量硼元素（3价）所 ） 型半导体 本征硅(或锗 中掺入少量硼元素（ 价 形成的半导体， 型硅。 形成的半导体，如P型硅。多数载流子为空穴，少数载流子为电子。 型硅 多数载流子为空穴，少数载流子为电子。 型半导体： 或锗)中掺入少量磷元素 （2）N型半导体：在本征硅 或锗 中掺入少量磷元素（5价） ） 型半导体 在本征硅(或锗 中掺入少量磷元素（ 价 所形成的半导体， 型硅。 所形成的半导体，如N型硅。其中，多数载流子为电子，少数载 型硅 其中，多数载流子为电子， 流子为空穴。 流子为空穴。 型半导体和N型半导体使用特殊工艺连在一起 将P型半导体和 型半导体使用特殊工艺连在一起，形成 结。 型半导体和 型半导体使用特殊工艺连在一起，形成PN结
0.7 V (Si) 导通电压V = on 0.3V (Ge)
结论：正偏时电阻小，具有非线性。 结论：正偏时电阻小，具有非线性。
（2）反向特性 反向电压VR＜VRM（反向击穿电压）时，反向电流IR很 反向电压 反向击穿电压） 反向电流 且近似为常数，称为反向饱和电流。 小，且近似为常数，称为反向饱和电流。 VR＞VRM时，IR剧增，此现象称为反向电击穿。对应的 剧增，此现象称为反向电击穿。 电压V 称为反向击穿电压。 电压 RM称为反向击穿电压。 结论：反偏电阻大，存在电击穿现象。 结论：反偏电阻大，存在电击穿现象。
图1.1.9 二极管图形符号
整流二极管：利用单向导电性把交流电变成直流电的二极管。 ① 整流二极管 ： 利用单向导电性把交流电变成直流电的二极管 。 ②稳压二极管：利用反向击穿特性进行稳压的二极管。 稳压二极管：利用反向击穿特性进行稳压的二极管。 发光二极管：利用磷化镓把电能转变成光能的二极管。 ③发光二极管：利用磷化镓把电能转变成光能的二极管。 光电二极管：将光信号转变为电信号的二极管。 ④光电二极管：将光信号转变为电信号的二极管。 变容二极管：利用反向偏压改变PN结电容量的二极管。 PN结电容量的二极管 ⑤变容二极管：利用反向偏压改变PN结电容量的二极管。 2．型号举例如下： ．型号举例如下： 整流二极管——2CZ82B 整流二极管 稳压二极管——2CW50 稳压二极管 变容二极管——2AC1等等。 等等。 变容二极管 等等