电子线路(线性部分)试题
线性电子线路 题库
图2某放大器中晶体三极管三个极的电位分别是：2V、1.3V、5V图4 图62. 电路如图5所示,uo等于_______3. 电路如图6所示,该电路为_______4. 电路如图1所示,增大电容C1,中频电压放大倍数将5. 电路如图1所示,f l=50HZ,f h=100000 HZ,7. 电路如图7所示,已知U i=3V,E=1V,(二极管的正向压降可忽略不计),U O等于_______伏?8. 电路如图8所示,两个稳压管稳压值均是6V，正向压降可忽略不计, U i=1V时，U O等于_______伏?图7 图8三、(15分) 电路如图所示，已知β=37.5,Rb1=20kΩ, Rb2=10kΩ, Rc=2kΩ, Re=2kΩ;Vcc=12V, R L=6kΩ,Rs=0.2KΩ,r bb’ =0.2KΩ求：(1) 静态工作点Ｑ（2）输入电阻；输出电阻（3）电压放大倍数，源电压放大倍数四、(10分)电路如图12所示，V CC=V EE=12V，R=23.3KΩ，R C=12KΩ，R W=200Ω,R L=24KΩ，R b=2KΩ,各三极管的特性相同，r bb’=100Ω,U BE=0.7V, β=100。
（1）求静态工作点I C1,I C2,U CE1,U CE2,I B1,I B2（2）求差模放大倍数(15分)电路如图11所示，R1=47KΩ，（1）判断电路中有那些反馈（只说明级间反馈）？各有什么作用？（2）计算深度负反馈条件下，电压放大倍数。
（3）若输出波形出现失真,应如何调整(10分)判断题试用相位平衡条件判断图a和图b电路是否能产生自激振荡。
)电路如图所示，变压器副绕组的有效值为20V，R L=30Ω当开关K打开,请写出U O的平均值，二极管承受的最高反相压降,当一个二管断开时，当开关K闭合时,请写出U O的平均值，二极管承受的最高反相压降,当一个二管断开时，当开关K闭合时, R L断开, 求U O《模拟电子技术A 》（A ）卷答案及评分标准一、是非题(20分)1.( 1分) ×2. ( 1分) √3. ( 1分) ×4.( 1分) × 5．( 1分) √ 6. ( 1分) × 7.( 1分) × 8. ( 1分) × 9. ( 1分) × 10.( 1分) √二、填空题 （每空1分）1. 3级；直接。
电子线路第四版线性部分-谢嘉奎-复习资料全
电子线路第四版线性部分-谢嘉奎-复习资料全申明：本复习资料仅作为考试参考，不代表百分百会考本资料上的容。
一、选择填空题1、本征半导体：纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。
2、本征激发是半导体中产生自由的电子空穴对的条件。
3、N型半导体：本征半导体中掺入少量五价元素构成。
4、P型半导体：本征半导体中掺入少量三价元素构成。
5、PN结的基本特性：单向导电性（即正向导通，反向截止）。
除了单向导电性外还有反向击穿特性、温度特性、电容特性。
6、PN结的伏安特性方程式：正偏时：反偏时：其中：热电压倍。
7、硅PN结：VD（on）=0.7V锗PN结：VD（on）=0.3V8、PN结的击穿特性：热击穿（二极管损坏，不可恢复），齐纳击穿（可恢复）。
9、PN结的电容特性：势垒电容、扩散电容。
10、三极管部结构特点：发射区掺杂浓度大；基区薄；集电结面积大。
11、三极管的工作状态及其外部工作条件：放大模式：发射结正偏，集电结反偏；饱和形式：发射结正偏，集电结正偏；≈26mV（室温）；温度每升高10℃，Is约增加一截止模式：发射结反偏，集电结反偏。
12、三极管工作在放大模式下：对NPN管各极电位间要求：Ve<Vb<Vc对PNP管各极电位间要求：Ve>Vb>Vc解：电压值都为正，可判断为NPN管；假设三极管工作在放大状态，根据电位间要求：Ve<Vb<Vc，可判断U1=10V 为C极电压，U2-U3=0.7V，可判断U2=3V为B极电压；U3=2.3V为E极电压；且UCE=10-2.3=7.7V>0.3V,由此可判断此三极管为NPN型三极管，且工作在放大状态，假设成立。
13、三极管静态工作点：IBQ、TCQ、VCEQ14、公式：15、三极管的三种组态：16、混合Π型小号电路模型：vB Er b ei BQiEvB EiBiEQ26(1)re(1)ICQrce三极管输出电阻，数值较大。
5线性电子线路试题
线性电子线路试题一、选择题（20分）1．为使N 型半导体变成P 型半导体应掺入( ) A 三价元素 B 五价元素 C 增加温度 2．多级放大器级联后，其通频带( ) A 变宽 B 变窄 C 不变3．已知中频区 βO = 100，当f = f T 时，|β| 等于( ) A 100 B 1 C 2/1004．当温度升高时，N 型半导体的空穴浓度将( ) A 显著增加 B 显著减小 C 基本不变5．电路负载固定，为使电压增益稳定，应采用( ) A 电压负反馈 B 电流负反馈 C 上述两种负反馈均可6．单级共发电路，当信号频率等于上限频率时，v o 与v i 的相位差为( ) A -45︒ B -135︒ C -225︒7．已知A 、B 两放大器，它们的A v 相同，但R i 、R o 不同，若采用内阻为R S 的相同信号源激励，测得R L 开路时，A 放大器的v o 小，这说明A 的( )A R i 大B R i 小C R o 大D R o 小8．测得三极管三个电极对地直流电位分别为9 V 、6 V 、6.7 V ，则三个电极按顺序分别为( )A c 、e 、bB b 、c 、eC e 、c 、b9．在基本放大电路中引入电压串联负反馈，可使电路( ) A R i ↑、R o ↓、A v ↑ B R i ↓、R o ↓、A v ↑ C R i ↑、R o ↓、A v ↓10．已知三极管极限参数P CM = 150 mW ，I CM = 100 mA ，V BR(CEO) = 30 V ，当工作电压V CE = 10 V 时，工作电流I C 不得超过( )A 100 mAB 1.5 mAC 50 mA二、（8分）图示电路中二极管是理想的，已知输入电压t v ωsin 6i =(V)，试画出输出电压v o 的波形。
tv i6 O-6v i三、（12分）图示电路，假设电路参数已知，r ce 忽略不计，各电容对交流呈短路。
线性电子电路试题
线性电子电路试题浙江省2003年4月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题(每空1分，共20分)1.利用晶体二极管的___________和___________特性，可以构成整流、稳压、限幅等各种功能电路。
2.半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成___________电流，由外加电场引起载流子运动形成___________电流。
3.已知某晶体三极管的VBE=0.7V,VCE=1.0V,则该管工作在区，由___________材料制造。
4.晶体管工作在放大状态时，其发射结的结电容主要是___________电容，集电结的结电容主要是___________电容。
5.通常将反型层称为增强型MOS管的源区和漏区之间的___________沟道，其中由___________形成的沟道称为N沟道。
6.场效应管工作在非饱和区时，其ID和VDS之间呈___________关系，故又称该区为___________。
7.在晶体管放大器中，即能放大电压也能放大电流的是___________组态放大电路；可以放大电压但不能放大电流的是___________组态放大电路。
8.放大电路的失真分为___________和___________两大类。
9.放大电路中，引入直流负反馈的作用是___________，引入交流负反馈的目的是改善放大器的___________。
10.深度负反馈条件是___________，此时反馈放大器的增益近似等于___________。
二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。
每小题2分，共20分)1.当PN结外加正向电压时，扩散电流( )漂移电流。
A.大于B.小于D.近似等于2.当P型半导体和N型半导体相接触时，在P型和N型半导体交界处，形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域?( )A.阻挡层B.耗尽层C.空间电荷区D.突变层3.有四个晶体三极管：已知它们的电流放大系数β及穿透电流ICEO的值，使用时选用哪个更合适?( )A.β=200,ICEO=10μAB.β=10,ICEO=0.1μAC.β=50,ICEO=0.1μAD.β=100,ICEO=10μA4.常温下，某晶体三极管在ICQ=1mA处，rbe=1.6KΩ，β=50,则等于( )。
电子线路试题及参考答案
电子线路试题及参考答案试 题一、单项选择题（在下列各题的四个选项中，只有一项是最符合题意的。
本大题共35小题，每小题2分，共70分）1．在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（ ）A ．掺杂工艺B ．温度C ．杂质浓度D ．晶体缺陷2．在半导体材料中，其正确的说法是（ ）A ．P 型半导体和N 型半导体材料本身都不带电。
B ．P 型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带正电。
C ．N 型半导体中，由于多数载流子为自由电子，所以它带负电。
D ．N 型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带负电。
3．由理想二极管组成的电路如图1所示，其A 、B 两端的电压为（ ）A ．–12VB ．+6VC ．–6VD ．+12V 4．使用万用表直流电压挡，测得电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图2所示，从而可判断出该晶体管工作在（ ）A ．饱和状态B ．放大状态C ．截止状态D ．倒置状态5．对于图3所示复合管，设r be1和r be2分别为T 1、T 2管的输入电阻，则复合管的输入电阻r be 为（ ）A ．r be =r be1B ．r be =r be2C ．r be =r be1+(1+ )r be2D ．r be =r be1+r be26．在图4电路中，设c 1、c 2对交流信号影响可忽略不计。
当输入f =1kHz 的正弦电压信号后，用示波器观察V i 和V o ，则二者相位关系为（ ）A ．相差90°B ．相差45°C ．同相D ．相差180° 7．为了减小温漂，通用型运放的输入级大多采用（ ） A ．共射电路 B ．差分放大电路C ．OCL 电路（互补对称电路）D ．共集电路8．差分放大电路用恒流源代替长尾电阻R e 是为了（ ）A ．提高共模电压放大倍数B ．提高差模电压放大倍数C ．提高差模输入电阻图 1图 2 图 3图4D ．提高共模抑制比9．测得放大电路的开路电压放大倍数为6V ，接入2k Ω负载电阻后，其输出电压降为4V ，则此放大器的输出电阻R o 为（ ）A ．R o =1K ΩB ．R o =2K ΩC ．R o =4K ΩD ．R o =6K Ω10．电路如图5所示，设集成电路具有理想的特性，电阻R 2=10K Ω，当R 1的阻值为下列哪种情况时，可以产生较好的正弦波振荡。
电子线路(线性部分)试题及解答5
一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。
（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）（5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（）解：（1）×（2）√（3）×（4）×（5）√（6）×（7）×二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图T2.2解：（a）不能。
因为输入信号被V B B短路。
（b）可能。
（c）不能。
因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。
（d）不能。
晶体管将因发射结电压过大而损坏。
（e）不能。
因为输入信号被C2短路。
（f）不能。
因为输出信号被V C C短路，恒为零。
（g）可能。
（h）不合理。
因为G-S间电压将大于零。
（i）不能。
因为T截止。
三、在图T2.3所示电路中， 已知V C C ＝12V ，晶体管的β＝100，'b R ＝100k Ω。
填空：要求先填文字表达式后填得数。
（1）当iU ＝0V 时，测得U B E Q ＝0.7V ，若要基极电流I B Q ＝20μA ， 则'b R 和R W 之和R b＝ ≈ k Ω；而若测得U C E Q ＝6V ，则R c ＝ ≈ k Ω。
（2）若测得输入电压有效值i U =5mV 时，输出电压有效值'o U ＝0.6V ， 则电压放大倍数uA ＝ ≈ 。
若负载电阻R L 值与R C 相等 ，则带上负载图T2.3 后输出电压有效值o U ＝ ＝ V 。
线性电子线路例题
有三只三极管， 锗管β＝ 例 ： 有三只三极管 ， 分别为 锗管 ＝ 150， ， ICBO＝2µA； 硅管 ＝100，ICBO＝1µA； 硅 ； 硅管β＝ ， ； 管β＝40，ICEO＝41µA；试从β和温度稳定性选 ＝ ， ；试从 和温度稳定性选 择一只最佳的管子。 76择一只最佳的管子。P76-81 解： β值大，但ICBO也大，温度稳定性较差； 值大， 也大，温度稳定性较差； 值大 β值较大，ICBO＝1µA，ICEO＝101 µA ； 值较大， 值较大 ， β值较小，ICEO＝41µA， ICBO＝1µA。 值较小， 值较小 ， 。 、 ICBO相等，但 相等， 较大， 的β较大，故 较大 较好。 较好。
例： ：Rb1=33K , Rb2=10K , Rc= 3.3K , 已知： 已知
Re1=200 , Re2=1.3K , Vcc=12V , rbe=994 , β=50，RL=5.1K 。试计算 、Ri、Ro。 试计算Au、 、 。 ， • • • ○ +Vcc • • Ui =Ub r= +(1+b RIb′ R1 I 0 be − β I β) Rc Đc Đb e L Rb1 Ui βib rbe • • Ii = = ⋅ r be + · Rb Rb Re1 · U i r e I b(1+ β)Re1 RC RLL R • Ui Rb2 Uo b + Re1 (1 + Ui) I b ⋅Uie1 β R 1 2 Re2 + + Rb1 Rb2 ' • 50( 3 L Ri = R−// R 2 βRbe +(1+ β)R 1].3 // 5.1) //[r b =− e AU =b1 0.994 10//(0+ β)Re1 = 33//rbe +(1.994+51×0.2) + 51 × 0.2 RO = RC = 3.3K Ω = − 8Ω = 4.6K. 9
全国各大高校线性电子线路习题集-答案
一、填空题(本大题共10小题，每小题1分，共10分)1.PN结的反向击穿有雪崩和________两种击穿。
2.杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由________产生的。
3.衡量双极型三极管放大能力的参数是________。
4.已知某晶体三极管的fT和β，则fβ=________。
5.根据外加电压的不同，场效应管的输出特性曲线族可划分为________区、饱和区、截止区和击穿区。
6.MOS场效应管按导电沟道划分为N和________两大类。
7.对放大器偏置电路的要求有两个：一是合适，二是________。
8.放大电路的失真按失真机理分为线性失真和________失真两大类。
9.若引入反馈使放大器的增益________，这样的反馈称为负反馈。
10.放大电路中，为稳定静态工作点，应引入________反馈。
11.如图所示两级放大电路，其中级间采用耦合方式，T1接成组态，T2接成组态，R1和R2的作用是。
12.差分放大器的基本特点是放大、抑制。
13.集成运放主要包括输入级、、和偏置电路。
14.放大电路静态工作点设置过高，则输出电压波形容易出现失真。
15.理想运放工作在线性区域的两个重要特性是、_____________。
16.已知某开环放大电路在输入信号电压为1mV时，输出电压为1V；当加上负反馈后达到同样的输出电压时，需加输入信号为10mV。
由此可知基本放大器的电压增益为___________，反馈系数为_________。
17.工作在放大区的某三极管，如果当IB从12uA增大到22uA时，IC从1mA变为2mA,约为。
那么它的18.在单级共射电路中，若输入为正弦波形，用示波器观察UO和UI的波形，则UO和UI的相位关系为；若为共集电路，则UO和UI的相位关系为。
19.在多级放大电路中，放大倍数等于______________,后级的输入电阻是前级的，而前级的输出电阻则也可视为后级的。
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一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）
（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ）
（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）
解：（1）√ （2）× （3）√
二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄
B. 基本不变
C. 变宽
（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U
B. T U U I e S
C. )1e (S －T U U I
（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通
B.反向截止
C.反向击穿
解：（1）A （2）C （3）C
三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝0.7V 。
图T1.3
解：U O 1≈1.3V ，U O 2＝0，U O 3≈－1.3V ，U O 4≈2V ，U O 5≈1.3V ，
U O 6≈－2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Z mi n ＝5mA 。
求图T1.4所示电路中U O 1和U O 2各为多少伏。
图T1.4
解：U O1＝6V，U O2＝5V。
1.1选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
A. 五价
B. 四价
C. 三价
（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大
B. 不变
C. 减小
解：（1）A ，C （2）A
1.2 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？
解：不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。
1.3 电路如图P1.3所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3
解图P1.3
解：u i和u o的波形如解图P1.3所示。
1.4 电路如图P1.4所示，已知u i＝5sinωt(V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i与u O的波形，并标出幅值。
图P1.4
解图P1.4
解：波形如解图P1.4所示。
1.5 电路如图P1.5（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.5
解：u O的波形如解图P1.5所示。
解图P1.5
1.6 电路如图P1.6所示，二极管导通电压U D＝0.7V，常温下U T≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；u i为正弦波，有效值为10mV。
试问二极管中流过的交流电流有效值
为多少？
解：二极管的直流电流
I D＝（V－U D）/R＝2.6mA
其动态电阻
r D≈U T/I D＝10Ω
故动态电流有效值
I d＝U i/r D≈1mA 图P1.6
1.7现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。
试问：
（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？
（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？
解：（1）两只稳压管串联时可得 1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Z m i n ＝5mA ，最大功耗P Z M ＝150mW 。
试求图P1.8所
示电路中电阻R 的取值范围。
解：稳压管的最大稳定电流
I Z M ＝P Z M /U Z ＝25mA
电阻R 的电流为I Z M ～I Z m i n ，所以其
取值范围为
Ω=-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 图P 1.8
1.9 已知图P1.9所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Z m i n ＝5mA ，最大稳定电流I Z ma x ＝25mA 。
（1）分别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值；
（2）若U I ＝35V 时负载开路，则会
出现什么现象?为什么？
解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z
＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最
小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故
V 33.3I L
L O ≈⋅+=U R R R U 当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最 图P 1.9
小稳定电流I Z m i n ，所以
U O ＝U Z ＝6V
同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I Z M ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
1.10 在图P1.10所示电路中，发光二极管导通电压U D ＝1.5V ，正向电流在5～15mA 时才能正常工作。
试问：
（1）开关S 在什么位置时发光二极管才能发光？
（2）R 的取值范围是多少？
解：（1）S 闭合。
（2）R 的范围为。
Ω=-=Ω
≈-=700)(233)(Dmin D max Dmax D min I U V R I U V R 图P 1.10
1.11 电路如图P1.11（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波形如图（c ）所示。
试分别画出u O 1和u O 2的波形。
图P 1.11
解：波形如解图P 1.11所示
解图P1.11。