最新07届半导体物理考试

半导体物理学(刘恩科第七版)习题答案(比较完全)

半导体物理学(刘恩科第七版)习题答案(比较完全)第一章习题1．设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近能量E V (k)分别为：E c =0220122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V -=-+ 0m 。

试求：为电子惯性质量，nm a ak 314.0,1==π（1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量; （3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：（1）eVm k E k E E E k m dk E d k m kdk dE Ec k k m m m dk E d k k m k k m k V C g V V V c 64.012)0()43(0,060064338232430)(2320212102220202020222101202==-==<-===-==>=+===-+ 因此：取极大值处，所以又因为得价带：取极小值处，所以：在又因为：得：由导带：043222*83)2(1m dk E d mk k C nC===sN k k k p k p m dk E d mk k k k V nV/1095.7043)()()4(6)3(25104300222*11-===⨯=-=-=∆=-== 所以：准动量的定义：2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格，当外加102V/m ，107 V/m 的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

解：根据：tkhqE f ∆∆== 得qE k t -∆=∆sat sat 137192821911027.810106.1)0(1027.810106.1)0(----⨯=⨯⨯--=∆⨯=⨯⨯--=∆ππ补充题1分别计算Si （100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度（提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图）Si 在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图1所示：（a ）(100)晶面（b ）(110)晶面（c ）(111)晶面补充题2一维晶体的电子能带可写为)2cos 81cos 87()22ka ka ma k E +-=（，式中a 为晶格常数，试求（1）布里渊区边界；（2）能带宽度；（3）电子在波矢k 状态时的速度；（4）能带底部电子的有效质量*n m ；214221422142822/1083.7342232212414111/1059.92422124142110/1078.6)1043.5(224141100cmatom a a a cm atom a a a cmatom a a ⨯==⨯+⨯+⨯⨯==⨯⨯+⨯+⨯=⨯==⨯+-）：（）：（）：（（5）能带顶部空穴的有效质量*p m解：（1）由0)(=dk k dE 得 an k π=（n=0，±1，±2…）进一步分析an k π)12(+= ，E （k ）有极大值， 222)ma k E MAX=（ank π2=时，E （k ）有极小值所以布里渊区边界为a n k π)12(+= (2)能带宽度为222)()ma k E k E MINMAX=-（(3）电子在波矢k 状态的速度)2sin 41(sin 1ka ka ma dk dE v -==（4）电子的有效质量)2cos 21(cos 222*ka ka mdkEd m n-==能带底部 an k π2= 所以mm n2*=(5)能带顶部 a n k π)12(+=，且**np m m-=，所以能带顶部空穴的有效质量32*m mp=第二章习题1. 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？答：（1）理想半导体：假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。

成都理工大学应用物理07级半导体期末试题

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……成都理工大学二零零九至二零一零学年第二学期期末考试半导体物理课程考试题 A 卷（120 分钟）考试形式：闭卷考试日期20 年月日课程成绩构成：平时30 分，期末70 分一二三四五六七八九十合计复核人签名得分签名可能用到的物理常数：电子电量q=1.602×10-19C，真空介电常数ε0=8.854×10-12F/m，室温（300K）的k0T=0.026eV，SiO2相对介电常数=3.9，n型<100>Si，A*=2.1×120A/(cm2·K2)，N C=2.8×1019cm-3,N V=1.04×1019cm-3一、填空题:在括号中填入正确答案（共40分，共19题，每空1 分）1.半导体Si是（）结构；导带和价带间的能隙称为（）；Si, Ge为（）能隙半导体。

2.从价带中移出一个电子，会生成（）；半导体中同时存在电子和空穴两种载流子。

3.掺杂一般是为了（）半导体的电导率，如向Si中掺入（）可以得到n型半导体；掺（）可以得到p型半导体。

4.如同时向硅Si中掺入浓度为N D的磷P和浓度为N A的硼B且全部电离，设N A>N D，则此时Si为( )半导体。

5.对于杂质浓度较低的样品，迁移率随着温度升高而（）,这是由于晶格散射起主要作用。

到杂质浓度高到1018cm-3以上后，在低温范围，随着温度的升高，电子迁移率反而（），到一定温度后才稍有下降，这是由于温度低时，（）起主要作用。

6.光照一块p型半导体，产生非平衡电子Δn和非平衡空穴Δp，则把非平衡电子Δn称为（），而把非平衡空穴Δp称为非平衡多数载流子。

并且非平衡电子浓度Δn （）非平衡空穴浓度Δp；7.金是有效的（），在半导体中引入少量的金，就能够显著（）少数载流子的寿命；得分………密………封………线………以………内………答………题………无………效……8.对于空穴陷阱来说，电子俘获系数r n( )空穴俘获系数r p。

半导体物理学第七版完整答案修订版

半导体物理学第七版完整答案修订版IBMT standardization office【IBMT5AB-IBMT08-IBMT2C-ZZT18】第一章习题1．设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近能量E V (k)分别为：E C （K ）=0220122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V -=-+ （1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量;（3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：（1）2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格，当外加102V/m ，107 V/m 的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

解：根据：tkhqE f ∆∆== 得qE k t -∆=∆补充题1分别计算Si （100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度（提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图）Si 在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图1所示：（a ）(100)晶面（b ）(110)晶面（c ）(111)晶面补充题2一维晶体的电子能带可写为)2cos 81cos 87()22ka ka ma k E +-=（，式中a 为晶格常数，试求（1）布里渊区边界；（2）能带宽度；（3）电子在波矢k 状态时的速度；（4）能带底部电子的有效质量*n m ；（5）能带顶部空穴的有效质量*p m解：（1）由0)(=dk k dE 得 an k π= （n=0，?1，?2…）进一步分析an k π)12(+= ，E （k ）有极大值，ank π2=时，E （k ）有极小值所以布里渊区边界为an k π)12(+=(2)能带宽度为222)()mak E k E MINMAX =-（ (3）电子在波矢k 状态的速度)2sin 41(sin 1ka ka ma dk dE v -==（4）电子的有效质量能带底部 an k π2=所以m m n2*= (5)能带顶部 an k π)12(+=，且**n p m m -=，所以能带顶部空穴的有效质量32*mm p =半导体物理第2章习题1. 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么答：（1）理想半导体：假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。

半导体物理学(第七版)完整答案

半导体物理学(第七版)完整答案第一章习题1．设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近能量E V (k)分别为：E C （K ）=0220122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V -=-+ 0m 。

试求：为电子惯性质量，nm a ak 314.0,1==π（1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量; （3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：（1）eVm k E k E E E k m dk E d k m kdk dE Ec k k m m m dk E d k k m k k m k V C g V V V c 64.012)0()43(0,060064338232430)(2320212102220202020222101202==-==<-===-==>=+===-+ 因此：取极大值处，所以又因为得价带：取极小值处，所以：在又因为：得：由导带：043222*83)2(1m dk E d mk k C nC===sN k k k p k p m dk E d mk k k k V nV/1095.7043)()()4(6)3(25104300222*11-===⨯=-=-=∆=-== 所以：准动量的定义：2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格，当外加102V/m ，107 V/m 的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

解：根据：tkhqE f ∆∆== 得qE k t -∆=∆sat sat 137192821911027.810106.1)0(1027.810106.1)0(----⨯=⨯⨯--=∆⨯=⨯⨯--=∆ππ补充题1分别计算Si （100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度（提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图）Si 在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图1所示：（a ）(100)晶面（b ）(110)晶面（c ）(111)晶面补充题2一维晶体的电子能带可写为)2cos 81cos 87()22ka ka ma k E +-=（，式中a 为晶格常数，试求（1）布里渊区边界；（2）能带宽度；（3）电子在波矢k 状态时的速度；（4）能带底部电子的有效质量*n m ；（5）能带顶部空穴的有效质量*p m解：（1）由0)(=dk k dE 得 an k π=（n=0，±1，±2…）进一步分析an k π)12(+= ，E （k ）有极大值， 222)ma k E MAX=（ank π2=时，E （k ）有极小值所以布里渊区边界为a n k π)12(+= (2)能带宽度为222)()ma k E k E MINMAX=-（(3）电子在波矢k 状态的速度)2sin 41(sin 1ka ka ma dk dE v -==（4）电子的有效质量)2cos 21(cos 222*ka ka mdkEd m n-==能带底部 an k π2= 所以mm n2*=(5)能带顶部 a n k π)12(+=，且**np m m-=，所以能带顶部空穴的有效质量32*m mp=半导体物理第2章习题1. 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？答：（1）理想半导体：假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。

2007-半导体物理期末考试试卷

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零零七至二零零八学年第一学期期末考试一、选择填空（22×2=44分）1、在硅和锗的能带结构中，在布里渊中心存在两个极大值重合的价带，外面的能带（ B ），对应的有效质量（ C ），称该能带中的空穴为( E )。

A. 曲率大；B. 曲率小；C. 大；D. 小；E. 重空穴；F. 轻空穴2、在通常情况下，GaN呈（ A ）型结构，具有（ C ），它是（F ）半导体材料。

A. 纤锌矿型；B. 闪锌矿型；C. 六方对称性；D. 立方对称性；E.间接带隙；F. 直接带隙。

3、同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4，m n*/m0值是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（ D ）。

A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/84、.一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（ C ）。

A.1/4 ；B.1/e ；C.1/e2；D.1/25、在Ⅱ－Ⅺ族化合物半导体如ZnO中，由于是有电负性差别较大的元素组成的晶体，其化学建主要呈（A ）的特征，当负离子空位如O空位出现时，将产生（ D ），它起（ E ）作用。

A.离子键；B.共价键；C.负电中心；D.正电中心；E.施主；F.受主6、在纯的半导体硅中掺入硼，在一定的温度下，当掺入的浓度增加时，费米能级向（A ）移动；当掺杂浓度一定时，温度从室温逐步，费米能级向( C )移动。

A.Ev ；B.Ec ；C.Ei；D. E F7、把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（D ）。

半导体物理学（刘恩科）第七版第一章到第五章完整课后题答案百

半导体物理学（刘恩科）第七版第⼀章到第五章完整课后题答案百第⼀章习题1．设晶格常数为a的⼀维晶格，导带极⼩值附近能量Ec(k和价带极⼤值附近能量EV(k分别为：Ec=（1）禁带宽度;（2）导带底电⼦有效质量;（3）价带顶电⼦有效质量;（4）价带顶电⼦跃迁到导带底时准动量的变化解：（1）2. 晶格常数为0.25nm的⼀维晶格，当外加102V/m，107 V/m的电场时，试分别计算电⼦⾃能带底运动到能带顶所需的时间。

解：根据：得补充题1分别计算Si（100），（110），（111）⾯每平⽅厘⽶内的原⼦个数，即原⼦⾯密度（提⽰：先画出各晶⾯内原⼦的位置和分布图）Si在（100），（110）和（111）⾯上的原⼦分布如图1所⽰：（a）(100晶⾯（b）(110晶⾯（c）(111晶⾯补充题2⼀维晶体的电⼦能带可写为，式中a为晶格常数，试求（1）布⾥渊区边界；（2）能带宽度；（3）电⼦在波⽮k状态时的速度；（4）能带底部电⼦的有效质量；（5）能带顶部空⽳的有效质量解：（1）由得（n=0，1，2…）进⼀步分析，E（k）有极⼤值，时，E（k）有极⼩值所以布⾥渊区边界为(2能带宽度为(3）电⼦在波⽮k状态的速度（4）电⼦的有效质量能带底部所以(5能带顶部，且，所以能带顶部空⽳的有效质量半导体物理第2章习题1. 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？答：（1）理想半导体：假设晶格原⼦严格按周期性排列并静⽌在格点位置上，实际半导体中原⼦不是静⽌的，⽽是在其平衡位置附近振动。

（2）理想半导体是纯净不含杂质的，实际半导体含有若⼲杂质。

（3）理想半导体的晶格结构是完整的，实际半导体中存在点缺陷，线缺陷和⾯缺陷等。

2. 以As掺⼊Ge中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。

As有5个价电⼦，其中的四个价电⼦与周围的四个Ge原⼦形成共价键，还剩余⼀个电⼦，同时As原⼦所在处也多余⼀个正电荷，称为正离⼦中⼼，所以，⼀个As 原⼦取代⼀个Ge原⼦，其效果是形成⼀个正电中⼼和⼀个多余的电⼦.多余的电⼦束缚在正电中⼼，但这种束缚很弱,很⼩的能量就可使电⼦摆脱束缚，成为在晶格中导电的⾃由电⼦，⽽As原⼦形成⼀个不能移动的正电中⼼。

半导体物理学(乙)B卷真题2007年

2007年硕士学位研究生入学统一考试试题半导体物理学(乙) B卷一、解释下列名词及概念1．半导体中深能级杂质 2．禁带宽度 3．热载流子4．空穴 5．半导体的迁移率 6．准费米能级 7．欧姆接触8．表面复合速度 9．本征吸收 10．p-n结势垒电容二、简答题1．简述多能谷散射；2．简述霍耳效应；3．简述禁带变窄效应；4．简述半导体的几何磁阻效应。

三、平面正六方晶格如图所示，其矢量为：式中a为六角形两个平行对边间的距离。

1．求倒格子基矢；2．证明倒格子原胞的面积等于正格子原胞面积的倒数；(不考虑(2π) 2因子) 3．画出此晶格的第一布里渊区。

四、晶格常数为a的一维晶格，其导带极小值附近能量为价带极大值附近能量为为电子的惯性质量，h=6.63×10-34，s为普朗克常数，，a=0.314nm，求1．禁带宽度；2．导带底电子有效质量；3．价带顶电子有效质量；4．价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。

五、设在一个金属--二氧化硅--p型硅构成的MOS结构上加一电压，如图所示，p型硅接低电位，金属接高电位，使半导体表面层出现耗尽状态。

1．根据耗尽层近似，求耗尽层内电势v(x) 。

2．若p-si的表面势Vs =0.4V，外加电压为5V，受主杂质浓度NA=1016/cm3，求耗尽层厚度。

(硅的介电常数εr =11.9，真空介电常数ε=8.85×10-14F/cm，电子电量q=1.60×10-19C) 。

六、已知硅突变结两边杂质浓度为NA =1016cm-3，ND=1020cm-3，1．求势垒高度和势垒宽度(300K时) ；2．画出电场E(x) 及电势V(x) 图。

(硅中本征载流子浓度ni =1.5×1010cm-3，硅的介电常数εr=11.9，真空介电常数E 0=8.85×10-14F/cm，玻耳兹曼常数k=1.38×10-23/K，300K时kT=0.026eV) 2007年半导体物理学(乙) B卷参考答案1．深能级杂质：在半导体的禁带产生的施主能级距离导带底较远，产生的受主能级距离价带顶也较远。

半导体物理学(刘恩科第七版)习题集标准答案(比较完全)

第一章习题1．设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近能量E V (k)分别为：E c =0220122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V -=-+ 0m 。

试求：为电子惯性质量，nm a ak 314.0,1==π（1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量; （3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：（1）eVm k E k E E E k m dk E d k m kdk dE Ec k k m m m dk E d k k m k k m k V C g V V V c 64.012)0()43(0,060064338232430)(2320212102220202020222101202==-==<-===-==>=+===-+ 因此：取极大值处，所以又因为得价带：取极小值处，所以：在又因为：得：由导带：043222*83)2(1m dk E d mk k C nC===sN k k k p k p m dk E d mk k k k V nV/1095.7043)()()4(6)3(25104300222*11-===⨯=-=-=∆=-== 所以：准动量的定义：2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格，当外加102V/m ，107 V/m 的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

解：根据：tkhqE f ∆∆== 得qE k t -∆=∆sat sat 137192821911027.810106.1)0(1027.810106.1)0(----⨯=⨯⨯--=∆⨯=⨯⨯--=∆ππ补充题1分别计算Si （100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度（提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图）Si 在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图1所示：（a ）(100)晶面（b ）(110)晶面（c ）(111)晶面补充题2一维晶体的电子能带可写为)2cos 81cos 87()22ka ka ma k E +-= （，式中a 为晶格常数，试求（1）布里渊区边界；（2）能带宽度；（3）电子在波矢k 状态时的速度；（4）能带底部电子的有效质量*n m ；（5）能带顶部空穴的有效质量*p m解：（1）由0)(=dk k dE 得 an k π= （n=0，±1，±2…）进一步分析an k π)12(+= ，E （k ）有极大值，214221422142822/1083.7342232212414111/1059.92422124142110/1078.6)1043.5(224141100cm atom a a a cm atom a a a cm atom a a ⨯==⨯+⨯+⨯⨯==⨯⨯+⨯+⨯=⨯==⨯+-）：（）：（）：（222)mak E MAX=（ ank π2=时，E （k ）有极小值所以布里渊区边界为an k π)12(+=(2)能带宽度为222)()ma k E k E MIN MAX =-（ (3）电子在波矢k 状态的速度)2sin 41(sin 1ka ka ma dk dE v -== （4）电子的有效质量)2cos 21(cos 222*ka ka mdkEd m n-==能带底部 an k π2=所以m m n 2*= (5)能带顶部 an k π)12(+=，且**n p m m -=，所以能带顶部空穴的有效质量32*mm p =第二章习题1. 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？答：（1）理想半导体：假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。