光刻技术新进展
新一代光刻机的研发进展
新一代光刻机的研发进展随着科技的飞速发展，光刻技术在微电子制造中扮演着重要的角色。
光刻机作为现代集成电路制造过程中关键的工具，其技术的进步对整个行业的发展起到了重要的推动作用。
本文将就新一代光刻机的研发进展进行探讨。
一、光刻机的背景及发展历史光刻机是一种以光刻技术为基础，采用光刻胶和光掩膜进行细微图案转移的设备。
它起源于20世纪60年代，并迅速发展成为现代半导体制造过程中不可或缺的工具。
过去几十年的发展历程中，光刻技术取得了显著的突破，不断提高了分辨率和生产效率。
二、新一代光刻机的特点与优势1. 全息光刻技术的应用全息光刻技术是新一代光刻机的重要突破之一。
相比传统的纳米光刻技术，全息光刻技术具有更高的分辨率和更低的加工偏差，可以实现更精细的图案制作。
这种技术的应用在微电子制造中具有重要的意义，可以提高集成电路器件的性能和稳定性。
2. 高纳米级别的制造精度新一代光刻机在制造精度方面取得了重大突破。
相较于以往的设备，它能够实现更高的纳米级别的精度，使得微细图案的制作更加精确和可控。
这对于集成电路制造来说具有重要意义，可以提高器件的性能和可靠性。
3. 高速高效的生产能力随着制造工艺的不断进步，新一代光刻机的生产能力也得到了大幅提升。
其采用了更先进的光刻技术和更高效的自动化系统，使得生产效率大大提高。
这对于大规模生产微电子器件来说具有重要的意义，可以降低生产成本并提高产能。
三、光刻机制造工艺的探索与创新随着新一代光刻机的研发，制造工艺方面也进行了一系列的探索与创新。
1. 光刻胶的研发光刻胶是光刻工艺中重要的材料。
为了适应更高精度的光刻需求，研发新型光刻胶成为一项重要任务。
新一代光刻机的研发推动了光刻胶技术的进步，提高了其分辨率和可靠性，为微电子制造提供了更好的支持。
2. 光掩膜的改进光掩膜是光刻机中光学部分的核心组成部分。
在新一代光刻机的研发过程中，科研人员对光掩膜的制备技术进行了改进，提高了其图案精度和制造工艺的稳定性。
光刻机的最新进展与前景展望
光刻机的最新进展与前景展望光刻机作为微电子制造中不可或缺的关键设备之一，在半导体产业领域发挥着重要作用。
随着科技的不断进步和半导体行业的飞速发展，光刻机也在不断演变和突破，为微电子制造提供更高的分辨率、更高的生产效率和更低的制造成本。
本文将对光刻机的最新进展进行探讨，并展望其未来的发展前景。
近年来，光刻机在技术上取得了许多突破，使得半导体行业得以向更高水平迈进。
首先，分辨率方面的提升使得微电子制造能够实现更小尺寸的芯片制造。
传统的光刻技术已经能够实现7纳米级别的分辨率，而最新的极紫外光刻技术（EUV）已经能够实现3纳米级别的分辨率，为下一代芯片制造提供了可能。
其次，光刻机在生产效率方面也有了显著的提升。
传统的光刻机在制造过程中需要多次曝光和对位，而新一代的多光束光刻机（MBL）可以同时曝光多个图案，大大提高了生产效率。
此外，一些企业正在开发基于可见光的光刻技术，相比于传统紫外光刻技术，可见光光刻技术具有更高的透射率，能够进一步提高生产效率。
另外，光刻机在制造成本方面也取得了重要的突破。
首先，由于分辨率的提高，芯片的制造成本得到了降低。
其次，新一代光刻机采用了更先进的光刻光源和镜头材料，能够在制造过程中节约能源和材料，降低生产成本。
此外，一些企业还在研究和开发新的曝光技术，例如非接触曝光和局部曝光技术，这些技术有望进一步减少制造成本。
对于光刻机未来的发展前景，可以预见的是光刻机将继续发挥关键作用，并不断迎接新的挑战。
首先，光刻机在下一代芯片制造中的应用具有重要意义。
目前，半导体行业正推动着超深紫外光刻（DUV）技术的研究和开发，该技术有望实现1纳米级别的分辨率，为未来更小尺寸芯片的生产提供可能。
同时，EUV技术也在不断发展和完善，有望实现更高分辨率和更高生产效率。
其次，光刻机在其他领域的应用也将得到拓展。
例如，光刻技术已经开始在生物医学领域得到应用，用于制造微小的生物芯片和生物传感器，用于快速检测和诊断疾病。
逆向光刻技术的新进展与应用
逆向光刻技术的新进展与应用逆向光刻技术是指在光刻过程中将模板图案反转后进行曝光的一种新型光刻技术。
其原理是利用光子在电子束正交于表面的情况下，通过逆向的光刻胶层，最终形成与模板图案相反的主图案结构。
随着科技的不断发展，逆向光刻技术不断升级创新，成为一种重要的微观制造技术，在微电子、纳米技术等领域中有广泛的应用。
一、技术原理逆向光刻技术是一种采用逆向光刻胶层，并借助于光刻胶在紫外光下的vCD的变化实现图形转移的技术。
通常首先在衬底（substrate）表面涂上一层有机光刻胶层，通常是甲基甲基丙烯酸甲酯(MMAP)或者其他一些多元丙烯酸酯型的光刻胶。
然后，通过电子束或者光掩膜的方式，将线宽小于100nm的图形投影到光刻胶层上，使得光刻胶层的局部物性发生变化。
这种变化在后续曝光和显影过程中，可以实现相对应的构型的制备。
二、技术特点相对于传统的正向光刻技术，逆向光刻技术有许多独特的特点。
具体表现在以下几个方面：1. 对于多层结构的制造，特别是垂直结构等复杂结构，逆向光刻技术优于传统正向光刻。
这是因为在多层结构中，上层会遮挡下层，而逆向光刻技术可以避免因此而造成的色散和变形。
2. 逆向光刻技术可以制备更加宽范围（从nm到um）的图形，特别是在纳米制造领域中有广泛的应用。
同时其制造成本较低。
3. 逆向光刻技术相对正向光刻技术，在半导体制造领域或者新型材料研发领域能够实现精确的图案制备，以及掌握尺寸及形状的更深层次控制。
三、应用领域逆向光刻技术是一种新型的微观制造技术，逐渐向有机电子、光电子、纳米制造、微机电系统（MEMS）、传感器、光学器件、生物芯片、偏振光控制和量子器件等领域拓展。
其中，作为新型电子材料和有机电子器件研发领域的代表性品种，有机发光二极管（OLED）已经成为逆向光刻技术的热门应用领域之一。
其成功的可见光发光性能取决于OLED结构的精确优化。
OLED是一种通过反转所要制备的结构图案来获得亮度、色度和性能的非常重要的方法。
光刻机技术革新向更高精度更高速度迈进的创新突破
光刻机技术革新向更高精度更高速度迈进的创新突破在光子学领域中，光刻机技术一直是制造高精度、高速度芯片的关键工艺之一。
随着电子产品需求不断增长，尤其是物联网、人工智能等新兴领域的兴起，对于高性能芯片的需求也越来越迫切。
为了满足这种需求，光刻机技术不断进行革新，以实现更高精度和更高速度的创新突破。
一、多光束平行曝光技术传统的光刻机技术采用单光束照射方式，这对于细微的芯片图案来说存在一定的限制。
为了解决这个问题，多光束平行曝光技术应运而生。
该技术通过将一个光束分成多个子光束，同时进行曝光，从而大大提高了曝光速度。
这种平行曝光技术能够在不损失分辨率的情况下大幅提高生产效率，为制造更高精度芯片提供了可能。
二、透射式光刻机透射式光刻机是一种新型的光刻机技术，它采用了全新的曝光方式。
与传统的反射式光刻机不同，透射式光刻机将光线从上方照射到芯片上，实现了更加平坦的曝光面，并大幅减少了光刻误差。
这种技术不仅能够提高曝光质量，还能够适应更高速度的生产要求，对于高精度芯片的制造具有重要意义。
三、多层式光刻技术在传统的光刻机技术中，每一次曝光只能形成一个芯片的一层结构。
为了提高生产效率，多层式光刻技术应运而生。
该技术可以一次性曝光多层芯片结构，大幅提高制造速度。
同时，多层式光刻技术还能够实现更高的精度，使得芯片的不同层次之间更加精准对位，从而提高了整体性能。
四、高分辨率光刻技术除了提高速度，光刻机技术的另一个重要挑战是如何实现更高的分辨率。
高分辨率光刻技术通过采用更短的波长、更高的数值孔径等手段，成功地将芯片图案的分辨率提高到亚纳米级别。
这种技术的发展为制造更小、更密集的元器件打开了大门，满足了现代电子产品对于高集成度的要求。
五、自适应光刻技术传统的光刻机技术对于芯片表面的不均匀性或者边缘效应会产生负面影响。
为了解决这个问题，自适应光刻技术应运而生。
该技术利用先进的光刻机系统和实时控制算法，能够根据实际情况自动调整光斑形状、曝光剂的用量等参数，从而提高曝光质量并降低制造过程中的偏差。
光刻机技术进展迈向更高分辨率
光刻机技术进展迈向更高分辨率随着科技的不断进步，光刻机技术作为微电子行业中的重要一环，也在不断发展。
光刻机是一种用来制造芯片的设备，它通过将光投射到光敏膜上，实现微小芯片图案的复制。
在不断追求更高的分辨率的背景下，光刻机技术也在不断进步，为制造更先进的芯片打下了坚实的基础。
一、多光束光刻技术多光束光刻技术是光刻机技术中的一项重要革新。
传统的光刻机是使用单光束进行曝光的，而多光束光刻机则利用多个光束同时进行曝光，可以大大提高曝光速度和分辨率。
多光束光刻技术的出现使得光刻机在微米级芯片制造中具有更高的应用潜力。
二、极紫外光刻技术极紫外光刻技术是目前光刻机技术发展的热点之一。
传统的光刻机使用紫外光进行曝光，而极紫外光刻机则采用波长更短的极紫外光源，能够更精细地制造芯片图案。
极紫外光刻技术具有更高的分辨率和更低的误差率，可制造出更为精细的芯片。
然而，极紫外光刻技术的应用还受到一些挑战，如光源功率和光罩材料等问题，需要进一步研究和突破。
三、电子束光刻技术电子束光刻技术是另一种重要的光刻机技术，它使用的是电子束而不是光束进行曝光。
与光刻技术相比，电子束光刻技术具有更高的分辨率和更低的失真率，适用于制造高密度和超高分辨率的芯片。
然而，由于电子束光刻机设备的成本较高，运用限制较多，目前仍然处于发展初期，需要更多的技术突破和应用探索。
四、光刻胶材料的改进光刻胶是光刻机技术中的关键材料之一，其性能直接影响到光刻机的分辨率和精确度。
随着技术的进步，研究人员开发出了一系列高分辨率的光刻胶材料，能够在制造芯片时实现更细微的图案。
例如，近年来出现的高分辨率聚合物光刻胶，具有更高的光子灵敏度和更低的光滞后效应，为光刻技术带来了更高的分辨率和更好的图案保真度。
总结：光刻机技术作为微电子行业中不可或缺的一环，其进展向着更高的分辨率迈进。
多光束光刻技术、极紫外光刻技术和电子束光刻技术等新技术的应用，推动了光刻机技术的发展和进步。
此外，光刻胶材料的改进也为光刻机技术提供了更高分辨率的支持。
光刻机技术革新突破分辨率极限
光刻机技术革新突破分辨率极限随着科技的进步，光刻机技术在半导体行业扮演着重要的角色。
然而，随着分辨率的不断提高，光刻机技术面临着分辨率极限的挑战。
本文将探讨光刻机技术的革新以突破分辨率极限。
一、背景光刻技术是制造芯片的核心工艺之一。
在半导体工艺中，通过光刻机将芯片图案投射到光刻胶上，然后将该图案转移到芯片基片上。
然而，随着芯片尺寸的不断减小，分辨率要求也越来越高。
在光刻机技术中，分辨率指的是光刻胶上可以显示的最小特征尺寸。
二、传统光刻机技术的限制传统的光刻机技术受到物理学原理的限制，无法继续提高分辨率。
由于光的衍射效应，当光通过投射透镜时，会产生衍射的现象，使得图案的细节模糊不清。
因此，光刻机技术在提高分辨率上遇到了瓶颈。
三、光刻机技术革新为了突破分辨率极限，科学家和工程师们进行了大量的研究与实验，尝试寻找新的技术和方法来提高分辨率。
以下是一些光刻机技术的革新方向：1.极紫外光刻技术（EUV）极紫外光刻技术是当前用于突破分辨率极限的主要方法之一。
EUV利用极端紫外光波长（约为13.5纳米）来进行曝光，这比传统的紫外光波长（193纳米）短得多。
极紫外光刻技术可以更好地克服光的衍射效应，提高分辨率，使得更小尺寸的芯片图案得以制造。
2.多重光刻技术多重光刻技术是一种结合不同波长的光来进行曝光的方法。
通过将不同波长的光依次投射到光刻胶上，可以将图案的细节分成不同的层次进行曝光，从而提高分辨率。
多重光刻技术在一定程度上缓解了分辨率的限制。
3.干涉光刻技术干涉光刻技术是一种基于干涉原理的光刻方法。
通过利用干涉光的波前差，可以实现更高的分辨率。
干涉光刻技术可以对光刻胶上的图案进行更加精确的形成，从而提高分辨率。
四、光刻机技术的应用前景随着光刻机技术革新的不断推进，其应用前景非常广阔。
首先，光刻机技术的突破将推动半导体行业向更小、更快、更高性能的芯片迈进。
其次，光刻机技术的提升还将对其他领域产生重要影响，比如显示技术、光纤通信等。
光刻机的光源技术创新与进展
光刻机的光源技术创新与进展光刻技术是半导体制造过程中不可或缺的关键环节，它承载着将微电子元件图案转移到硅片上的重要任务。
光刻机的光源技术作为光刻技术中的核心部分，其创新与进展对于提高微电子制造的精度、速度和可靠性起到了至关重要的作用。
本文将围绕光刻机的光源技术进行探讨，介绍其创新与进展。
光刻机的光源技术一直是制约光刻分辨率和生产效率的重要因素。
高分辨率在微电子制造中需求量日益增大，因此光源技术的创新是提高分辨率的关键。
在过去的几十年里，固态激光器被广泛应用于光刻机的光源技术中。
然而，固态激光器的能量稳定性和单色性限制了其在极深紫外（EUV）光刻技术中的应用。
因此，在光刻机的光源技术中，需要不断创新和改进，以应对日益迫切的高分辨率需求。
近年来，为提高光刻机的分辨率和生产效率，微电子行业开始探索新的光源技术。
其中，极深紫外光刻技术被认为是未来微电子制造的重要方向。
EUV光刻技术以13.5纳米波长的光源作为曝光光源，相较传统的193纳米光刻技术，在光刻分辨率和制程控制方面具有巨大的潜力。
然而，由于其对于光源的要求非常高，研发可用的EUV光源一直是一个挑战。
针对EUV光刻技术的挑战，研究人员正在开展新的光源技术创新和研发工作。
其中，光辉放电（GPP）和激光等离子体（LDP）是当前国际上研究最为活跃的两种EUV光源技术。
光辉放电技术通过在稀有气体中产生等离子体来产生EUV光源，能够提供较高的亮度。
激光等离子体则通过激光作用于微米尺寸的固体目标来产生等离子体，产生的EUV辐射强度高，但亮度相对较低。
当前，这两种技术都面临着能量稳定性和使用寿命等问题，还需要进一步的改进和研究。
除了新的光源技术，还有一些创新方法被提出来应对光刻机的光源技术挑战。
例如，使用自由电子激光作为光刻机的光源。
自由电子激光具有宽波长范围和可调谐性的特点，可以提供极高的光子能量和亮度。
然而，由于设备庞大、成本高昂和能量稳定性等问题，自由电子激光在商业化应用方面仍面临挑战。
光刻机技术的突破与应用前景
光刻机技术的突破与应用前景随着科技的迅猛发展，光刻机技术作为现代集成电路制造中不可或缺的核心工艺之一，扮演着重要的角色。
它的突破和应用前景备受关注。
本文将从光刻机技术的基本原理、近年来的突破及其应用前景等方面展开论述。
一、光刻机技术的基本原理光刻机技术是一种使用光源投射特定图案到光敏材料上的技术。
它的基本原理包括图案设计、掩膜制备、曝光和后期处理等环节。
图案设计是光刻机技术的首要步骤。
在电子设计自动化（EDA）软件的辅助下，工程师可以根据产品要求设计出高精度的芯片图案。
掩膜制备是光刻机技术的关键步骤之一。
通过使用电子束曝光或激光直写技术，将设计好的图案转移到掩膜上，形成光刻版。
这一步骤要求高精度、高分辨率，决定了后续曝光的质量。
曝光是光刻机技术的核心环节。
通过将掩膜上的图案通过光刻机投射到光敏材料上，在光敏材料中形成所需的图案结构。
曝光过程中，光源的选择、掩膜与光敏材料的距离、曝光时间等参数都会影响图案的质量。
后期处理是光刻机技术的最后一步。
它包括清洗、去胶、涂覆等过程，用于去除未曝光的光敏材料和光刻胶，以及保护和修复曝光后的结构。
二、光刻机技术的突破近年来，光刻机技术在分辨率、精度和速度等方面取得了突破性进展。
首先是分辨率的提升。
传统的紫外光刻技术已经接近其分辨极限，导致制程难度增加。
为此，研究人员引入了极紫外光刻（EUV）技术。
EUV技术以13.5纳米波长的极紫外光进行曝光，相比传统紫外光，其分辨率得到了显著提高。
其次是精度的提高。
新一代的光刻机设备采用了更为精密的光学系统和高稳定性的机械结构，可以实现亚纳米级别的平面度和形状精度，大大提升了芯片制造的精度要求。
最后是速度的提升。
光刻机设备的生产效率也得到了显著提高。
光源功率的提升和曝光光斑的尺寸控制等技术改进，使得曝光速度大幅增加。
这不仅提升了生产效率，也降低了芯片制造成本。
三、光刻机技术的应用前景光刻机技术在集成电路制造、平板显示、光学器件等领域具有广泛的应用前景。
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光刻技术新进展
刘泽文李志坚
一、引言
目前，集成电路已经从60年代的每个芯片上仅几十个器件发展到现在的每个芯片上可包含约10亿个器件，其增长过程遵从一个我们称之为摩尔定律的规律，即集成度每3年提高4倍。
这一增长速度不仅导致了半导体市场在过去30年中以平均每年约15%的速度增长，而且对现代经济、国防和社会也产生了巨大的影响。
集成电路之所以能飞速发展，光刻技术的支持起到了极为关键的作用。
因为它直接决定了单个器件的物理尺寸。
每个新一代集成电路的出现，总是以光刻所获得的线宽为主要技术标志。
光刻技术的不断发展从三个方面为集成电路技术的进步提供了保证：其一是大面积均匀曝光，在同一块硅片上同时作出大量器件和芯片，保证了批量化的生产水平；其二是图形线宽不断缩小，使用权集成度不断提高，生产成本持续下降；其三，由于线宽的缩小，器件的运行速度越来越快，使用权集成电路的性能不断提高。
随着集成度的提高，光刻技术所面临的困难也越来越多。
二、当前光刻技术的主要研究领域及进展
1999年初,0.18微米工艺的深紫外线(DUV)光刻机已相继投放市场,用于
1G位DRAM生产。
根据当前的技术发展情况，光学光刻用于2003年前后的0.13微米将没有问题。
而在2006年用到的0.1微米特征线宽则有可能是光学光刻的一个技术极限，被称为0.1微米难关。
如何在光源、材料、物理方法等方面取得突破，攻克这一难关并为0.07，0.05微米工艺开辟道路是光刻技术和相应基础研究领域的共同课题。
在0.1微米之后用于替代光学光刻的所谓下一代光刻技术（ＮＧＬ）主要有极紫外、Ｘ射线、电子束的离子束光刻。
由于光学光刻的不断突破，它们一直处于"候选者"的地位，并形成竞争态势。
这些技术能否在生产中取得应用，取决于它们的技术成熟程度、设备成本、生产效率等。
下面我们就各种光刻技术进展情况作进一步介绍。
1．光学光刻
光学光刻是通过光学系统以投影方法将掩模上的大规模集成电路器件的结
构图形"刻"在涂有光刻胶的硅片上，限制光刻所能获得的最小特征尺寸直接与光刻系统所能获得的分辨率直接相关，而减小光源的波长是提高分辨率的最有效途径。
因此，开发新型短波长光源光刻机一直是国际上的研究热点。
目前，商品化光刻机的光源波长已经从过去的汞灯光源紫外光波段进入到深紫外波段（DUV），如用于0.25微米技术的KrF准分子激光（波长为248纳米）和用于0.18微米技术的ArF准分子激光(波长为193纳米)。
除此之外，利用光的干涉特性，采用各种波前技术优化工艺参数也是提高光刻分辨率的重要手段。
这些技术是运用电磁理论结合光刻实际对曝光成像进行深入的分析所取得的突破。
其中有移相掩膜、离轴照明技术、邻近效应校正等。
运用这些技术，可在目前的技术水平上获得更高分辨率的光刻图形。
如1999年初Canon公司推出的FPA-1000ASI扫描步进机，该机的光源为193纳米ArF，通过采用波前技术，可在300毫米硅片上实现0.13微米光刻线宽。
光刻技术包括光刻机、掩模、光刻胶等一系列技术，涉及光、机、电、物理、化学、材料等多个研究领域。
目前科学家正在探索更短波长的F2激光（波长为157纳米）光刻技术。
由于大量的光吸收，获得用于光刻系统的新型光学及掩模衬底材料是该波段技术的主要困
难。
2．极紫外光刻（EUVL）
极紫外光刻用波长为10-14纳米的极紫外光作光源。
虽然该技术最初被称为软X射线光刻，但实际上更类似于光学光刻。
所不同的是由于在材料中的强烈吸收，其光学系统必须采用反射形式。
如果EUVL得到应用，它甚至可能解决2012年的0.05微米及以后的问题，对此发展应予以足够重视。
3．X射线光刻（XRL）
XRL光源波长约为1纳米。
由于易于实现高分辨率曝光，自从XRL技术在70年代被发明以来，就受到人们广泛的重视。
欧洲、美国、日本和中国等拥有同步辐射装置的国家相继开展了有关研究，是所有下一代光刻技术中最为成熟的技术。
XRL的主要困难是获得具有良好机械物理特性的掩膜衬底。
近年来掩膜技术研究取得较大进展。
SiC目前被认为是最合适的衬底材料。
由于与XRL相关的问题的研究已经比较深入，加之光学光刻技术的发展和其它光刻技术的新突破，XRL不再是未来"惟一"的候选技术，美国最近对XRL的投入有所减小。
尽管如此，XRL技术仍然是不可忽视的候选技术之一。
4．电子束光刻（EBL）
电子束光刻采用高能电子束对光刻胶进行曝光从而获得结构图形，由于其德布罗意波长为0.004纳米左右，电子束光刻不受衍射极限的影响，可获得接近原子尺度的分辨率。
电子束光刻由于可以获得极高的分辨率并能直接产生图形，不但在VLSI制作中已成为不可缺小的掩模制工具，也是加工用于特殊目的的器件和结构的主要方法。
目前的电子束曝光机的分辨率已达0.1微米以下。
电子束光刻的主要缺点是生产效率较低，为每小时5~10个圆片，远小于目前光学光刻的每小时50~100个圆片的水平。
最近，美国朗讯公司开发的角度限制散射投影电子束光刻SCALPEL技术令人瞩目，该技术如同光学光刻那样对掩模图形进行缩小投影，并采用特殊滤波技术去除掩模吸收体产生的散射电子，从而在保证分辨率条件下提高产出效率，应该指出，无论未来光刻采用何种技术，EBL都将是集成电路研究与生产不可缺少的基础设施。
5．离子束光刻（IBL）
离子束光刻采用液态原子或所态原子电离后形成的离子通过电磁场加速及电磁透镜的聚焦或准直后对光刻胶进行曝光。
其原理与电子束光刻类似，但德布罗意波长更短（小于0.0001纳米），且有无邻近效应小、曝光场大等优点。
离子束光刻主要包括聚焦离子束光刻（FIBL）、离子投影光刻（IPL）等。
其中FIBL 发展最早，最近实验研究中已获得10纳米的分辨率。
该技术由于效率低，很难在生产中作为曝光工具得到应用，目前主要用作VLSI中的掩模修补工具和特殊器件的修整。
由于FIBL的缺点，人们发展了具有较高曝光效率的IPL技术。
欧洲和美国联合了大量企业、大学和研究机构，开展了一个名为MEDEA的合作项目，用于解决设备和掩模等方面的问题，进行可行性验证，目前已取得不少进展。
三、光刻技术展望
光学光刻技术仍在发展，可望突破0.1纳米难关。
后光学时代有多种技术可供选择，未来采用何种技术尚不明了。