项目8 常用半导体器件练习题
半导体器件习题及参考答案
第二章1 一个硅p －n 扩散结在p 型一侧为线性缓变结，a=1019cm -4，n 型一侧为均匀掺杂，杂质浓度为3×1014cm －3，在零偏压下p 型一侧的耗尽层宽度为μm，求零偏压下的总耗尽层宽度、内建电势和最大电场强度。
解：)0(,22≤≤-=x x qax dxd p S εψ)0(,22n SD x x qN dx d ≤≤-=εψ 0),(2)(22≤≤--=-=E x x x x qa dx d x p p Sεψ n n SDx x x x qN dx d x ≤≤-=-=E 0),()(εψ x ＝0处E 连续得x n ＝µm x 总=x n +x p =µm⎰⎰=--=-npx x bi V dx x E dx x E V 0516.0)()(m V x qa E p S/1082.4)(252max ⨯-=-=ε,负号表示方向为n 型一侧指向p 型一侧。
2 一个理想的p-n 结，N D ＝1018cm －3，N A ＝1016cm －3，τp＝τn＝10－6s ，器件的面积为×10－5cm －2，计算300K 下饱和电流的理论值，±时的正向和反向电流。
解：D p ＝9cm 2/s ，D n ＝6cm 2/scm D L p p p 3103-⨯==τ，cm D L n n n 31045.2-⨯==τnp n pn p S L n qD L p qD J 0+=I S =A*J S =*10-16A 。
＋时，I ＝µA ， －时，I ＝*10-16A3 对于理想的硅p +-n 突变结，N D ＝1016cm －3，在1V 正向偏压下，求n 型中性区内存贮的少数载流子总量。
设n 型中性区的长度为1μm，空穴扩散长度为5μm。
解：P ＋>>n ，正向注入：0)(2202=---pn n n n L p p dx p p d ，得： )sinh()sinh()1(/00pnn pn kTqV n n n L x W L xW e p p p ---=- ⎰⨯=-=nnW x n n A dx p p qA Q 20010289.5)(4一个硅p +-n 单边突变结，N D ＝1015cm －3，求击穿时的耗尽层宽度，若n 区减小到5μm，计算此时击穿电压。
半导体器件试题
第八章 半导体器件 一、单项选择题1、当 温 度 升 高 时，半 导 体 的 导 电 能 力 将（ ）。
(a) 增 强 (b) 减 弱 (c) 不 变2、电 路 如 图 所 示， 输 入信 号u i = 6sin ωt V 时， 二 极 管D 承 受 的 最 高 反 向 电 压 为（ ）。
(a) 3 V (b) 6 V (c) 9 V5k Ωu O3、整 流 电 路 如 图 所 示，已 知输 出电 压 平 均 值 U O 是18 V ， 则 变 压 器 副 边 电 压 有 效 值 U 2 是（ ）。
(a) 40 V(b) 20 V (c) 15 V(d) 12.7 Vu O+-4、在电 感 电 容 滤 波 电 路 中，欲使滤波 效 果 好， 则 要 求（ ）。
(a) 电 感 大 (b) 电 感 小 (c) 电 感 为 任 意 值5、已 知 某 晶 体 管 的 I CEO 为 200μA ， 当 基 极 电 流 为 20μA 时， 集 电 极 电 流 为1mA ，则 该 管 的 I CBO 约 等 于 （ ）。
(a) 8 mA (b) 10 mA (c) 5μA (d) 20μA 6、二 极 管 接 在 电 路 中， 若 测 得 a 、b 两 端 电 位 如 图 所 示，则 二 极 管 工 作 状 态 为（ ）。
(a) 导 通 (b) 截 止 (c) 击 穿-6.3V D7、整 流 电 路 如 图 所 示，输 出电 流 平 均 值I O mA =50，则 流 过 二 极 管的 电 流 平 均 值I D 是（ ）。
(a)I D =50 mA(b)I D =25 mA(c)I D=12.5 mA~u O8、整 流 滤 波 电 路 如 图 所 示， 二 极 管 的 导 通 角 （ ）。
(a) 等 于180︒(b) 小 于 180︒(c) 大 于 180︒～Du O+-9、电 路 如 图 1 所 示， 二 极 管 D 为 理 想 元 件，U u =3V,i =6sin ωt V ， 则 输 出 电 压 u O 的 波 形 为 图2 中（ ）。
半导体器件附答案
第一章、半导体器件（附答案）一、选择题1．PN 结加正向电压时，空间电荷区将 ________A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2．设二极管的端电压为 u ，则二极管的电流方程是 ________A. B. C.3．稳压管的稳压是其工作在 ________A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿区4．V U GS 0=时，能够工作在恒流区的场效应管有 ________A. 结型场效应管B. 增强型 MOS 管C. 耗尽型 MOS 管5．对PN 结增加反向电压时，参与导电的是 ________A. 多数载流子B. 少数载流子C. 既有多数载流子又有少数载流子6．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 _____A. 增加B. 减少C. 不变7．用万用表的 R × 100 Ω档和 R × 1K Ω档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量结果 ______A. 相同B. 第一次测量植比第二次大C. 第一次测量植比第二次小8．面接触型二极管适用于 ____A. 高频检波电路B. 工频整流电路9．下列型号的二极管中可用于检波电路的锗二极管是： ____A. 2CZ11B. 2CP10C. 2CW11D.2AP610．当温度为20℃时测得某二极管的在路电压为V U D 7.0=。
若其他参数不变，当温度上升到40℃，则D U 的大小将 ____A. 等于 0.7VB. 大于 0.7VC. 小于 0.7V11．当两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来，可组成的稳压值有 _____A. 两种B. 三种C. 四种12．在图中，稳压管1W V 和2W V 的稳压值分别为6V 和7V ，且工作在稳压状态，由此可知输出电压O U 为 _____A. 6VB. 7VC. 0VD. 1V13．将一只稳压管和一只普通二极管串联后，可得到的稳压值是（ ）A. 两种B. 三种C. 四种14．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 __（1）__，而少数载流子的浓度与 __（2）__有很大关系。
(完整版)常用半导体元件习题及答案
第5章常用半导体元件习题5.1晶体二极管一、填空题：1．半导体材料的导电能力介于和之间，二极管是将封装起来，并分别引出和两个极。
2．二极管按半导体材料可分为和，按内部结构可分为＿和，按用途分类有、、四种。
3．二极管有、、、四种状态，PN 结具有性，即。
4．用万用表（R×1K档）测量二极管正向电阻时，指针偏转角度，测量反向电阻时，指针偏转角度。
5．使用二极管时，主要考虑的参数为和二极管的反向击穿是指。
6．二极管按PN结的结构特点可分为是型和型。
7．硅二极管的正向压降约为 V，锗二极管的正向压降约为 V；硅二极管的死区电压约为 V，锗二极管的死区电压约为 V。
8．当加到二极管上反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。
9．利用万用表测量二极管PN结的电阻值，可以大致判别二极管的、和PN结的材料。
二、选择题：1. 硅管和锗管正常工作时，两端的电压几乎恒定，分别分为( )。
A.0.2-0.3V 0.6-0.7VB. 0.2-0.7V0.3-0.6VC.0.6-0.7V 0.2-0.3VD. 0.1-0.2V0.6-0.7V的大小为( )。
2.判断右面两图中，UABA. 0.6V 0.3VB. 0.3V 0.6VC. 0.3V 0.3VD. 0.6V 0.6V3.用万用表检测小功率二极管的好坏时，应将万用表欧姆档拨到（）Ω档。
A.1×10B. 1×1000C. 1×102或1×103D. 1×1054. 如果二极管的正反向电阻都很大，说明 ( ) 。
A. 内部短路B. 内部断路C. 正常D. 无法确定5. 当硅二极管加0.3V正向电压时，该二极管相当于( ) 。
A. 很小电阻B. 很大电阻C.短路D. 开路6．二极管的正极电位是-20V，负极电位是-10V，则该二极管处于（）。
A．反偏 B．正偏 C．不变D. 断路7．当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A．增大 B．减小 C．不变D. 不确定8．PN结的P区接电源负极，N区接电源正极，称为（）偏置接法。
《半导体器件》习题及参考答案模板
第二章1 一个硅p －n 扩散结在p 型一侧为线性缓变结，a=1019cm -4，n 型一侧为均匀掺杂，杂质浓度为3×1014cm －3，在零偏压下p 型一侧的耗尽层宽度为0.8μm ，求零偏压下的总耗尽层宽度、内建电势和最大电场强度。
解：)0(,22≤≤-=x x qax dxd p S εψ)0(,22n SD x x qN dx d ≤≤-=εψ 0),(2)(22≤≤--=-=E x x x x qa dx d x p p Sεψ n n SDx x x x qN dx d x ≤≤-=-=E 0),()(εψ x ＝0处E 连续得x n ＝1.07µm x 总=x n +x p =1.87µm⎰⎰=--=-npx x bi V dx x E dx x E V 0516.0)()(m V x qa E p S/1082.4)(252max ⨯-=-=ε,负号表示方向为n 型一侧指向p 型一侧。
2 一个理想的p-n 结，N D ＝1018cm －3，N A ＝1016cm －3，τp ＝τn ＝10－6s ，器件的面积为1.2×10－5cm －2，计算300K 下饱和电流的理论值，±0.7V 时的正向和反向电流。
解：D p ＝9cm 2/s ，D n ＝6cm 2/scm D L p p p 3103-⨯==τ，cm D L n n n 31045.2-⨯==τnp n pn p S L n qD L p qD J 0+=I S =A*J S =1.0*10-16A 。
＋0.7V 时，I ＝49.3µA ， －0.7V 时，I ＝1.0*10-16A3 对于理想的硅p +-n 突变结，N D ＝1016cm －3，在1V 正向偏压下，求n 型中性区内存贮的少数载流子总量。
设n 型中性区的长度为1μm ，空穴扩散长度为5μm 。
常用半导体材料测试卷
常用半导体材料测试卷一、单项选择题：（本大题共85个小题，每小题2分，共170分）1.在焊接过程中要使用助焊剂，关于助焊剂的作用，下列说法错误的是A．去除氧化物B．使焊点不出现尖角C．防止工件和焊料加热时氧化D．减小焊料熔化后的表面张力，增加其流动性，有利于浸润2.钎焊分离电子元器件最合适选用的电烙铁是A．25W B．75W C．100W D．150W3.共晶焊锡的熔点为A．327℃B．232℃C．183℃D．212℃4.焊接中焊点凝固前被焊元件移动容易形成A．虚焊B．夹生焊C．漏焊D．预焊5.焊接电子元件最适合的焊剂是A．焊锡膏B．松香C．稀盐酸D．氯化锌6.下面关于虚焊的说法错误的是A．虚焊就是假焊B．焊料与被焊物的表面没有互相扩散C．虚焊主要是由于焊件金属表面不干净和焊剂用量过少造成的D．虚焊主要由于烙铁温度不够高和留焊时间太短造成的7.下面关于镀锡的说法错误的是A．上锡B．预焊C．搪锡D．焊件表面处理8.下列关于焊接说法错误的是A．电烙铁烧死是指焊头因氧化而不吃锡的现象 B．焊接时不能甩动电烙铁，以免锡液伤人C．电烙铁的金属外壳必须接地 D．焊锡膏适用于电子器件的焊接9.关于手工焊接，下列说法不正确的是A．常用的焊锡丝的材料是锡铅合金B．焊剂的作用是焊接时去除氧化物并防止金属表面两次氧化C．焊接中要避免虚焊和夹生焊现象的发生D．焊接时，先用烙铁头加热工件，然后把焊锡丝放在烙铁头上熔化10.信号发生器的输出幅度每衰减20dB，输出信号的电压值即变为原来的A．0.5 B．0.1 C．31.6% D．1/211.信号发生器输出信号时，输出衰减选40dB ，当电压表示数值为5V 时，则输出为A．5V B．0.5V C．0.05V D．50V 12.信号发生器的输出衰减有20dB和40dB，当按下20dB时，输出相对衰减10倍，当按下40dB 时，输出相对衰减为A．10 B．100 C．20 D．4013.用示波器观察某标准正弦波的电压波形，若一个周期的距离为4div，示波器的扫描时间选择开关置于50ms／div，且使用了“扩展×10”，则该电压的频率是A．5Hz B．20Hz C．50Hz D．500Hz14.要使示波器的显示波形向上移动，应调节旋钮A．Y轴移位B．Y轴增幅C．X轴移位D．X轴增幅15.要使示波器显示波形亮度适中，应调节旋钮A．聚焦B．辉度C．辅助聚焦D．X轴衰减16.若Y轴输入信号频率为200Hz，要在荧光屏上看到4个完整的波形，则扫描频率范围要置于A．10――100Hz B．1kHz C．10 kHz D．100 kHz17.用示波器观察一正弦电压的波形，现屏中测出正弦波电压峰峰值为4div，档位为5V／div，探头不衰减，则正弦波电压的有效值为A．20V B．10V C．52V D．102V18.下列关于示波器的说法错误的是A．调整示波器的辉度钮，光点亮度不能太亮B．调节聚焦钮，使示波器的光点成为小圆点，如果不行，可用辅助聚焦钮配合C．示波器长期不用时，会导致内部的电解电容器失效D．为调整示波器的亮度和清晰度，可以让光点长时间停在屏幕中央19.使示波器的显示波形稳定，只显示两个完整波形，除调整垂直方向之外，还要调整A．扫描范围B．X轴衰减C．扫描范围和X轴衰减D．X轴位移20.用示波器观察两个正弦信号如图1所示，已知X轴偏转因数置于0.5μs／div，Y轴偏转因数置于0.1V／div，则两信号的相位差A．30o B．90o C．60o D．45o第 1 页共6 页21.在P型半导体中A．空穴是多数载流子，电子是少数载流子B．没有电子C．空穴的数量略多于电子D．没有空穴22.二极管两端加上正向电压时A．一定导通B．超过死区电压才能导通C．超过0.7V才导通 D．超过0.3V才导通23.在测量二极管反向电阻时，若用两手把管脚捏紧，电阻值将A．变大B．变小C．不变化D．无法判断24.一个硅二极管的正向电压降在0.6V基础上增加10%，它的电流将A．增加10% B．增加10%以上C．基本不变D．不变25.如图2所示，二极管是理想二极管，则电压U AB为A．－3V B．5V C．8V D．－8V26.如图3所示，VD1、VD2的状态是A．VD1导通、VD2截止B．VD1截止、VD2导通C．VD1、VD2都导通D．VD1、VD2都截止27.晶体二极管内部是由所构成的A．一个PN结B．两个PN结 C．两块N型半导体D．两块P型半导体28.当硅二极管加上0.4V的正向电压时，该二极管相当于A．很小的电阻B．很大的电阻C．短路D．中值电阻29.如图4所示，当输入电压U i＝12V时，输出电压U0为A．12V B．2V C．5V D．0V30.下列硅二极管中质量最好的是A．正向电阻为1kΩ，反向电阻为100 kΩ B．正向电阻为50kΩ，反向电阻为100 kΩC．正反向电阻均为无穷大 D．正向电阻为20kΩ，反向电阻为20kΩ31.用万用表欧姆挡测量小功率二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到A．R×100或R×1k挡B．R×1挡C．R×10挡D．任意挡32.用万用表测得NPN型三极管各电极对地电位是V B＝4.7V，V C＝4.3V，V E＝4V，则该三极管的工作状态是A．饱和状态B．截止状态C．放大状态D．无法确定33.在三极管放大电路中，三极管最高电位的一端是A．NPN型管的发射极B．PNP型管的发射极C．PNP型的集电极D．无法确定34.一只三极管内部包含个PN结A．1 B．2 C．3 D．035.NPN型和PNP型晶体管的区别是A．由两种不同的材料硅和锗制成B．掺入的杂质不同C．P区和N区的位置不同D．电流的放大倍数不同36.三极管各极电位如图所示，工作在放大状态的是37.3DG6型晶体三极管的P CM＝100mW，ICM＝20mA，U（BR）CEO＝20V，将其接在电路中，I C＝5mA，U CE＝10V，则该管A．击穿B．工作正常C．功耗太大，过热甚至烧坏D．无法判断38.在三极管放大电路中，测得某管脚1流进4.6mA的电流，某管脚2流进0.03mA的电流，则该管是A．NPN管B．PNP管C．硅管D．锗管39.晶体管的参数β是指A．晶体管共发射极直流电流放大倍数B．晶体管共发射极交流电流放大倍数C．放大电路的电压放大倍数D．放大电路的电流放大倍数40.正常工作在放大电路中的某晶体管各极对地电位分别是9V、6.3V、6V，则该管管脚分别对应为A．B、C、E B．C、B、E C．E、C、B D．E、B、C41.用万用表测得三极管任意两极间的正反向电阻均很小，则该管A．两个PN结均开路B．两个PN结均击穿C．发射结击穿，集电结正常D．发射结正常，集电结击穿第 2 页共6 页42.某PNP型晶体管β＝50，I E＝2mA，则I C约等于A．40μA B．1.98m A C．98 m A D．24.5 m A43.NPN型三极管处于放大状态时，各极电位关系是A．V C＞V B＞V E B．V C＜V B＜V E C．V C＞V E＞V B D．V C＜V E＜V B44.工作于放大状态的三极管在三个电极中，电流最大的是A．集电极B．基极C．发射极D．门极45.三极管放大作用的实质是A．三极管把小能量放大成大能量B．三极管把小电流放大成大电流C．三极管把小电压放大成大电压D．三极管用较小的电流控制较大的电流46.用万用表欧姆挡测量小功率三极管的极性与质量时，应把欧姆挡拨到A．R×1 B．R×10 C．R×100或R×1k D．R×10k47.用万用表的红表笔接触三极管的一只管脚，黑表笔接触另两只管脚，测得电阻均较小，则该三极管为A．NPN型B．PNP型C．不能确定D．三极管已经损坏48.焊接电子元件时，焊点表面粗糙不光滑，是因为A．电烙铁功率太大或焊接时间过长B．电烙铁功率太小或焊丝撤离过早C．焊剂太多造成的D．焊剂太少造成的49.关于钎焊，下列说法正确的是A．100W且带弯烙铁头的电烙铁应采用正握法 B．松香酒精溶液焊剂中，松香占67%，酒精占23% C．被焊件达到一定温度后，应将焊锡丝放在烙铁头上熔化浸润焊点D．焊锡全部浸润焊点后，应及时以25o角移开电烙铁50.下列关于夹生焊的说法错误的是A．虚焊和夹生焊是两种不同的现象B．夹生焊是指C．D．51.关于普通晶闸管结构，说法正确的是A．4层3端半导体，有2个PN结 B．4层2端半导体，有3个PN结C．4层3端半导体，有3个PN结 D．4层2端半导体，有2个PN结52.晶闸管关断的三个条件中，关断的逻辑关系是A．与B．或C．与非D．或非53.晶闸管关断的条件是A．加反向控制极电压B．去掉控制极电压C．阳极加反向电压或降低正向阳极电压，使流过晶闸管的电流小于维持电流I HD．以上说法都不对54.晶闸管导通的两个条件中，导通时阳极和门极加正极性电压的逻辑关系A．与B．或C．与非D．或非55.对螺栓式结构的晶闸管来说，螺栓是晶闸管的A．阳极B．阴极C．门极D．栅极56.晶闸管控制极的作用是A．只要控制极加正的触发脉冲，就能使晶闸管导通B．只要在晶闸管存在阳极电压的同时，控制极加上足够功率的正脉冲，就可以使晶闸管导通，导通之后控制极就失去作用C．控制极加负电压，可以使晶闸管关断 D．以上说法都不对57.晶闸管是用来的电子元件A．电流放大B．电压放大C．弱电控制强电D．强电控制弱电58.晶闸管导通后，流过晶闸管的电流取决于A．晶闸管的管压降 B．晶闸管的额定电流 C．控制极电压D．阳极电压和负载阻抗59.用万用表R×10挡，判别晶闸管的极性，黑表笔固定一只管脚，红表笔分别接另外两只管脚，当出现正向导通时A．黑表笔接控制极 B．黑表笔接阴极 C．红表笔接控制极D．红表笔接阳极60.用万用表测试小功率晶闸管的极性时，某两个电极之间的正反向电阻相差不大，说明这两个电极是A．阳极和门极B．阴极和门极C．阳极和阴极D．无法确定61.用于整流的二极管是A．2AK4 B．2CW20A C．2CZ14F D．2AP962.三极管极间电流满足I C＝βI B关系时，三极管一定工作在A．饱和区B．截止区C．放大区D．击穿区63.晶体管作开关使用时，是工作在其A．放大区B．饱和区C．截止区D．饱和区和截止区64.大功率三极管的外壳往往做三极管的使用A．基极B．集电极C．发射极D．三个电极都可能65.放大电路中某晶体管极间电压如图5所示，则该管类型及1、2、3极分别为A．NPN型硅管，E、C、B B．NPN型硅管，B、C、EC．PNP型硅管，E、C、B D．PNP型硅管，B、C、E66.XD7型低频信号发生器面板上用来选择输出信号频率范围的调节旋钮是A．频率旋钮B．波段旋钮C．阻抗衰减旋钮D．电压调节旋钮第 3 页共6 页67.关于示波器的说法正确的是A．顺时针转动“辉度旋钮”，辉度变亮；反之减弱直至消失B．第二阳极与第一阳极、控制栅极相比处于正电位，可实现辉度调节C．控制栅极是顶端有孔的圆筒，套装在阴极之外，其电位比阴极电位高D．“扩展拉×10”按下时X轴扫描速度扩大10倍68.在输入信号频率较高时实现双踪显示应选择的显示方式A．断续B．YA＋YB C．YA或YB D．交替69.某一正弦交流电压在示波器上所显示的波形峰峰值为4div，此时示波器的输入灵敏度开关置于0.5V／div，被测信号经探极10∶1接入，则该交流电的有效值为A．10V B．7.07V C．14.14V D．0.2V70.2DW47是A．P型锗材料稳压二极管B．N型锗材料稳压二极管C．N型锗材料普通二极管D．P型硅材料稳压二极管71.如图6所示晶体管测试电路中，合上开关S1、S2后，电压表读数为1.5V，毫安表没有指示，可能是下面原因的那一种A．集电极内部开路B．发射极内部开路C．B、E间已击穿D．发射结已击穿72.测得晶体管电路三个电位如图7所示，其中二极管、三极管均为硅管，则晶体管的工作状态为A．饱和B．放大C．截止D．无法确定73.3AX31是三极管A．NPN型锗材料、高频小功率B．NPN型锗材料、低频小功率C．PNP型锗材料、低频小功率D．PNP型硅材料、低频小功率74.实践中判断三极管是否饱和、截止，最简单可靠的方法是测量A．I B B．I C C．U BE D．U CE 75.关于穿透电流I CEO，下列说法正确的是A．I CEO是指发射极开路时，集电极和基极之间的反向电流B．I CEO越小，管子性能越稳定C．硅管穿透电流比锗管大，因此硅管比锗管稳定性差D．I CEO随温度的升高而减小76.晶闸管作为变流技术理想的可控开关元件，原因之一是其导通后的管压降很小，一般在A．0.7V以下B．0.4V以下C．1V以下D．0.3V以下77.关于普通晶闸管和普通二极管的不同，说法正确的是A．晶闸管具有单向可控导电性，二极管不具备B．二极管有一个PN结，晶闸管有三个PN结C．二极管有阳极、阴极两个电极，晶闸管有阳极、阴极和控制极D．以上三种说法都正确78.如图8所示，S1、S2闭合时，白炽灯正常发光；当S2断开时，白炽灯将A．变亮B．亮度不变C．变暗D．熄灭79.用万用表判别普通晶闸管管脚极性时应选用挡A．R×1 B．R×10 C．R×100或R×1k D．R×10k80.由于晶闸管的过载能力有限，在选用时至少要考虑倍的电流裕量A．1――2 B．1.5――2 C．1.8――2.5 D．3――3.581.选取普通晶闸管额定电压的依据是A．正向重复峰值电压B．反向重复峰值电压C．正向重复峰值电压和反向重复峰值电压二者中较小者D．击穿电压82.在晶闸管标准散热和全导通时，允许通过的工频最大阳极电流为A．半波电流的峰值B．半波电流的平均值C．半波电流的有效值D．全波电流的平均值83.当晶闸管导通后，可以维持导通状态，是因为管子本身存在A．放大作用B．正反馈作用C．负反馈作用D．开关作用84.要使导通的普通晶闸管关断，必须使其阳极电流减小到低于A．额定电流B．擎住电流C．阳极电流D．维持电流85.在电路中，晶闸管承受的正反向峰值电压值为311V，为安全起见，晶闸管应选择A．KP20－3 B．KP400－4 C．KP700－3 D．KP20－7第 4 页共6 页卷Ⅱ（非选择题）二、分析题1.用示波器测量正弦电压如图所示，已知“t／div”置于“5ms／div”，X轴扩展（K＝10），“V／div”置于“1.5V／div”，则被测电压的周期、振幅、峰－峰值、有效值分别为多少？2.用示波器观察到某负载电压、电流的波形如图所示，垂直偏转因数为2V／div，水平偏转因数为1ms／div，探头衰减倍数为10∶1，请说明该电压的峰值、周期、该负载的性质。
常用半导体器件复习题
第1章常用半导体器件一、判断题（正确打“√”，错误打“×”，每题1分）1．在N型半导体中，如果掺入足够量的三价元素，可将其改型成为P型半导体。
（）2．在N型半导体中，由于多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。
（）3．本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。
（）4．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）5．使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏，且集电结也是正偏。
（）6．晶体三极管的β值，在任何电路中都是越大越好。
( )7．模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。
( )8．稳压二极管正常工作时,应为正向导体状态。
( )9．发光二极管不论外加正向电压或反向电压均可发光。
( )10．光电二极管外加合适的正向电压时，可以正常发光。
( )一、判断题答案：（每题1分）1．√；2．×；3．√；4．√；5．×；6．×；7．√；8．×；9．×；10．×。
二、填空题（每题1分）1．N型半导体中的多数载流子是电子，P型半导体中的多数载流子是。
2．由于浓度不同而产生的电荷运动称为。
3．晶体二极管的核心部件是一个，它具有单向导电性。
4．二极管的单向导电性表现为：外加正向电压时，外加反向电压时截止。
5．三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结偏置。
6．场效应管与晶体三极管各电极的对应关系是：场效应管的栅极G对应晶体三极管的基极b，源极S对应晶体三极管，漏极D对应晶体三极管的集电极c。
7．PN结加正向电压时，空间电荷区将。
8．稳压二极管正常工作时，在稳压管两端加上一定的电压，并且在其电路中串联一支限流电阻，在一定电流范围内表现出稳压特性，且能保证其正常可靠地工作。
9．晶体三极管三个电极的电流IE 、IB、IC的关系为：。
10．发光二极管的发光颜色决定于所用的，目前有红、绿、蓝、黄、橙等颜色。
二、填空题答案：（每题1分）1．空穴2．扩散运动3．PN结4．导通5．反向6．发射机e7．变薄8．反向9．IE ＝IB＋IC10．材料三、单项选择题（将正确的答案题号及内容一起填入横线上，每题1分）1．在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入三价元素可形成P型半导体。
第1章 常用半导体器件
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z mi n＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
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项目8 常用半导体器件性能与测试任务8.1 二极管的性能与测试一、判断题1.漂移运动是少数载流子运动而形成的。
（√）2.PN结正向电流的大小由温度决定的。
（×）3.PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。
（×）4.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（×）5.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（√）6.处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（×）7.在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
（√）8.P型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
（×）9.晶体二极管有一个PN结，所以有单向导电性。
（√）10.晶体二极管的正向特性也有稳压作用。
（√）11.硅稳压管的动态电阻小，则稳压管的稳压性能愈好。
（√）12.将P型半导体和N型半导体用一定的工艺制作在一起，其交界处形成PN 结。
（√）13.稳压二极管按材料分有硅管和锗管。
（×）14.用万用表欧姆挡的不同量程去测二极管的正向电阻，其数值是相同的。
（×）15.二极管的反向电阻越大，其单向导电性能越好。
（×）16.用500型万用表测试发光二极管，应选R×10K挡。
（√）二、选择题1.在本征半导体中掺入微量的（ D ）价元素，形成N型半导体。
A.二B.三C.四D.五2.在P型半导体中，自由电子浓度（ C ）空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于D.无法确定3.本征半导体温度升高以后，（ C ）。
A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4.空间电荷区是由（ C ）构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子5.PN结加正向电压时，空间电荷区将（ A ）。
A.变窄B.基本不变C.变宽D.无法确定6.稳压管的稳压区是其工作在（ C ）。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿D.都有可能7.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ A ）。
A.增大B.不变C.减小D.都有可能8.当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（ A ）。
A.增大B.减小C.不变D.无法确定9.测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把万用表欧姆档拨到（ A ）。
A.R×100或R×1KB.R×1C.R×10KD.R×10010.半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（ B ）。
A.P型半导体B.本征半导体C.N型半导体D.无法确定11.稳压管的稳压性能是利用（ B ）实现的。
A．PN结的单向导电性 B.PN结的反向击穿特性C．PN结的正向导通特性 D.本征半导体12.二极管的正向电阻（ B ）反向电阻。
A.大于B.小于C.等于D.不确定13.某二极管反向击穿电压为140V，则它的最高反向工作电压为（ C ）。
A.280VB.140VC.70VD.40V14.考虑二极管正向压降为0.7V时，输出电压U0为（ B ）。
A．-14.3V B．-0.7V C.-12V D．-15V15.P型半导体中多数载流子是（ D ）。
A．正离子 B．负离子 C．自由电子 D.空穴16.N型半导体中多数载流子是（ C ）。
A．正离子 B．负离子 C．自由电子 D.空穴17.用万用表R×10和R×1K挡分别测量二极管的正向电阻，测量结果是（ C ）。
A．相同 B．R×10挡的测试值较小 C．R×1K挡的测试值较小D．R×1挡的测试值较小18.用万用表不同欧姆档测量二极管的正向电阻值时，测得的阻值不相同，其原因是（ C ）。
A．二极管的质量差 B．万用表不同欧姆档有不同的内阻C．二极管有非线性的伏安特性 D.无法确定任务8.2 三极管的性能与测试一、判断题1.三极管两个PN结均反偏，说明三极管工作与饱和状态。
（×）2.三极管集射电压为0.1-0.3V，说明其工作于放大状态。
（×）3.三极管集射电压约为电源电压，说明其工作于截止状态。
（√）4.三极管处于放大状态时，发射结和集电结均正偏。
（×）5.两个二极管反向连接起来可作为三极管使用。
（×）6.一般情况下，三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。
（×）7.三极管的发射结处于正向偏置时，三极管导通。
（×）二、选择题1.下列数据中，对NPN型三极管属于放大状态的是（ A ）。
A.VBE >0,VBE<VCE时 B.VBE<0，VBE<VCE时C.VBE >0，VBE>VCE时 D.VBE<0，VBE>VCE时2.工作在放大区域的某三极管，当IB 从20μA增大到40μA时，IC从1mA变为2mA则它的β值约为（ B ）。
A.10B.50C.80D.1003.NPN型和PNP型晶体管的区别是（ C ）。
A.由两种不同的材料硅和锗制成的B.掺入的杂质元素不同C.P区和N区的位置不同D.管脚排列方式不同4.当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将（ D ）。
A.增大B.减少C.反向D.几乎为零5.为了使三极管可靠地截止，电路必须满足（ D ）。
A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结和集电结都正偏D.发射结和集电结都反偏6.检查放大电路中的晶体管在静态的工作状态（工作区），最简便的方法是测量（ D ）。
AIBQ B.UBEC.ICQD.UCEQ7.对放大电路中的三极管进行测量，各极对地电压分别为UB =2.7V，UE=2V，UC=6V，则该管工作在（ A ）。
A.放大区B.饱和区C.截止区D.无法确定8.某单管共射放大电路在处于放大状态时，三个电极A、B、C对地的电位分别是UA =2.3V，UB=3V，UC=0V，则此三极管一定是（ A ）。
A.PNP硅管B.NPN硅管C.PNP锗管D.NPN锗管9.三极管电路如图8.1所示，该管工作在（ C ）。
A.放大区B.饱和区C.截止区D.无法确定图8.1 三极管电路10.测得三极管IB =30μA时，IC= 2.4mA ；IB=40μA时，IC= 1mA，则该管的交流电流放大系数为（ B ）。
A.80B.60C.75D.10011.用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，则（ B ）。
A.1为e 2为b 3为cB.1为e 3为b 2为cC.2为e 1为b 3为cD.3为e 1为b 2为c12.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为V E = 1.7V ，V B = 1.4V ，V C = 5V ，则该管类型为（ C ）。
A.NPN 型锗管B.PNP 型锗管C.NPN 型硅管D.PNP 型硅管13.设某晶体管三个极的电位分别为U E = 13V ，U B = 12.3V ，U C = 6.5V ， 则该管是为（ D ）。
A. PNP 型锗管B.NPN 型锗管C. PNP 型硅管D.NPN 型硅管14.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为U E =6V ，UB = 5.3V ，U C = 0V ， 则该管为（ C ）。
A. PNP 型锗管B.NPN 型锗管C. PNP 型硅管D.NPN 型硅管15.如图8.2所示的三极管接在放大电路中， 该管工作正常，测得U BE = 0.3V ，则此管的类型为（ A ）。
A. PNP 型锗管B.NPN 型锗管C. PNP 型硅管D.NPN 型硅管s图8.2 三极管接在放大电路中16.晶体管的主要特点是具有( B ）。
A.单向导电性B.电流放大作用C.稳压作用D.电压放大作用17. 工作在放大状态的双极型晶体管是 （ A ）。
A.电流控制元件B.电压控制元件E CC.不可控元件D.电阻控制元件18.如果改变晶体管基极电压的极，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流（ B ）。
A.反向B.近似等于零C.不变D.增大19.工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（ A ）。
A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结、集电结均反偏D.发射结、集电结均正偏20.晶体管处于截止状态时，集电结和发射结的偏置情况为（ B ）。
A.发射结反偏，集电结正偏B.发射结、集电结均反偏C.发射结、集电结均正偏D.发射结正偏，集电结反偏21.晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（ C ）。
A.发射结反偏，集电结正偏B.发射结、集电结均反偏C.发射结、集电结均正偏D.无法确定22.已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为6V、9V 和6.3V，则6V所对应的电极为（ A ）。
A.发射极B.集电极C.基极D.无法确定是表明（ A ）。
23.晶体管的穿透电流 ICEOA.该管温度稳定性好坏的参数B.该管允许通过最大电流的极限参数C.该管放大能力的参数D.以上都有可能24.晶体管的电流放大系数 是指（ B ）。
A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数D.无法确定任务8.3 晶闸管的性能与测试一、判断题1.晶闸管的控制极仅在触发晶闸管导通时起作用。
（√）2.晶闸管的控制极加上触发信号后，晶闸管就导通。
（×）3.当晶闸管阳极电压为零时，晶闸管就马上关断。
（×）4.加在晶闸管控制极上的触发电压，一般不准超过10V。
（√）5.只要阳极电流小于维持电流，晶闸管就关断。
（√）二、选择题1.晶闸管导通以后，可用自身的（ B ）作用以维持其导通状态。
A.放大B.正反馈C.开关D.负反馈2.加在晶闸管控制极上的触发信号电压值，一般为（ A ）。
A.4-10VB.12-18VC.220VD.380V。