模拟电子技术基础I考核作业标准答案完整版
模拟电子技术基础习题解答
模拟电子技术基础(第四版)习题解答(总133页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=。
图解：U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, UO6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图34解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图所示，V CC =15V ，=100，U BE =。
试问：(1)R b =50k 时，U o= (2)若T 临界饱和，则R b =解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==， 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
（华北电力大学主编）模拟电子技术基础习题答案
（华北电⼒⼤学主编）模拟电⼦技术基础习题答案模拟电⼦技术基础习题答案电⼦技术课程组2018.8.15⽬录第1章习题及答案 (1)第2章习题及答案 (14)第3章习题及答案 (36)第4章习题及答案 (45)第5章习题及答案 (55)第6章习题及答案 (70)第7章习题及答案 (86)第8章习题及答案 (104)第9章习题及答案 (117)第10章习题及答案 (133)模拟电⼦技术试卷1 (146)模拟电⼦技术试卷2 (152)模拟电⼦技术试卷3 (158)第1章习题及答案1.1选择合适答案填⼊空内。
（1）在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体，加⼊元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将。
A. 增⼤B. 不变C. 减⼩（4）稳压管的稳压区是其⼯作在。
A. 正向导通B.反向截⽌C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C1.2.1写出图P1.2.1所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管是理想的。
（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）⼆极管导通U O1=2V （2）⼆极管截⽌U O2=2V （3）⼆极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）⼆极管截⽌U O1=0V （2）⼆极管导通U O2=-1.3V （3）⼆极管截⽌U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所⽰，设⼆极管采⽤恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各⼆极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解：⼆极管D1截⽌，D2导通，U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所⽰，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设⼆极管正向导通电压可忽略不计。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。
模拟信号是连续变化的信号，可以表示任意数值；数字信号是离散变化的信号，只能表示有限的数值。
2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。
电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。
模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域；数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。
第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流，并给出它们的单位。
电压（V）是电势差，单位为伏特（V）；电流（I）是电荷通过导体的速率，单位为安培（A）。
2.列举常见的电压源和电流源。
常见的电压源有电池、发电机、电源等；常见的电流源有电流表、发电机、电源等。
3.简述欧姆定律的定义和公式。
欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。
根据欧姆定律，电流等于电压与电阻之间的比值，即I=V/R，其中I为电流，V为电压，R为电阻。
第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。
电阻是指导体对电流的阻碍程度，单位为欧姆（Ω）。
2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加，即R= R1 + R2 + … + Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加，再取倒数，即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。
电压分压原理指的是当在一个电阻网络中，多个电阻串联，电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。
电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。
电容是指导体上储存电荷的能力，单位为法拉（F）。
2.串联电容和并联电容的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加，再取倒数，即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn，其中C为总电容，C1、C2、…、Cn为各个电容值。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V>>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
模拟电子技术基础试卷一及参考答案(真题).docx
模拟电子技术基础试卷一及参考答案（总分150分）一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。
在每小题给岀的四个选项中, 只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。
）1.用万用表的RX100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Q,若改用RXlk档，测量同一二极管，则其正向电阻值（）a.增加b.不变c.减小d.不能确定2.某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（）a.处于放大区域b.处于饱和区域c.处于截止区域d.已损坏图23.某放大电路在负载开路吋的输出电压为6V,当接入2kG负载后，其输出电压降为4V,这表明该放大电路的输出电阻为（）a. 10kQb. 2kQc. lkQd. 0.5kQ4.某放大电路图4所示.设V CC»V BE,L CEO"0,则在静态时该三极管处于（）a.放大区b.饱和区c.截止区d.区域不定5.图5所示电路工作在线性放大状态，设R「RMR L,则电路的电压增益为（）g"尺a. b. 1 + gnA C. 一弘尺； d. 一庄/弘6. 图5屮电路的输入电阻&为（ a.Rg+（l?jj//7?g2） c. RJRjlR 立7. 直流负反馈是指（）a.存在于RC 耦合电路小的负反馈c.总流通路中的负反馈 8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（） a.输入信号所包含的干扰和噪声c.反馈环外的干扰和噪声 9. 在图9所示电路屮，A 为理想运放，a. -2.5Vb. -5V图910. 在图10所示的单端输出羌放电路中，若输入电压△5尸80诃，二60mV,则差模输入电压为（）a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV—nu^— — 1 R 1LICH;Rd rnHX ・ R c--4P_1T- o +Vcc Vo） b. /?g.//（/?g]+/?g2） d. [R g +（心〃他b.放人直流信号时才有的负反馈 d.只存在于直接耦合电路中的负反馈b.反馈环内的十扰和噪声d.输出信号中的干扰和噪声 则电路的输出电压约为（）c. -6.5Vd. -7.5V图10二、填空题（本大题共7个小题，18个空，每空2分，共36分。
模拟电子技术基础试卷1答案
模拟电子技术基础试卷1答案(总5页)院（系）_________________专业_______________________班级___________姓名__________________学号_________________……………………密………………………封……………………线…………………………《模拟电子技术基础》试卷1 答案一、填空题（请将答案填在相应的答题线上。
每空2分，共22分）1．在本征半导体中加入五价元素可以形成 N 型半导体。
2．当温度升高时晶体管的反向饱和电流CBO I 将 增大 。
（填“增大”或者“减小”或者“不变”）。
3．电路如图1-1所示，设二极管导通电压D 0.7U =V ，则该电路的输出电压值U = V。
4．电路如图1-2所回示，则该电路输出电压O u 与输入电压I u 的关系为 I O-du u RCdt= 。
5．已知某共射放大电路的对数幅频特性如图1-3所示，则其中频电压放大倍数um ||A •为 100，电路的下限频率L f = 10 Hz 。
I•图1-1图1-2 图1-36．按照滤波电路的工作频率，通过某一频率范围的信号，频率低于此范围的信号及高于此范围的信号均被阻止的滤波器称为 带通 滤波器。
7．正弦波振荡电路的平衡条件为 1A F ••= 。
8．正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为RC 、RL 和石英晶体三种电路，其中 石英晶体 振荡电路的振荡频率最为稳定。
9．直流稳压电源由 整流 电路、滤波电路和稳压电路组成。
10．在串联型线性稳压电源中，调整管、基准电压电路、输出电压采样电路和 比较放大 电路是基本组成部分。
院（系）_________________专业_______________________班级___________姓名__________________学号_________________……………………密………………………封……………………线…………………………二、单项选择题（从下列各小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将其代号填在答题线上。
模拟电子技术基础课后作业解答
电子技术基础 电子技术基础精品课程——模拟 模拟电子技术基础
作业：3.3.4, 3.4.1，3.4.3, 3.5.1,
3.6.1, 3.7.2, 3.9.2, 3.9.4
•第三章 习题解答
4.3 ：分压式偏置电路 及晶体输出特性曲线 如图所示 ，已知 3. 3.4.3 4.3： 分压式偏置电路及晶体输出特性曲线 及晶体输出特性曲线如图所示 如图所示，已知 Rb1=15kΩ,Rb2=62kΩ,Rc=3kΩ,RL=3kΩ,VCC=24V,Re=1kΩ,晶体管的 饱和压降 Rs=100Ω.(1) 估算静态工作点 β=50,rbe=200Ω,VCES=0.3V, =0.3V,饱和压降 饱和压降Rs=100 (1)估算静态工作点 Vom;(3) 计算 Av,Ri,Ro,Avs;(4) 若电路 Q；(2)求最大输出电压幅值 求最大输出电压幅值Vom;(3) Vom;(3)计算 计算Av,Ri,Ro,A ;(4)若电路 Rb2为多大时， VCE=4V. 其他参数不变，问上偏流电阻 其他参数不变，问上偏流电阻R 为多大时，V Rb1 (1 ) V = 解： 解：(1 (1) Vcc = 4.7V B Rb1 + Rb 2
（a）能放大，直流通路满足发射结正偏、集电结反 解： 解：（ 偏；交流通路信号能顺畅的输入输出。 （b）不能放大，直流通路满足发射结正偏、集电结反偏； 交流通路信号不能顺畅的输入。
电子技术基础 电子技术基础精品课程——模拟 模拟电子技术基础
作业：3.3.4, 3.4.1，3.4.3, 3.5.1,
3.6.1, 3.7.2, 3.9.2, 3.9.4
•第三章 习题解答
3.3.4：如图电路中，分别画出其直流通路和交流通路，试说明 哪些能实现正常放大？哪些不能？为什么？（图中电容的容抗可 忽略不计）。
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模拟电子技术基础I考核作业标准答案
HEN system office room 【HEN16H-HENS2AHENS8Q8-HENH1688】
东
北 大 学 继 续 教 育 学 院
模拟电子技术基础I 试 卷（作业考核 线下） B 卷（共 4
页） 总分
题号 一
二
三
四
五
六
七
八
九
十
得分
注：请您单面打印，使用黑色或蓝色笔，手写完成作业。
杜绝打印，抄袭作业。
一、(10分)半导体器件的分析。
判断图中各电路里的二级管是导通还是截止，并计算电压U ab 。
设图中的二级管都是理想的。
二、（10分）电路如图所示，设输入电压u i 是幅值为10V 的正弦波，试画出u o 的波形。
（设二极管D 1，D 2为理想二级管）。
三、单管放大电路的分析与计算。
(15分)
电路如图4所示，已知V CC =12V ，R bl =40kΩ，R b2=20kΩ，R c =R L =2kΩ，U BE =，β=50，
R e =2kΩ，U CES ≈0V。
求：(1)计算静态工作点；(2)随着输入信号i U 的增大，输出信号o U 也增大，若输出o U 波形出现失真，则首先出现的是截止失真还是饱和失真 (3)计算i u A R ， 和o
R 。
四、功率放大电路的分析与计算。
(15分) 功率放大电路如图5所示，负载R L =8Ω，晶体管T1和T2的饱和压降为2V ，输入u i 为正弦波。
求：(1)负载R L 上可获得的最大不失真输出功率(2)此时的效率和管耗各是多少？
图4阻容耦合放大
u u o +
_
五、填空题：（每空1分共30分）
1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，
而与外加电压（）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反
偏时，结电阻为（），等效成断开；
4、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。
5、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。
6、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电
路。
7、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输
出电流采用（）负反馈。
8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信
号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
9、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补
功率放大器。
10、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功
率放大电路。
11、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻
（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
12、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于
（）电路中。
六、选择题（每空2分共20分）
1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必
须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
A、正偏
B、反偏
C、大于
D、小于
E、导通
F、截止
2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、，则三个电极分
别是（），该管是（）型。
A、（
B、
C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B）
D、（NPN）
E、
（PNP）
3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。
A、U0高
B、P0大
C、功率大
D、Ri大
E、波形不失真
4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置
电阻。
A、饱和失真
B、截止失真
C、交越失真
D、增大
E、减小。