《模拟电子技术基础》典型习题解答
模拟电子技术基础课后答案
第三局部 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度那么与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
〔 × 〕2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
〔 √ 〕3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
〔× 〕4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
〔 × 〕5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
〔 √ 〕6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
〔 × 〕7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
〔× 〕三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量〔其单位与V 的单位一致〕，其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，那么)V (2.11594TV T =，在常温〔T=300K 〕下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上根本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
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模拟电子技术基础答案第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I的单位一致；V为外加电压； VT=kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
《模拟电子技术基础》习题答案
( RC // RL ) u i 0.76V rbe (1 ) RE
(1 )( RE // RL ) ui 0.994V rbe (1 ) RE
u o 2 Auo 2 u i
2. 6 如图题 2.6 所示的偏置电路中，热敏电阻 Rt 具有负温度系数、问能否起到稳定工作点的作用？
第 1 章习题及答案 1.1．在图题 1.1 所示的各电路图中 E＝5V，ui 10 sin t V，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电 压 u o 的波形。
+
R
+ D E + -
+
Байду номын сангаас
D
+ R E + -
ui
(a) + R
uo
-
ui
(b)
uo
-
+ D E + -
+
ui
(c)
uo
-
D
+ R E + -
I B IC /
U CB U CC I C RC U CC Rb 2 U CC ( Rb1 Rb 2 )
Rb 2 RC Rb 2 U CC U CC ( Rb1 Rb 2 ) Re ( Rb1 Rb 2 )
7
第 3 章习题及答案 3.1 电路如图题 3.1 所示。 T1 和 T2 参数一致且 足够大。 （1） T1 、 T2 和电阻 R1 组成什么电路，起什么作用？ （2） 写出 I c 2 的表达式。
Re
uo
-
(a)
(b)
图解 2.7 2. 8 如图题 2.8 所示 RS、Re、Rb1、Rb2、Rc、RL、UCC 均已知；求静态工作点 IC、IB、UCB。
《模拟电子技术基础》典型习题解答范文
半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。
图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。
试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。
图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故LO I L 5VR U U R R =⋅≈+当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波形如图（c）所示。
(完整word版)模拟电子技术基础,课后习题答案
模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知()5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。
试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。
解：对于（a ）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，6V AO U =-采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。
采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I = 解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝ 10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝ 10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c 模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与问题详解
第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。
1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。
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半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1 所示，已知u i ＝5sin ωt (V) ，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出ui 与u O的波形，并标出幅值。
图P1.1 解图P1.1解：波形如解图P1.1 所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1 和u I2 的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u的波形，并标出幅值。
O图P1.2解：u的波形如解图P1.2 所示。
O1解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA，最大功耗P ZM＝150mW。
试求图P1.3 所示电路中电阻R的取值范围。
图P1.3解：稳压管的最大稳定电流I ZM＝P ZM/ U Z＝25mA电阻R的电流为I ZM～I Zmin，所以其取值范围为R U UI ～Z0 .36 1.8kIZ1.4 已知图P1.4 所示电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流I Zmin＝5mA，最大稳定电流I Zmax＝25mA。
（1）别计算U I 为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值；（2）若U I ＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故URLO UR RLI3. 33V当U I＝15V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故RU ULO IR RL5V当U I ＝35V时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin，所以U O＝U Z＝6V。
（2）I (U U ) RD Z I Z 29mA＞I Z M＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。
1.5 电路如图P1.5（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压U Z＝3V，R的取值合适，u I 的波2形如图（c）所示。
试分别画出u O1和u O2的波形。
图P1.5解图P1.5解：波形如解图P1.5 所示1.6 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.6 所示。
在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
图P1.63解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表P1.6 所示。
解表P1.6管号T1 T2 T3 T4 T5 T6上 e c e b c b中 b b b e e e下 c e c c b c管型PNP NPN NPN PNP PNP NPN材料Si Si Si Ge Ge Ge 1.7 电路如图P1.7 所示，试问β大于多少时晶体管饱和？图P1.7解：取U CES＝U BE，若管子饱和，则V CCU V UBE CC BE RbRCRb RCRb RC 100所以，时，管子饱和。
1.8 分别判断图P1.8 所示的各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
4图P1.8解：（a）可能（b）可能（c）不能（d）不能，T 的发射结会因电流过大而损坏。
（e）可能5第二章基本放大电路2.1 分别改正图P2.1 所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。
要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
图P2.1解：（a）将－V CC改为＋V CC 。
（b）在＋V CC 与基极之间加R b。
（c）将VBB反接，且在输入端串联一个电阻。
（d）在V BB支路加R b，在－V CC与集电极之间加R c。
2.2 电路如图P2.2（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时U BEQ＝0.7V。
利用图解法分别求出R L＝∞和R L＝3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压U（有om效值）。
图P2.2解：空载时：I BQ＝20μA，I CQ＝2mA，U CEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为 5.3V，有效值约为 3.75V。
6带载时：I B Q＝20μA，I C Q＝2mA，UCEQ＝3V；最大不失真输出电压峰值约为 2.3V，有效值约为 1.63V。
如解图P2.2 所示。
解图P2.22.3 电路如图P2.3 所示，晶体管的＝80，r=100Ω。
分别计算R'L＝∞和R L＝3kbbΩ时的Q点、A u 、Ri 和R o。
图P2.3解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、r be 均相等，它们分别为I BQ VCCURbBEQ U BEQR22 AμI I 1.76mA CQ BQr be rbb'(1 )26mVIEQ1. 3k空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为U C EQ VCC I C Q Rc6. 2VA uRcrbe308R i Rb∥rberbe1. 3kAus Rs rberbeAu93Ro Rc5k7R L＝5kΩ时，静态管压降、电压放大倍数分别为RLU I (R ∥CEQ CQ cR Rc L RL) 2.3VA u'RLrbe115Aus Rs rberbeAu47R R ∥i b rberbe1 .3kR o Rc5k2.4 电路如图P2.4 所示，晶体管的＝100，r =100Ω。
'bb（1）求电路的Q点、A u 、Ri 和R o；（2）若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？图P2.4解：（1）静态分析：U BQRb1Rb1Rb2V 2CCVI EQ U B QRfUBEQRe1mAI BQI1EQ10μ AU CEQ VICC EQ ( RcRRfe) 5.7V动态分析：r be r (1 )bb' 26 m VIEQ2.73 kAu rbe (R∥c(1R)L)Rf7.7Ri Rb1∥Rb2∥[r(1be)Rf] 3.7kRo Rc5k（3）Ri 增大，R i ≈ 4.1k Ω；Au减小，A uRf'RLRe≈－1.92 。
82.5设图P2.5 所示电路所加输入电压为正弦波。
试问：（1）A u1 =U /o1 U ≈?iA =U /u2 o2U ≈?i（2）画出输入电压和输出电压u i 、u o1、u o2 的波形。
图P2.5 解：（1）因为通常β＞＞1，所以电压放大倍数分别应为RcAu －1r (1 )Rbe e RcRe1A u 2rbe(1 )(1Re)Re1（2）两个电压放大倍数说明u o1≈－u i ，u o2≈u i 。
波形如解图P1.5 所示。
解图P1.52.6 电路如图P2.6 所示，晶体管的＝80，r be=1kΩ。
（2）分别求出R i 、R o。
L＝∞和R L＝3kΩ时电路的A u 、R9图P2.6 解：（1）求解Q点：I BQVCCRb(1U B EQ) Re32.3μAI (1 )I 2.61mA EQ BQU CEQ VCC I R 7 .17EQ eV（2）求解输入电阻和电压放大倍数：R L＝∞时Ri Rb∥[r(1be) R]e110kAu rbe (1 )(1Re)Re0.996R L＝3kΩ时R i Rb∥[ r(1be)( R∥eR )]L76k(1 R ))(R ∥e LAu ∥r (1 )(R Rbe e L )0.992Ro Re∥Rs∥1Rbrbe 372.7 电路如图P2.7 所示，晶体管的＝60，r=100Ω。
'bb（1）求解Q点、A u 、R i 和R o；（2）设U s ＝10mV（有效值），问U＝？i U ＝？o若C3 开路，则U i ＝？U ＝？o10解：（1）Q点：I BQVCCRb(1U B EQ) Re31 AμI I 1.86mA CQ BQU C EQ VCC I (R REQ c e) 4. 56VA 、Ri 和R o 的分析：ur be rbb'(1 )26mVIEQ952Ri Rb∥r 952beA u ( R∥crbeRL)95Ro Rc3k（2）设U s ＝10mV（有效值），则U iRs RiRiU s 3. 2mVU A Uo u i304mV 若C3 开路，则R i Rb∥[rbe(1 )R ]e51. 3kA u Rc∥ReRL 1.5U iRs RiRiU s 9.6 m VU A Uo u i14.4mV2.8 已知图P2.8（a）所示电路中场效应管的转移特性如图（b）所示。
求解电路的Q 点和A u 。
图P2.8I DQ＝1mA11（2）求电压放大倍数：gm U 2GS(th)I I 2mA VDQ DOA u gmRD202.9图P2.9 中的哪些接法可以构成复合管？标出它们等效管的类型（如N PN型、PNP 型、N沟道结型⋯⋯）及管脚（b、e、c、d、g、s）图P2.9解：（a）不能。
（b）不能。
（c）构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。
（d）不能。
（e）不能。
（f ）PNP型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。
（g）构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。
2.10设图P2.10 所示各电路的静态工作点均合适，分别画出它们的交流等效电路，并写出A u 、R i 和R o 的表达式。
图P2.10（2）求电压放大倍数：gm U 2GS(th)I I 2mA VDQ DOA u gmRD202.9图P2.9 中的哪些接法可以构成复合管？标出它们等效管的类型（如N PN型、PNP 型、N沟道结型⋯⋯）及管脚（b、e、c、d、g、s）图P2.9解：（a）不能。
（b）不能。
（c）构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。
（d）不能。
（e）不能。
（f ）PNP型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。
（g）构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。
2.10设图P2.10 所示各电路的静态工作点均合适，分别画出它们的交流等效电路，并写出A u 、R i 和R o 的表达式。
图P2.10（2）求电压放大倍数：gm U 2GS(th)I I 2mA VDQ DOA u gmRD202.9图P2.9 中的哪些接法可以构成复合管？标出它们等效管的类型（如N PN型、PNP 型、N沟道结型⋯⋯）及管脚（b、e、c、d、g、s）图P2.9解：（a）不能。
（b）不能。
（c）构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。
（d）不能。
（e）不能。
（f ）PNP型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。
（g）构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。
2.10设图P2.10 所示各电路的静态工作点均合适，分别画出它们的交流等效电路，并写出A u 、R i 和R o 的表达式。
图P2.10（2）求电压放大倍数：gm U 2GS(th)I I 2mA VDQ DOA u gmRD202.9图P2.9 中的哪些接法可以构成复合管？标出它们等效管的类型（如N PN型、PNP 型、N沟道结型⋯⋯）及管脚（b、e、c、d、g、s）图P2.9解：（a）不能。