多晶硅太阳能电池
多晶硅太阳能电池的制备及性能分析
多晶硅太阳能电池的制备及性能分析多晶硅太阳能电池是利用多晶硅材料制成的太阳能电池，其具有高效的光电转换效率和长期的使用寿命，因此在太阳能领域中得到了广泛的应用。
本文将介绍多晶硅太阳能电池的制备过程和性能分析。
一、多晶硅太阳能电池的制备过程1. 多晶硅的晶化多晶硅太阳能电池的制备需要使用多晶硅材料。
多晶硅材料是由多个单晶硅颗粒组成的，具有高晶界密度和低晶界带来的高电导率等性质。
因此，制备多晶硅太阳能电池的第一步是将硅原料进行晶化，得到多晶硅材料。
多晶硅的晶化方法主要有四种：氧化法、分解法、毒素氯化氢等化学气相沉积法和气-液界面沉积法。
其中，氧化法是最为常用的方法。
该方法的具体步骤为：将粉末状的硅原料加入制备装置，加热至其中心温度高于硅的熔点，保持一定时间使其成为液态，然后冷却，使其再次成为固态，形成多晶硅材料。
2. 多晶硅的切片制备多晶硅太阳能电池需要将多晶硅材料切成薄片，以便进行后续的加工。
多晶硅的切片方法主要有两种：线锯法和磨料法。
线锯法是先将多晶硅材料用钢丝锯切割成薄片，再用化学溶液进行酸蚀去边。
磨料法则是在多晶硅材料上撒上磨料，通过磨削将其切割成薄片。
3. 多晶硅薄片的清洗多晶硅薄片在切片过程中会留下微小的缺陷和杂质，这些对太阳能电池的制备会产生影响。
因此，需要对多晶硅薄片进行清洗。
多晶硅薄片的清洗方法主要有两种：化学法和物理法。
化学法是将多晶硅薄片浸泡在各种酸或碱溶液中，通过化学反应清除杂质和缺陷。
物理法是利用喷雾和超声波等物理手段清洗多晶硅薄片。
4. 制备太阳能电池将清洗后的多晶硅薄片进行切割，形成多晶硅太阳能电池的芯片。
将芯片进行表面处理，覆盖p型和n型材料，并在表面涂覆透明导电膜。
制备好后的多晶硅太阳能电池即可使用。
二、多晶硅太阳能电池性能分析1. 光电转换效率光电转换效率是太阳能电池的重要性能指标，也是判断多晶硅太阳能电池性能的重要指标。
光电转换效率越高，代表着太阳能电池将太阳能转化为电能的效率越高。
单晶硅、多晶硅、非晶硅三种太阳能电池介绍
单晶硅、多晶硅、非晶硅三种太阳能电池介绍(1)北极星电力网技术频道作者: 2010-12-13 17:12:07 (阅606次)所属频道: 太阳能电源关键词: 太阳能电池单晶硅太阳能电池硅系列太阳能电池中，单晶硅大阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟。
高性能单晶硅电池是建立在高质量单晶硅材料和相关的成热的加工处理工艺基础上的。
现在单晶硅的电地工艺己近成熟，在电池制作中，一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术，开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。
提高转化效率主要是靠单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺。
在此方面，德国夫朗霍费费莱堡太阳能系统研究所保持着世界领先水平。
该研究所采用光刻照相技术将电池表面织构化，制成倒金字塔结构。
并在表面把一13nm。
厚的氧化物钝化层与两层减反射涂层相结合．通过改进了的电镀过程增加栅极的宽度和高度的比率：通过以上制得的电池转化效率超过23%，是大值可达23．3％。
Kyocera公司制备的大面积（225cm2）单电晶太阳能电池转换效率为19．44%，国内北京太阳能研究所也积极进行高效晶体硅太阳能电池的研究和开发，研制的平面高效单晶硅电池（2cmX2cm）转换效率达到19.79%，刻槽埋栅电极晶体硅电池（5cmX5cm）转换效率达8.6%。
单晶硅太阳能电池转换效率无疑是最高的，在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位，但由于受单晶硅材料价格及相应的繁琐的电池工艺影响，致使单晶硅成本价格居高不下，要想大幅度降低其成本是非常困难的。
为了节省高质量材料，寻找单晶硅电池的替代产品，现在发展了薄膜太阳能电池，其中多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池就是典型代表。
多晶硅薄膜太阳能电池通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350－450μm的高质量硅片上制成的，这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。
因此实际消耗的硅材料更多。
为了节省材料，人们从70年代中期就开始在廉价衬底上沉积多晶硅薄膜，但由于生长的硅膜晶粒大小，未能制成有价值的太阳能电池。
多晶硅太阳能电池的工作原理
多晶硅太阳能电池的工作原理多晶硅太阳能电池是目前应用最广泛的一种太阳能电池技术。
它利用光的能量转化为电能，为人们提供了清洁的、可再生的能源。
本文将详细介绍多晶硅太阳能电池的工作原理，以及其在能源产业中的应用。
1. 多晶硅太阳能电池的结构多晶硅太阳能电池由多个薄片组成，每个薄片由多晶硅晶体构成。
这些多晶硅晶体的晶粒大小不一，边界存在缺陷，因此电池片的效率相对较低。
2. 光的入射与吸收多晶硅太阳能电池的工作原理是通过吸收光的能量来产生电流。
当太阳光照射到电池片表面时，光子的能量被多晶硅吸收，将光能转化为电能。
这个过程涉及到光子的能量交给半导体中的电子，使其跃迁到导电带，从而形成电流。
3. 光生电流的产生光子的能量跃迁到导电带后，会形成电子-空穴对。
多晶硅太阳能电池中，导电带是由硅晶体中的自由电子组成，而空穴则是缺乏电子的位置。
这些电子-空穴对的形成会导致在导电带中形成光生电流。
4. 电流的收集光生电流在电池片内流动，并通过金属导线传输出来。
多个电池片会连接在一起形成电池组，通过串联和并联的方式提高电压和电流的输出。
电池组可通过电流收集器将电能供给外部设备或储存起来。
5. 多晶硅太阳能电池的效率多晶硅太阳能电池的效率受到多个因素的影响。
首先，晶粒的大小和晶界缺陷会影响电池的效率。
晶粒越大、晶界缺陷越少，电池的效率越高。
其次，电池片的厚度也会对效率产生影响。
较薄的电池片可以提高透过率，但会降低光吸收量。
最后，表面反射和损耗也会对电池的效率造成一定影响。
6. 多晶硅太阳能电池在能源产业中的应用多晶硅太阳能电池广泛应用在能源产业中。
它可以用于家庭光伏发电系统，将太阳光转化为电能，为家庭供电。
此外，多晶硅太阳能电池还能应用于大型光伏电站、太阳能电池板等领域，为整个社会提供清洁的能源。
总结：多晶硅太阳能电池通过吸收光能将其转化为电能，在能源领域扮演着重要的角色。
通过工作原理的介绍，我们可以更好地理解多晶硅太阳能电池的运作方式及其在能源产业中的应用。
多晶硅太阳能电池结构
多晶硅太阳能电池结构引言太阳能作为一种清洁、可再生的能源，具有广阔的应用前景。
多晶硅太阳能电池是太阳能电池中最常见的一种类型，其结构和性能直接影响着太阳能电池的转换效率和稳定性。
本文将对多晶硅太阳能电池的结构进行全面、详细、完整、深入地探讨。
二级标题多晶硅太阳能电池的构成多晶硅太阳能电池主要由以下几个部分构成：1.基板：多晶硅太阳能电池的基板通常由硅材料制成。
硅能够对太阳光进行良好的吸收，并将其转换为电能。
基板还需要具备一定的电流承载能力。
2.正极电场：多晶硅太阳能电池的正极电场由P型多晶硅形成。
P型多晶硅具有电子寿命较长、电流承载能力较好等优点，能够帮助提高太阳能电池的转换效率。
3.负极电场：多晶硅太阳能电池的负极电场由N型多晶硅形成。
N型多晶硅具有电子迁移速度较快的特点，能够促进电子在太阳能电池中的运动，提高电流输出能力。
4.金属触点：多晶硅太阳能电池的金属触点用于收集电流。
常见的金属触点材料包括铝、银等，这些材料具有优异的导电性能和稳定性。
5.硅光障膜：硅光障膜能够增加多晶硅太阳能电池对太阳光的吸收，提高光电转换效率。
同时，硅光障膜还能够减少表面反射，提高太阳能电池的光吸收率。
6.背电场：背电场的作用是防止电子和空穴的复合，从而提高多晶硅太阳能电池的效率。
多晶硅太阳能电池的工作原理多晶硅太阳能电池的工作原理如下：1.光吸收：多晶硅太阳能电池的硅材料具有良好的光吸收性能。
当太阳光照射到多晶硅太阳能电池上时，光子会被硅材料吸收，并激发出电子和空穴。
2.电子运动：被激发出的电子会在多晶硅太阳能电池的P-N结中运动。
由于P-N结的电场效应，电子被迫向P型区域移动。
3.电流输出：在多晶硅太阳能电池的P-N结中，电子和空穴会发生结合，形成电流。
这些电流经过金属触点的收集和导线的传输，最终输出为有用的电能。
多晶硅太阳能电池的优缺点分析多晶硅太阳能电池具有以下一些优点：•成本相对较低：多晶硅是一种常见且相对便宜的材料，多晶硅太阳能电池的生产成本相对较低。
单晶硅和多晶硅寿命
单晶硅和多晶硅寿命
单晶硅和多晶硅是太阳能电池常用的材料，它们在太阳能电池的寿命方面有一些不同。
首先，让我们来看单晶硅。
单晶硅具有较高的纯度和结晶性，因此在光照条件下有较高的转换效率。
此外，单晶硅的晶格结构更加有序，因此在使用过程中受到的损耗相对较小。
这些特性使得单晶硅太阳能电池具有较长的寿命。
一般来说，单晶硅太阳能电池的寿命可达25年甚至更长，这使得它成为了一种非常稳定可靠的太阳能电池材料。
接下来是多晶硅。
多晶硅由于制备工艺的不同，晶粒的大小和有序性不如单晶硅，因此在光照条件下的转换效率略低于单晶硅。
另外，多晶硅的晶格结构相对不够有序，因此在使用过程中可能会受到一些损耗。
但是，随着技术的不断进步，多晶硅太阳能电池的寿命也在不断提高，一般来说，多晶硅太阳能电池的寿命也可以达到20年以上。
总的来说，单晶硅太阳能电池在寿命上具有一定的优势，但是多晶硅太阳能电池的寿命也在不断提高，而且在实际应用中，制造
工艺、安装环境、使用条件等因素都会对太阳能电池的寿命产生影响。
因此，在选择太阳能电池时，除了材料本身的特性外，还需要考虑到实际的使用情况。
多晶硅太阳能电池生产工艺
太阳能电池光电转换原理主要是利用太阳光射入太阳能电池后产生电子电洞对，利用P-N 接面的电场将电子电洞对分离,利用上下电极将这些电子电洞引出，从而产生电流。
整个生产流程以多晶硅切片为原料，制成多晶硅太阳能电池芯片。
处理工艺主要有多晶硅切片清洗、磷扩散、氧化层去除、抗反射膜沉积、电极网印、烧结、镭射切割、测试分类包装等。
生产工艺主要分为以下过程： ⑴ 表面处理（多晶硅片清洗、制绒）与单晶硅绒面制备采用碱液和异丙醇腐蚀工艺不同，多晶硅绒面制备采用氢氟酸和硝酸配成的腐蚀液对多晶硅体表面进行腐蚀。
一定浓度的强酸液对硅表面进行晶体的各相异性腐蚀，使得硅表面成为无数个小“金字塔”组成的凹凸表面，也就是所谓的“绒面”，以增加了光的反射吸收，提高电池的短路电流和转换效率。
从电镜的检测结果看，小“金字塔”的底边平均约为10um 。
主要反应式为：32234HNO 4NO +3SiO +2H O Si +−−−→↑氢氟酸2262SiO 62H O HF H SiF +→+这个过程在硅片表面形成一层均匀的反射层（制绒），作为制备P-N 结衬底。
处理后对硅片进行碱洗、酸洗、纯水洗，此过程在封闭的酸蚀刻机中进行。
碱洗是为了清洗掉硅片未完全反应的表面腐蚀层，因为混酸中HF 比例不能太高，否则腐蚀速度会比较慢，其反应式为：2232SiO +2KOH K SiO +H O →。
之后再经过酸洗中和表面的碱液，使表面的杂质清理干净，形成纯净的绒面多晶硅片。
酸蚀刻机内设置了一定数量的清洗槽，各股废液及废水均能单独收集。
此过程中的废酸液（L 1，主要成分为废硝酸、氢氟酸和H 2SiF 6）、废碱液（L 2，主要成分为废KOH 、K 2SiO 3）、废酸液（L 3，主要成分为废氢氟酸以及盐酸）均能单独收集，酸碱洗后均由少量纯水洗涤，纯水预洗废液（S 1、S 2、S 3）和两级纯水漂洗废水（W 1），收集后排入厂区污水预处理设施，处理达标后通过专管接入清流县市政污水管网。
单晶硅_多晶硅_非晶硅的区别和性能差异
单晶硅_多晶硅_非晶硅的区别和性能差异单晶硅，多晶硅，非晶硅的区别和性能差异一、单晶硅太阳能电池名称:单晶硅英文名: Monocrystalline silicon单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分。
硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构的晶体。
不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。
纯度要求达到99.9999,，甚至达到99.9999999,以上。
用于制造半导体器件、太阳能电池等。
用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。
熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。
单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。
超纯的单晶硅是本征半导体。
在超纯单晶硅中掺入微量的?A族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体;如掺入微量的?A族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。
单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。
单晶硅主要用于制作半导体元件。
用途:是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等。
二、多晶硅太阳能电池名称:多晶硅英文名:polycrystalline silicon性质:灰色金属光泽。
密度2.32~2.34。
熔点1410?。
沸点2355?。
溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。
硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。
加热至800?以上即有延性，1300?时显出明显变形。
常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。
高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。
具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。
多晶硅是单质硅的一种形态。
熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。
简述多晶硅太阳能电池的制造流程
简述多晶硅太阳能电池的制造流程下载提示：该文档是本店铺精心编制而成的，希望大家下载后，能够帮助大家解决实际问题。
文档下载后可定制修改，请根据实际需要进行调整和使用，谢谢！本店铺为大家提供各种类型的实用资料，如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等，想了解不同资料格式和写法，敬请关注！Download tips: This document is carefully compiled by this editor. I hope that after you download it, it can help you solve practical problems. The document can be customized and modified after downloading, please adjust and use it according to actual needs, thank you! In addition, this shop provides you with various types of practical materials, such as educational essays, diary appreciation, sentence excerpts, ancient poems, classic articles, topic composition, work summary, word parsing, copy excerpts, other materials and so on, want to know different data formats and writing methods, please pay attention!多晶硅太阳能电池制造流程在太阳能产业中，多晶硅太阳能电池是最常见的一种类型。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
太阳电池等效电路
多晶硅太阳能电池的制造方
法
1、关于光的吸收 2、金属化技术 3、PN结的形成技术 4 、表面和体钝化技术
对于光吸收主要是： （1）降低表面反射； （2）改变光在电池体内的路径； （3）采用背面反射。
1.1多晶硅绒面技术
对于单晶硅，采用碱溶液各向异性化学腐蚀的方法 可在（100）表面制作金字塔状的绒面结构，降低 表面光反射。但多晶硅晶向偏离（100）面，采用 上面的方法无法作出均匀的绒面，目前采用下列方 法:
下面我们将就多晶硅太阳能电池从以下几个 方面展开介绍
1.多晶硅太阳能发展的历史 2.多晶硅电池的工作原理 3.多晶硅太阳能电池的制造方法及工艺 4.多晶硅太阳能电池应用
1955年美国贝尔实验 室研制成功第一个实 用的硅太阳电池, 并于 其后不久正式用于人 造卫星。 1960年硅太阳电池发 电首次并入常规电网 80年代初，太阳电池 开始规模化生产
32
1.2制作减反射膜层 对于高效太阳电 池，最常用和最有效 的方法是蒸镀 ZnS/MgF2双层减反 射膜，其最佳厚度取 决于下面氧化层的厚 度和电池表面的特征， 例如，表面是光滑面 还是绒面，减反射工 艺也有蒸镀Ta2O5, PECVD沉积 Si3N3等， ZnO导电膜也可作为 减反材料。
在高效电池的制作中，金属化电极必须与电池的设 计参数，如表面掺杂浓度、PN结深，金属材料相匹 配。实验室电池一般面积比较小（面积小于 4cm2），所以需要细金属栅线（小于10微米）， 一般采用的方法为光刻、电子束蒸发、电子镀。工 业化大生产中也使用电镀工艺，但蒸发和光刻结合 使用时，不属于低成本工艺技术。
太阳能发电具有许多优点： 1、安全可靠，无噪音，无污染； 2、能量随处可得，无需消耗燃料； 3、无机械转动部件，维护简便，使用寿命长； 4、建设周期短，规模大小随意； 5、可以无人值守，也无需架设输电线路，还可方 便与建筑物相结合。
太阳能电池的分类
1.单晶硅太阳能电池组件 2.多晶硅太阳能电池组件 3.刚性衬底薄膜太阳能电池组件 4.柔性薄膜太阳能电池组件 碲化镉薄膜
从工业化发展来看，重心已由单晶向多晶方向发 展，主要原因为； [1]可供应太阳电池的头尾料愈来愈少； [2] 对太阳电池来讲，方形基片更合算，通过浇 铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方 形材料； [3]多晶硅的生产工艺不断取得进展，全自动浇铸 炉每生产周期（50小时）可生产200公斤以上的 硅锭，晶粒的尺寸达到厘米级； [4]由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快，其 中工艺也被应用于多晶硅电池的生产
[3]双面Mc-Si电池 Mc-Si双面电池其正面为常规结构，背面为N＋和P ＋相互交叉的结构，这样，正面光照产生的但位于 背面附近的光生少子可由背电极有效吸收。背电极 作为对正面电极的有效补充，也作为一个独立的栽 流子收集器对背面光照和散射光产生作用，据报道， 在AM1.5条件下，转换效率超过19％。
（1）激光刻槽 用激光刻槽的方法可在多晶硅表面制作倒 金字塔结构，在500～900nm光谱范围内，反射 率为4～6％，与表面制作双层减反射膜相当，而 在（100）面单晶硅化学制作绒面的反射率为11 ％。用激光制作绒面比在光滑面镀双层减反射膜 层（ZnS/MgF2）电池的短路电流要提高4％左右， 这主要是长波光（波长大于800nm）斜射进入电 池的原因。 激光制作绒面存在的问题是在刻蚀中，表 面造成损伤同时引入一些杂质，要通过化学处理 去除表面损伤层。该方法所作的太阳电池通常短 路电流较高，但开路电压不太高，主要原因是电 池表面积增加，引起复合电流提高。
硅片表面绒面受光面积（绒面金字塔形的理解计算）
金字塔形角锥体的表面积S0等于 四个边长为a正三角形S之和
1 3 S0 4 a a 2 2 3 a2
由此可见有绒面的受光面积比光 面提高了倍即1.732倍。
31
硅片表面绒面反射率：
当一束强度为E0的光投射到图中的A点，产生反射光Φ1和进入硅 中的折射光Φ2。反射光Φ1可以继续投射到另一方锥的B点，产生二 次反射光Φ3和进入半导体的折射光Φ4；而对光面电池就不产生这 第二次的入射。经计算可知还有11%的二次反射光可能进行第三次 反射和折射，由此可算得绒面的反射率为 9.04%。
[1]发射区形成和磷吸杂 对于高效太阳能电池，发射区的形成一般采用选择扩散， 扩散的方法有两步扩散工艺、扩散加腐蚀工艺和掩埋扩散 工艺，目前采用选择扩散，150mm×150mm电池转换 效率达到16.4%。
对于Mc-Si材料，扩磷吸杂对电池的影响得到广泛的研究， 较长时间的磷吸杂过程（一般3～4小时），可使一些 Mc-Si的少子扩散长度提高两个数量级。在对衬底浓度对 吸杂效应的研究中发现，即便对高浓度的衬第材料，经吸 杂也能够获得较大的少子扩散长度（大于200微米），电 池的开路电压大于638mv, 转换效率超过高的晶界、点缺陷（空位、 填隙原子、金属杂质、氧、氮及他们的复合物） 对材料表面和体内缺陷的钝化尤为重要，除前面 提到的吸杂技术外，钝化工艺有多种方法，通过 热氧化使硅悬挂键饱和是一种比较常用的方法， 可使Si-SiO2界面的复合速度大大下降，其钝化 效果取决于发射区的表面浓度、界面态密度和电 子、空穴的浮获截面，在氢气氛中退火可使钝化 效果更加明显。采用PECVD淀积氮化硅近期正面 十分有效，因为在成膜的过程中具有加氢的效果， 该工艺也可应用于规模化生产中，应用Remote PECVD Si3N4可使表面复合速度小于20cm/s。
无机太阳能电池研究进展
表1 无机太阳能电池的性能及应用
名称 单晶硅 多晶硅 非晶硅 复合型 CdTe CuInSe2 GaAs InP 禁带宽度(eV) 1.12 1.12 1.5~2.0 1.44 1.04 1.42 1.35 转换效率 应用实况 24.4 18 13 17.3 15 17 37.4 19.1 用于空间及地面太阳电池 与单晶硅占市场 70~80% 占市场 10~20%消费电子,能源 已商业化 与 CdS 结合构成的太阳电池已商业化 探索大面积应用批量生产技术 已开始用于空间太阳电池 耐辐射性能优异,处于研究开发阶段
[2]背表面场的形成及铝吸杂技术 在Mc-Si电池中，背p+p结由均匀扩散铝或硼形 成，硼源一般为BN、BBr、APCVD SiO2：B2O8 等，铝扩散为蒸发或丝网印刷铝，800度下烧结 所完成，对铝吸杂的作用也开展了大量的研究， 与磷扩散吸杂不同，铝吸杂在相对较低的温度下 进行。其中体缺陷也参与了杂质的溶解和沉积， 而在较高温度下，沉积的杂质易于溶解进入硅中， 对Mc-Si产生不利的影响。到目前为至，区域背 场已应用于单晶硅电池工艺中，但在多晶硅中， 还是应用全铝背表面场结构。
• 据推算，至2010年，全球光伏发电并网装 机容量将达到15GW，未来数年光伏行业的 复合增长率将高达30％以上；至2030年， 全球光伏发电装机容量将达到300GW（届 时整个产业的产值有可能突破3000亿美 元）；至2040年，光伏发电将达到全球发 电总量的15%-20%。
2002-2010年全球及中国太阳能级 多晶硅需求量统计
主要介绍方面
太阳能电池背景及历史
多晶硅太 阳能电池
多晶硅的定义 多晶硅太阳能电池原理 多晶硅太阳能电池工艺实现 多晶硅太阳能电池应用及未来展望
太阳能
• 对于人类来讲，太阳能取之不 尽，用之不竭，无污染。 • 每秒辐射到陆地表面的能量相 当于全球1年内消耗总能量的 3.5万倍； • 其中植物吸收的占0.015%，转 化为燃料的不到0.002%。
我国1958年开始太阳电池的研究, 1971年成功地 首次应用于我国发射的第二颗卫星, 1973年开始地 面应用。 我国多晶硅始于1964年，但是技术水平低、规模 小、产品单耗高、生产成本高。 2005年之前，我国年产多晶硅还不到世界年总产 量的0.5%。 2005年，国内第一个300吨多晶硅生产项目建成 投产，从而拉开了中国多晶硅大发展的序幕。
而各向同性酸腐蚀技术可以比较容易地整 合到当前的太阳电池处理工序中，应用起来基本上 是成本最 低的，在大规模工业化生产中, 各向同性酸腐蚀是 目前广泛应 用的多晶硅太阳电池绒面技术。
（4）反应离子腐蚀（RIE） 该方法为一种无掩膜腐蚀工艺，所形成的绒 面反射率特别低，在450～1000微米光谱范围的 反射率可小于2％。仅从光学的角度来看，是一种 理想的方法，但存在的问题是硅表面损伤严重，电 池的开路电压和填充因子出现下降。
非晶硅薄膜
单结晶硅太阳电池 SINGLE CRYSTAL
多结晶硅太阳电池 POLY CRYSTAL
非结 晶硅 太阳 电池 AMO RPHO US
定义： 多晶硅:是单质硅的一种形态。熔融的 单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子 以金刚石晶格形态排列成许多晶核， 如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒， 则这些晶粒结合起来，就结晶 多晶硅
多晶硅太阳能电池工作原理
太阳光谱图
UV Visible Infrared
48%
太阳能电池的发电原理是基于光伏效应(Photovoltaic Effect) 由太阳光与材料相互作用而产生电势。
多晶硅太阳能电池工作原理：
太阳能电池芯片是具有光电效应的半导体器件， 半导体的PN结被光照后产生电流，当光直射太阳 能电池芯片，其中一部分被反射，一部分被吸收。 一部分透过电池芯片、被吸收的光激发被束缚的 高能级状态下的电子，使之成为自由电子，这些 自由电子在晶体内向各方向移动，余下空穴（电 子以前的位置）。空穴也围绕晶体飘移，自由电 子（－）在N结聚集，空穴（＋）在P结聚集，当 外部环路被闭合，电流产生。
电池从研究室走向工厂，实验研究走向规模化生产 是其发展的道路，所以能够达到工业化生产的特征 应该是： [1]电池的制作工艺能够满足流水线作业； [2]能够大规模、现代化生产； [3]达到高效、低成本。