(完整版)第四章场效应管习题答案
模拟电子书后习题答案第4章
Rg2 C1 Rg Rd C2 VDD
VT
Rg2 R VSS
ui
VT
RL CS uo
us
ui
Rg1
RS
图 4.7.3 题 4-4 电路图
图 4.7.4 题 4-6 电路图
解：
iD I DO (
uGS 1)2 ，即 0.5=0.5(uGS/1-1)2 U GS(th)
U i U gs U o g mU gs ( Rd // rd )
Au gm Rd
对转移特性曲线方程式求导数，可得
gm
2 Up
I DSS I DQ 0.69mA/V
A u =－6.9 3. CS 开路时的电压放大倍数 CS 开路实际上就是电路出现电流串联负反馈，电压增益下降。如果没有学习反馈， 仍然可以用微变等效电路法求解。放大器微变等效电路如图 2-13(c)。 因为 rd >>R d 、R s 故
gm＝
2 I DSS I D =1ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱU GS(off)
【4-6】电路如图 4.7.4，场效应管的 rds >>R D ，要求： 1. 画出该放大电路的中频微变等效电路； 2. 写出 Au 、R i 和 R o 的表达式； 3. 定性说明当 R s 增大时， Au 、R i 和 Ro 是否变化，如何变化？ 4. 若 CS 开路， Au 、R i 和 R o 是否变化，如何变化？写出变换后的表达式。 解： 此题的场效应管是增强型的，所以要用增强型的转移特性曲线方程式
gm
输入电阻 输出电阻
2 U GS(th)
I DQ I DO
Ri RG ( RG1 // RG2 ) Ro RD
第四章 场效应管习题答案
第四章场效力管基础搁大电路之阳早格格创做41 采用挖空1．场效力晶体管是用_______统造漏极电流的.a. 栅源电流b. 栅源电压c. 漏源电流d. 漏源电压2．结型场效力管爆收预夹断后，管子________.a. 闭断b. 加进恒流区c. 加进鼓战区d. 可变电阻区3．场效力管的矮频跨导gm是________.a. 常数b. 不是常数c. 栅源电压有闭d. 栅源电压无闭4. 场效力管靠__________导电.a. 一种载流子b. 二种载流子c. 电子d. 空穴5. 巩固型PMOS管的开开电压__________.a. 大于整b. 小于整c. 等于整d. 或者大于整或者小于整6. 巩固型NMOS管的开开电压__________.a. 大于整b. 小于整c. 等于整d. 或者大于整或者小于整7. 惟有__________场效力管才搞采取自偏偏压电路.a. 巩固型b. 耗尽型c. 结型d. 巩固型战耗尽型8. 分压式电路中的栅极电阻RG普遍阻值很大，手段是__________.a. 树坐符合的固态处事面b. 减小栅极电流c. 普及电路的电压搁大倍数d. 普及电路的输进电阻9. 源极跟随器（同漏极搁大器）的输出电阻取___________有闭.a. 管子跨导gmb. 源极电阻RSc. 管子跨导gm战源极电阻RS10. 某场效力管的IDSS为6mA，而IDQ自漏极流出，大小为8mA，则该管是_______.a. P沟讲结型管b. N沟讲结型管c. 巩固型PMOS管d. 耗尽型PMOS管e. 巩固型NMOS管f. 耗尽型NMOS管解问：42 已知题42图所示中各场效力管处事正在恒流区，请将管子典型、电源VDD的极性（+、）、uGS的极性（>0，≥0，<0，≤0,任性）分别挖写正在表格中.解：43试分解如题43图所示各电路是可平常搁大，并证明缘由.解：(a)不克不迭.VT是一个N沟讲JFET，央供偏偏置电压UGS谦脚UGS,off <UGS <0，而电路中VT的偏偏置电压UGS>0，果此不克不迭举止平常搁大.(b)能.VT是一个P沟讲JFET，央供偏偏置电压UGS谦脚0<UGS< UGS,off，而电路中VT的偏偏置电压UGS>0，只消正在0<UGS< UGS,off范畴内便能举止平常搁大.（c）能.VT是一个N沟讲MOSFET，央供偏偏置电压UGS谦脚UGS> UGS,off >0.电路中UGS>0，如果谦脚UGS < UGS,off便不妨平常搁大.（d）不克不迭.虽然MOSFET的漏极D战源极S不妨颠倒使用，然而是此时衬底的接法也需要安排.虽然电路中自给偏偏置电压UGS>0，也大概谦脚UGS> UGS,off >0.然而是D极战衬底B之间的PN结正背导通，果此电路不克不迭举止旗号搁大.（e）不克不迭VT是一个N沟讲巩固型MOSFET，开开电压Uon >0，央供直流偏偏置电压UGS> Uon，电路中UGS=0，果此不克不迭举止平常搁大.（f）能.VT是一个P沟讲耗尽型MOSFET，夹断电压UGS,off>0，搁大时央供偏偏置电压UGS谦脚UGS< UGS,off.电路中UGS>0，如果谦脚UGS < UGS,off便不妨平常搁大.44 电路如题44图所示，VDD=24 V，所用场效力管为N沟讲耗尽型，其参数IDSS=0.9mA，UGS,off=4V，跨导gm=1.5mA/V.电路参数RG1=200kΩ, RG2=64kΩ, RG=1MΩ, RD= RS= RL=10kΩ.试供：1．固态处事面.2．电压搁大倍数.3．输进电阻战输出电阻.解：1．固态处事面的估计正在UGS,off≤UGS≤0时，解上头二个联坐圆程组，得漏源电压为2．电压搁大倍数3．输进电阻战输出电阻.输进电阻输出电阻45 电路如题45图所示，VDD=18 V，所用场效力管为N沟讲耗尽型，其跨导gm=2mA/V.电路参数RG1=2.2MΩ, RG2=51kΩ, RG=10MΩ, RS=2 kΩ, RD=33 kΩ.试供：1．电压搁大倍数.2．若接上背载电阻RL=100 kΩ,供电压搁大倍数.3．输进电阻战输出电阻.4．定性证明当源极电阻RS删大时，电压搁大倍数、输进电阻、输出电阻是可爆收变更？如果有变更，怎么样变更？5. 若源极电阻的旁路电容CS开路，接背载时的电压删益下落到本去的百分之几？解：1．无背载时，电压搁大倍数2．有背载时，电压搁大倍数为3．输进电阻战输出电阻.输进电阻输出电阻4．N沟讲耗尽型FET的跨导定义为当源极电阻RS删大时，有所以当源极电阻RS删大时，跨导gm减小，电压删益果此而减小.输进电阻战输出电阻取源极电阻RS无闭，果此其变更对于输进电阻战输出电阻不做用.5．若源极电阻的旁路电容CS开路，接背载RL时的电压删益为既输出删益下落到本去的20%.46 电路如题46图a所示，MOS管的变化个性如题46图b所示.试供：1．电路的固态处事面.2．电压删益.3．输进电阻战输出电阻.解：1．固态处事面的估计.根据MOS管的变化个性直线，可知当UGS=3V时，IDQ=0.5mA.此时MOS管的压落为2．电压删益的估计.根据MOS管的变化个性直线，UGS,off=2V；当UGS=4V 时，ID=1mA.根据解得IDSS=1mA.电压删益3．输进电阻战输出电阻的估计输进电阻输出电阻47 电路参数如题47图所示，场效力管的UGS,off=1V，IDSS=0.5mA，rds为无贫大.试供：1．固态处事面.2．电压删益AU.3．输进电阻战输出电阻.解：1．固态处事面估计2．电压删益AU.本题目电路中，有旁路电容C，此时搁大电路的电压删益为，3．输进电阻战输出电阻的估计.48 电路如题48图所示.场效力管的gm=2mS，rds为无贫大，电路中各电容对于接流均可视为短路，试供:1.电路的电压删益AU.2．输进电阻战输出电阻.解：1.电路的电压删益AU. 2．输进电阻ri’战输出电阻ro’49 电路如题49图所示.已知VDD=20V，RG=51MΩ，RG1=200kΩ，RG2=200kΩ，RS=22 kΩ,场效力管的gm=2mS.试供：1．无自举电容C时，电路的输进电阻.2．有自举电容C时，电路的输进电阻.分解：电路中跨接正在电阻RG战源极S之间的C称为自举电容，该电容将输出电压旗号uo反馈到输进端的栅极G，产死正反馈，提下了电路的输进电阻ri.闭于背反馈电路的分解估计将正在第7章仔细介绍.解：1．无自举电容C时电路输进电阻估计根据电路可知，输进电阻为2．有自举电容C时电路的输进电阻估计此时接流等效电路如图题49图a所示.题49图a根据等效电路图，可知栅极对于天的等效电阻为其中电流输出电压当电流ii很小时，电压搁大倍数为估计停止证明自举电容C使电路的输进电阻普及了.410 电路如题410图所示.已知gm=1.65Ms,RG1= RG2=1MΩ, RD=RL=3 kΩ,耦合电容Ci=Co=10μF.试供1．电路的中频删益AU.2．估算电路的下限停止频次fL.3．当思量旗号源内阻时，下频删益估计公式.解：1．电路的中频删益AU.2fL．估算电路的下限停止频次电路矮频等效电路如题410图a所示.删益函数整治得隐然删益函数有二个极面战二个整面战二个极面.整面分别为极面分别为所以下限频次为3．电路下频等效电路如题410图b所示.下频删益函数为其中：Rs为旗号源内阻.删益函数的二个极面分别为常常，所，以下频停止频次为。
模电课件14第四章 场效应管习题
IDSS
0
uDS
填空题 1、FET管在输出特性上可分为 可变电阻 )区、 管在输出特性上可分为( 、 管在输出特性上可分为 区 ( 恒流 )区、 ( 截止 )区、 ( 击穿 )区、四个区域。 区 区 区 四个区域。 2、FET管从结构上可分为 结型 ) 、 ( 绝缘栅型 ) 、 管从结构上可分为( 管从结构上可分为 两大类。 两大类。 3、FET放大器中，其输入电阻 很大 ) 故电流 G≈ 、 放大器中， 故电流I 放大器中 其输入电阻( ( 0 )两大类。 两大类。 两大类 4、FET放大器有 共源 ) 、 ( 共漏 ) 、 ( 共栅 )三 放大器有( 、 放大器有 三 种组态。 种组态。 5、FET共漏电路通常称为 源极输出器 )它和双 共漏电路通常称为 、 共漏电路通常称为( 它和双 极型晶体管BJT的共集电路具有相似的特点，即Ri 的共集电路具有相似的特点， 极型晶体管 的共集电路具有相似的特点 ( 很大 ) 、 Ro ( 很小 ) 、 Au ( ≤1 ) 且输入输 出电压的相位 ( 相同 ) 。
ห้องสมุดไป่ตู้
选择题 1、测得某FET管的输出特性如图，则判断此管为 、测得某 管的输出特性如图， 管的输出特性如图 (1)、N沟道结型 、 沟道结型 沟道结型FET管 管 (2)、P沟道结型 、 沟道结型 沟道结型FET管 管 (3)、N沟道耗尽型 、 沟道耗尽型 沟道耗尽型MOS管 管 (4)、P沟道耗尽型 (4)、P沟道耗尽型MOS管 沟道耗尽型MOS管 (5)、N沟道增强型 、 沟道增强型 沟道增强型MOS管 管 (6)、P沟道增强型 、 沟道增强型 沟道增强型MOS管 管 iD 预夹断曲线
电路第四版课后习题答案
电路第四版课后习题答案第一章：电路基础1. 确定电路中各元件的电压和电流。
- 根据基尔霍夫电压定律和电流定律，我们可以列出方程组来求解未知的电压和电流值。
2. 计算电路的等效电阻。
- 使用串联和并联电阻的计算公式，可以求出电路的等效电阻。
3. 应用欧姆定律解决实际问题。
- 根据欧姆定律 \( V = IR \)，可以计算出电路中的电压或电流。
第二章：直流电路分析1. 使用节点电压法分析电路。
- 选择一个参考节点，然后对其他节点应用基尔霍夫电流定律，列出方程组并求解。
2. 使用网孔电流法分析电路。
- 选择电路中的网孔，对每个网孔应用基尔霍夫电压定律，列出方程组并求解。
3. 应用叠加定理解决复杂电路问题。
- 将复杂电路分解为简单的子电路，然后应用叠加定理计算总的电压或电流。
第三章：交流电路分析1. 计算交流电路的瞬时值、有效值和平均值。
- 根据交流信号的表达式，可以计算出不同参数。
2. 使用相量法分析交流电路。
- 将交流信号转换为复数形式，然后使用复数运算来简化电路分析。
3. 计算RLC串联电路的频率响应。
- 根据电路的阻抗，可以分析电路在不同频率下的响应。
第四章：半导体器件1. 分析二极管电路。
- 根据二极管的伏安特性，可以分析电路中的电流和电压。
2. 使用晶体管放大电路。
- 分析晶体管的共发射极、共基极和共集电极放大电路，并计算放大倍数。
3. 应用场效应管进行电路设计。
- 根据场效应管的特性，设计满足特定要求的电路。
第五章：数字逻辑电路1. 理解逻辑门的工作原理。
- 描述不同逻辑门（如与门、或门、非门等）的逻辑功能和电路实现。
2. 使用布尔代数简化逻辑表达式。
- 应用布尔代数的规则来简化复杂的逻辑表达式。
3. 设计组合逻辑电路。
- 根据给定的逻辑功能，设计出相应的组合逻辑电路。
第六章：模拟集成电路1. 分析运算放大器电路。
- 根据运算放大器的特性，分析电路的增益、输入和输出关系。
2. 设计滤波器电路。
集成电路原理第四章习题解答
2 12
10 10 5 0.75 10 W
6 2
3
而由于输入非阶跃信号导致在转换区产生的暂态附加功耗
PA 1 2 f VDD I max t r t f
其中，Imax为转换电平V*=0.5VDD处的P管和N管的峰值电流，则
CMOS与非门为无比电路，输出低电平可达到0V；而NMOS与非门为 有比电路，其输出低电平与输入管和负载管宽长比有关。
CMOS与非门输出高电平可达到VDD，而NMOS与非门输出高电平有阈 值损失，只能达到VDD-Vth NMOS与非门的静态功耗大于CMOS与非门
5、已知： CMOS反相器Vthn= ∣ Vthp∣=0.2VDD，n=p=110-4A/V2，
I max I p I n 1 2 n V Vthn
*
2Leabharlann 1.125 104
A
得
PA 1 2 1 2 f V DD I max t r t f
6
4
10 10 5 1.125 10
20 10
9
0.56 10 W
原来建立的上下极板感应电荷平衡被打破，如要保持沟道区 导电电荷数目不变（强反型），就必须增加上极板的电荷量，
即增大栅压，VG增大，导致Vth增大。表现出来即为体效应。
2、比较E/E饱和负载、E/E非饱和负载和E/D NMOS反相器 的优缺点，哪一种结构能得到较好的功耗速度优值？
3、图中两级反相器I、 II均为E/D NMOS反相器，为了使级 联反相器无电平损失，须保证： Vin=Vout=Vinv 若设定增强型器件阈值电压VTE=0.2VDD，耗尽型器件阈值 电压VTD=-0.6VDD，转换电平Vinv=0.5VDD，则求出反相器II的 负载管（或上拉管）与输入管（或下拉管）的宽长比之比。
第4章黄怡然参考答案讲解
E
u GS=0V 8
C8
-1V
6
6
-2V
4
4
-3V
2
2
0
F -4V B
uGS/V D
5
10
15
20 uDS/V
-4 -3
-2
-1 0
图题 4.9 答案
解：（ 1）①作直流负载线
U DS VDD I D ( RD R)
令 U DS 0 得 I D
VDD
20 10mA
RD R 2
令 I D 0 得 U DS VDD 20V
DSQ
U
2 DSQ
]
0.1 (4 UDSQ
U
2 DSQ
)
U DSQ VDD I DQ RD
解得合理解， I DQ 0.36mA ， U DSQ 1.4V
V R
V
所以静态工作点 U GSQ 3V ， U DSQ 1.4V ， I DQ 0.36mA ，管子工作在可变电阻区。
4.8 电路如图 4.45 所示，由电流源提供偏置。设管子的参数为
g m 1mS ， rDS RD ，
RG 1M ，RG1 100K ，RG2 300K ，RS1 2K ，RS2 10K ，RD 10K ，RL 10K ，
VDD 20V 电容的容量足够大，求电路的小信号电压增益
Au uo / ui ，输入电阻 Ri 和输出电
阻 Ro 。
V DD
RG2
RD C 2
C1
在转移特性曲线上连接（ 0，0），（－ 2.4， 8）两点得到一直线，此直线与转移特性曲线
的交点即为静态工作点 Q。对应 Q 点的值为
（ 2）交流负载 RL'
04第四章、场效应管放大电路例题解析-单元检测200310
• • • 例．分析共源放大电路 解：1.静态分析 对于耗尽型场效应管，当工作在饱和区时， 其漏极电流和漏源间电压由下式近似决定
• 又 ＶGS=ＩD．Ｒs 将上两式联立，求得ＩD和ＶGS，则 ＶGS=ＶDD-ＩD(Ｒd+Ｒs) 2.动态分析 （1）画出微变等效电路 （2）电压放大倍数 Ａv=-ｇm(Ｒd//ＲL)，式中符号表示输出电压与输入电压反相。由于一般场效 应管的跨导只有几个毫西，故场效应管放大电路的放大倍数通常比三极管放大电 路的要小。 （3）输入电阻 Ｒi=Ｒg （4）输出电阻 Ｒo=Ｒd 由上述分析可知，共源级放大电路的输出电压与输入电压反相，输入电阻高， 输出电阻主要由漏极负载电阻决定。Fra bibliotek• •
•
4、两级放大电路如图所示，已知T1管的gm，T2 管的rbe、β （1）画出微变等效电路； （2）求放大电路的中频电压放大倍数Av的表达式 及Ri、Ro的表达式。 （答案）
2
•
5、电路如图，已知:T1管ｇm=0.8mA/V,T2管 ｒbe=1.2k ，β=100；C1、C2、C3、Cs交流 短路。 （1）画出小信号等效电路。 （2）求Ri、Ro及Av。（答案与提示）
•
6、场效应管自举电路如图，已知ＶDD=+20V， Rg=51M ,Rg1=200k ，Rg2=200k ，Rs=22k ,ｇ m=1mA/V，自举电容C很大，可以认为交流短路。 求:（1）无自举电路的输入电阻Ri。 （2）有自举电路的输入电阻Ri。 （3）说明自举的作用。
•
7、（提高题）图所示电路中，仅当源极电阻 R2增大时，放大电路的电压放大倍数|Av|如 何变化？（答案与提示）
1
• • •
• • •
单元检测
第四章场效应管习题解答
第四章 场效应管习题解答一解：1.C D 2.D 3.A C 4.B 5.A B 6.B二解：三解：根据图2所示T 的输出特性可知，其开启电压为5V ，根据图P1.23所示电路可知所以u GS ＝u I 。
当u I ＝4V 时，u GS 小于开启电压，故T 截止。
当u I ＝8V 时，设T 工作在恒流区，根据输出特性可知i D ≈0.6mA ，管压降 u DS ≈V DD －i D R d ≈10V因此，u GD ＝u GS －u DS ≈－2V ，小于开启电压，说明假设成立，即T 工作在恒流区。
当u I ＝12V 时，由于V DD ＝12V ，必然使T 工作在可变电阻区。
四解：（a ）可能 （b ）不能 （c ）不能 （d ）可能五解：（1）在转移特性中作直线u G S ＝－i D R S ，与转移特性的交点即为Q 点；读出坐标值，得出I D Q ＝1m A ，U G SQ ＝－2V 。
如解图（a ）所示。
在输出特性中作直流负载线u D S ＝V D D －i D （R D ＋R S ），与U G S Q ＝－2V 的那条输出特性曲线的交点为Q 点，U D SQ ≈3V 。
如解图（b ）所示。
（2）首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。
m A /V 12DQ DSS GS(off)GS Dm DS =-=∂∂=I I U u i g U Ω==Ω==-=-=k 5 M 1 5D o i D m R R R R R g A g u六、解：uA 、R i 和R o 的表达式分别为 D o 213i LD )(R R R R R R R R g A m u =+=-=∥∥七、解：（1）求Q 点：根据电路图可知， U G SQ ＝V G G ＝3V 。
从转移特性查得，当U G SQ ＝3V 时的漏极电流 I D Q ＝1m A 因此管压降 U D SQ ＝V D D －I D Q R D ＝5V 。
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第四章 场效应管基本放大电路4-1 选择填空1．场效应晶体管是用_______控制漏极电流的。
a. 栅源电流b. 栅源电压c. 漏源电流d. 漏源电压2．结型场效应管发生预夹断后，管子________。
a. 关断b. 进入恒流区c. 进入饱和区d. 可变电阻区3．场效应管的低频跨导g m 是________。
a. 常数b. 不是常数c. 栅源电压有关d. 栅源电压无关4. 场效应管靠__________导电。
a. 一种载流子b. 两种载流子c. 电子d. 空穴5. 增强型PMOS 管的开启电压__________。
a. 大于零b. 小于零c. 等于零d. 或大于零或小于零6. 增强型NMOS 管的开启电压__________。
a. 大于零b. 小于零c. 等于零d. 或大于零或小于零7. 只有__________场效应管才能采取自偏压电路。
a. 增强型b. 耗尽型c. 结型d. 增强型和耗尽型8. 分压式电路中的栅极电阻R G 一般阻值很大，目的是__________。
a. 设置合适的静态工作点b. 减小栅极电流c. 提高电路的电压放大倍数d. 提高电路的输入电阻9. 源极跟随器（共漏极放大器）的输出电阻与___________有关。
a. 管子跨导g mb. 源极电阻R Sc. 管子跨导g m 和源极电阻R S10. 某场效应管的I DSS 为6mA ，而I DQ 自漏极流出，大小为8mA ，则该管是_______。
a. P 沟道结型管b. N 沟道结型管c. 增强型PMOS 管d. 耗尽型PMOS 管e. 增强型NMOS 管f. 耗尽型NMOS 管解答：1.b2.b3.b,c4. a5.b6.a7. b,c8. d9.c 10.d4-2 已知题4-2图所示中各场效应管工作在恒流区，请将管子类型、电源V DD 的极性（+、-）、u GS 的极性（>0，≥0，<0，≤0,任意）分别填写在表格中。
DDD（a ）题4-2图DDD（b ）DDD（c ）DDD（d ）DDD（e ）DDD（f ）解：图号项目（a ）(b)(c)(d)(e)(f)沟道类型N P N N P P 增强型或耗尽型结型结型增强型耗尽型增强型耗尽型电源V D极＋－＋＋－－性U GS极性≤0≥0>0任意<0任意4-3试分析如题4-3图所示各电路能否正常放大，并说明理由。
DD（a ）（b ）DD题4-3图（c ）O--V DD （d ）+u O-（e ）DD（f ）V DDU CC解：(a)不能。
VT 是一个N 沟道JFET ，要求偏置电压U GS 满足U GS,off <U GS <0，而电路中VT 的偏置电压U GS >0，因此不能进行正常放大。
(b)能。
VT 是一个P 沟道JFET ，要求偏置电压U GS 满足0<U GS < U GS,off ，而电路中VT 的偏置电压U GS >0，只要在0<U GS < U GS,off 范围内就能进行正常放大。
（c ）能。
VT 是一个N 沟道MOSFET ，要求偏置电压U GS 满足U GS > U GS,off >0。
电路中U GS >0，如果满足U GS < U GS,off 就可以正常放大。
（d ）不能。
虽然MOSFET 的漏极D 和源极S 可以颠倒使用，但是此时衬底的接法也需要调整。
虽然电路中自给偏置电压U GS >0，也可能满足U GS > U GS,off >0。
但是D 极和衬底B 之间的PN 结正向导通，因此电路不能进行信号放大。
（e ）不能VT 是一个N 沟道增强型MOSFET ，开启电压U on >0，要求直流偏置电压U GS > U on ，电路中U GS =0，因此不能进行正常放大。
（f ）能。
VT 是一个P 沟道耗尽型MOSFET ，夹断电压U GS,off >0，放大时要求偏置电压U GS 满足U GS < U GS,off 。
电路中U GS >0，如果满足U GS < U GS,off 就可以正常放大。
4-4 电路如题4-4图所示，V DD =24 V ，所用场效应管为N 沟道耗尽型，其参数I DSS =0.9mA ，U GS,off =-4V ，跨导g m =1.5mA/V 。
电路参数R G1=200k Ω, R G2=64k Ω, R G =1M Ω, R D = R S = R L =10k Ω。
试求：1．静态工作点。
2．电压放大倍数。
3．输入电阻和输出电阻。
+u o-题4-4图解：1．静态工作点的计算DD S D DD G2G1G2S G GS 108.510246420064I I R I V R R R U U U -=-⨯+=-+≈-=在U GS,off ≤U GS ≤0时，2GS 2off GS,GS DSS D )4(19.0)(1UU U I I -=-=解上面两个联立方程组，得⎪⎩⎪⎨⎧-==V62.0mA 64.0GS D U I 漏源电压为()()DS DD D D S 240.64101011.2VU V I R R =-+=-⨯+=2．电压放大倍数()()5.710//105.1//L D m io U -=⨯-=-==R R g u uA 3．输入电阻和输出电阻。
输入电阻M Ω05.164//2001000//G2G1G i =+=+=R R R r 输出电阻k Ω10//D D ds o =≈=R R r r 4-5 电路如题4-5图所示，V DD =18 V ，所用场效应管为N 沟道耗尽型，其跨导g m =2mA/V 。
电路参数R G1=2.2MΩ, R G2=51kΩ, R G =10MΩ, R S =2 kΩ, R D =33 kΩ。
试求：1．电压放大倍数。
2．若接上负载电阻R L =100 kΩ,求电压放大倍数。
3．输入电阻和输出电阻。
4．定性说明当源极电阻R S 增大时，电压放大倍数、输入电阻、输出电阻是否发生变化？如果有变化，如何变化？5. 若源极电阻的旁路电容C S 开路，接负载时的电压增益下降到原来的百分之几？DD+o-题4-5图解：1．无负载时，电压放大倍数66332D m io U -=⨯-=-==R g u uA 2．有负载时，电压放大倍数为()()50100//332//L D m io U -=⨯-=-==R R g u uA 3．输入电阻和输出电阻。
输入电阻i G G1G2//10 2.2//0.05110M Ωr R R R =+=+≈输出电阻k Ω33D o ==R r 4．N 沟道耗尽型FET 的跨导定义为DDSS off GS off GS GS offGS DSS m 2off GS GSDSS D DSGS Dm 2121i I UUU U I g UU I i u i g u 常常常常常常-=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛--=∴⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-=∂∂== ()L D m io U //R R g u uA -==当源极电阻R S 增大时，有↓↓⇒↓⇒↓⇒↑⇒U m D GS S A g I U R 所以当源极电阻R S 增大时，跨导g m 减小，电压增益因此而减小。
输入电阻和输出电阻与源极电阻R S 无关，因此其变化对输入电阻和输出电阻没有影响。
5．若源极电阻的旁路电容C S 开路，接负载R L 时的电压增益为()%20522111//UU UU S m U S m L D m i o U ='=⨯+=+=+-=='A A A A R g A R g R R g u u A 既输出增益下降到原来的20%.4-6 电路如题4-6图a 所示，MOS 管的转移特性如题4-6图b 所示。
试求：1．电路的静态工作点。
2．电压增益。
3．输入电阻和输出电阻。
u -题4-6图a V G 3V题4-6图b解：1．静态工作点的计算。
根据MOS 管的转移特性曲线，可知当U GS =3V 时，I DQ =0.5mA 。
此时MOS 管的压降为 V7105.012D DQ DD DSQ =⨯-=-=R I V U 2．电压增益的计算。
根据MOS 管的转移特性曲线，U GS,off =2V ；当U GS =4V 时，I D =1mA 。
根据2off GS GSDSS D 1⎪⎪⎭⎫⎝⎛-=常UU I I 解得I DSS =1mA 。
DS DSS GSD m GSGS off GS off 210.707mS u I U I g U U U =⎛⎫-∂==-===-⎪∂⎝⎭，，，常数电压增益-7.110707.0D m i o U ≈⨯-=-==R g u uA 3．输入电阻和输出电阻的计算输入电阻∞=i r 输出电阻k Ω10D o ==R r 4-7 电路参数如题4-7图所示，场效应管的U GS,off =-1V ，I DSS =0.5mA ，r ds 为无穷大。
试求：1．静态工作点。
2．电压增益A U 。
3．输入电阻和输出电阻。
DD 题4-7图o -解：1．静态工作点计算G2GSQ DD DQ SG1G22GSQ DQ DSS GS,off 33GSQ DQ DQ 2GSQ 3DQDQ GSQ 10.047182100.412100.04720.510110.3mA 0.2VR U U I R R R U I I U U I I U I I U ⎧=-⎪+⎪⎨⎛⎫⎪=- ⎪ ⎪⎪⎝⎭⎩⎧=⨯-⨯=-⨯⎪+⎪∴⎨-⎛⎫⎪=⨯- ⎪⎪-⎝⎭⎩=⎧⎪⎨=-⎪⎩ 将参数代入，得解得：2．电压增益A U 。
本题目电路中，有旁路电容C ，此时放大电路的电压增益为，Dm GSDGS m U R g u R u g A -=-=DS D m GS2GS D DSS GS off DSS GSm GS off GS off 1210.78mS u i g u U i I U I U g U U =∂=∂⎛⎫=- ⎪⎝⎭⎛⎫-∴=-===⎪⎝⎭ 常数，，，，4.233078.0D m GSDGS m U -=⨯-=-=-=∴R g u R u g A 3．输入电阻和输出电阻的计算。
()()K Ω30M Ω10K 47//M 2M 10//D o G2G1G i ==≈+=+=R r R R R r 4-8 电路如题4-8图所示。
场效应管的g m =2mS ，r ds 为无穷大，电路中各电容对交流均可视为短路，试求:1.电路的电压增益A U 。
2．输入电阻和输出电阻。
题4-8图解：1.电路的电压增益A U 。
()()7.612120//2021////U 1m L D1GS m L D GS m U -=⨯+⨯-=∴+-=+-=常常A R g R R g R u g u R R u g A m GS 2．输入电阻r i’和输出电阻r o’()()k Ω20M Ω5K 200M//51M 5//D o G2G1G i ==≈+=+=R r R R R r 4-9 电路如题4-9图所示。