分立器件应用基础
EMC基础知识.
TO-92.TO-220. TO-126.SIP.DIP
ZIP. SIP. DIP (引线数 <=42L) . SIP.DIP(引线数 <=28L).
产品规格
直径（φ）（mm） E M C 标准&尺寸 重量（G）（g） 40 43 48 55 58 62 65
45≤G≤220
密度（ρ）（g/cm3）
SP-100A-F. 3X. 3A SP-460 SP-660 SP-680. 700. SP-100A-3. 3S.3C SP-100-3. -3X. -3C SP-200 SP-500、SP-360 SP-300 SP-400-3D
流动性好,可焊性好 成型好 低应力 高导热 抗开裂. 高导热 低应力 低应力.高玻璃化温 度.
EMC
知识介绍
--市场部：许田力
本文简单介绍一下塑封料的组成及其组分所起的 作用，环氧塑封料是由环氧树脂，酚醛树脂填料及一 系列的辅助添加剂混合在一起经过一系列的加工混合 制造出来的粉末状材料。环氧树脂用作粘结剂，酚醛 树脂用作固化剂，经他们与其他组分按照一定的比例 称量并混合再经热混合之后制备的一个单一组分组合 物。在热和固化剂的作用下环氧树脂的环氧基开环与 酚醛树脂发生化学反应，产生交联固化作用使之成为 热固性塑料。固化后的环氧塑封料具有优良的粘结性， 优异的电绝缘性，机械强度高，耐热性和耐化学腐蚀 性好，吸水率低，成型收缩小，成型工艺性能良好及 应用范围宽等特点，因此得到很大的应用。
注塑压力 • 在注塑杆底部测量的实际注塑压力应该定时检查并且 记录.通常使用的方法就是用压力计在注塑杆底部直接 测量实际的压力.这将有助于调整压机上的液压显示器, 并且可以说明中心块和注塑杆的摩擦是恒定的.如果实 际的数值比正常的偏低或者不稳定,这就意味着注塑杆 和中心块之间的不匹配或者摩擦增大. • 在每天生产过程中必须经常注意压机注塑压力表并且 加以记录,而且仪表的读数必须按照上述方法周期性的 加以确认(比如一个星期).
安世半导体碳化硅分立器件介绍及高效应用
安世半导体碳化硅分立器件介绍及高效应用下载温馨提示：该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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电子硬件工程师需要具备的知识
电子硬件工程师需要具备的知识第一篇：电子硬件工程师需要具备的知识电子硬件工程师要求掌握的东西第一部分：硬件知识一、数字信号1、 TTL和带缓冲的TTL信号：逻辑门电路2、 RS232和定义：异步传输标准接口，通常以9个引脚 (DB-9) 或是25个引脚 (DB-25) 的型态出现，一般个人计算机上会有两组RS-232 接口，分别称为 COM1 和 COM2。
数据传输速率为每秒50、75、100、150、300、600、1200、2400、4800、9600、19200波特。
3、 RS485/422（平衡信号）半双工/全双工4、干接点信号：无源开关，具有闭合和断开的2种状态，2个接点之间没有极性，可以互换。
各种开关如：限位开关、行程开关、脚踏开关、旋转开关、温度开关、液位开关等；各种按键；各种传感器的输出，如：环境动力监控中的传感器、水浸传感器、火灾报警传感器、玻璃破碎、振动、烟雾和凝结传感器；继电器、干簧管的输出。
湿接点信号：有源开关；具有有电和无电的2种状态；2个接点之间有极性，不能反接。
二、模拟信号视频1、非平衡信号：非平稳信号是指分布参数或者分布律随时间发生变化的信号。
现实世界中我们所碰到的信号大都是非平稳信号。
平稳和非平稳都是针对随机信号说的，非平稳信号分析和处理的一般方法有时域分析、频域分析、时频联合分析。
2、平衡信号：信号在传输过程中，如果被直接传送就是非平衡信号，如果把信号反相，然后同时传送反相的信号和原始信号，就叫做平衡信号，平衡信号送入差动放大器，原信号和反相位信号相减，得到加强的原始信号，由于在传送中，两条线路受到的干扰差不多，在相减的过程中，减掉了一样的干扰信号，因此更加抗干扰。
这种在平衡式信号线中抑制两极导线中所共同有的噪声的现象便称为共模抑制。
所以平衡线路只需要在输入输出信号增加一个差动放大器就可以实现。
三、芯片1、封装2、 7407：TTL 集电极开路六正相高压驱动器。
分立器件基本知识简介和行业分析
瞬态二极管（Transient Voltage Suppressor）简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器 件。当TVS 二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将 其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定 值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。
汽车电路教学大纲
汽车电工电子基础及电路分析教学大纲第一部分大纲说明一、课程的性质和任务《汽车电工电子基础及电路分析》是汽车专业汽车维修方向的一门技术基础课、必修课程。
本课程的内容是紧密结合汽车电器及汽车电子的需求而设置。
本课程的任务是使学生获得电工电子技术的基础知识，掌握电路分析的一般方法以及电子技术的基础知识。
宗旨是使学生对汽车的基本电路具有初步的认知和分析能力，并为后续的汽车电器及汽车电控课程打下良好的基础。
二、课程的目的和要求通过本课程的学习，学生应能够了解汽车电器、电子的基本知识，掌握电路与电子的基本概念、基本的分析方法，了解电子器件的应用与参数选择，了解电磁、电机的基础知识及使用。
三、课程内容的教学要求本课程内容的教学要求分为“掌握、理解、了解”三个层次。
其中的“掌握”是指能够熟练运用和计算；“理解”表示能够理解其原理，能够读懂相应电路，但不能熟练的设计和计算；“了解”知道各部分的原理，能够了解电路或器件的功能。
第二部分教学媒体和教学建议一、学时分配总学时：133学时，其中理论学时：93 实践学时：40二、教学媒体主教材：本课程主教材为《汽车电工电子基础及电路分析》文字教材。
文字教材采用合一型结构，即教材和教学辅导合二为一的形式，教材以章来划分内容，每一章均包括教学内容、教学要求、导学内容和习题四部分内容。
三、考试本课程采用闭卷考试，时间为1.5小时。
学生获得成绩由考试成绩及平时考查成绩组成，其中考试成绩占70%。
四、教学建议本课程所提供的音像教材有录像带和CAI教学光盘2种，教学单位可根据自有设备和条件组织教学。
第三部分教学内容和教学要求第1篇电路分析基础（6学时）一、教学内容第1章电路的基本概念、定律与分析方法．（6学时）1．1 电路的基本概念1．2 电路的基本元件1．3 电路的基本定律1．4 电路的分析方法习题第2章正弦交流电路（6学时）2．1 正弦交流电的基本概念2．2 单一参数的正弦交流电路2．3 正弦交流电路的分析2．4 电路的谐振2．5 三相正弦交流电路2．6 安全用电技术习题二、教学要求掌握电路模型以及基本电路参数的概念、电阻、电容、电感等电路元件的基本知识；掌握欧姆定律、基尔霍夫的定律基本内容以及在电路中的应用以及包括叠加原理、戴维南定理在内的直流电路的基本分析方法；掌握正弦量的基本概念，理解正弦量的表示方法、RLC 元件的交流电路。
分立元器件实验报告
一、实验目的1. 熟悉分立元器件的基本特性和工作原理。
2. 掌握分立元器件在电路中的应用方法。
3. 培养电路搭建、调试和故障排除能力。
二、实验器材1. 电阻、电容、电感等基础分立元器件2. 晶体管（NPN、PNP）、场效应管、二极管等特殊分立元器件3. 万用表、信号发生器、示波器等测量仪器4. 电路板、导线等搭建工具三、实验内容1. 基础分立元器件特性测试- 电阻：测试不同阻值的电阻，观察其伏安特性。
- 电容：测试不同容值的电容，观察其伏安特性。
- 电感：测试不同感值的电感，观察其伏安特性。
2. 晶体管特性测试- NPN型晶体管：测试其输入特性、输出特性和转移特性。
- PNP型晶体管：测试其输入特性、输出特性和转移特性。
3. 场效应管特性测试- 结型场效应管：测试其漏源特性、转移特性和栅源特性。
- 晶体管场效应管：测试其漏源特性、转移特性和栅源特性。
4. 二极管特性测试- 晶体二极管：测试其伏安特性。
- 整流二极管：测试其伏安特性。
5. 分立元器件在电路中的应用- 电阻在电路中的应用：限流、分压、滤波等。
- 电容在电路中的应用：滤波、耦合、去耦等。
- 电感在电路中的应用：振荡、滤波、变压器等。
- 晶体管在电路中的应用：放大、开关、稳压等。
- 场效应管在电路中的应用：放大、开关、稳压等。
- 二极管在电路中的应用：整流、稳压、开关等。
四、实验步骤1. 根据实验要求，搭建相应的电路。
2. 使用万用表测量各元器件的参数，如电阻、电容、电感等。
3. 使用示波器观察电路的输出波形，如放大电路的输出波形。
4. 分析实验数据，总结实验结果。
五、实验结果与分析1. 通过测试，掌握了不同分立元器件的基本特性和工作原理。
2. 学会了如何搭建和调试分立元器件电路。
3. 掌握了分立元器件在电路中的应用方法。
4. 通过实验，提高了电路分析、设计和调试能力。
六、实验总结本次实验使我们对分立元器件有了更深入的了解，掌握了分立元器件的基本特性和工作原理，以及它们在电路中的应用方法。
功率半导体分立器件产业及标准化白皮书
本白皮书编写专家来自功率半导体器件产业链上下游各个环节 相关企事业单位，并面向全行业进行了广泛的征求意见。但由于编者
1
水平有限，疏漏和不足之处，欢迎读者批评指正，编制组将根据技术 发展和行业意见进行持续修订完善。
2
2 功率半导体分立器件概述 2.1 功率半导体分立器件的概念
功率半导体器件（Power Electronic Device）又称为电力电子 器件和功率电子器件，是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电 能的变换或控制的电子器件，其作用主要分为功率转换、功率放大、 功率开关、线路保护和整流等。功率半导体大致可分为功率半导体分 立器件（Power Discrete）(包括功率模块)和功率半导体集成电路 （Power IC）两大类，在半导体产业中的结构关系如图 1 所示。其中， 功率半导体分立器件是指被规定完成某种基本功能，并且本身在功能 上不能再细分的半导体器件。
版权声明 本白皮书版权属于中国电子技术标准化研究院，并受法律保护。 转载、摘编或利用其它方式使用本白皮书文字或观点的，请注明：“来 源：中国电子技术标准化研究院”。违反上述声明者，本院将追求其 相关法律责任。
目录 1 前言........................................................................................................1 2 功率半导体分立器件概述................................................................... 3
电子元器件基础知识大全
电子元器件基础知识大全篇一：电子元器件基础知识第一讲电子元器件基础知识课程大纲：第一章电子元器件分类第二章集成电路的基础知识第三章集成电路的发展及分类第四章集成电路的命名第五章集成电路的封装第六章集成电路的品牌第七章集成电路的品牌分销商第一章电子元器件分类第一节电子元器件分类●概念：电子元器件是电子工业发展的基础。
它们是组成电子设备的基本单元，属电子工业的中间产品。
●电子元器件分为两类：半导体、电子元件第二节行业概念●被动组件是电子产品中不可缺少的基本组件。
电子电路有主动与被动两种装置，所谓被动组件是不必接电就可以动作，而产生调节电流电压，储蓄静电、防治电磁波不干扰、过滤电流杂质等的功能。
相对应主动组件，被动足是在电压改变的时候，电阻和阻抗都不会随之改变。
被动组件可以涵盖三大类产品：电阻器、电感器和电容器。
●半导体分立器件主要包括半导体二极管、三极管、三极管阵列、ＭＯＳ场效应管、结型场效应管、光电耦合器、可控硅等各种两端和三端器件。
●有源器件和无源器件简单地讲就是需能（电）源的器件叫有源器件，无需能（电）源的器件就是无源器件。
有源器件一般用来信号放大、变换等，无源器件用来进行信号传输，或者通过方向性进行“信号放大”。
电容、电阻、电感都是无源器件，ＩＣ、模块等都是有源器件。
●摩尔定律INTEL公司创建人之一戈登·摩尔的经验法则，他曾经这样描述：“随着芯片上的电路复杂度提高，元件数目必将增加，然而每个元件的成本却每年下降一半。
”摩尔定律看似非常简单，实则对于半导体工业的发展的指导意义深远。
一些分析家预测摩尔定律终将实效——一种自我激励的机制，只要半导体技术和经济的发展还能满足市场需要，摩尔定律还将继续生存下去，只不过是速度上的减缓。
第二章集成电路的基础知识第一节集成电路的基础介绍我们通常说的“芯片”是指集成电路，它是微电子技术的主要产品。
所谓微电子是相对“强电”、“弱电”等概念而言，指它处理的电子信号极其微小，它是现代信息技术的基础，我们通常所接触的电子产品，包括通讯、电脑、智能化系统、自动控制、空间技术、电台、电视等等都是在微电子技术的基础上发展起来的。
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电感基本参数
1. 2. 3.
电感量和精度 ； 饱和电流和温升电流； 等效串联电阻；
4. 温度和电流对电感量的影响； 5. 频率特性和等效并联电容
电感的种类和规格
小功率电感——用于信号滤波和阻抗匹配 等小功率场合 大功率电感——用于DC/DC等大功率场合
电感量的取值更少，一般有6种 ：10 15 22 33 47 68 取值范围从nH到uH的的数量级。 额定电流的取值，各个厂家不统一，但在同一封装下，额定的电流随电 感量的上升而下降（其实质是绕组的匝数上升后，磁芯更容易饱和， 且导线变细后电阻上升）
穿心电容
电感
基本理论
1.
电气特性的定义；
U = L*dI/dt A= L*I2/2 L= Ψ/I
2. 导磁材料常见的有2种，一种是叠层的硅钢片，导磁率很高， 但高频损耗大，适用于工频和音频；一种是铁氧体，导磁率 不是很大但高频损耗小，常用于DC/DC和信号隔离耦合等； 3. 存储和释放磁场能量，常见的用途有：DC/DC转换；RF阻抗 匹配； 电源滤波； 模拟滤波器，高频信号隔离等；
磁珠
磁珠和电感的作用非常相像,但是磁珠比电感的阻抗大,滤波效果更好.
磁珠主要看2个方面，一个是频率-阻抗曲线，一个是直流电阻/通流量，阻 抗越大，通流量越大的磁珠，通常体积就越大
磁珠和电感的区别，磁珠的缺点——损耗非常大，会将高频的电信号转变 为热，而不是磁场能量，所以它只能用于电源滤波，而不能用于信号处理
陶瓷介质电容器
I类陶瓷介质 常见的如C0G 温度稳定性好 电压稳定性极好 介质损耗小 介电常数约100，容量小于0.1uF II类陶瓷介质 X5R,X7R,Y5U等 温度稳定性差 电压稳定性极差 介质损耗较小， 介电常数可达10000以上，容量可达47uF 以上
铝电解电容
• 深度腐蚀增加电容器极板面积 • 阳极氧化生成介质Al2O3（er=7）， 厚度可控 • 利用电解液做负极
电阻的种类
电阻的识别1
移动终端常用的电阻
• • • 贴片电阻 0201 0402 0603 0805 1206 1210 对应功率1/20 1/16 1/10 1/8 1/5 1/3 常用电阻的阻值规则——按等比数列分布，20%的电阻只有6个取值，10% 的电阻有12个取值，5%的电阻有24个取值，2%的电阻有48个取值，1%的电 阻有96个取值，ZTE为了压缩代码，贴片电阻以5%和1%精度的电阻作为优 选，其余的精度不常用。 5%精度共24个阻值： 10 15 22 33 47 68 最常用 12 18 27 39 56 82 次常用 11 13 16 20 24 30 36 43 51 62 75 91不常用 1%精度共96个阻值： 阻值规则10(M+N/96) 例如，6.04k = 10(3+75/96) 电阻的取值范围： 0.1~10M，更大的或者更小的电阻极少使用
工作原理参考下图
MOSFET的主要技术参数
GS之间的电容特性，包括容量，耐压等； DS之间的二极管特性，正向电流，反向耐压，等 开启阈值电压VGS ； VGS对应的RDS （电阻区）和ID(饱和区）； 允许的热功耗; 最大的VDS和IDS；
BJT和MOSFET的对比
BJT 电流驱动，驱动电压较低， 但驱动电流较大，功耗大， 开关速度低 线性放大 大电流下饱和压降较低，功 耗较小
一般不要求 有不同规格 一般不要求 瞬间承受很大 稍大
不做要求 不做要求 有不同规 格 较小 较小
指示灯 背光灯 稳压 RF电路 保护 整流 DC/DC 低电平逻辑
晶体管
双极性晶体管
常见的都是硅器件， Bipolar Junction Transistor简称BJT， 分为NPN和PNP两种
工作原理：BC结反向电压 不导通，但当E有载 流子注入B后，BC结 就导通了
分立器件应用基础
分立器件
一、电阻 二、电容 三、电感 四、二极管 五、晶体管
这些实在是太简单了， 这些实在是太简单了，没什么可学的 我上学的时候就没弄懂过， 我上学的时候就没弄懂过，现在更学不会了 越来越多的功能已经集成在芯片内部， 越来越多的功能已经集成在芯片内部，学这些过时了 按照参考设计做就行了， 按照参考设计做就行了，没必要深究这些细节
钽电解电容
• 介质采用氧化生成的五氧化二钽 （er=27）,小体积大容量 • 传统的阴极材料使用二氧化锰； • 温度特性，容量精度较好 • ESR比铝电解好，但仍较差； • 高频性能仍较差，耐压低于铝电解； • 钽金属比较昂贵 • 阴极也可使用有机材料 （polymer），ESR性能更好 • 安全性比较差，容易爆炸起火
• • • • • • • 有极性，反接会损坏 容量/耐压较大，价格优势明显 精度和温度稳定性都比较差，20%； 电解液导电性能影响导致ESR较大； 高频性能很差； 漏电流较大， 寿命和存储寿命短，不适合高可跟普通铝电解 电容相同，阴极使用有机导电材料 制造，使ESR降低1~2个数量级 温度稳定性较好； 寿命长，适用于高可靠场合； 可承受较小的反向电压； 价格较昂贵；
二极管的参数
正向导通电压 最大正向电流 有不同的规格 允许的热功耗；跟封装有关 反向耐压 反向漏电流（leackage current） 反向恢复时间（recover time） 开关状态下的 结电容 （junction capcitor）
二极管的选择
可能引起器件损坏的参数必须留足降额：反向耐压，正向电流； 影响整机功能和性能的因素仔细选择：正向电压，恢复时间等； 其他的细节：反向漏电流，结电容等； 根据热功率，工艺，成本等要求选择合适的封装；
•
电阻的识别2
• 3位数表示普通电阻和4 位数表示精密电阻的规 则
3位数表示精密电阻的规则
电阻的选择
1. 根据功率和工艺条件，选择合适的封装 2. 在满足需求的前提下，尽可能选择常用阻值和通用件; 3. 模拟电路的电阻注意精度和温度系数; 4. 高频电路注意寄生参数； 5. 满足需求的情况下选择最小最廉价的器件；
设置特定的驱动电流 将电流转换为某个确定的电压，如电流采样等 设置晶体管的静态工作点 分压/反馈网络 RC延时，滤波网络 阻抗匹配 衰减振荡，吸收功率
电阻的参数
• • • • • • • 阻值 精度 温度系数 功率 工作温度 封装 寄生参数 0.1--10M 0.1%--20% 10ppm 50ppm 100ppm等，对精密电阻更重要 插装1/16 W–2W， 贴片1/20W-1/2W 对功率电阻较重要 贴片封装包括： 0201 0402 0805 1206 1210等 用于RF电路时需要考虑，贴片器件的寄生参数 比较小，优先选用
100
常用贴片封装： 贴片瓷介电容：0201 0402 0603 0805 1206 （英制） 贴片钽电容：2012 3216 3528 6032 7343 （公制）
电容器的选择
1. 2. 3. 4. 5.
根据用途选择电容器种类 根据工艺要求选择封装形式 容量根据需要决定，关注频率阻抗曲线， 耐压必须留足余量 RF电路考虑高频损耗
移动终端电感的选择
1. 2. 3. 4. 根据所需要的电感量和电流估计封装 在对应的封装下查找所需的电感量 检查电流余量是否足够 检查其余的细节如频率特性等是否满足需求，器件的谐振频率必须高 于工作频率 RF电感的品质因数
5.
二极管
半导体基础
金属是依靠电子导电的； 纯净水几乎不导电，但无机溶液是含有正负离子明显导电；
有机薄膜电容器
• • • • • • 高耐压，高精度，高稳定性要求的等场合常用 基利用导体薄膜和介质薄膜叠层形成 常用介质有聚乙烯，聚苯乙烯，聚丙烯，聚碳酸酯，纸介质等 频率特性，温度特性，精度都好，损耗小，耐压容易做高，但容量不易 做大 可靠性好， 体积比较大，终端上一般不使用
电容器的规格
常用容量——依然遵循等比数列原则 最常用10 15 22 33 47 68 次常用12 18 27 39 56 82 除此之外的容量极少见 常用耐压： 4.0 6.3 10 16 25 35 50
电阻
电阻的基本常识
• • • • • 区分两个概念 电阻，一个物理参数，resistance 电阻，电阻器，一个电子元件，resistor 电气特性：R=U/I P=I2R P=U2/R 根据材料特性的计算：R= er*d/S 用途：电压电流转换，限制或者设置电压和电流 具体的应用：
– – – – – – –
FET 电压驱动，静态电流几乎为 0，驱动功耗低 开关速度高 非线性放大 导通后沟道电阻恒定，中小 电流热耗低
晶体管的选择
BJT 还是MOSFET ? 根据电路的需求确定 电流和耐压，留足余量，但必须考虑成本； 导通电阻/饱和压降是否影响整机性能？ 根据热功率，可初步确定器件封装; 某些场合需要考虑开关特性和高频特性；
电容的参数
• • • • • • 容量和精度 温度稳定性和电压稳定性 电容的耐压值 等效串连电阻和等效串连电感 小电流场合需要考虑绝缘电阻和漏电流 高频电路需要考虑介质损耗
电容的种类
介电材料是电容器中最关键的技术，根据介电材料的不同， 电性能差 异很大，常见的电容有这3种： 陶瓷介质电容； 电解电容； 有机薄膜电容；
双极性晶体管主要参数
BE、BC之间的二极管特性； 集电极可承受的电压； 集电极可承受的电流； 允许的最大功耗； 电流放大系数：Ic/Ib 开关速度，结电容；
场效应晶体管
FET，Field Efficient Transistor 场效应晶体管 常见的有MOSFET和JFET，即金属-氧化物-半导体和结型 MOSFET，又分为PMOSFET和NMOSFET；
特殊的二极管
正向导 通电压 发光二极管 稳压二极管 变容二极管 TVS 肖特基二极管 1.5~4 0.7 0.7 0.7 0.3-0.6