STM32L15x —— 电源管理PWR和低功耗模式
STM32L15x —— 概述
低功耗系列芯片STM32L15x 技术培训MCU 上海5-2011V0.1培训内容STM32L15x 超低功耗系列芯片概述 ST 超低功耗EnergyLite™平台STM32L15x EnergyLite™ 产品线 STM32L15x 框图存储器分配和启动模式系统架构STM32L15x 外设外设的基本功能和特色STM32L15x 的最小系统STM32L15x 和STM32F10x对比目标介绍STM32系列的全新成员：STM32L系列使用EnergyLite™ 超低功耗平台的STM32家族新产品，详细介绍STM32L系列芯片的性能和特性通过培训：了解STM32L15x系列芯片的主要特色和外设功能了解STM32L15x系列芯片的低功耗性能培训内容STM32L15x 超低功耗系列芯片概述 ST 超低功耗EnergyLite™平台STM32L15x EnergyLite™ 产品线 STM32L15x 框图存储器分配和启动模式系统架构STM32L15x 外设外设的基本功能和特色STM32L15x 的最小系统STM32L15x 和STM32F10x对比超低功耗EnergyLite™ 平台 意法半导体130纳米超低漏工艺技术共享技术，架构和外设STM32L ——STM32系列的扩展STM32L15x ——EnergyLite™ 产品线STM32L ——产品线供电：不带BOR功能的1.65V —3.6V带BOR功能：1.8V —3.6V和现有的STM32F1系列引脚兼容CORTEX TM -M3CPU 32 MHz With MPUUp to 16KB SRAM1 x 12-bit ADC 26 channels / 1Msps2 x I 2C2 x USART/LIN Smartcard / IrDa Modem ControlUp to 16 Ext. ITsTemp Sensor3 x 16-bit Timer JTAG/SW Debug Power SupplyReg 1.8V/1.5V/1.2V POR/PDR/PVD/BOR DMA7 Channels Nested vect IT Ctrl2 x 12-bit DAC1 x USART/LIN Smartcard/IrDa Modem-Control1 x SPI 1 x Systic Timer A R M ® L i t e H i -S p e e d B u s M a t r i x / A r b i t e r (m a x 32M H z )PLLReset Clock ControlRTC / AWU + 80B Backup Regs 64KB-128KB Flash Memory Data EEPROM 4KB USB 2.0 FS8x40Segment LCD2 x ComparatorsETMXTAL oscillators 32KHz + 1~24MHz Int. RC oscillators 38KHz + 16MHz Int. RC 64K..4MHzCRC 37/51/80 I/Os1 x SPI 3 x 16-bit Timer2 x 16-bit Basic Timer2 x Watchdog (ind & window)A R M P e r i p h e r a lB u s(m a x 32M H z )BridgeBridgeARM Peripheral Bus (max 32MHz)STM32L15x 框图ARM 32位Cortex-M3 内核工作电压: 使能BOR 时：VDD 为1.8 V (上电) 或1.65 V （断电) 到3.6 V 不使能BOR 时：VDD 为1.65 V 到3.6 V安全的复位系统(上电复位(POR) / 断电复位(PDR) + 欠压复位(BOR) + 可编程的电压检测器(PVD))内置存储器： FLASH: 高达128K 字节，并带ECC 校验 Data EEPROM: 高达4K 字节，并带ECC 校验 SRAM: 高达16K 字节 CRC 计算单元 7通道DMA由内置的，可由软件配置的变压器，和不同的低功耗模式来选择供电电压。
STM32 的待机唤醒功能
STM32 的待机唤醒功能
STM32待机模式简介很多单片机都有低功耗模式，STM32也不例外。
在
系统或电源复位以后，微控制器处于运行状态。
运行状态下的HCLK为CPU
提供时钟，内核执行程序代码。
当CPU不需继续运行时，可以利用多个低功
耗模式来节省功耗，例如等待某个外部事件时。
用户需要根据最低电源消耗，
最快速启动时间和可用的唤醒源等条件，选定一个最佳的低功耗模式。
STM32 的3种低功耗模
STM32的低功耗模式有3种：
1)睡眠模式（CM3内核停止，外设仍然运行）
2)停止模式（所有时钟都停止）
3)待机模式（1.8V内核电源关闭）
在这三种低功耗模式中，最低功耗的是待机模式，在此模式下，最低只需要
2uA左右的电流。
停机模式是次低功耗的，其典型的电流消耗在20uA左右。
最后就是睡眠模式了。
用户可以根据自己的需求来决定使用哪种低功耗模式。
进入待机模式执行步骤
有4种方式可以退出待机模式，即当一个外部复位(NRST引脚)、IWDG复位、WKUP引脚上的上升沿或RTC闹钟事件发生时，微控制器从待机模式退出。
从待机唤醒后，除了电源控制/状态寄存器(PWR_CSR)，所有寄存器被复位。
从待机模式唤醒后的代码执行等同于复位后的执行(采样启动模式引脚，读取复位向量等)。
电源控制/状态寄存器(PWR_CSR)将会指示内核由待机状态退出。
在进入待机模式后，除了复位引脚以及被设置为防侵入或校准输出时的。
STM32L15x —— Flash和EEPROM
Flash和数据EEPROM(存储器)
1
存储区—— 概述
存储区特性： 内置高达128K字节，支持ECC的Flash 内置高达 4K字节，支持ECC的数据EEPROM Flash擦除次数：10K次 存储区包括：主Flash / 数据EEPROM / 信息块 访问时间：62.5ns(Range1) / 125ns(Range2) / 500ns(Range3) 字(32位)/半页(128字节) 的编程时间：3.2ms(典型值) 页擦除：3.2ms(典型值) ，整片擦除：9.6ms(典型值)
ERRIE
其他标志位 READY BSY
Flash模块准备好(退出低功耗模式)
EOPIE ERRIE
66
存储区 —— 信息块
4K字节的系统存储区 —— 内置了Bootloader代码，通过 USART1或USART2更新固件。
16字节的SIF区 —— 保存用户设置的Option Byte
31
地址
0x1FF8 0008 0x1FF8 000C
[31:24]
nWRP1 nWRP3
[23:16]
nWRP0 nWRP2
[15:8]
WRP1 WRP3
[7:0]
WRP0 WRP2
当读保护的LEVEL1或LEVEL2使能时，从调试接口或者 SRAM写/擦除Flash或数据EEPROM都是被禁止的。但写 保护仅仅用于保护Flash。
Flash接口 (FLITF) 特性： 支持预取指缓冲的读操作 Option Bytes 的装载 多种保护机制： 读保护：Level 1 和 Level 2 (JTAG Fuse) 写保护
2 2
存储区—— 架构
STM32低功耗模式简介
STM32低功耗模式简介STM32F10xxx 有三中低功耗模式：●睡眠模式(Cortex?-M3 内核停止，外设仍在运行)●停止模式(所有的时钟都以停止)●待机模式(1.8V 电源关闭)时钟频率72MHz 时，从闪存执行代码，STM32 功耗36mA，是32 位市场上功耗最低的产品，相当于0.5mA/MHz。
上电，默认使用内部HSI 时钟8M，经测试10mA 左右。
待机模式可实现系统的最低功耗。
可将电流消耗降至两微安。
在待机模式下，所有的I/O 引脚处于高阻态，除了以下的引脚：●复位引脚(始终有效)●当被设置为防侵入或校准输出时的TAMPER 引脚●被使能的唤醒引脚/*按钮GPIOB9 进入睡眠，WKUP pin(GPIOA0)唤醒，GPIOD3-LED 200ms闪烁*/int main(void){ /* System Clocks Configuration**********************************************/ RCC_Configuration();GPIO_Configuration();/* Enable PWR and BKP clock */ RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR | RCC_APB1Periph_BKP, ENABLE);/* Enable WKUP pin */ PWR_WakeUpPinCmd(ENABLE);/* Allow access to BKP Domain */ PWR_BackupAccessCmd(ENABLE);//RTC_Configuration();EXTI_Configuration();NVIC_Configuration();SysTick_Config(SystemFrequency / 1000 *200 ); //200ms。
stm32 低功耗设计
stm32 低功耗设计最近使用STM32进行了一个低功耗应用设计,做一个小总结:1、SLEEP 模式：很容易实现，可以由中断唤醒，但省电较少。
这时候要配合时钟的关闭来节电：不需要用到的外设关闭时钟，要用到时才打开。
例如USART：要发送数据前，把USART 的时钟使能，数据包发送完成后，立即关闭时钟。
2、STOP 模式：需要外部中断唤醒。
RTC报警唤醒给该模式带来了更加灵活的应用。
但应用中有一个问题需要注意：在ADC数据采样的应用场合。
如果使用STOP模式，假设采样率为200HZ，5毫秒唤醒一次启动ADC 采样，通过测试STOP唤醒的周期并不是很固定（可能是唤醒后需要恢复时钟设置，唤醒后自动使用内部的HSI时钟做为系统时钟），造成采样周期不是很固定，对滤波不利，例如工频陷波。
以上一点总结，希望对大家有用。
低功耗设计参考在ST官方提供的AN2821 Clock/calendar functionality features应用笔记中关于控制器从Stop mode和Standby mode唤醒后的状态记录。
官方原文：Stop mode：After the microcontroller has exited the Stop mode, the basic reset and clock control circuitry (RCC)has to be reconfigured and access to the backup domain has to be re-enabled. Standby mode：The Standby mode is the lowest power consumption mode. After the microcontroller wakes up from the Standby mode, program execution restarts in the same way as after a system/power reset. 译文：Stop mode：当控制器从Stop mode中唤醒后，RCC必须重新配置并且需要再次使能对备份区的访问。
如何设置电脑电源管理降低功耗
如何设置电脑电源管理降低功耗随着科技的不断进步和普及，电脑已经成为我们日常生活中不可或缺的工具之一。
然而，随之而来的是电脑功耗的增加，给环境和能源资源带来不小的压力。
为了减少电脑功耗，我们可以采取一些有效的电源管理设置。
本文将介绍如何设置电脑电源管理以降低功耗，并提供一些实用的建议。
1. 优化电脑的休眠模式：休眠模式是电脑在闲置一段时间后自动进入的模式，能够大幅度降低功耗。
我们可以通过以下步骤来优化电脑的休眠模式：（1）打开“控制面板”；（2）选择“硬件和声音”；（3）点击“电源选项”；（4）在“更改计划设置”中，选择合适的休眠时间；（5）点击“更改高级电源设置”；（6）在弹出的对话框中，选择“休眠后”；（7）减少“休眠后”的等待时间，设置为较短的时间。
通过优化电脑的休眠模式设置，可以使电脑在闲置时尽快进入低功耗状态，从而降低功耗并延长电池寿命。
2. 调整屏幕亮度和超时时间：电脑屏幕的亮度和超时时间对功耗有着显著影响。
将屏幕亮度降低到合适的范围，并将超时时间设置得合理，可以显著减少功耗。
具体设置步骤如下：（1）点击电脑桌面空白处，选择“显示设置”；（2）在“亮度和颜色”选项中，将亮度调整到合适的水平；（3）在“屏幕保护程序”选项中，将超时时间设置为适当的数值。
此外，还可以考虑使用特殊的屏幕保护程序，如黑色屏幕保护程序，以进一步降低功耗。
3. 关闭不必要的后台程序和设备：许多后台程序和设备会持续消耗电脑的能源，导致功耗增加。
因此，在使用电脑时，我们应该及时关闭不必要的后台程序和设备。
具体操作如下：（1）右键点击任务栏，选择“任务管理器”；（2）在“进程”选项卡中，结束不需要的后台程序；（3）拔掉不必要的外部设备，如USB设备、外部硬盘等；（4）关闭不需要的网络连接。
通过及时关闭不必要的后台程序和设备，可以有效降低电脑功耗。
4. 定期清理电脑内部和外部的灰尘：电脑内部和外部的灰尘会导致散热不良，进而使电脑功耗增加。
STM32STM32的低功耗设计YunFeiRoboticsLaboratory云飞机器人实验室
STM32STM32的低功耗设计YunFeiRoboticsLaboratory云飞机器人实验室STM32 | STM32的低功耗设计Posted by automatic.dai on March 8, 2013 Leave a comment (0) Go to comments在谈到低功耗处理器时，我们第一个想到的总是MSP430，但其实STM32也能拥有不错的低功耗特性。
通过合理的进行软件设置，STM32在工作时的功耗可以降至数十mA，而待机功耗可以降到数uA。
总的来说，降低STM32功耗的方法主要有以下三种：1. 关闭不需要的外设时钟STM32的所有外设都可以独立开启和关断，通过将不需要的AHB/APB的时钟关闭，可以起到降低总待机功耗的作用。
各个模块的典型功耗如下所示：Figure 1. APB1外设的典型功耗Figure 2. APB2外设的典型功耗2. 降低主时钟的工作频率对数字电路而言，功耗是与主频呈正比的。
在进行一般任务时主动降低功耗，在需要高性能运算时再恢复到一般频率，通过这种方法可以显著降低设备运行期间的平均功耗，这也是目前很多电脑和手机的功耗优化方案之一。
Figure 3. CPU主频-功耗-温度的关系3. 进入休眠模式当设备不需要运行时，可将CPU切换至休眠状态。
STM32共有三种休眠状态，如下：Figure 4. STM32的休眠模式这三种模式下的典型功耗如下：Figure 5. Sleep模式下的典型功耗Figure 6. Stop和Standby模式下的典型功耗可见Standby模式功耗最低，在数个uA；其次是Stop模式，为数十uA；而Sleep模式的功耗最大，是其余两种模式的100倍。
那么既然Standby功耗最低，那么另外两种模式的意义又是什么呢？首先，这三种模式下的唤醒时间各不相同：Figure 7. 不同休眠模式下的启动时间其次，这三种模式的特性也不相同：·Sleep mode唤醒后程序继续运行CPU停止运行，但外设继续运行，IO状态保持不变唤醒时间最短，但功耗较大。
【STM32】电源控制、低功耗模式（实例：待机模式）
【STM32】电源控制、低功耗模式（实例：待机模式）STM32F1xx官⽅资料：《STM32中⽂参考⼿册V10》-第4章4.3⼩节低功耗模式STM32的电源控制STM32的电源框图STM32的⼯作电压（VDD）为2.0～3.6V。
通过内置的电压调节器提供所需的1.8V电源。
当主电源VDD掉电后，通过VBAT脚为实时时钟(RTC)和备份寄存器提供电源。
下⾯是STM32的电源框图：注意：框图中的VDDA和VSSA必须分别联到VDD和VSS。
独⽴的A/D转换器供电和参考电压为了提⾼转换的精确度，ADC使⽤⼀个独⽴的电源供电，过滤和屏蔽来⾃印刷电路板上的⽑刺⼲扰。
ADC的电源引脚为VDDA；独⽴的电源地VSSA。
如果有VREF-引脚(根据封装⽽定)，它必须连接到VSSA。
同时，为了确保输⼊为低压时获得更好精度，⽤户可以连接⼀个独⽴的外部参考电压ADC到VREF+和VREF-脚上。
在VREF+的电压范围为2.4V～VDDA。
电池备份区域使⽤电池或其他电源连接到VBAT脚上，当VDD断电时，可以保存备份寄存器的内容和维持RTC的功能。
VBAT脚也为RTC、LSE振荡器和PC13⾄PC15供电，这保证当主要电源被切断时RTC能继续⼯作。
切换到VBAT供电由复位模块中的掉电复位功能控制。
如果应⽤中没有使⽤外部电池，VBAT必须连接到VDD引脚上。
电压调节器复位后调节器总是使能的。
根据应⽤⽅式它以3种不同的模式⼯作：运⾏模式：调节器以正常功耗模式提供1.8V电源（内核，内存和外设）；停⽌模式：调节器以低功耗模式提供1.8V电源，以保存寄存器和SRAM的内容；待机模式：调节器停⽌供电。
除了备⽤电路和备份域外，寄存器和SRAM的内容全部丢失。
STM32的低功耗模式在系统或者电源复位后，微控制器出于运⾏状态之下，HCLK 很多单⽚机有低功耗模式，STM32也不例外。
在系统或者电源复位后，微控制器出于运⾏状态之下，提供时钟，内核执⾏代码。
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Reset信号
不支持BOR
不支持 BOR
支持BOR
在上电时，BOR LEV1 始终有效 ，即使 BOR功能在Option中被禁止
支持BOR 不支持BOR
在断电时，用户可以选择是否 使能BOR
Time
10
电源管理 —— 待机电路
待机电路包括
低功耗的日历RTC(警报，周期性的从停止或待机模式 唤醒)
1.8 V (Range 1)
VDD
1.65V .. 3.6V
2.0V .. 3.6V
CPU 性能
高 中 低
功耗
高 中 低
供电 供电 范围 电压(V)
1
1.8
2
1.5
3
1.2
最大运行频率(MHz)
1等待(WS)
32 16 4
0等待(WS)
16 8 2
VDD(V)
2.0 – 3.6 1.65 – 3.6
RTC_AF1 唤醒引脚 2
唤醒引脚 2
待机电路
RCC 控制寄存器
32KHz OSC (LSE)
唤醒单元
IWDG
RTC + 80 字节后备寄存器
11
系统外设
电源管理 (PWR) —— 低功耗模式
12
低功耗模式 —— 概述
STM32L提供5种低功耗模式
低功耗运行模式 睡眠模式 低功耗睡眠模式 停止模式 待机模式
17
低功耗模式 —— 低功耗睡眠模式
低功耗睡眠模式：内核停止运行，外设保持运行
进入低功耗睡眠模式必须： 配置内部电源变换器工作在低功耗模式下(设置LPSDSR位)，并执 行WFI或WFE指令 Flash模块进入低功耗模式(设置SLEEP_PD位)，RAM内容保持 系统时钟必须设置在128KHz以下 内核供电VCORE必须选择供电范围2(1.5V) 选择进入低功耗睡眠模式的机制 (SLEEPONEXIT位)，选择SLEEP NOW或者SLEEP ON EXIT
存在一个灰色地带，上电时的启动时间被控制在 1ms内。 BOR门限1: 芯片在1.8V上电，在1.65V断电。 BOR门限2: 芯片在2.1V上电，在2.0V断电。 BOR门限3: 芯片在2.4V上电，在2.3V断电。 BOR门限4: 芯片在2.7V上电，在2.6V断电。 BOR门限5: 芯片在2.9V上电，在2.8V断电。
80字节的RTC数据寄存器 单独的32KHz RTC晶振 (LSE) RCC CSR 寄存器： RTC时钟源的选择和使能，以及
LSE的配置 Î 仅由RTC域的RESET信号复位
3个唤醒引脚
RTC的其他功能
侵入检测： 复位所有的RTC后备寄存器 可配置边沿： 低电平 / 高电平 可配置产生中断
进入低功耗睡眠模式可选： 关闭不使用的外设和GPIO口的时钟(通过RCC_AHBLPENR和 RCC_APBxLPENR寄存器，可以选择在进入睡眠模式时自动关闭 相应外设的时钟) 关闭VREFINT
18
低功耗模式 —— 停止模式
停止模式：内核停止，VCORE范围内的时钟都停止，PLL, MSI, HSI和HSE都被禁止，SRAM和寄存器的内容保留
进入低功耗运行模式可选： 通过RCC_APBxENR和RCC_AHBENR关闭不使用的外设时钟 选择从SRAM执行代码，并配置Flash模块进入低功耗模式 关闭VREFINT
16
低功耗模式 —— 睡眠模式
睡眠模式(SLEEP)：内核停止运行，外设保持运行
需要通过特殊的指令进入睡眠模式
Temporization tRSTTEMPO
Reset
8
电源管理 —— 监控和复位电路(四)
可编程电压监控(PVD)
由软件控制
实时的监控VDD的电平，
并和门限电平比较
VDD
门限电平可以设置在 1.9V到3.1V之间，以 100mV为间隔
如果使能了PVD，在
VDD小于或者大于门限电
时间戳检测： 日历可以保存在时间戳寄存器中 可配置边沿： 低电平 / 高电平 可配置产生中断
RTC报警输出： 在RTC_AF1引脚上输出警报A， 警报 B和RTC唤醒信号
RTC时钟校准输出： 当使用32.768Hz晶振时，在 RTC_AF1引脚上输出512Hz时钟
唤醒引脚 1
唤醒引脚 3
Sleep Now: SLEEPONEXIT=0：MCU在WFI或WFE指令后立即进入SLEEP模式。 Sleep on Exit: SLEEPONEXIT=1：MCU在退出某个低优先级的ISR之后进入
SLEEP模式
在SLEEP模式下，所有的I/O口和外设都保持和运行时一致的状态，因 此可以关闭不使用的外设的时钟，以降低功耗。
和STM32F1相比
STM32F1
低功耗模式
睡眠模式
停止模式 待机模式 VBAT模式
STM32L 低功耗运行模式 睡眠模式 低功耗睡眠模式 停止模式 待机模式
13
低功耗模式 —— 特色
STM32L在低功耗模式下提供多种功能选择以降 低功耗
动态电压调节 睡眠模式下自动关闭外设时钟 在睡眠模式，或低功耗运行模式(代码在RAM中运行)下
2.4V≤VREF+≤VDDA 当VDDA < 2.4V时 VREF+ = VDDA VREF+和VREF-仅在100脚的芯片封装
上引出，其他封装的芯片这两个脚都在内 部连接到VDDA和VSSA
VREFVREF+ VDDA VSSA
VSS VDD
VLCD
VDDA 电压区
A/D转换 D/A 转换 温度传感器 复位模块 PLL
16MHz (0ws)
5
电源管理 —— 监控和复位电路(一)
STM32L内置全面的电源监控和复位电路
上电复位(POR) / 掉电复位(PDR)
永远使能
欠压复位(BOR)
对于内置BOR的芯片，工作电压范围为1.8V(掉电时为1.65V) - 3.6V，可通过Option Byte来选择是否使能BOR。
VDDA=1.65V 到 3.6V
VDD的电源供给I/O和内部变压器
VDDA的电源供给ADC, DAC, 复位模块, 振荡器和锁相环
注意：ADC仅在VDDA≥1.8V时工作 VLCD = 2.5V 到 3.6V 如果不使用内部
内压转换器，可以通过外部电源给LCD控 制器供电。
VDD和VDDA必须来自同一电源 VSS,VSSA和VREF-必须接地 当VDDA ≥ 2.4V时
三种工作模式：
主电压调节器模式(MVR)：用于运行和睡眠模式 超低功耗模式：用于低功耗运行，低功耗睡眠和停止模式 调节器关闭模式： 用于待机模式
3
电源管理 —— 动态电压调节
MHz
32
1WS
16
1WS
8
0WS
4
1WS
0WS
2
0WS
V
VCORE
1.2 V (Range 3)
1.5 V (Range 2)
PVD Output
平时，会在EXTI Line16
产生一个外部中断
Î 保证MCU一直处于 安全的状态下
PVD Threshold
100mv hysteresis
9
电源管理 —— 监控和复位电路(五)
VDD
3.6V
VBOR
BOR 监控VDD所有的上升下降沿 = 对供电波形没有要求 BOR由用户通过Option Byte控制 在停止/待机模式下，可以禁止VREFINT来停止BOR
16MHz (1ws) 8MHz (0ws)
VDD = 2.0 to 2.4V 转换时间为500Ksps 正常 VDD = 2.4 to 3.6V 转换时间为1Msps 正常
范围1 / 范围2 / 32MHz (1ws)
范围3
16MHz (0ws)
范围1 / 范围2 / 32MHz (1ws)
范围3
进入停止模式必须： 选择进入低功耗睡眠模式的机制 (SLEEPONEXIT位)，设置 SLEEPDEEP位，清除PDDS位，执行WFI或WFE指令。 清除所有的EXTI,RTC警报,RTC唤醒,RTC侵入检测,RTC时间戳的 未处理标志位。 从停止模式唤醒时，MSI将自动作为系统时钟，唤醒所需时间的典 型值为7.9us。
4
电源管理 —— 不同供电范围的应用限制
不同供电范围的应用限制
供电范围
ADC
USB
)
VDD = 1.65 to 1.8V 不能工作
不能工作 范围2 / 范围3
16MHz (1ws) 8MHz (0ws)
VDD = 1.8 to 2.0V
转换时间为500Ksps 不能工作 范围2 / 范围3
VDD 电压区 Flash
I/O
VCore电压区
待机电路 (唤醒电路 /IWDG/RTC/ 32K LSE / RCC控制器 )
内核 存储区
数字 外设
电压调节器 动态电压调节
LCD 控制器
2
电源管理 —— 电压调节器
内置线性电压调节器
为除了待机电路以外的所有数字电路供电
动态电压调节
软件可动态调节电压调节器的输出(Vcore),输出范围： 1.2V – 1.8V 供电范围1： Vcore = 1.8V 供电范围2： Vcore = 1.5V 供电范围3： Vcore = 1.2V
系统外设
电源管理 (PWR)
1
电源管理 —— 供电方案
内置BOR芯片的：
VDD =1.8V(上电) 或 1.65V(断电) 到 3.6 V