可控硅
什么是晶闸管(可控硅)及其分类
什么是晶闸管(可控硅)及其分类
晶闸管是晶体闸流管(Thyristor)的简称，俗称可控硅，它是一种大功率开关
型半导体器件，在电路中用文字符号为V、VT表示(旧标准中用字母SCR表示)。
晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作
过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及
变频等电子电路中。
一、晶闸管的种类
晶闸管有多种分类方法：
1.按关断、导通及控制方式分类
晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶
闸管、门极关断晶闸管(GTO)、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。
2.按引脚和极性分类
晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。
3.按封装形式分类
晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管
三种类型。
其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封
晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。
4.按电流容量分类
晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。
通常，大功率晶闸管多采用金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多采用塑封或
陶瓷封装。
可控硅的主要参数
可控硅的主要参数可控硅（SCR）是一种常见的半导体器件，也被称为双向可控整流二极管（thyristor）或晶闸管。
它是一种电子开关，可控硅具有多种主要参数，这些参数对于合理选用和应用可控硅是非常重要的。
本文将介绍可控硅的主要参数，包括阈值电压、额定电流、最大可承受电压、触发电流和反向触发电压。
1.阈值电压（VBO）：阈值电压是指在可控硅关闭状态下，当施加的压差超过该电压时，可控硅将开始导通。
阈值电压是可控硅能否实现可控的重要参数。
2.额定电流（IT）：额定电流是指可控硅能够长时间承受的最大电流。
超过额定电流的电流将会引起可控硅的过热和损坏，因此在使用可控硅时应确保电流不超过额定电流。
3.最大可承受电压（VDRM）：最大可承受电压是指在关闭状态下，可控硅可以承受的最高电压。
当施加的电压超过最大可承受电压时，可控硅可能损坏。
4.触发电流（IGT）：触发电流是指在可控硅导通之前需要施加的触发电流。
触发电流是可控硅实现可控的重要参数。
5.反向触发电压（VDRM）：反向触发电压是指可控硅在关闭状态下能承受的最高反向电压。
超过该电压，可控硅可能开始导通，导致不可预计的行为。
除了上述主要参数外，可控硅还有一些其他的重要参数，如触发时间（tQ）、关断时间（tQ）、导通压降（VF）和静态工作点等。
这些参数需要根据具体的应用需求来选择和考虑。
总之，可控硅的主要参数包括阈值电压、额定电流、最大可承受电压、触发电流和反向触发电压等。
掌握这些参数对于正确选择和应用可控硅至关重要。
通过详细了解可控硅的参数，可以更好地设计和使用可控硅，以满足各种不同的电气控制需求。
什么是可控硅
什么是可控硅一、概述可控硅（SCR，Silicon-Controlled Rectifier）是一种电子器件，也称为双向晶闸管（TRIAC，Triode for alternating current）。
它属于功率半导体器件，可以进行电流的正反向控制，具有经济、可靠、范围广等优点，在诸多工业应用领域得到广泛应用。
二、组成可控硅由四个PN结组成，也就是说，它是一种四层半导体器件。
PN结是指正负电荷聚集形成的界面，由P型半导体和N型半导体构成。
可控硅的四个PN结分别为：•P型半导体•N型半导体•P型半导体•N型半导体这四个PN结相互连接而成，形成双向电流通道。
三、工作原理可控硅有两个电极，即控制电极和主电极。
当控制电极加上触发电压时，可控硅就会导通，电流开始在主电极上流动；当控制电极断电时，可控硅停止导通，电流中断。
具体来说，当控制电极加上触发电压时，可控硅的P1-N1结区域中的电子和瞬间发生注入效应，导致P1-N1结区域中的电流瞬间增大；这个过程称为开启。
当控制电极电压下降到触发电压以下时，可控硅将自动保持导通状态，即使控制电极断电也不会中断电流。
反之，当控制电极断电时，可控硅的P1-N1结区域中的电子将被P1端的空穴重新吸收，导致电流瞬间中断；这个过程称为关断。
可控硅的关断需要用反向电压来实现，即控制电极与主电极之间分别加上正、负电压，这样才能断开电流通道。
四、应用可控硅在工业控制领域应用广泛，可以用于：•电动机控制•加热控制•电源控制•充电器控制•交流电调节•灯光调节•家用电器等电子产品控制同时，可控硅的使用也存在一些限制：•工作稳定性较差，容易出现温度漂移，需要考虑散热设计。
•受限于电压和电流范围，在一些高压、高电流场合中无法使用。
五、总结可控硅作为一种高性价比、可靠、范围广的功率半导体器件，在现代工业生产中扮演着极为重要的角色。
通过控制电压和电流的开启和关断，可控硅可以实现多种电子系统和工业设备的精确控制。
可控硅工作原理及作用
可控硅工作原理及作用
可控硅，也称为晶闸管，是一种半导体器件。
可控硅的主要作用是控制电流，是电子行业中最广泛应用的器件之一。
可控硅的工作原理可以简单概括为：通过控制晶体管的控制电流，从而控制晶体管的导电状态。
当控制电流为零时，晶体管无法导电。
当控制电流为正值时，晶体管处于导通状态，电流可以顺畅地通过晶体管。
当控制电流为负值时，晶体管处于截止状态，电流无法通过晶体管。
可控硅在电路中主要有以下两种作用：
1. 控制电压
可控硅通常用于控制电压达到特定的阈值。
通过控制可控硅的控制电流，可以使电路中的电压稳定在所需范围内。
2. 控制电流
可控硅还可以用于控制电流，特别是在高功率电子设备中，控制电流非常重要。
通过控制可控硅的导通和截止状态，调整电路中的电流值。
基于可控硅的电路有很多应用，包括变频器，逆变器和直流电源。
例如，
在变频器中，可控硅可以用来控制电机运行的速度，从而达到能耗节约的效果。
总之，可控硅是一种常见的半导体器件，可以用于控制电路中的电压和电流。
它在电子设备中的应用非常广泛，成为电子技术中不可或缺的一部分。
可控硅的工作原理与种类
可控硅的工作原理与种类可控硅（Silicon Controlled Rectifier，SCR）是一种用于控制大电流的半导体元件，广泛应用于电力电子领域。
其工作原理是基于PN结的特性，通过控制正向偏置电压和触发电流，实现对电流的控制。
可控硅由四个PN结组成，即两个正向接触的P区，中间夹着两个N区。
当P 区加上正向电压，N区加上反向电压时，PN结呈现出正向偏置特性，此时NPNPN结构的形成使电流能够通过。
但当P区加上负向电压，N区加上正向电压时，PN结的反向耐压特性生效，电流无法通过。
在可控硅导通之前，需要通过一个触发电流（Gate Current）来激活。
当触发电流Igt满足一定标准时，从低阻态（OFF态）向高阻态（ON态）切换，并开始导通电流，从而实现对电流的控制。
在可控硅中，还存在一个关键参数叫做触发电压（Gate Voltage）。
当触发电流通过后，正向电压达到一定值时，才能够激活并导通，这就是触发电压的作用。
触发电压的值取决于具体的可控硅型号与工作条件。
可控硅根据不同的工作状态和应用特性，可分为以下几种类型：1. 静态门极控制型可控硅（SGCR）静态门极控制型可控硅是最常见的一种可控硅类型。
当触发电流通过后，硅片的移动电荷会改变PN结的导电特性，从而实现硅片的导通。
通过改变触发信号来控制触发电流，可以实现对电流的调控。
2. 双向晶闸管（Thyristor）双向晶闸管是一种具有双向导通能力的可控硅。
与普通的单向可控硅不同，双向晶闸管可以实现两个方向上的导通和关断。
这种特性使其适用于交流电源的控制。
3. 光控硅（Light Controlled SCR，LSCR）光控硅是一种通过光控制触发电流的可控硅。
光控硅内部嵌入了一个光敏元件，当光敏元件受到光照时，产生电流以激活SCR。
通过改变光照强度和光敏元件的特性，可以实现对电流的控制。
4. 可控硅二极管（SCR-Diodes）可控硅二极管是一种由多个可控硅串联而成的电子元件。
可控硅的特性、检测以及可控硅引脚判别
可控硅的特性、检测以及可控硅引脚判别
引言
可控硅（SCR）国际通用名称为Thyyistoy，中文简称晶闸管。
它能在高电压、大电流条件下工作，具有耐压高、容量大、体积小等优点，它是大功率
开关型半导体器件，广泛应用在电力、电子线路中。
可控硅的特性
可控硅分单、双向可控硅。
单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个
引出脚。
双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。
只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与
阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。
此时A、K间呈低阻
导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。
单向可控硅导通后，控制器G即
使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。
只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。
单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。
单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。
双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可
触发导通呈低阻状态。
此时A1、A2间压降也约为1V。
双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。
只有当第一阳极A1、第二阳极。
可控硅参数说明
可控硅参数说明可控硅是一种常见的半导体器件，也被称为晶闸管。
它具有可控性强、效率高、性能稳定等优点，在电力控制和电子控制领域得到广泛应用。
下面是对可控硅参数的详细说明：1.最大额定电压（VRRM）：可控硅能够承受的最大电压。
超过这个额定电压时，可控硅可能会出现击穿现象，导致失效或损坏。
2.最大平均整流电流（IOAV）：在特定条件下，可控硅能够持续稳定工作的最大平均电流。
该参数与可控硅的热稳定性和功率特性有关。
3.最大重复峰值反向电压（VRSM）：可控硅能够承受的最大峰值电压。
超过这个峰值电压时，可控硅可能会出现击穿现象，导致失效或损坏。
4.最大峰值水平电流（IPP）：可控硅在极端工作条件下能够承受的瞬时峰值电流。
该参数与可控硅的电流承载能力和热稳定性有关。
5.最大正向门极触发电流（IFGT）：为了激活可控硅，需要施加正向的门极触发电流。
该参数表示可控硅的最大门极触发电流。
6.最大正向临界触发电流（IFRM）：当可控硅被正向触发时，电流开始流过器件，达到临界触发电流的值。
该参数表示可控硅的最大正向临界触发电流。
7.最大漏极电流（IRM）：未施加触发电流时，可控硅漏极的泄露电流。
该参数表示可控硅的泄露电流水平。
8.最大导通电压降（VTM）：在可控硅正向导通状态下，器件两端的电压降。
该参数对于功耗和电压稳定性非常重要。
9.最大反向漏电流（IRRM）：在可控硅反向电压下，漏极的最大反向泄露电流。
该参数表示可控硅的漏路电流水平。
10. 最大引出电阻（Rth）：可控硅的热阻值，表示器件在工作过程中产生的热量与温度之间的关系。
较小的热阻值有利于可控硅的散热和长时间稳定工作。
以上是对可控硅参数的详细说明，这些参数在可控硅的选择和应用中非常重要。
在使用可控硅时，需要根据具体的应用需求和工作环境来选择合适的可控硅型号和参数。
可控硅的工作原理及应用电路
可控硅的工作原理及应用电路一、可控硅的基本工作原理可控硅，又称为可控整流二极管（SCR），是一种半导体器件，具有单向导通性的特点。
可控硅最基本的结构是由P型硅及N型硅构成的PN结，还通过额外的控制极（称为G极）控制导通与截止。
其基本工作原理如下：1.正向导通状态：当正向电压施加在可控硅的阳极和阴极之间时，若G极未施加正向信号，则可控硅处于截止状态；若G极施加正向信号，则电流开始流过可控硅，进入导通状态。
2.正向截止状态：当正向电压施加在可控硅的阳极和阴极之间时，若G极未施加正向信号，则可控硅处于截止状态，不导电；即使G极施加正向信号，只有当电压达到一定的阈值（称为触发电压）时，可控硅才能进入导通状态。
3.反向阻断状态：当反向电压施加在可控硅的阳极和阴极之间时，可控硅处于完全截止状态，不导电。
二、可控硅的应用电路可控硅由于其可控性和高功率特点，广泛应用于各种控制电路和电力电子器件中。
以下是一些常见的可控硅应用电路：1. 灯光控制电路可控硅可以用来控制灯光的亮度，常见的应用是使用可控硅作为调光器。
这种电路通过控制可控硅的导通角度来改变交流电路中的功率，从而达到调节灯光亮度的目的。
2. 电动机控制电路可控硅可以用来控制电动机的启动和停止，常见的应用是使用可控硅作为电动机的触发器。
通过控制可控硅的导通时间，可以控制电动机的转速和转向。
3. 直流电源电路可控硅可以用来控制直流电源的电压和电流输出，常见的应用是使用可控硅作为直流电源的调节器。
通过控制可控硅的导通角度和触发时间，可以实现直流电源的稳压和稳流功能。
4. 温度控制电路可控硅可以用来控制温度传感器和加热器之间的电流流动，常见的应用是使用可控硅作为温度控制电路的关断开关。
通过控制可控硅的导通角度和触发时间，可以实现温度的精确控制。
5. 电化学电源电路可控硅可以用来控制电化学电源中的电流输出，常见的应用是使用可控硅作为电化学电源的控制器。
通过控制可控硅的导通角度和触发时间，可以实现电化学过程的精确控制。
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电子技术课程设计Array电子技术课程设计成绩评定表设计课题：功率200W的灯光亮度调节器学院名称：电气工程学院专业班级：自动F1208 学生姓名：余洋学号： 201223910224 指导教师：刘林芝孟艳花张晓辉设计地点：31-227设计时间： 2014-07-01～2014-07-09指导教师意见该生能够按照本次综合设计任务的要求完成全部任务，对其设计内容进行详细、完整的介绍，文字通顺，内容详实，论述充分、完整，立论正确，结构合理；报告字数符合相关要求，工整规范。
课题背景介绍清楚，综述分析充分；设计方案合理、可行，论证严谨，逻辑性强，具有说服力；符号统一；图表完备、符合规范要求；能对整个设计过程进行全面的总结，得出有一定价值的实验结果。
成绩:签名：年月日电子技术课程设计课程设计名称：功率200W的灯光亮度调节器专业班级：自动F1208学生姓名：余洋学号： 201223910224 指导教师：刘林芝孟艳花张晓辉课程设计地点：31-227课程设计时间：2014-07-01～2014-07-09电子技术课程设计任务书学生姓名余洋专业班级自动F1208学号201223910224题目功率200W的灯光亮度调节器课题性质工程设计课题来源自拟指导教师张晓辉主要内容（参数）功率200W的灯光亮度调节器可以实现以下功能：1、轻触式灯光亮度调节功能。
2、通过手动旋转电位器作为输入信号，控制单向可控硅的导通角，从而改变电压实现调光。
任务要求（进度）第1-2天：熟悉课程设计任务及要求，查阅技术资料，确定设计方案。
第3-4天：按照确定的方案设计单元电路。
要求画出单元电路图，元件及元件参数选择要有依据，各单元电路的设计要有详细论述。
第5-6天：软件设计，编写程序，运用软件仿真。
第7-8天：撰写课程设计报告。
要求内容完整、图表清晰、文理流畅、格式规范、方案合理、设计正确，篇幅合理。
主要参考资料[1] 康华光．模拟电子技术基础（第五版）．高等教育出版社，2005[2]《数字电子技术实验及课题设计》北京：高等教育出版社，1995[3] 阎石．数字电路技术基础（第五版）．北京：高等教育出版社，2006审查意见系（教研室）主任签字：年月日目录引言 (5)1.硬件组成与方案设计 (6)1.1方案设计与论证 (6)1.2硬件组成 (6)1.3工作原理 (7)2.单元电路设计 (7)2.1电源电路设计 (7)2.2滤波电路设计 (7)2.3移相与可控硅电路设计 (9)3.各主要电路及部件工作原理 (11)3.1 电位器 (12)3.2双向可控硅 (14)4.设计总结 (15)4.1整体电路图 (16)4.2PROTEL99仿真结果 (17)4.3设计过程中遇到的问题及解决方法 (18)4.4设计体会 (19)参考文献 (22)功率200W的灯光亮度调节器设计引言随着经济发展的加快，科学技术的进步,人们生活水平得到了提高,设备逐渐完善。
调光控制器设计在日常生活中很有用，我们常常需要对灯光的亮度进行调节。
可控硅调光器有着完全不同的调光机理，它是采用相位控制方法来实现调压或调光的。
对于普通反向阻断型可控硅，其闸流特性表现为当可控硅加上正向阳极电压的同时又加上适当的正向控制电压时，可控硅就导通；这一导通即使在撤去门极控制电压后仍将维持，一直到加上反向阳极电压或阳极电流小于可控硅自身的维持电流后才关断。
普通的可控硅调光器就是利用可控硅的这一特性实现前沿触发相控调压的。
在正弦波交流电过零后的某一时刻t1(或某一相位角wt1)，在可控硅控制极上加一触发脉冲，使可控硅导通，根据前面介绍过的可控硅开关特性，这一导通将维持到正弦波正半周结束。
因此在正弦波的正半周(即0~p区间)中，0~wt1范围可控硅不导通，这一范围称为控制角，常用a表示；而在wt1~p 间可控硅导通，这一范围称为导通角，常用j表示。
同理在正弦波交流电的负半周，对处于反向联接的另一个可控硅(对两个单向可控硅反并联或双向可控硅而言)在t2时刻(即相位角wt2)施加触发脉冲，使其导通。
如此周而复始，对正弦波每半个周期控制其导通，获得相同的导通角。
如改变触发脉冲的施加时间(或相位)，即改变了导通角j(或控制角a)的大小。
导通角越大调光器输出的电压越高，灯就越亮。
本设计中，设计了一种带滤波的可控硅调光电路，由于可控硅相控调光具有体积小、价格合理和调光功率控制范围宽的优点，所以可控硅相控调光法是目前使用最为广泛的调光方法。
1.硬件组成与方案设计1.1方案设计与论证调光电路种类繁多，但是随着科技的发展尤其是半导体材料的发展，可控硅的应用范围越来越广。
可控硅调光电路正以其独特的优越性占领调光电路市场。
下面是最基本的可控硅调光电路，可实现对灯光的明暗调节，图1.1 最基本的可控硅调光电路存在问题对其它电器很可能造成严重干扰。
因为其原理是通过移相电路触发可控硅对交流电压正弦波形进行削波来实现电压的调节，输出的电压波形存在严重的畸变，产生大量的电磁谐波。
这种干扰尤其对无线电设备最为严重，如对中波收音机干扰相当严重以至于根本无法正常收听。
改进方案用电位器、电阻、电容构成移相网络，通过双向触发二极管改变可控硅导通角实现调压从而改变灯泡的亮度。
电感和电容构成滤波电路，以次用来消除可控硅工作时产生的电磁干扰。
虽然还是不能完全消除干扰，但大量的干扰波已被阻止反馈到电网中。
1.2硬件组成硬件组成如图1.1所示：图1.11.3工作原理电路工作原理：电源电路滤波电路移向网络可控硅调光网络当接通电源，220V 交流电压通过灯泡、R1、R2 对电容C 充电，由于电容两端电压时不能够突变的，对电容充电需要一定的时间，充电时间由R1 和R2 定，越小充电越快，反之则充电越慢。
当C 上电压充电到一定电压时双向触发二极管DB3 导通，双向可控硅也导通，其导通之后，灯泡中有电流通过同时发光。
随着DB3 的导通，C 上的电压被完全放掉，DB3 又截止，可控硅也随之截止，灯泡熄灭，C 又开始进行充电，照此循环。
因为此过程时间短且人眼有短暂停留的现象，所以灯泡看起来是一直亮着的。
充电时间越短，灯泡就越亮，反之则越暗。
如果用在电感性负载上时，需要加载R、C 串联回路，起到保护可控硅的作用。
2单元电路设计2.1电源电路设计电源电路是该电路中关键的部分，该设计中采用的是220V的交流电，电灯的额定功率为200W。
电路图如下所示。
图2.1 电源电路2.2滤波电路设计由于被可控硅斩压后的电压不再呈现正弦波形，因此产生大量谐波干扰，严重污染电网环境。
所以要采用有效的滤波措施来减轻谐波污染，图中的L1和C1组成的LC滤波网络能有效的抑制可控硅工作时产生的这种干扰，以便使电路满足电磁兼容的要求。
避免对电视机，收音机等设备产生干扰。
图2.3 滤波电路该电路中电感L 和电容C1 的参数为电感为 22mH 电容C1为22n400V2.4移相网络与可控硅电路图2.4.1 移相与可控硅电路图中的R1是保护电阻，用来防止RW1 调整到零电阻时，过大的电流造成半导体器件损坏，如果该电阻过大又会造成可调光的范围变小，所以应当适当选择。
这里的二极管采用的是DB3其主要参数如下：图2.4.2 DB3其主要参数由于电路的电源是220V 的交流电。
考虑二极管的极限参数值，这里选用电阻为22K Ω既满足了在RW1为零电阻时不损害半导体元件又能使电路有足够的调光范围。
该部分电路工作波形图电源电压U 波形654321123458642246820100-22022202t / msU 2 / V图2.4,3а变化时负载（灯泡）两端电压波形：α=0°43211234642246t/ms201010.40.4-22022202U L/Vα=30º4321123442246-22022202U L/V t/ms2011.6101.6α=90°43211234642246x-22022202U L/Vt/ms20151050α=120°4321123442246-22022202U L/Vt/ms2016.6106.6α=180°1.41.210.80.60.40.20.20.40.60.811.21.42 1.510.50.51 1.52 2.5t/ms2010-22022202U L/Vα变化时可控硅门极+电容两端波形：α=7° α=30°1.41.210.80.60.40.20.20.40.60.811.21.42 1.510.50.511.52U G /V t/ms-0.70.72011.6101.61.61.41.210.80.60.40.20.20.40.60.811.21.42 1.510.50.511.52t/ms2010.4100.4-0.700.7U G /Vα=90° α=120°1.41.210.80.60.40.20.20.40.60.811.21.42 1.510.50.51 1.52-0.700.7U G/V t/ms2015105 1.41.210.80.60.40.20.20.40.60.811.21.42 1.510.50.511.52-0.70.7U G /V t/ms2016.6106.6α=180°1.41.210.80.60.40.20.20.40.60.811.21.42 1.510.50.51 1.52t/ms2010U G /V波形分析与参数计算:当灯泡（200W ）最亮时，触发角最小，导通角最大，由分析可知，由于可控硅在触发角α=7°时被触发，所以，在0-7°之间可控硅不导通，可控硅承受压降，灯泡不承受压降。
在α>7°时，可控硅导通，承受压降为0，灯泡开始承受电源电压从7°以后的正弦波电压,此时根据上面叙述公式计算出理论输出电压有效值为228.9V ，实测得交流输入电压有效值为231V ，测得灯泡两端电压有效值为230V ，通过灯泡的电流为0.87A 。
计算得输出功率为230Vx0.87A=200.1W,，可知电路能正常工作，符合设计要求。
当灯泡熄灭时，触发角最最大，达到180°，此时导通角为0。
由于可控硅不导通，则其两端承受电压为电源所加的整个正弦波电压，此时灯泡不承受电压，灯泡两端电压压降为0，输出电压波形为一条幅值为0的直线 灯泡处于中间状态时，波形为最亮和最暗的过渡波形。
3各主要电路及部件工作原理3.1电位器电位器的作用：调节电压（含直流电压与信号电压）和电流的大小。
电位器的结构特点：电位器的电阻体有两个固定端，通过手动调节转轴或滑柄，改变动触点在电阻体上的位置，则改变了动触点与任一个固定端之间的电阻值，从而改变了电压与电流的大小。