掺杂SrCO3对Ba4(Sm0.2Nd0.8)9.33Ti18O54微波介质陶瓷性能的影响

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Sm掺杂对Ba4La19.33Ti18O54陶瓷结构和介电性能的影响分析

Sm掺杂对Ba4La19.33Ti18O54陶瓷结构和介电性能的影响分析
B位 。当 X 一2 3时 , 离 子 和 B / R a离 子 分 别 占据 A1 位 和 A2位 , 而 使 陶瓷具 有 了最 低 介 电损 耗 ; R 从 当 为 L 且 x / a 一2 3时 , 获得 B 4 a93 i O5陶瓷具 有 所 aL 13T 1 4 _ 8 最 高 的介 电常数 , 同 时其介 电损 耗也 最 大 。 但 ]
其 中 B为半 高 宽 。样 品的体 密度 利用 液 体置换 法 进 行 测 量 ; 观结 构利 用扫 描 电镜 (E J M 1 0型 ) 微 J OI,S 6 0 观
陶瓷介 电常 数 巨大 变 化 的 基 础 上 明 显 降 低 陶 瓷 的介
电损耗 。 由于 S 置换 Nd可 以有 效 降低 钛 酸钕 钡 的 m 损耗 , 在此 以 S 置 换 L 故 m a为 基 础 来 研 究 B a 。 a L 。
Ti O 陶瓷 介 电性 能最 佳方 案及 其微 观结 构 。 。
前 言
1 实验
随着移 动通 信 的快 速发 展 , 制作 谐 振器 、 对 带通 滤 波器 以及 双 工器 等器 件 且 具 有 高 介 电常 数 、 介 电损 低 耗 和高 品质 因子 的高 质量 微 波介 电 陶瓷 的需求 越来 越 迫切 , 因此 基 于 B — R O。 a 一Ti ( O。 R代 表 稀 土元 素 , 如 S Nd P 、 a等 ) 元 系 统 的 陶 瓷 引 起 广 泛 关 m、 、 r L 三
笔 者 的 目 的 就 是 研 究 在 不 引 起 Ba La 。Ti O 。 。
2  ̄8 。根 据所 得 样 品衍 射 图样 , 用 最 小 二 乘 法 计 0 0; 利 算样 品的 品格参 量 ; 当样 品 晶粒 尺寸 足够 大时 , 间距 层 的 T利用 下式 计算 : 】 刁一 p 2 n /t O  ̄ () 1

CuO掺杂对Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷介电性能的影响

CuO掺杂对Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷介电性能的影响

Ab ta t s r c :Cu d p d B ( 。 1 r o ) e a c s p e a e y t es l h s e c in . e p a ec m p s— O o e a Ti 9 Z o 9 03c r mis wa r p r d b h o i p a er a t d o Th h s o o i
pe r d a a e tCurc p nt T h xt nto il c rc r l x to e c d a m axm u tt t i oi . e e e f d ee ti e a a i n r a he i m a he orhor m bi—e r gon lph s ho c t ta a a e
中 图分 类号 : TM2 8 文献标识码 : A
Ef e t fCu Add tv so h e e t i o r i s o f c s 0 o ii e n t e Di l c r c Pr pe te f
B ( i9 r. ) 3C rmis a T 01 09o ea c .Z 0
l n 4 8 A e t g a a y e . Th e u t h we h t t e Cu a d t e c n a j s h r s al e sz f B ( 。9 e t 2 4 t s i n lz r n e r s ls s o d t a h O d i v a d u t t e c y t l t ie o a Ti 1 i i
加 , 且 居 里 峰 出现 相 变 弥 散 现 象 。 当 w( u 一0 3 时 , 方 一 并 C O) . 8 斜 四方 相 变 峰 的 弛豫 程 度 最 大 。
关 键 词 :a T Z 。O B ( i r ) 。陶 瓷 ; 电性 能 ; 电 弛 豫 ; 变 弥 散 介 介 相

B2O3掺杂对0_77Zn__省略_23TiO_2微波介质陶瓷的影响_谢志翔

B2O3掺杂对0_77Zn__省略_23TiO_2微波介质陶瓷的影响_谢志翔

· 362 ·2015 年 8 月Journal of CeramicsV ol.36 No.4Aug. 2015第 36 卷 第 4 期2015 年 8 月DOI:10.13957/ki.tcxb.2015.04.006B 2O 3掺杂对0.77 Zn 0.99Cu 0.01Al 2O 4-0.23TiO 2微波介质陶瓷的影响谢志翔,洪文海,李月明,王竹梅,沈宗洋,廖润华(景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院, 江西省先进陶瓷材料重点实验室,江西 景德镇 333403)摘 要:采用传统固相法合成了B 2O 3掺杂的0.77Zn 0.99Cu 0.01Al 2O 4-0.23TiO 2(ZCAT)。

利用X射线衍射仪、扫描电镜和网络分析仪对其烧结性能、微观结构以及微波介电性能进行表征。

考察了B 2O 3的添加量对ZCAT的烧结性能和微波介电性能的影响。

研究结果表明,B 2O 3的添加未改变ZCAT的晶体结构,能显著降低陶瓷的烧结温度,添加适量的B 2O 3能够有效的改善样品的微波介电性能,在ZCAT中添加0.75 wt%的B 2O 3在1300 ℃烧结能够获得较好的微波介电性能:介电常数εr = 9.96,品质因素Q×f= 33280 GHz和谐振频率温度系数τ f = 3.09×10-6/℃。

关键词:B 2O 3;烧结性能;微波介电性能中图分类号:TQ174.75 文献标志码:A 文章编号:1000-2278(2015)04-0362-05Effect of B 2O 3 Doping on the 0.77Zn 0.99Cu 0.01Al 2O 4-0.23TiO 2MicrowaveDielectric CeramicsXIE Zhixiang, HONG Wenhai, LI Yueming , WANG Zhumei, SHEN Zongyang, LIAO Runhua(Jiangxi Key Laboratory of Advanced Ceramic Materials, School of Materials Science and Engineering,Jingdezhen Ceramic Institute, Jingdezhen 333403, Jiangxi, China)Abstract:B 2O 3-doped 0.77Zn 0.99Cu 0.01Al 2O 4-0.23TiO 2(ZCAT) was synthesized by conventional solid-state route, X-ray diffraction, scanningelectron microscopy and network analyzer were employed to characterize its sintering character, microstructure and microwave dielectric properties, respectively. The effect of the B 2O 3 content on sintering and microwave dielectric properties was investigated. The result reveals that the addition of B 2O 3 could not change the crystal structure of ZCAT ceramics. The addition of B 2O 3 could reduce the sintering temperature, and the moderate addition of B 2O 3 could effectively improve the microwave dielectric properties. ZCAT ceramics doped with 0.75wt.% B 2O 3 sintered at 1300 ℃ exhibits the optimal dielectric properties: the dielectric constants εr = 9.96, the quality factor Q×f= 33280 GHz and the frequency temperature coefficient τf = 3.09×10-6/°C.Key words:B 2O 3; the sintering performance; microwave dielectric properties0 引 言 随着微波通讯技术的快速发展,现代通信设备的工作频率进一步向高频范围拓展,特别是进入毫米波段后,电磁波频率的升高会使得材料内部极化损耗明显增大,信号传输时间延长。

【江苏省自然科学基金】_谐振频率_期刊发文热词逐年推荐_20140819

【江苏省自然科学基金】_谐振频率_期刊发文热词逐年推荐_20140819

推荐指数 1 1 1
2011年 序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
2011年 科研热词 谐振频率 频率跟踪 载荷 超声雾化 负磁致伸缩 谐振器 计量学 耦合 磁电效应 碳纤维复合材料 电晕放电 正磁致伸缩 柴油机 智能驱动 反应器 加速度计 功率反馈系统 冲击监测 光纤bragg光栅传感器 低温等离子体 仿真 介质阻挡放电 不等基频 推荐指数 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
Байду номын сангаас
2014年 序号 1 2 3 4
科研热词 推荐指数 微波介质陶瓷 1 介电性能 1 srco3掺杂 1 ba4(sm0.2nd0.8)9.33ti18o54 1
2008年 序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
科研热词 非线性动力分析 零电流开关 阻抗 谐振频率 移相 渐进理论 有限元 拓扑 强电场 层合梁 压电结构 压电振子 交叉指型电极 pwm dc-dc变换器
推荐指数 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
2009年 序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
科研热词 高斯分布 雾化栽培 阻抗特性 钛酸镁陶瓷 超细粉体 超声雾化 超声辐射力 调频波 机械力化学法 数值模拟 微波介电性能 喷头
推荐指数 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
2010年 序号
科研热词 1 长周期光纤光栅(lpg) 2 超声 3 光纤传感
2013年 序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20

微波介质陶瓷 参有B2O3–ZnO–La2O3玻璃的BaTi4O9的低温烧结和微波介电特性

微波介质陶瓷 参有B2O3–ZnO–La2O3玻璃的BaTi4O9的低温烧结和微波介电特性

参有B2O3–ZnO–La2O3玻璃的BaTi4O9的低温烧结和微波介电特性梗概:一个高Q值低温烧结陶瓷材料的制造是由80wt%的BaTi4O9粉末和20wt%B2O3–ZnOLa2O3玻璃熔剂构成的。

样品在900℃下烧结3小时拥有最大的体积密度。

B2O3-ZnO –La2O3玻璃具有烧结辅助作用。

材料在包含有BaTi4O9的900℃环境下烧结3小时,LaBO3是一种不明的结晶相和残余玻璃相并具有良好的微波介电性能:介电常数≈27,品质因数Q×f=20000GHz,谐振频率τf≈6.5ppm/℃。

1.简介:低温共烧陶瓷技术由于应用于可使微波器件微型化的的微波原件而得到广泛的研究。

在多分子层结构中,电介质材料的烧结温度必须降至900℃甚至低于900℃以便能以像Ag这样的高导电嵌入式电极进行共烧。

(Ag的熔点是961℃)。

一般来说,添加低软化点玻璃是一个降低陶瓷致密化温度的十分有效、廉价的途径。

一些包括参有ZnO–B2O3玻璃的BaO–TiO2–WO3,参有MgO–CaO–SiO2–Al2O3玻璃的Ba2Ti9O20,参有3ZnO–B2O3玻璃的Ba2Ti9O20的调查研究已被计划进行,然而,复合材料的烧结温度通常都高于900℃,这对于共烧内嵌电极Ag来说确是很高。

参有La2O3–B2O3–TiO2玻璃的BaO–Nd2O3–TiO2陶瓷也被Jung et al进行了研究,尽管可使致密化温度低于900℃,但玻璃添加物部分高达60wt%,这无疑对BaNd2Ti5O14的微波特性具有巨大的影响。

为了减少玻璃添加剂对陶瓷本质微波特性的有害影响,研究者们必须找到良好的玻璃熔剂,可以在使用少量添加剂的情况下大幅降低烧结温度而又不太大影响主体材料的微波特性。

B2O3–ZnO–La2O3玻璃被用作光学玻璃具有高折射率系数。

它还没被报导文献作为LTCCs的烧结助剂。

以目前的研究,我们发现B2O3–ZnO–La2O3玻璃可用作降低BaTi 4O9-基复合材料烧结温度的烧结助剂,并且对烧结复合材料烧结进程和微波介电特性也进行了研究。

Y2O3掺杂对钛酸锶钡基陶瓷结构及介电性能的影响

Y2O3掺杂对钛酸锶钡基陶瓷结构及介电性能的影响

的弥散相 变转化向极化玻璃化转变,并在 2 5 0 K和 3 5 0 K附近 出现新的弛豫过程. 关键词:钛酸锶钡 ;介电常数 ;介电损耗 ;玻璃化转变 中图分类号:T B 3 4 文献标识码:A 文章编号:1 6 7 3 - - 9 9 9 X( 2 0 1 4 )0 1 —0 0 3 o _ _ 0 4
2 0 1 4年 3月 第 8卷 第 1 期
伊犁 师范 学 院学报 ( 自然科 学版 ) J o u r n a l o f Y i l i No r ma l U n i v e r s i t y( Na t u r a l S c i e n c e E d i t i o n )
Ma r . 2 01 4

V 0 I . 8 No . 1
Y 2 O 3 掺杂对钛酸锶钡基陶瓷结构及介电性能的影响
肖 宇 ,周恒为 ,丁 捷 ,徐凡华 ,衡 晓 ,雷 婷 ,尹红梅 ‘
( 1 . 伊 犁师范学院 物理科 学与技术 学院 ,新 疆凝 聚态相 变与微 结构实验 室,新疆 伊 宁 8 3 5 0 0 0 ;
2 . 1 样品制备 采 用 固相反 应方 法制 各 陶瓷材 料 . 将 原 料分 析
纯级 ( 纯度 9 9 . 9 9 %)B a C O3 、S r C O3 、T i O 2 按照 化
2 S r o 学式B a o 8 T i O 3 称量 , 以蒸 馏水 为介质 球 磨 1 6 h ,
2 S r o 在B a o 8 T i O3 陶瓷 中加 入 1 . 6 %( 质量 分数 ) ,约 为 4 a t % Z n O时 ,可 以大 幅度 降低 材 料 的介 电损耗 【 6 1 .
. .
将混好 的浆料 放入 烘干 箱 中烘 干 、研 细 ,即得钛 酸 钡 ( B a T i O3 )与 钛酸 锶 ( S r T i O3 ) 的混合 粉 体 .将

CCTO掺杂对BaTiO_3-Nb_2O_5-Co_3O_4陶瓷系统介电性能的影响


T 掺 杂量 为 3 0 时 , 系平均介 电常数 >26 0 温度 稳 定性 △c c 4 7 ; 2 ~ 1 5℃ O . 体 0 , / ≤ . 在 0 2
温度 范 围 内,T B NC 系统 中 C TO 掺 杂 量 为 2 0 时 , 系 的 平 均 介 电 常 数 > 27 0 温 度 稳 定 C . 体 0 ,
Ke r : r u tt n t y wo ds ba i m ia a e;t mpe a ur t bi t e r t e s a l y;d e e t i o t n ;c r mi a ct s i i l c rc c ns a t e a c c pa ior
0 引 言
a h an o jc ,i r e o r s a c h fe t o h y tm ilcrc p o ete y st e m i b t n o d r t e e r h t e ef c f t e s se dee ti r p ris b e a d n C 3 4 CCT( ) I Wa o n h t n t er n e fo 2 ℃ t 5 ℃ ,t ede d ig Ca u 2 TiOl( ). t sf u d t a ,i h a g r m 0 o8 h i—
Ch n ) i a
Absr c :I hi a e t a t n t s p p r,t e a i f Ba O3 Nb 5 Co he c r m c o Ti 一 2 一 3 O O4( BTNC) s s e s wa t id y t m s s ud e
第 3 O卷
第 3期
陕 西科 技 大 学 学报
J u n lo h a x i e st fS i n e & T c n l g o r a f S a n iUn v r iy o ce c e h oo y

Nd_2O_3掺杂BaZr_(0.2)Ti_(0.8)O_3陶瓷的介电性能

Nd_2O_3掺杂BaZr_(0.2)Ti_(0.8)O_3陶瓷的介电性能穆松林;郝素娥【期刊名称】《压电与声光》【年(卷),期】2006(28)6【摘要】在溶胶-凝胶法制备钛酸钡(BaZr0.2Ti0.8O3)超细粉体的过程中,使用液相掺杂的方式在溶胶过程中进行了稀土元素Nd的掺杂。

掺杂摩尔分数为0、0.001、0.002、0.003、0.004和0.005。

掺杂改性后的BaZr0.2Ti0.8O3粉体,通过X-射线衍射(XRD)测试,结果表明在摩尔分数为0.005以内的稀土Nd掺杂并未改变BaZr0.2Ti0.8O3的钙钛矿结构。

粉体烧结的陶瓷介电性能得到较大的改善:介电常数由3 389提高到4 493,而介电损耗在60 Hz时由1.4%降低到0.35%。

【总页数】3页(P699-700)【关键词】BaZr0.2Ti0.8O3;稀土掺杂;介电性能【作者】穆松林;郝素娥【作者单位】哈尔滨工业大学应用化学系【正文语种】中文【中图分类】TQ174;O614【相关文献】1.(La_(0.5)Sr_(0.5))CoO_3为电极的Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3和Pb(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3铁电电容器结构及电学性能 [J], 贾冬梅;刘保亭;彭增伟;郝彦磊;朱慧娟;张宪贵2.Fe_2O_3掺杂(Ba_(0.7)Ca_(0.3))TiO_3-Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3无铅压电陶瓷的制备与性能 [J], 崔业让;刘心宇;袁昌来;胡耀斌;马家峰;李文华3.Y_2O_3掺杂对(Ba_(0.85)Ca_(0.15))Zr_(0.1)Ti_(0.896)Sm_(0.004)O_3无铅压电陶瓷介电弛豫与电性能的影响 [J], 黄小琴;刘其斌;张诚;姚利兰4.SnO_2掺杂对(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Ti_(0.9)Zr_(0.1-x)Sn_x)O_3无铅压电陶瓷介电弛豫与电性能的影响 [J], 姚利兰;刘其斌;周顺龙5.Ag_2O掺杂对Li_(0.02)(Na_(0.52)K_(0.48))_(0.98)Nb_(0.8)Ta_(0.2)O_3无铅压电陶瓷电性能影响的研究 [J], 李慧;孙彩霞;王博;陈贺;高景霞;张洋洋因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。

(Zn,Mg)TiO3微波介质陶瓷性能的改善

(Zn,Mg)TiO3微波介质陶瓷性能的改善左洋;赵麒植;唐斌;张树人【期刊名称】《电子元件与材料》【年(卷),期】2012(31)2【摘要】采用固相反应法制备了(Zn,Mg)TiO3 (ZMT)微波介质陶瓷,研究分别添加CaTiO3和BaLiBSi对ZMT陶瓷介电性能的影响.结果表明:CaTiO3和BaLiBSi均能调节ZMT陶瓷的温度系数τε值;BaLiBSi能有效降低ZMT 陶瓷的烧结温度,抑制Zn2TiO4相的产生,提高所制陶瓷的微波介电性能.当添加质量分数10%的CaTiO3时,950℃烧结的(Zn1.06Mg0.12)TiO3陶瓷的τε值接近零:-6×10-6/℃.加入质量分数1.2%的BaLiBSi时,900℃烧结的(Zn1.13Mg0.048)Ti1.29O3陶瓷具有最佳的微波介电性能:εr≈24.8,Q·f=10 898 GHz,τε=17×10-6/℃.%(Zn, Mg)TiO3(ZMT) microwave dielectric ceramics were prepared by conventional solid state reaction method. The effects of CaTiO3 and BaLiBSi addition on the dielectric properties of the ZMT ceramics were investigated. The results show that CaTiO3 and BaLiBSi both can adjust the value of temperature coefficient τP The BaLiBSi additives can decrease the sintering temperature and restrain the formation of Zn2TiO4, which keeps ZMT ceramics with excellent microwave dielectric properties.(Zn1.06Mg0.12)TiO3 ceramics doped with mass fraction of 10% of CaTiO3 sintered at 950 °C has a τe,. Value near to zero: -6X l0-6/°C.(Zn1.13Mg0.048)Ti1.29O3 doped with mass fraction of 1.2% of BaLiBSisintered at 900 °C exhibits the optimum microwave dielectric properties: ∈≈24.8, Q f=10 898 GHz, τe=17X l0-6V°C.【总页数】4页(P1-4)【作者】左洋;赵麒植;唐斌;张树人【作者单位】电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054【正文语种】中文【中图分类】TM28【相关文献】1.Co和Ca掺杂对(Mg0.7Zn0.3)TiO3系微波介质陶瓷性能的影响 [J], 赵莉;沈春英;丘泰2.(Mg0.7Zn0.3)TiO3-(Ca0.61La0.26)TiO3系微波介质陶瓷性能研究 [J], 赵莉;沈春英;丘泰3.Ni-Zn共掺对(Mg0.95Ca0.05)TiO3陶瓷介电性能的影响 [J], 曾凤;周洪庆;谢文涛;黄芳4.(Mg,Zn)TiO3基微波介质陶瓷改性的研究进展 [J], 赵莉;胡玉叶;王永志5.纳米MgTiO3对Mg(Ca)TiO3微波介质陶瓷烧结行为及介电性能的影响 [J], 郭娜; 胡一晨; 王中俭; 徐杰; 夏冬因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。

掺杂Sm2O3对BaSrTiO3介电陶瓷性能的影响

掺杂Sm2O3对BaSrTiO3介电陶瓷性能的影响李远亮;曲远方;张庆军;王冉然【期刊名称】《电子元件与材料》【年(卷),期】2010(029)010【摘要】以碳酸钡、碳酸锶和二氧化钛等为原料,Sm2O3为掺杂剂,制备了BaSrTiO3系介质陶瓷.利用SEM等仪器研究了陶瓷试样的微观形貌和介电性能.结果表明:当Sm2O3掺杂量低于0.10%摩尔分数时,Sm3+进入晶格A位;但随着Sm203掺杂量的增加,Sm3+越来越倾向于进入晶格B位.在Sm2O3掺杂量为摩尔分数0.10%时,BaSrTiO3陶瓷的相对介电常数达到最高值4 800;随着Sm203掺杂量继续增加,陶瓷的介电损耗逐渐降低,最低降至0.007 0.【总页数】3页(P11-13)【作者】李远亮;曲远方;张庆军;王冉然【作者单位】河北理工大学分析测试中心,河北唐山063009;天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津300072;天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津300072;河北理工大学分析测试中心,河北唐山063009;天津海运职业学院轮机工程系,天津300457【正文语种】中文【中图分类】TM22+3【相关文献】1.Sm2O3掺杂对铌镁酸铅铁电陶瓷介电性能的影响 [J], 李涛;刘敬松;李惠琴;许有超;王友平2.Sm2O3掺杂对BZN基陶瓷介电性能的影响 [J], 周焕福;黄金亮3.Sm2O3掺杂BaTiO3铁电陶瓷的结构、形貌及介电性能研究 [J], 刘德成;周恒为;邓春阳;马晓娇;徐凡华;衡晓;尹红梅4.Sm2O3掺杂BaZr0.25Ti0.75O3铁电陶瓷的制备及其结构、介电性能研究[J], 石艳芝;何晓燕;周树银;马学静;张海珠;刘德成;邓春阳;薛明明;尹红梅5.Yb2O3和Sm2O3复合掺杂对锆钛酸钡陶瓷介电性能的影响 [J], 罗家威;郑占申;何盼盼;王希月;邢云青;于金柱;闫树浩因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。

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率 温度 系数 r , 近似线性增加 。在 B S N T陶瓷 中掺 杂 S r C O 可以得到 " g f 近乎 于 0 。掺 杂 4 %的 S r C O 在1 3 6 0℃ 下烧
结3 h , 可 得 到 介 电性 能 最佳 的 B S N T陶瓷( s =8 3 . 4 , 8 . 4 7 T H z ( 4 . 6 7 G H z ) , r 一 2 . 1 × 1 0 o C ) 。
CHE N C h u n h u a, S HE N Xi a o d o n g , CU I S h e n g , WU J u n
( C o l l e g e o f Ma t e r i a l s S c i e n c e a n d E n g i n e e i r n g , N a n j i n g U n i v e r s i t y o f T e c h n o l o g y ,N a n j i n g 2 1 0 0 0 9 ,C h i n a )
o nd a r y p ha s e a p pe a r e d.T he d i e l e c t r i c c o ns t a n t£ a n d t e mp e r a t u r e c o e ic f i e n t o f r e s o n a n c e f r e q ue n c y f
w i t h S r C O 3 w a s a n a l y z e d u s i n g X — r a y d i f f r a c t i o n( X R D )a n d s c a n n i n g e l e c t r o n mi c r o s c o p y( S E M) . R e — s u i t s s h o w e d t h a t s m a l l a m o u n t s o f S r C O 3 ( 1 e s s t h a n 4 %)c o u l d b e a c c o m mo d a t e d i n B S N T w i t h o u t a s e e —
微 波 介 质 陶瓷 性 能 的影 响
陈春华 , 沈 晓冬 , 崔 升 , 吴 君
( 南京 工业 大 学 材 料科 学 与工 程学 院 材料 化 学工程 国家重 点实验 室 , 江苏 南京 2 1 0 0 0 9 )
摘 要 :研 究 S r C O 掺 杂对 B a ( s m。 N d 。 ) , T i O ( B S N T ) 材料相组成 、 微观 结构和介 电性能的影响。采用 x线
J a n . 2 0 1 4
d o i : 1 0 . 3 9 6 9 / j . i s s n . 1 6 7 1 — 7 6 2 7 . 2 0 1 4 . 0 1 . 0 0 4
掺杂 S r C O 3 对 B a 4 ( S m0 . 2 N d o . 8 ) 9 . 3 3 T i l 8 0 5 4
E f f e c t s o f S r C O3 d o p i n g o n p r o p e r t i e s o f B a 4 ( S m0 . 2 N d 0 . 8 ) 9 . 3 3 T i 1 8 05 4
mi c r o wa v e di e l e c t r i c c e r aห้องสมุดไป่ตู้mi c s
衍射仪 ( X R D) 和扫描 电子显微镜 ( S E M) 表征 B S N T掺杂 S r C O 后 陶瓷的相组 成和微观 结构。结果表 明 : S r C O 掺 杂 量低 于 4 %时 , S r C O 3 与B S N T陶瓷共熔而不产 生第二相 。同时发 现随着 S r C O 掺 杂量 的增加 , 介电常数 s 和谐振频
t i e s o f B a 4 ( S m0 2 N d 0 I 8 ) 9 3 3 T i l 8 O 5 4 ( B S N T)m a t e r i a l s w e r e i n v e s t i g a t e d . T h e mi c r o s t r u c t u r e o f B S N T d o p e d
Abs t r a c t: Th e e f f e c t s o f S r CO3 d o pi ng o n t he p ha s e c o mp o s i t i o n,mi c r o s t r uc t u r e a n d t he d i e l e c t r i c p r o pe r —
关键词 : 微 波介质 陶瓷; S r C O 3 掺杂 ; B a 4 ( S m N d ) 9 _ 3 3 T i 1 8 O 5 4 ; 介 电性能 中图分类号 : T M 2 8 文献标志码 : A 文章编号 : 1 6 7 1 — 7 6 2 7 ( 2 0 1 4 ) 0 1 — 0 0 1 9 — 0 4
第3 6卷第 1 期
2 0 1 4年 1 月








( 自 然 科 学 版)
V o 1 . 3 6 N o . 1
J 0 U R N A L O F N A N J I N G U N I V E R S I T Y O F T E C H N O L O G Y( N a t u r a l S c i e n c e E d i t i o n )
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