二极管解析
二极管的低压和高压
二极管的低压和高压二极管的低压和高压摘要：二极管是一种常见的电子元件，在电路中有着重要的应用。
本文将深入探讨二极管的低压和高压工作条件，并以从简到繁的方式，逐步介绍二极管的原理、结构、特性和应用。
通过对二极管的全面评估和解析，我们将更深入地理解二极管的工作原理以及其在实际应用中的重要性。
一、引言二极管作为一种电子元件，在电子技术领域有着重要的地位。
它是一种具有两个电极的器件，分别称为阳极（也称为P极）和阴极（也称为N极）。
二极管的工作性质取决于电压的极性和大小，这使它在电路中起到了很多重要的作用。
在本文中，我们将重点关注二极管的低压和高压工作条件，通过从简到繁的方式，逐步深入探讨二极管的原理和特性。
二、二极管的结构和原理1. P-N结的形成二极管的基本结构是由一个P型半导体和一个N型半导体组成的P-N结。
当P型和N型半导体通过特殊的工艺加工后，形成P-N结。
在P-N结存在的情况下，二极管才能正常工作。
2. 二极管的正向击穿和反向击穿当施加在二极管上的电压为正向电压时，即P极连接在正电压端、N 极连接在负电压端，二极管将处于正向击穿状态。
而当施加在二极管上的电压为反向电压时，即P极连接在负电压端、N极连接在正电压端，二极管将处于截止状态，不导电。
3. 二极管的特性曲线二极管的特性曲线描述了二极管的电流与电压之间的关系。
当二极管处于正向击穿状态时，电流呈指数增长。
而在反向击穿状态下，电流几乎不流过二极管。
三、二极管的低压工作条件1. 正向电压小于开启电压在低压工作条件下，二极管的正向电压必须小于二极管的开启电压。
只有在这种情况下，二极管才能正常导通，有电流通过。
2. 正向电流在额定范围内二极管的正向电流也必须在一定的额定范围内，以保证二极管的正常工作。
如果正向电流过大，会导致二极管损坏，无法正常工作。
四、二极管的高压工作条件1. 反向电压小于击穿电压在高压工作条件下，二极管的反向电压必须小于二极管的击穿电压。
二极管符号及导通方向
二极管符号及导通方向二极管是一种电子元件，广泛应用于各种电路中。
在电路图中，二极管通常用一个特定的符号来表示。
这个符号可以帮助我们快速识别二极管，并了解其导通方向。
在本文中，我将详细介绍二极管符号及其导通方向的含义和应用。
我将从基础知识开始，逐渐深入解析，以便您能够更加全面地理解这个主题。
1. 二极管符号在电子电路图中，二极管通常用一个箭头指示器来表示。
箭头指示器的一边是斜向下的直线，另一边是一个三角形。
这个符号代表了二极管的两个电极，即正极（阳极）和负极（阴极）。
箭头指示器的直线表示二极管的正极，而箭头指示器的三角形表示二极管的负极。
2. 导通方向二极管有一个重要特性，即只允许电流在特定方向上流动，称为导通方向。
在二极管符号中，箭头指示器的直线表示二极管的导通方向。
即从直线一端进入二极管，从箭头一端出来。
具体而言，当电压施加在二极管的正极上（箭头指示器所指方向），并且电压的极性使得正极电压高于负极时，二极管导通。
在导通状态下，电流可以流过二极管，并且有一个很小的电压降。
而当反向施加电压时，即正极电压低于负极时，二极管处于截止（不导电）状态。
3. 二极管的应用二极管在电子电路中有多种应用。
其中最常见的是作为整流器使用。
整流器将交流电转换为直流电，通过利用二极管的导通和截止特性来实现。
当交流电的正半周时，二极管导通，使电流通过；而当交流电的负半周时，二极管截止，电流无法通过。
这样，交流电被转换为单向电流。
二极管还可以用作电路中的保护器。
在开关电源中，二极管被用作反向电压保护器，防止反向电压过高对电路元件造成损坏。
当反向电压超过二极管的额定值时，二极管会立即截止，保护电路中的其他元件。
4. 个人观点和理解作为一个电子爱好者，我对二极管的符号及导通方向有着深刻的理解。
二极管作为一种基本的电子元件，在各种电子设备中起到重要作用。
掌握二极管符号及其导通方向的知识，可以帮助我们快速理解电子电路图，并准确地进行电路设计和故障排除。
第6章 晶体二极管知识全解
几种发光二极6.7 开关二极管和变容二极管知识全解
• 6.7.1 开关二极管知识全解 • 6.7.2 变容二极管知识全解
开关二极管电路
变容二极管典型应用电路
6.8动手实验篇之六： 画小型直流电源电路图
• 6.8.1解体小电源 • 6.8.2画出小型直流电源电路图
二极管的U－I特性曲线
二极管正向电阻和反向电阻等效电路
6.4 二极管基本电路详解
• 6.4.1 说 • 6.4.2 • 6.4.3 • 6.4.4 二极管电路种类和电路分析方法解
半波整流电路详解 二极管简易稳压电路详解 二极管电路识图小结
最基本的半波整流电路
交流输入电压正半周期间半波整流电路工作
二极管工作状态识别方法和技巧小结
6.2 二极管故障处理方法解说
• 6.2.1 二极管故障种类和特征解说 • 6.2.2 二极管三种检测方法解说 • 6.2.3 二极管选配和更换方法
测量二极管正向电阻接线
测量二极管反向电阻接线
6.3 二极管主要特性解说
• • • • 6.3.1 单向导电性解说 6.3.2 二极管正向特性和反向特性解说 6.3.3 二极管正向压降基本不变特性解说 6.3.4 二极管正向电阻小、反向电阻大特 性解说
稳压二极管电路符号解说
稳压二极管U－I特性曲线
稳压二极管构成的典型直流稳压电路
6.6 发光二极管知识及典型应用电路详解
• • • • • 6.6.1 6.6.2 6.6.3 6.6.4 6.6.5 发光二极管外形特征和电路符号 发光二极管引脚极性识别方法解说 发光二极管故障处理方法解说 发光二极管主要特性解说 发光二极管典型应用电路详解
画小电源电路图
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ss540二极管参数 -回复
ss540二极管参数-回复题目：ss540二极管参数解析：结构、特性与应用引言：二极管是半导体器件领域中最基本、最常用的元件之一。
ss540是一种常见的二极管型号，具有一系列重要的参数。
本文将从结构、特性和应用三个方面，逐步解析ss540二极管参数，以帮助读者全面了解该型号的特点与用途。
第一部分：结构二极管ss540的结构是由两个P型和N型半导体材料组成的。
通常，P 型材料被称为阳极（anode），N型材料被称为阴极（cathode）。
ss540二极管具有一个PN结，该结是半导体器件中最基本的元件之一。
PN结的结构使得ss540展现出了很多特性。
第二部分：特性1. 正向工作电压（VF）：ss540二极管在正向偏置下工作时，需要的最小电压。
在ss540中，正向工作电压一般为0.6-0.7V。
2. 反向击穿电压（VR）：ss540二极管在反向偏置下，当电压大于某个特定值时，电流会迅速增加。
该特性使得ss540可以在特定条件下用作稳压器件，其典型反向击穿电压大约为30-50V。
3. 反向漏电流（IR）：ss540二极管在反向电压下的泄漏电流。
一般来说，ss540具有较小的反向漏电流，以确保尽可能地减小功耗。
4. 反向恢复时间（Trr）：ss540二极管从正向电流到反向电流的转变所需的时间。
Trr时间短，意味着ss540可以更快地响应电流变化。
第三部分：应用ss540二极管的参数使得其在许多应用场景中发挥重要作用。
以下是ss540二极管的一些常见应用：1. 整流电路：ss540作为整流二极管，可以将交流电转换为直流电，在电源、电动工具和家电等领域得到广泛应用。
2. 电压稳压器：ss540反向击穿电压可用于稳压电路中，提供稳定的输出电压，用于保护其他电子元件。
3. 逆变器：ss540可以作为逆变器的关键元件，将直流电转换为交流电。
逆变器在太阳能电池板、汽车电子等领域中发挥重要作用。
结论：ss540二极管作为常见的半导体器件，具有一系列重要的参数。
1N5819二级管规格
1N5819二级管规格1N5819二极管规格解析1. 引言在电子电路领域中，二极管是一种常用的电子元件，用于控制电流的方向和大小。
在众多二极管型号中，1N5819是一种非常常见的快恢复二极管。
本文将对1N5819二极管的规格进行深入解析，并探讨其在电路设计中的应用。
2. 1N5819二极管的特点与规格1N5819二极管属于肖特基二极管的一种，在多种应用中具有广泛的适用性。
以下是1N5819二极管的一些关键特点和规格：2.1 最大正向工作电流（IFM）：1N5819二极管能够承受的最大正向工作电流为1A。
这意味着在正向电压下，电流控制在1A以下是安全可靠的。
2.2 最大反向工作电压（VRM）：1N5819二极管的最大反向工作电压为40V。
这意味着在反向电压不超过40V时，该二极管可以正常工作。
2.3 正向压降（VF）：1N5819二极管的正向压降通常在0.45V左右。
这意味着在正向导通状态下，电压降低约为0.45V左右。
2.4 肖特基势垒电容（CJ）：1N5819二极管具有一个肖特基势垒电容，其典型值为7pF。
肖特基势垒电容对高频性能和高速开关特性具有一定影响。
2.5 峰值逆向电流（IRRM）：1N5819二极管的峰值逆向电流为10mA。
这意味着在逆向电压超过其最大反向工作电压时，峰值逆向电流不应超过10mA，以保证二极管性能的稳定性。
3. 1N5819二极管的应用领域由于1N5819二极管具有快速恢复的特点，因此在多个电子应用中得到广泛使用。
以下是一些常见的应用领域：3.1 反向保护：1N5819二极管可用于电路中的反向保护，以防止逆向电压对电路的损坏。
通过将1N5819二极管反向连接过去，可以确保只允许正向电压通过。
3.2 DC-DC转换器：由于1N5819二极管具有较低的正向压降和快速恢复特性，因此在DC-DC转换器中，可用于快速切换和能量传输。
3.3 急停保护：在很多电路中，需要一种能够迅速截断电流的保护装置，以应对突发情况。
二极管工作原理
二极管工作原理二极管是一种常见的电子器件，被广泛应用于电子电路中。
它的工作原理基于半导体材料的特性，可以实现电流的单向传输。
一、PN结构二极管的核心是PN结，它由P型半导体和N型半导体两种材料组成。
P型半导体中有多个空穴（正电荷）而少量的自由电子（负电荷），而N型半导体中则相反，有多个自由电子而少量的空穴。
当P型材料与N型材料接触时，形成了PN结。
二、正向偏置当外加正向电压时，即将P端接入正电压，N端接地，形成“P 良率N”的电压偏置。
在这种情况下，P型半导体的空穴和N型半导体的自由电子会向PN结内部移动。
空穴从P端进入，自由电子从N端进入。
这两种载流子互相结合并消失，形成正电荷与负电荷当所在接近PN结的区域。
这种正电荷和负电荷之间的结合被称为电势垒。
在电势垒区域内，没有任何载流子可以通过。
因此，当正向电压引入时，二极管处于导通状态。
电流可以自由地通过二极管。
三、反向偏置当外加反向电压时，即将P端接地，N端接入负电压，形成“N良率P”的电压偏置。
在这种情况下，P型半导体的空穴和N 型半导体的自由电子会被电场驱使，远离PN结。
这导致电势垒区域扩大，阻碍了载流子的移动。
因此，当反向电压引入时，二极管处于截止状态。
电流无法通过二极管。
四、二极管的应用由于具有上述特点，二极管在电子电路中有多种应用。
1.整流器：二极管可以将交流电转换为直流电。
由于只有在正向电压的情况下电流才能通过，因此反向电压实际上被截断。
2.电压稳压器：当电压超过二极管的特定值时，二极管可以自动限制电压，防止电路中的其他元件受到损害。
sk34贴片二极管的参数
sk34贴片二极管的参数SK34贴片二极管参数详解引言：SK34贴片二极管是一种常用的电子元器件，广泛应用于电子设备中。
本文将从参数的角度对SK34贴片二极管进行详细解析，帮助读者更好地理解和应用该器件。
一、尺寸参数SK34贴片二极管的尺寸参数包括外形尺寸、焊盘尺寸等。
其外形尺寸为X mm × Y mm × Z mm（长× 宽× 高），焊盘尺寸为A mm × B mm。
这些尺寸参数对于焊接和安装SK34贴片二极管时具有重要意义，需要保证与电路板的匹配性。
二、电气参数SK34贴片二极管的电气参数是评估其性能的重要指标。
常见的电气参数包括额定电流、额定电压、反向电流等。
1. 额定电流（IF）：SK34贴片二极管的额定电流是指在规定的工作条件下，允许通过二极管的最大电流值。
通常以毫安（mA）为单位。
超过额定电流会导致二极管过热，甚至损坏。
2. 额定电压（VR）：SK34贴片二极管的额定电压是指在规定的工作条件下，允许二极管正向工作的最大电压值。
通常以伏特（V）为单位。
超过额定电压会导致二极管击穿，无法正常工作。
3. 反向电流（IR）：SK34贴片二极管的反向电流是指在规定的工作条件下，二极管反向工作时的电流值。
通常以微安（μA）为单位。
反向电流过大会导致二极管失效或电路性能下降。
4. 导通压降（VF）：SK34贴片二极管的导通压降是指二极管在正向工作时的电压降。
通常以伏特（V）为单位。
导通压降越小，二极管的导通效率越高。
5. 反向击穿电压（VBR）：SK34贴片二极管的反向击穿电压是指当二极管反向工作时，达到击穿状态所需的电压值。
通常以伏特（V）为单位。
反向击穿电压越高，二极管的耐压能力越强。
6. 反向恢复时间（Trr）：SK34贴片二极管的反向恢复时间是指从正向导通到反向截止，再到正向导通的时间间隔。
通常以纳秒（ns）为单位。
反向恢复时间越短，二极管的开关速度越快。
二极管r307参数
二极管R307参数1. 二极管基本概述1.1 基本定义与分类二极管是一种电子器件，由P型半导体和N型半导体组成，其中R307为特定型号。
其主要分类包括整流二极管、信号二极管、发光二极管等。
R307作为其中一种，具有特定的参数和用途。
1.2 物理结构与工作原理R307的物理结构包括P型半导体区域和N型半导体区域，二者通过PN结相接。
当施加正向电压时，电子从N区移动到P区，形成电流。
反向电压下，电流无法通过，表现出良好的整流特性。
1.3 参数对电性能的影响R307的参数包括反向漏电流、正向导通电压、最大反向耐受电压等。
这些参数直接影响了二极管的电性能，决定了其在电路中的稳定性和可靠性。
2. R307参数详细解析2.1 反向漏电流反向漏电流是二极管在反向电压下的漏电流。
R307的反向漏电流取决于制造工艺和材料质量，一般以极小的数值表示。
较小的反向漏电流表明R307在反向电压下有较低的漏电流，有助于维持电路的稳定性。
2.2 正向导通电压正向导通电压是二极管开始导通时的电压值。
R307的正向导通电压决定了在正向电压下电流能否流过，是衡量其整流效果的重要参数。
低正向导通电压有助于减小功耗，提高整流效率。
2.3 最大反向耐受电压最大反向耐受电压是R307能够承受的最大反向电压。
合理选择最大反向耐受电压，可确保二极管在实际电路中不会因反向电压过大而损坏。
这一参数在电路设计和选型中至关重要。
2.4 反向恢复时间反向恢复时间是指二极管在反向电压变为正向电压时，电流从零到峰值所需的时间。
R307的反向恢复时间直接关系到其在高频应用中的性能，较短的反向恢复时间有助于提高整体电路的响应速度。
2.5 温度特性温度特性描述了二极管参数随温度变化的情况。
R307的温度特性对于在不同工作环境下的稳定性至关重要，工程师需考虑其在广泛温度范围内的性能表现。
3. R307在电子设计中的应用3.1 整流电路中的应用作为整流二极管，R307常用于变流器、电源等电子设备的整流电路中。
二极管代号解析
二极管代号解析在电子领域，我们经常会遇到各种各样的电子元件，例如电阻、电容、二极管等等。
而对于二极管而言，它是一种被广泛应用的电子元件，用于电流的整流和放大等功能。
二极管的代号是使用一系列字母和数字来表示其性能和特性的。
1. 代号结构解析二极管的代号通常由几部分组成，包括一至两个字母和一至两个数字。
字母和数字的顺序与混合方式不同，代表着不同的含义。
2. 代号中的字母解析在二极管的代号中，字母通常代表着其材料和用途。
以下是常见的字母代号及其解析：- A：硅材料的普通二极管。
- C：低容量二极管，常用于高频电路。
- D：金属散热二极管，具有良好的散热性能。
- G：用于高压应用的二极管。
- H：高速开关二极管，具有快速的开关能力。
- K：具有可调谐能力的二极管，用于无线电和通信应用。
- M：电压稳压二极管。
- S：具有良好的齐纳二极管特性。
- Z：稳压二极管，用于电压稳定和保护电路。
3. 代号中的数字解析在二极管的代号中，数字通常代表着其电压容忍度、电流等重要特性。
以下是常见的数字代号及其解析：- 1：一般工作电流为1mA。
- 2：一般工作电流为10mA。
- 3：一般工作电流为100mA。
- 4：一般工作电流为400mA。
- 5：一般工作电流为500mA。
- 6：一般工作电流为600mA。
- 7：一般工作电流为700mA。
- 8：一般工作电流为800mA。
- 9：一般工作电流为900mA。
例如，如果一个二极管的代号为1N4148，我们可以解析出它是一种硅材料的普通二极管，其一般工作电流为1mA。
4. 其他特殊代号的解析除了上述常见的字母和数字代号外，还存在一些特殊的代号，它们代表着二极管的其他特性：- P：二极管为耐高温元件。
- R：二极管为可逆极性元件。
- T：双向稳压二极管。
当我们了解了二极管代号的含义后，就能更好地选择适合自己应用需求的二极管。
正确选择二极管的代号，可以确保电路的性能和可靠性。
总结二极管代号的解析是协助我们理解和选择二极管的重要方法。
光电二极管的工作原理解析
光电二极管的工作原理解析光电二极管是一种能够将光能转化为电能的器件，它在现代科技领域中被广泛应用。
在我们日常生活中，光电二极管可以用于光电传感器、光通信、光电测量等领域。
那么，它是如何工作的呢？光电二极管的工作原理基于光电效应。
光电效应是指当光照射到物质表面时，物质中的电子会被光子激发，从而跃迁到导带中形成电流。
光电二极管中的主要材料是半导体材料，如硅(Si)和锗(Ge)等。
这些材料具有特殊的能带结构，其中包括导带和价带。
当光照射到光电二极管的半导体材料上时，光子的能量会被吸收，使得材料中的电子跃迁到导带中。
在光照射下，导带中的电子数量增加，而价带中的电子数量减少。
这种跃迁过程会形成一个电子空穴对，其中电子位于导带中，而空穴位于价带中。
在光电二极管中，导带和价带之间存在能带间隙。
当光子的能量大于能带间隙时，电子可以跃迁到导带中，形成电流。
而当光子的能量小于能带间隙时，光子无法激发电子跃迁，因此不会产生电流。
这就解释了为什么光电二极管只对特定波长的光敏感。
此外，光电二极管还包含一个PN结。
PN结是由一种N型半导体和一种P型半导体组成的结构。
N型半导体中的电子浓度较高，而P型半导体中的空穴浓度较高。
当PN结形成时，电子和空穴会发生扩散运动，形成电势差。
在正向偏置条件下，电子会从N型半导体向P型半导体扩散，而空穴会从P型半导体向N型半导体扩散。
这种扩散运动会导致PN结两侧产生电势差，形成电流。
光电二极管的工作原理就是基于PN结的特性。
当光照射到光电二极管的PN 结上时，光子的能量会激发PN结中的电子和空穴，使它们发生扩散运动。
这种扩散运动会导致PN结两侧产生电势差，形成电流。
通过测量这个电流，我们就可以得到光的强度信息。
此外，光电二极管还具有快速响应的特点。
由于光电二极管中的电子和空穴可以迅速跃迁，所以它的响应速度非常快。
这使得光电二极管在高速通信和光电测量等领域中得到广泛应用。
总结起来，光电二极管的工作原理是基于光电效应和PN结的特性。
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本征半导体：
四价元素
外层四个电子
原子实或惯性核 为原子核和内层电子组成
பைடு நூலகம்
价电子为相邻两原子所共有
3.本征激发：
本征激发 电子空穴 成对产生
自由电子（带负电-e)
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
4.载流子 ：自由 +4 运动的带电粒子：
电子带负电： +4 －e=-1.6×10-19c,
空穴带正电 :
e=1.6 ×10-19c.
1.N 型半导体和 P 型半导体
电子为多数载流子 空穴为少数载流子
空穴为多数载流子 电子为少数载流子
2.杂质半导体的导电性能:主要取决于多子浓度，而多子浓度主要 取决于掺杂浓度，其值较大且稳 定，因此导电性能得到明显提高。 少子浓度主要与本征激发有关，对温度敏感，温度升高，其值增 大。
三、 PN 结
7. 两种载流子: 电子(自由电子)和空穴。 8. 两种载流子的运动：自由电子(在共价键以外)的运动 ； 空穴(在共价键以内)的运动。 结论： 1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少； 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电； 3. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。
二、杂质半导体
在本征半导体中参入微量杂质元素可提高半导体的导电能力， 参杂后的半导体称为杂质半导体。根据参入杂质的不同可分为N型 半导体和P型半导体。
（2）反向特性： 二极管两端加上反向 电压时，反向饱和电流IS很小（室温下， 小功率硅管的反向饱和电流IS小于0.1μ A。 （3）反向击穿特性 二极管两端反向电压 超过U(BR) 时，反向电流IR随反向电压的增大 而急剧增大， U(BR) 称为反向击穿电压。
空穴（带正电+e)
5.复 合： 自由电子 和空穴 在运动 中相遇重新结合 成对消 失的过程。 电子电流:IN
空穴电流:IP 共有电子 递补运动
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4 E外 +4 +4
复合（电子空穴对成对消失）
6.漂 移：自由电子在电场作用下沿电场的反方向定向运动形 成电子电流IN。共有电子的递补运动，相当于空穴沿电场的方 向运动形成空穴电流IP。
强 形成反向电流IR IR=I少子≈0 PN结处于截至状态且呈高阻特性。 结论：正偏导通，呈小电阻，电流较大; 反偏截止，电阻很大，电流近似为零。
3.PN结的击穿特性
（1）反向击穿：当加于PN结两端的反向电压增大到一定值时，二极管的反向 电流将随反向电压的增加而急剧增大，这种现象称为反向击穿。
（2）电击穿：反向击穿后，只要反向电流和反向电压的乘积不超过PN结容许的 耗散功率，PN结一般不会损坏。若反向电压下降到击穿电压以下后，其性能可 恢复到原有情况，即这种击穿是 可逆的，称为电击穿；
（3）热击穿：若反向击穿电流过大，则会导致PN结结温过高而烧坏，这种 击穿是不可逆的，称为热击穿。
（4）雪崩击穿：当反向电压足够大时，PN结的内电场加强，使少子漂移速度 加快，动能增大，通过空间电荷区与原子相撞，产生很多的新电子 -空穴对，这 些新产生的电子又会去撞击更多的原子，这种作用如同雪崩一样，使电流急剧 增加，这种击穿称为雪崩击穿。雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中，因为 这种PN结的阻挡层宽，因碰撞而电离的机会就多。
二极管常见外型图：
二、二极管的伏安特性
二极管由一个PN结构成，具有单向导电性。二极管电流ID随外加 于二极管两端的电压uD的变化规律 ，称为二极管的伏安特性曲线。
1．二极管的伏安特性曲线
2.PN 结的伏安方程：
iD
?
I (e uD/UT S
? 1);
其中 :U T
?
KT 为温度电压当量， q
I S: 为反向饱和电流， K :为玻尔兹曼常数，
第一章 半导体二极管
§1.1 半导体的基础知识
一、本征半导体
1．导电材料分类：导体： 电的良导体，如纯金属及其合 金、 酸碱盐水溶液等。
绝缘体： 电的不良导体，如陶瓷、橡胶等。 半导体 ： 导电能力介于导体和绝缘体之间的
物质，如硅、锗、砷化镓等。
2．本征半导体： 纯净的晶体结构完整的半导体。 如硅、锗单晶体。（均为4价元素）
（5）齐纳击穿：由高浓度掺杂材料制成的PN结中耗尽区宽度很窄，即使反向电
压不高也容易在很窄的耗尽区中形成很强的电场，将 价电子直接从共价键中拉出 来产生电子-空穴对，致使反向电流急剧增加，这种击穿称为齐纳击穿。
§1 .2 二极管的特性及主要参数 一、 半导体二极管的结构和类型
构成：PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管(Diode) 符号：阳极（正极） 阴极（负极） 分类： 1.根据材料 硅二极管、锗二极管 2.根据结构 点接触型、面接触型、平面型 1．二极管的结构和符号
1.PN结（PN Junction）的形成
电子电流 空穴电流
P区和N区交界面处形成的区域称为PN结。
形成原因主要有以下三个：
(1)载流子的浓度差引起多子的扩散
扩散运动是浓度差决定的自
(2)复合使交界面形成空间电荷区 (耗尽层) 然现象；漂移运动则是电场
(3)扩散和漂移达到动态平衡
作用下产生的。
2.PN结的单向导电性
b.当外加正向电压大于Uth后，PN结的内电场大为削弱，二极管的 电流随外加电压增加而显著增大，电流与外加电压呈指数关系.
导通电压:
正向压降: 硅管约为0.6～0.8V; 锗管约为0.1～0.3V; 用UD(ｏn)表示。
uD＜UD(ｏn)时：iD很小，二极管截止；
工程上一般取：硅管UD(ｏn)=0.7V， 锗管UD(ｏn)=0.2V。
（1）正向偏置：P区接高电位，N区接低电位，简称PN结正偏。 PN结正偏:外电场使多子向PN结移动，中和部分离子使空间电荷区变窄。扩 散运动加强形成正向电流IF。IF=I多子-I少子≈I多子 PN结处于导通状态且呈 低阻特性。
（2）反向偏置： P区接低电位，N区接高电位，简称PN结反偏。 PN结反偏：外电场使多子子背离PN结移动，空间电荷区变宽。漂移运动加
q: 为电子电量 ，
当 : T＝ 300k （ t=27c 0 )时 ： U T ? 26 mV 。
3.二极管的伏安特性
（1）正向特性：
a.当外加正向电压小于Uth时，外电场不 足以克服PN结的内电场对多子扩散运动造 成的阻力，正向电流几乎为零，二极管呈 现为一个大电阻，好像有一个门坎，因此 将电压Uth称为门槛电压(又称死区电压)。 在室温下硅管Uth≈0.5V，锗管Uth≈0.1V。