模拟电子期末复习题 答案
模拟电路期末复习试卷及答案(十套)
模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。
2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。
3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。
5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。
6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V；若ui1=1500µV, ui2=500µV，则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。
8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。
10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE的变化情况为（）。
A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加，uBE减小C．β和uBE 减小，ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。
(完整版)模电期末试题及答案-模拟电子技术
(完整版)模电期末试题及答案-模拟电子技术-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1《模拟电子技术基础》试卷及参考答案1、在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价2、稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿3、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏4、（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小5、U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。
A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定7、选用差分放大电路的原因是。
A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放大倍数8、差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的，共模信号是两个输入端信号的。
A.差B.和C.平均值9、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e，将使电路的。
A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大10、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。
A．输入电阻增大 B．输出量增大C．净输入量增大 D．净输入量减小11、交流负反馈是指。
A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈B．只有放大交流信号时才有的负反馈C．在交流通路中的负反馈12、功率放大电路的转换效率是指。
A．输出功率与晶体管所消耗的功率之比B．最大输出功率与电源提供的平均功率之比C．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比13、整流的目的是。
A. 将交流变为直流B. 将高频变为低频C. 将正弦波变为方波14、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。
A. 基准电压B. 采样电压C. 基准电压与采样电压之差15、开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是。
模拟电子技术期末复习题及答案
《电子技术基础2》复习题一、判断题（本大题共10个小题，每小题2分，共20分）1、N型半导体的多数载流子是空穴。
（）2、P型半导体的多数载流子是空穴。
（）3、负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量相同。
（）4、运算电路中一般引入负反馈。
（）5、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。
（）6、在放大电路中引入正反馈，主要目的是改善放大电路的性能。
（）7、在放大电路中引入负反馈，主要目的是改善放大电路的性能。
（）8、若放大电路的放大倍数为零，则引入的反馈一定是负反馈。
（）9、在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
（）10、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立。
（）11、阻容耦合多级放大电路只能放大交流信号。
（）12、直接耦合可以放大缓慢变化的信号。
（）13、只有电路既放大电流又放大电压，才算其有放大作用。
（）14、共发射极放大电路输出与输入反相。
（）15、共基极放大电路输出与输入反相。
（）16、共集电极放大电路输出与输入反相。
（）17、只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。
（）18、在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
（）19、在运算电路中，集成运放的输入端均可采用虚短和虚断。
（）20、运放的共模抑制比K CMR越大越好。
（）21、运放的共模抑制比K CMR越小越好。
（）22、运放的共模放大倍数越小越好。
（）23、运放的差模放大倍数越小越好。
（）24、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
（）25、当输入电压U I和负载电流I L变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。
（）26、直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换成直流能量。
（）27、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。
（）28、半波整流输出电压平均值是全波整流的一半。
（）29、用于滤波的电容通常串联连接。
模拟电子技术期末复习试题及答案
《模拟电子技术》期末复习试题及参考答案一、填空题（每空1分，共32分）1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。
2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。
3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。
4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。
5、场效应管的漏极电流I D=( ),所以它是（）控制文件。
6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。
7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（）负反馈。
为了稳定输出电流，采用（）负反馈。
8、负反馈使放大电路增益（），但（）增益稳定性。
9、（）称为负反馈深度，其中F=( ),称为（）。
10、差模信号是大小（），极性（），差分电路不抑制（）漂移。
11、甲乙类互补功率放大器，可以消除（）类互补功率（）失真。
12、用低频信号去改变高频信号的（）称为调幅，高频信号称为（）信号。
13、当频率升高时，晶体管电流放大系数（）共基极电路比共射极电路的高频特性（），fδ=（）fβ14、振荡电路的平衡条件是（），正反馈才能保证振荡电路的（）。
15半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。
二、选择题（每空2分，共30分）1、三端集成稳压器CW7906的输出电压是（）A -6VB -9vC -12v2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）型。
A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和B 截止C交越D频率4、差分放大电路是为了（）而设置的。
A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。
0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。
烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。
0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。
击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。
模拟电子技术期末试卷及答案5套
学院 202 -202 学年第 学期《模拟电子技术》试卷（A 卷 专业 级）考试方式： 闭卷 本试卷考试分数占学生总评成绩的 60 %（本题共5小题，每小题4分，共 20 分）一、填空题 1.多级放大电路常见的三种耦合方式中，若要求各级静态工作点互不影响，可选用 耦合方式；若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号，可选用耦合方式；若要求能实现阻抗变换，使负载与输出级阻抗相匹配，可选用 耦合方式。
2. 某放大电路中，晶体管三个电极的电流测出分别为：I 1=1.2mA 、I 2=0.03mA 、I1=1.23mA 。
由此可知：电极1是 极，电极2是 极，电极3是极。
若已知I 1电流方向流入晶体管，则I 2电流方向与I 1电流方向 、I 3电流方向与I1电流方向 。
3. 硅二极管导通压降的典型值是 V 、锗二极管导通压降的典型值是 V ；NPN 型管的集电极电流和基极电流 晶体管；PNP 型管的集电极电流和基极电流 晶体管。
4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同，其中饱和失真和截止失真属于 失真；幅频失真和相频失真属于 失真。
5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小，称为 反馈；若反馈量使放大电路的净输入量增大，称为 反馈。
放大电路通常采取 反馈。
6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是 元件；串联型直流稳压电路的调整管正常工作在 状态；开关型直流稳压电路的调整管正常工作在 状态。
（本题共10小题，每小题1分，共10分）二、 判断正、误题 1. 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） 2. PN 结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。
（ ） 3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时，才能称为具有放大作用。
（ ） 4. 发光二极管正常工作在正向导通区，其导通压降为0.7V 。
（ ）5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管，复合管的类型取决于第一个管子的类型。
模拟电子电路复习题及答案
模拟电子电路--2022年第二学期期末考试复习题1、放大电路的直流负载线和交流负载线的概念有何不同？什么情况下两条负载线重合？答案：答：直流负载线：由直流通路确定，其斜率等于-1/Rc的一条直线。
交流负载线：由交流通路确定，其斜率等于的一条直线。
由于，故交流负载线的斜率大于直流负载线的斜率。
当负载RL断路时，交流负载线与直流负载线重合。
2、能否用两个二极管背靠背地连接构成一个BJT？答案：答：不能，因为BJT除了由两个背靠背PN结构成外，还需满足三个内部条件。
3、P型半导体空穴是多数载流子，故带正电。
答案：正确4、硅晶体二极管的导通电压为0．7V。
答案：正确5、在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
答案：正确6、因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
答案：错误7、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
答案：正确8、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
答案：错误9、由于三极管包含2个PN结，可采用2只二极管背靠背连接构成1只三极管。
答案：错误10、三极管在电路中有3种接法，分别为：共发射极、共集电极、共基极接法答案：正确11、放大电路中接有一个三极管，不知其型号，测出它的三个管脚的电位分别是10.5V、6V、6.7V，则三极管是NPN锗管。
答案：错误12、射极输出器也就是共发射极放大电路，电压放大倍数通常可以达到几十到几百。
答案：错误13、组合逻辑电路的输出只取决于输入信号的现态。
答案：正确14、无关项对最终的逻辑结果无影响，因此可任意视为0或1。
答案：正确15、已知逻辑功能，求解逻辑表达式的过程称为逻辑电路的设计。
答案：错误16、若集成运放在使用时不接负反馈，则电路中的电压增益称为开环电压增益。
答案：错误17、只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。
18、可以说任何放大电路都有功率放大作用。
答案：正确19、放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。
模拟电子技术期末试题.
第四章 集成运算放大电路自 测 题一、选择合适答案填入空内。
（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为 C 。
A ．可获得很大的放大倍数B . 可使温漂小C ．集成工艺难于制造大容量电容（2）通用型集成运放适用于放大 B 。
A ．高频信号B . 低频信号C . 任何频率信号（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的 C 。
A . 指标参数准确B . 参数不受温度影响C ．参数一致性好（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 A 。
A ．减小温漂B . 增大放大倍数C . 提高输入电阻（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 A 。
A ．共射放大电路B . 共集放大电路C ．共基放大电路解：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A二、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。
（1）运放的输入失调电压U I O 是两输入端电位之差。
(×)（2）运放的输入失调电流I I O 是两端电流之差。
(√)（3）运放的共模抑制比cd CMR A A K (√) （4）有源负载可以增大放大电路的输出电流。
(√)（5）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
(× )习题4.1 通用型集成运放一般由几部分电路组成，每一部分常采用哪种基本电路？通常对每一部分性能的要求分别是什么？解：通用型集成运放由输入级、中间级、输出级和偏置电路等四个部分组成。
通常，输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路，输出级为互补电路，偏置电路为电流源电路。
对输入级的要求：输入电阻大，温漂小，放大倍数尽可能大。
对中间级的要求：放大倍数大，一切措施几乎都是为了增大放大倍数。
对输出级的要求：带负载能力强，最大不失真输出电压尽可能大。
对偏置电路的要求：提供的静态电流稳定。
第五章放大电路的频率响应自测题一、选择正确答案填入空内。
（1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 A 。
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一、判断题，对的画√，错的画×。
（10小题，每小题1分，共10分）（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（√）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（× ）（3）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（× ）（4）晶体管的输入电阻r be 是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。
（ × ）（5）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（× ）（6）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ √ ）（7）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（ √ ）（8）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（× ）（9）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（× ）（10）在输入量不变的情况下，若引入反馈后净输入量增小，则说明引入的反馈是负反馈。
（√ ）（11）一般情况下，在电压比较器中，集成运放不是工作在开环状态，就是仅仅引入了正反馈。
（√ ）（12）阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，(√ )它只能放大交流信号。
( √ )（13）直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响，( √ )它只能放大直流信号。
( × )（14）差分放大电路的差模信号是两个输入端信号之差，共模信号是两个输入端信号之和。
（ ×）（15）运放的共模抑制比cd CMR A A K ( √) （16）若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
（× ）（17）负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。
（×）（18）若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。
（× ）（19）运算电路中一般均引入负反馈。
（√ ）（20）在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
（× ）（21）凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（√ ）（22）各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。
（× ）（23）只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。
（ × ）（24）凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。
（ × ）（25）功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
（ √ ）（26）功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是1）都使输出电压大于输入电压；（× ）2）都使输出电流大于输入电流；（× ）3）都使输出功率大于信号源提供的输入功率。
（√）（27）功率放大电路与电压放大电路的区别是1）前者比后者电源电压高；（×）2）前者比后者电压放大倍数数值大；（×）3）前者比后者效率高；（√）4）在电源电压相同的情况下，前者比后者的最大不失真输出电压大；（√）（28）功率放大电路与电流放大电路的区别是1）前者比后者电流放大倍数大；（×）2）前者比后者效率高；（√）3）在电源电压相同的情况下，前者比后者的输出功率大。
（√）(29)直流稳压电源中整流的目的是将交流变为直流。
（√）(30)直流稳压电源中滤波电路的目的是将交、直流混合量中的交流成分滤掉。
（√）二、选择题（15小题，每小题2分，共30分）1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（C）。
A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷2、本征半导体电子浓度（ C ）空穴浓度；N型半导体的电子浓度（ A ）空穴浓度；P型半导体的电子浓度（ B ）空穴浓度。
A.大于B.小于C.等于3、二极管的最主要特性是（ A ），它的两个主要参数是反映正向特性的（ B ）和反映反向特性的（ C ）。
a：单向导电性； b：平均整流电流；c：反向工作电压。
4、在如图所示非理想二极管电路中，当电源E=5V时，测得I=1mA。
若把电源电压调整到E=10V，则电流的大小将是（ C ）。
A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.不能确定5、在如图示非理想二极管电路中，当电源E=5V，温度T=20℃时，测得U D=0.67V。
若电源电压不变，温度T上升到40℃时，则二极管两端电压U D大小将是（ B ）。
A. U D=0.67VB. U D<0.67VC. U D>0.67VD.不能确定6、整流电路主要是利用 A 实现。
A．二极管B．过零比较器C．滤波器7、二极管的主要特性是（C ）。
A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性 8、设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 C 。
A.I S e UB. I S e U/UTC. I S （e U/UT －1） 9、稳压管构成的稳压电路，其接法是（ C ）。
a:稳压二极管与负载电阻串联 b:稳压二极管与负载电阻并联。
C:限流电阻与稳压二极管串联后,负载电阻再与稳压二极管并联10、晶体管工作在放大区时，b-e 极间电压应 A 。
A ．正向偏置B ．反向偏置C ．零偏置11、晶体三极管的电流是由 C 组成。
A.多子B.少子 C ．多子和少子两种载流子12、在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。
A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管13、场效应管是通过改变 B 来改变漏极电流的。
A ．栅极电流B ．栅源电压C ．漏源电压14、场效应管属于（ A ）控制型器件，晶体三极管则属于（ B ）控制器件。
a ：电压； b ：电流； c ：电感； d ：电容。
15、下列对场效应管的描述中，不正确的是 [ C ]A 场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点；B 场效应管的两种主要类型是MOSFET 和JFET ；C 场效应管工作时多子、少子均参与导电；D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。
16、在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的 [ C ]A.可变电阻区B.截止区C.饱和区D.击穿区17、晶体三极管工作在放大状态时，应使发射结（A ）偏置；集电结（ B ）偏置。
a ：正向；b ：反向；c ：零向；d ：随便。
18、一晶体管的极限参数：P CM =150mW ，I CM =100mA ，U （BR ）CEO =30V 。
若它的工作电压U CE =10V ，则工作电流I C 不得超过（ A ）mA ；若工作电压U CE==1V ，则工作电流I c 不得超过（ B ）mA ；若工作电流I c =1mA ，则工作电压U CE 不得超过（ C ）V 。
a ：15；b ：100；c ： 30；d ： 150。
19、如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（A ）。
A ．1500 B.80 C.50 D.3020、稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A)。
a．正向导通区b．反向截止区c．反向击穿区21、在三种基本放大电路中，输出电阻最小的放大电路是（C ）。
A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定22、在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是（C）。
A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定23、在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是（A）。
A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真24、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（B ）。
A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适25、当输入信号频率为放大电路的截止频率f L或f H时，放大倍数的幅值约下降为中频时的（A）。
A.0.7倍B.0.5倍C.0.9倍D.0.1倍26、若三级放大电路的A V1=A V2=20dB,A V3=30 dB，则其总电压增益为（C ）。
A. 50dBB. 60dBC. 70dBD. 12000dB27、直接耦合多级放大电路能放大 C 。
A.直流信号B．交流信号C．交、直流信号28、当集成运放处于A 状态时，可运用“虚短”和“虚断”的概念。
A．深度负反馈B．开环C．闭环29、具有发射极电阻Re 的典型差动放大电路中，适当增大Re的电阻值，则 A 。
A.抑制零点漂移的效果将会更好B.抑制零点漂移的效果将会更差C.对抑制零点漂移无影响30、对于放大电路，所谓开环是指 B 。
A．无信号源B．无反馈通路C．无负载31、直接耦合放大电路产生零点漂移的最主要原因是 A 。
A.温度的变化B.电源电压的波动C.电路元件参数的变化32、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 A 。
A.共射放大电路B.共集放大电路C．共基放大电路33、共模抑制比KCMR是（ C ）之比。
a：差模输入信号与共模成分b：输出量中差模成分与共模成分c：差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值）34、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（ A ）电路。
a：差放；b：正弦；c：数字35、在下列描述中错误的是[ D ]A 级联放大器的带宽比各级放大器带宽小B 负反馈的引入可以起到展宽放大器频带的作用C 集成运算放大器电路中广泛采用了以电流源为负载的放大器结构D 理想运放在线性与非线性工作区均有虚断、虚短两个重要特性36、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（C ）。
A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大37、为了减小温漂，通用型集成运放的输入级多采用[ C ]A.共射电路B.共集电路C.差动放大电路D.OCL电路38、集成运算放大器在电路结构上放大级之间通常采用[ C ]A．阻容耦合 B.变压器耦合 C.直接耦合 D.光电耦合39、集成运算放大器输入级通常采用[ C ]A．共射放大电路 B.OCL互补对称电路C.差分放大电路D.偏置电路为[ D ] 40、理想运放的开环差模增益AOdA. 0B. 1C. 105D. ∞41、在深度负反馈放大电路中，若反馈系数F增加一倍，闭环增益A F将（C ）。
A. 基本不变B. 增加一倍C. 减小一倍D. 不能确定42、并联反馈的反馈量以（C ）形式馈入输入回路，和输入（B）相比较而产生净输入量。
a:电压b:电流c:电压或电流43、电压负反馈可稳定输出（ A ），串联负反馈可使（ C ）提高。
a：电压 b：电流 c：输入电阻 d：输出电阻44、要得到一个由电流控制的电流源应选用[ D ]A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈45、要得到一个由电压控制的电流源应选用[ B ]A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈46、在交流负反馈的四种组态中，要求互导增益A iuf= I O/U i稳定应选[ C ]A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈47、在交流负反馈的四种组态中，要求互阻增益A uif=U O/I i稳定应选[ B ]A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈48、在交流负反馈的四种组态中，要求电流增益A iif=I O/I i稳定应选[ D ]A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈49、放大电路引入交流负反馈后将[ D ]A.提高输入电阻B.减小输出电阻C.提高放大倍数D.提高放大倍数的稳定性50、放大电路引入直流负反馈后将[ D ]A.改变输入、输出电阻B.展宽频带C.减小放大倍数D.稳定静态工作点51、在深度负反馈放大电路中，若开环放大倍数A增加一倍，则闭环增益A f将A. 基本不变B. 增加一倍[ A ]C. 减小一倍D. 不能确定52、在深度负反馈放大电路中，若反馈系数F增加一倍，闭环增益A f将[ C ]A. 基本不变B.增加一倍C. 减小一倍D. 不能确定53、负反馈放大电路产生自激振荡的条件是[ B ]A.AF=1B.AF=-1C.|AF|=1D. AF=054、电路接成正反馈时，产生正弦波振荡的条件是[ A]A. AF=1B. AF=-1C. |AF|=1D. AF=055、正弦波振荡器的振荡频率由（C ）而定。