化学机械抛光
化学机械抛光工艺流程
化学机械抛光工艺流程化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）是一种制备超平整表面的精细加工技术，被广泛应用于半导体、光电子、光纤通信、微电子封装和显示技术等领域。
下面将介绍一下化学机械抛光的工艺流程。
首先，需要准备抛光液和抛光机。
抛光液通常由硅酸（SiO2）或氧化铝（Al2O3）等颗粒状材料、腐蚀剂和缓冲剂组成。
抛光机一般分为两个部分，一个是支撑基材的载板，另一个是旋转的抛光头。
在开始抛光之前，需要将待抛光的基材进行精细清洗，去除表面的杂质和氧化物，以确保基材的纯净度和平整度。
接下来，将基材放置在载板上，并通过真空吸附固定。
然后，将抛光头轻轻放置在基材表面，并打开抛光液的进料。
抛光液会沿着抛光头的旋转轴向流动，并带动杂质和氧化物颗粒随之旋转。
抛光头的旋转强制使颗粒和基材之间产生磨擦，而抛光液中的腐蚀剂则能够快速腐蚀基材表面的氧化物，从而实现表面的去除和平滑化。
在抛光过程中，需要控制好抛光液的流速和温度，以及抛光头的旋转速度和压力。
这些参数的调整能够影响抛光效果和加工速度。
抛光过程一般分为粗抛和精抛两个步骤。
在粗抛阶段，抛光头的旋转速度较快，压力较大，用于快速去除基材表面的氧化物和杂质。
而在精抛阶段，旋转速度和压力会逐渐减小，以达到更高的平整度和光洁度。
抛光时间一般需要根据具体的材料和抛光要求来确定，通常在几分钟到几小时之间。
当达到要求的抛光时间后，关闭抛光液的进料，将抛光头离开基材表面，然后进行清洗。
清洗的目的是将抛光液中的残留物和产生的废料去除，以保持抛光后的表面干净。
最后，需要对抛光后的基材进行表面检测和测量，以确保达到指定的平整度和光洁度要求。
这可以使用光学显微镜、原子力显微镜等设备进行。
综上所述，化学机械抛光工艺流程主要包括基材清洗、固定、抛光液进料、抛光、清洗和表面检测等步骤。
通过合理的参数控制和操作技术，可以得到平整度高、光洁度好的超平整表面。
机械抛光、化学抛光和电解抛光的定义及优缺点
机械抛光、化学抛光和电解抛光的定义及优缺点机械抛光定义机械抛光是靠切削或使材料表面发生塑性变形而去掉工件表面凸出部得到平滑面的抛光方法，一般使用油石条、羊毛轮、砂纸等，以手工操作为主，表面质量要求高的可采用超精研抛的方法。
机械抛光是模具抛光的主要方法。
优缺点机械抛光缺点是劳动强度大，污染严重，而且复杂零件无法加工，而且其光泽不能一致,光泽保持时间不长，发闷、生锈。
其优点是加工后零件的整平性好，光亮度高。
化学抛光定义化学抛光是靠化学试剂的化学浸蚀作用对样品表面凹凸不平区域的选择性溶解作用消除磨痕、浸蚀整平的一种方法。
化学抛光可作为电镀预处理工序，也可在抛光后辅助以必要的防护措施直接使用。
优缺点化学抛光缺点是光亮度差,有气体溢出，需要通风设备，加温困难。
抛光液容易失效，溶液消耗快。
抛光结果不是太佳，试样的棱角易受蚀损，抛光面易出现微小波纹起伏，高倍观察时受到影响。
其优点是加工设备投资少,复杂件能抛,速度快,效率高,防腐性好。
电解抛光定义以金属工件为阳极，在适宜的电解液中进行电解，有选择地除去其粗糙面，提高表面光洁程度的技术，又称电解抛光。
电抛光可增加不锈钢的耐腐蚀性，减少电气接触点的电阻，制备金相磨片，提高照明灯具的反光性能，提高各种量具的精度，美化金属日用品和工艺品等，适用于钢铁、铝、铜、镍及各种合金的抛光。
优缺点其缺点是1：电解抛光的质量与电解液以及电流与电压的规范有关。
要摸索不同的抛光参数，而影响电解抛光的参数较多，不易找到正确的电解抛光参数。
2：对于铸铁及夹杂物等试样，较难获得良好的结果。
3：电解液组成复杂，使用时需要注意安全操作。
其优点是1：内外色泽一致，光泽持久光无法抛到的凹处平。
2：生产效率高，成本。
可大批量制备样品3：增加工件表面抗腐蚀性，可适用于所有不锈钢材质。
cmp化学机械抛光用途
cmp化学机械抛光用途
CMP（化学机械抛光）技术是一种用于半导体制造和微电子工艺中的表面平整化处理方法。
它结合了化学腐蚀和机械磨削的作用，能够在纳米级别上实现材料表面的平整度。
CMP技术在以下几个方面有广泛的应用：
1.硅片制造：在硅片制造过程中，CMP技术用于去除硅片表面的杂质和凸凹，以获得平整的表面。
这一过程对于后续的集成电路制造和封装至关重要。
2.集成电路制造：在IC制造过程中，CMP技术被用于氧化扩散、化学气相沉积、溅镀和保护层沉积等环节。
它能够有效地去除薄膜层之间的杂质和不平整度，提高芯片的性能和可靠性。
3.先进封装：CMP技术在先进封装领域也有广泛的应用，如倒装芯片封装、三维封装等。
通过CMP技术，可以实现高平整度的封装表面，提高封装效率和可靠性。
4.测试与分析：在半导体器件的测试和分析过程中，CMP技术可以用于制备样品表面，以获得精确的测试结果。
5.其他领域：CMP技术还应用于光电子器件、太阳能电池、发光二极管等领域。
在这些领域，CMP技术可以提高器件的性能和可靠性，降低生产成本。
总之，CMP技术在半导体和微电子行业中发挥着重要作用，为高性能集成电路和高品质封装提供了关键的表面处理手段。
随
着半导体技术的不断发展，CMP技术在我国的研究和应用将越来越广泛。
化学机械抛光
化学机械抛光引言化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）是一种常用的表面加工技术，广泛应用于半导体、光学器件、陶瓷材料等领域。
该技术在提高光学器件的光学质量、陶瓷材料的平整度等方面起着关键作用。
本文将详细介绍化学机械抛光的原理、工艺流程以及应用领域。
原理化学机械抛光是一种结合了化学溶解与机械研磨的表面处理技术。
其原理可以归纳为以下几点：1.软、硬材料同步处理：化学机械抛光同时采用了化学反应和机械研磨两种方式，使得对软硬材料的处理更为全面。
化学反应可以有效溶解硬质材料，而机械研磨则可平整软质材料表面。
2.二元作用：化学机械抛光通过浸泡在化学溶剂中的研磨材料，产生摩擦和化学反应，将被抛光表面的材料溶解并磨平。
这种二元作用的机制有效提高了抛光速度和抛光质量。
3.光化学效应：化学机械抛光中常用的化学溶剂中添加了光敏剂，通过光化学效应来控制抛光过程。
光敏剂吸收特定波长的光能，产生电化学反应，进一步加强抛光效果。
工艺流程化学机械抛光的工艺流程通常包括以下几个步骤：1.清洗：将待抛光的材料表面进行清洗，去除附着物、油脂等杂质，为后续的抛光工艺做好准备。
2.研磨：采用机械研磨设备对待抛光表面进行初步磨削，消除表面凹凸不平。
3.化学溶解：将待抛光材料浸泡在特定的化学溶剂中，使化学反应发生，将材料表面的硬质材料溶解掉。
同时，该步骤中的光敏剂也会发挥作用。
4.机械研磨：在化学溶解后，继续使用机械研磨设备对材料表面进行慢速旋转，进一步磨削，使表面更加平整。
5.清洗：将抛光后的材料进行彻底清洗，去除化学溶剂残留和研磨材料等杂质。
应用领域化学机械抛光广泛应用于以下领域：1.半导体制造：在半导体制造中，化学机械抛光被用于平坦化晶圆表面，以提高晶圆的质量和表面光滑度。
它可以去除表面缺陷，提高晶圆的效率和可靠性。
2.光学器件制造：光学器件在制造过程中往往需要高度平整的表面。
化学机械抛光可以消除光学器件表面的微观划痕和凹凸不平，提高光学器件的透光性和抗反射性。
cmp 磨料 指标
CMP（化学机械抛光）的磨料指标主要包括以下几个方面：
1. 化学成分：CMP抛光液中包含去离子水、磨料、pH值调节剂、氧化剂、抑制剂和表面活性剂等化学成分。
这些成分的种类和比例对于抛光效果至关重要。
2. 磨料：磨料是CMP抛光液中的重要组成部分，一般包括纳米级SiO2、Al2O3粒子等。
磨料的粒度、形状和分布对抛光速率、表面粗糙度和抛光均匀性都有显着影响。
3. 质量分数：即磨料在CMP抛光液中的比例，是衡量磨料含量的一项重要指标。
4. 粒径：磨料的粒径大小直接影响到抛光速率和表面粗糙度。
较小的粒径可以获得更光滑的表面，但同时也需要更多的抛光液和更长的抛光时间。
5. 分散度：指磨料在CMP抛光液中的分散程度。
良好的分散度可以提高抛光效率和表面质量。
6. 形貌：磨料的形状和结构也会影响其抛光效果。
不同形貌的磨料可能在不同的抛光条件下表现出不同的优势。
这些指标对于CMP抛光液的性能至关重要，因此需要密切关注并控制这些指标，以确保获得最佳的抛光效果。
简述化学机械抛光的优点
简述化学机械抛光的优点
化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）是一种结合了化学反应和机械研磨的平坦化技术，常用于集成电路制造过程中。
它具有以下优点：
1. 全局平坦化：CMP 可以实现全局平坦化，使整个硅片表面具有高度的平整度。
这对于制造集成电路至关重要，因为高度平坦的表面可以提高芯片的性能和可靠性。
2. 高精度：CMP 能够提供高精度的表面处理，可以控制材料去除的速率和深度，从而实现对硅片表面的精确平坦化。
这有助于满足集成电路制造中对特征尺寸和形貌的严格要求。
3. 去除速率高：CMP 具有较高的材料去除速率，可以快速地去除硅片表面的多余材料。
这有助于提高生产效率和降低制造成本。
4. 良好的选择性：CMP 可以实现对不同材料的选择性去除，例如可以去除硅、氧化硅、金属等材料，而同时保留其他材料。
这使得 CMP 在多层结构制造中具有重要应用。
5. 可重复性：CMP 过程具有良好的可重复性，可以在不同批次和不同硅片上获得一致的平坦化效果。
这有助于确保芯片的质量和一致性。
6. 适应性强：CMP 技术可以适应不同尺寸和形状的硅片，包括 200mm、300mm 甚至更大尺寸的硅片。
这使得 CMP 在大规模集成电路制造中具有广泛的应用。
综上所述，化学机械抛光具有全局平坦化、高精度、去除速率高、良好的选择性、可重复性和适应性强等优点。
这些优点使得 CMP 成为集成电路制造中不可或缺的关键技术之一。
集成电路工艺第九章化学机械抛光
CMP工艺可用于制造高精度光学元件和掩膜板，提高光刻工艺的精度和效率。
高精度表面处理
CMP技术可有效去除芯片制造过程中的结构材料，提高芯片制造效率和成品率。
结构材料去除
化学机械抛光在芯片制造中的应用
化学机械抛光在封装测试中的应用
封装基板处理
CMP工艺可用于封装基板表面的处理，提高封装质量和可靠性。
发布时间
《化学机械抛光液》标准发布时间为2010年，《化学机械抛光设备》标准发布时间为2012年，《化学机械抛光工艺质量要求》标准发布时间为2015年。
适用范围
《化学机械抛光液》标准适用于集成电路制造、光学元件加工等领域用化学机械抛光液的质量要求
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在介质平坦化中，CMP可以去除介质层表面的凸起，实现介质层的高度平滑。
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化学机械抛光历史
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CMP技术自20世纪80年代问世以来，经历了从发明到商业化应用的发展过程。
最初的CMP技术主要应用于磁盘驱动器的制造中，后来被引入到集成电路制造中，成为后道工艺中的关键技术之一。
随着CMP技术的不断改进和应用领域的扩大，它已经成为微电子制造中的重要支柱之一。
应用领域
化学机械抛光技术被广泛应用于集成电路制造、光学元件加工、医疗器械制造等领域。在集成电路制造领域，化学机械抛光技术已成为制备高质量表面的关键技术之一。
展望
未来，化学机械抛光技术将继续发挥重要作用，同时，随着新型材料的不断涌现，该技术将不断得到改进和完善，应用领域也将越来越广泛。
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集成电路工艺第九章化学机械抛光
常用的几种抛光方法
常用的几种抛光方法抛光是一种常见的表面处理方法，可以使物体的表面更加光滑、亮丽，并去除一些表面的瑕疵。
在工业领域中，抛光被广泛应用于金属制品、塑料制品、陶瓷制品等。
下面是几种常用的抛光方法。
1.机械抛光法：机械抛光法通常使用抛光机或砂带机进行操作。
首先，使用砂纸、砂带等磨料对工件表面进行磨削，然后使用抛光垫或者抛光毡覆盖在研磨盘上，与工件相接触，通过旋转研磨盘，产生摩擦力，去除表面的瑕疵，使其变得光滑。
2.化学抛光法：化学抛光法是通过化学药品对工件表面进行处理，使其表面更加光滑。
这种方法通常适用于金属材料，通过在酸性、碱性溶液中将工件浸泡一段时间，溶液中的化学物质可以与工件表面的杂质进行反应，去除其表面缺陷。
3.电化学抛光法：电化学抛光法是利用电化学原理，在电解液的作用下，将金属离子从阴极释放出来，与阳极上的工件表面反应，通过电流和溶液中的化学物质的作用，使工件表面变得光滑。
这种方法可以应用于金属材料，如不锈钢、铜等。
4.纤维抛光法：纤维抛光法是一种利用聚合物纤维进行抛光的方法。
聚合物纤维具有较好的磨削和抛光性能，可以将杂质从工件表面去除，并使其表面变得光滑。
这种方法适用于塑料制品、木制品等材料的抛光。
5.磁研磨抛光法：磁研磨抛光法利用磁场的作用，在磁性研磨颗粒的作用下，对工件表面进行抛光。
通过调节磁场强度和研磨颗粒的大小，可以控制抛光的效果。
这种方法适用于金属材料，如铁、铝等。
6.激光抛光法：激光抛光法是一种将激光束直接照射到工件表面的方法。
激光束的高能量可以熔化或蒸发表面的材料，从而使表面变得光滑。
这种方法适用于金属材料、陶瓷材料等的抛光。
以上是几种常用的抛光方法，它们各有各的特点和适用范围。
在实际应用中，根据不同的材料和要求，可以选择合适的抛光方法来进行表面处理，以达到理想的抛光效果。
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２００５０４００９ 检测化学机械抛光工艺终点的方法（英 文）． ＵＳ Ｐ ａ ｔ，６８７２６６２ Ｂ１（２００５－ ０３－ ２９）
这是一种采用抛光板的温度梯度的变化来检测 化学机械抛光工艺终点的方法。该方法是将抛光板温 度 的 测 量 、标 准 大 气 压 和 数 字 分 析 相 结 合 ，来 描 绘 温 度梯度和抛光时间的关系曲线。ＣＭＰ 的终点是通过 曲线斜率的变化来检测的，该方法可以允许在线检测 抛光终点而不用停止抛光过程。
从废液中去除。同时有机和无机污染物通过光催化剂 上；一个第一抛光终点检测器，通过温度传感器的温
的光解作用分解，使得废液在环保标准范围内排放。 度变化来检测抛光终点，至少有一个温度传感器来检
测 抛 光 区 域（ 薄 板 ，抛 光 板 和 抛 光 液 ）的 温 度 ；第 二 个
２００５０４０１１ 化学机械抛光后从硅片上去除氧化硅皮 抛光终点检测器，它通过负荷电流，电压和载荷驱动
０２－ １７）
化 学 机 械 抛 光 的 水 分 散 体 包 括 ：（Ａ） 磨 粒 成 分 ；
化学机械抛光
（Ｂ） 一 种 至 少 是 喹 啉 羧 酸 或 吡 啶 羧 酸 的 成 分 ；（Ｃ）除 喹 啉 羧 酸 和 吡 啶 羧 酸 以 外 的 有 机 酸 ；（Ｄ） 一 种 氧 化
２００５０４００１集成电路上的铜层和 Ｔａ Ｎ 层的化学机械 抛 光 浆 料（朝 鲜 语）． ＫＲ Ｐ ａ ｔ，２００３０９２６０５ Ａ （２００３ － １２－ ０６）
这是一种晶片化学机械抛光前，能够预调节抛光 板的化学机械抛光设备和方法。该设备包括一个安装 有合适坯料的前调节支架。使用时，坯料压在旋转的 抛光板的抛光表面上，经过一定时间通过摩擦来增加 抛光表面的温度。这种前调节抛光板使得随后在该抛 光设备上抛光的半导体晶片的抛光率均匀。
６０ ２００５年第 ４ 期·第 ５ 卷 总第 ２３ 期
该化学机械抛光设备包括：一种由电动机带动旋
方法基本包括以下步骤：在含有铜离子和有机污染物 转的抛光台，上面有一个抛光扳；在抛光台上面安装
的废液中加入光催化剂颗粒，用紫外光或太阳光照射 一个通过驱动电机驱动的载荷头，在其底部安有一个
废液使得铜离子沉积在光催化颗粒表面。这样，铜离子 薄板；一个抛光液输送器可以将抛光液送到抛光台
２００５０４０１７ 用电解和化学机械抛光方法在硅片的校 正标志上去除沉积物的方法和仪器（中文）． ＴＷ Ｐ ａ ｔ， ５８３３５０ Ｂ（２００４－ ０４－ １１）
这是一种用于电解带有校正标志的硅片上的金 属的电解装置，它包括：装有电解液的电解槽；两个电 极，一个连接电解槽，另一个接地；电极探针的一端连 接 其 中 的 一 个 电 极 ，另 一 端 与 电 解 槽 相 邻 ，并 且 与 作 为正极的硅片校正标志相连，以去除覆盖在校正标志 上的金属。
与方法。抛光浆料配方为：（ａ）一种液体介质，最好是 （２００５－ ０３－ ３１）
水 ；（ｂ）一 种 磨 料 ；（ｃ）纯 粘 土 和 任 意 一 种 添 加 剂 ，例 如
该抛光液包括粒径为 １００￣５００ μｍ 的粒子，７０％
（ｄ）化学促进剂或氧化剂；（ｅ）一种络合剂或偶联剂，该 以上的颗粒粒径为 ２１２￣４２５ μｍ 的颗粒。这种抛光液
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的金属、玻璃、陶瓷和（或）玻璃陶瓷颗粒，以防止这些 颗粒回到表面。同时介绍了采用上述浆料使 ＮｉＰ，玻 璃，陶瓷或玻璃陶瓷表面整平或抛光的方法。
集锦
２００５０４００４ 化学机械抛光的水分散体系以及化学机 械抛光方法（英文）． ＵＳ Ｐ ａ ｔ，２００５０３７６９３ Ａ１（２００５－
该抛光板包括：一种不溶于水的基体和分散在该
基四唑的任意一种抗氧化剂。鳌合剂最好是甘氨酸， 基体材料中的溶于水的颗粒，一个抛光面和与它相对
亚氨基二乙酸，氮川三乙酸及其盐类，而抛光剂可以 的非抛光面。并且从抛光面到非抛光面有一个光导区
是 Ａｌ２Ｏ３， ＳｉＯ２， ＺｒＯ２，ＣｅＯ２， ＴｉＯ２。
域。光导区域的非抛光表面的粗糙度为小于 １０ μｍ。
可以避免低 ｋ 抛光介质膜的分层与损伤。切变应力测量 １０￣５０００ ｍｇ／Ｌ 的三亚甲基磷酸。这种抛光液还可以
体系包括一个传感器磁盘和一个或多个负载单元。
选择含有一种 ｐＨ 值控制剂。
２００５０４０１３ 半导体晶片化学机械抛光板的预调节仪 器与方法 （英 文 ）．ＵＳ Ｐ ａ ｔ，２００５０５１２６６ Ａ１ （２００５－ ０３－ １０）
２００５０４０１４ 化学机械抛光的抛光板及其制造（日文）． Ｊ Ｐ Ｐ ａ ｔ，２００５０７４６１４ Ａ２（２００５－ ０３－ ２４）
这种表面经过显微加工的抛光垫是由以下方法 制 造 的 ：（１）显 微 成 型 方 法 ；（２）显 微 起 伏 成 型 法 ；（３） 用未固化树脂通过显微花纹筛板来印制抛光板衬底 以形成初加工产品，然后固化该产品。这种抛光板适 合于半导体，ＬＣＤ 玻璃，光学产品，硬盘和磁头生产 等。
器件的生产中去除抛光后晶片上的氧化硅皮。
该专利提供了一种金属层的化学机械抛光液。它
能够抑制 Ｈ２Ｏ２ 的水解，保持了 Ｈ２Ｏ２ 的组成浓度并且 ２００５０４０１２ 具有切变应力测量的化学机械抛光 （英 具有连续的抛光速度。该抛光液包括：去离子水，抛光
文）．ＵＳ Ｐ ａ ｔ，６８６９４９８ Ｂ１（２００５－ ０３－ ２２）
该专利介绍了一种能够去除铜的氧化层而不使 邻近的 ＴａＮ 层磨损的液体抛光浆料，该抛光浆料包
剂。其中成分（Ｂ）与成分（Ｃ）的质量比为 ０．０１￣２．００，而 ＮＨ３ 的成分浓度小于 ０．００５ ｍｏｌ／Ｌ。采用这种化学机械 抛光的液体分散系统，对不同的加工表面层都具有很 高的抛光效率，同时能够得到高精密度的整平抛光表 面。
个相邻碳原子分别连接的羟基的多元醇，强酸（如：硫 测抛光终点。
酸 ），０～９％ 质 量 分 数 的 憎 水 有 机 溶 剂 （如 ：甲 苯 ），含 水
量小于 ５％质量分数且不含金属离子。利用该试剂的 ２００５０４０１６ 化 学 机 械 抛 光 液 （ 朝 鲜 语 ）．ＫＲ Ｐ ａ ｔ，
方法亦属于本专利的权力要求范围，它适合在半导体 ２００３０８７２２７ Ａ（２００３－ １１－ １４）
这是一种用于集成电路的生产中去除金属，特别 是抛光贵金属表面的浆料。这种浆料由过碘酸、磨料 和一种缓冲剂体系组合形成，其 ｐＨ 值为 ４～８。
该专利介绍了计算机存储器磁盘的生产中用于 ２００５０４００８．含 有 固 态 过 硫 酸 盐 的 化 学 机 械 抛 光
整平或抛光 ＮｉＰ，玻璃，陶瓷 或 玻 璃 陶 瓷 表 面 的 配 方 （ＣＭＰ ） 抛 光 液 （ 日 文 ）．Ｊ Ｐ Ｐ ａ ｔ ２００５０８５８４１ Ａ２
剂 ，Ｈ２Ｏ２，柠 檬 酸 ，聚（丙 烯 酸 钾 ），硝 酸 亚 铁 ，水 解 缓 蚀
这是一种采用了切变应力测量系统的化学机械 剂。抛光剂可以从二氧化硅、氧化铝、氧化铈和二氧化
抛光体系。抛光参数（如：抛光压力）能够随着测定的切 钛中选择，抛光剂的加入量为抛光液总重量的 ３％～
变应力而调节。例如：增加压力可以避免打滑，降低压力 ２５％。 水 解 缓 蚀 剂 为 １０￣５ ０００ ｍｇ／Ｌ 的 磷 酸 或 者 是
２００机 械 抛 光 设 备 （ 英 文 ）．ＵＳ Ｐ ａ ｔ，
方法（英文）．ＵＳ Ｐ ａ ｔ，２００５０７２７４２ Ａ１（２００５－ ０４－ ０７） ２００５０４８８７５ Ａ１（２００５－ ０３－ ０３）
含铜的化学机械抛光（Ｃｕ－ＣＭＰ）废液的光化学处理
括：（ａ） ０．２％￣１５％质量分数的金属氧化物抛光磨料； ２００５０４００５．化学机械抛光板以及化学机械抛光方法
（ｂ） ０．５％￣１０％质量分数的 Ｈ２Ｏ２ 氧化剂；（ｃ）０．２％￣５．０％ （英文）．ＵＳ Ｐ ａ ｔ，２００５０１４３７６ Ａ１（２００５－ ０１－ ２０）
质量分数的鳌合剂（羧酸胺类）；（ｄ） 苯并三唑和 ５－ 氨
ｗｗｗ．ｍａｔ－ｉｎｆｏ．ｃｏｍ
该专利研究了用离子减薄和化学机械抛光削减
到使基体表面抛光的目的。该方法包括：（１）设立抛光 结束时间，也就是在基体表面上去除预计厚度的目标 材料的时间；（２）抛光该基体以去除目标材料；（３）在抛 光过程中，增加抛光板上的副产品污染物的水平，从
ＭＲ 传感 器 附 近 的 不 均 一 性 以 形 成 只 读 转 换 器 的 方 法。抗蚀剂掩模在只读转换器形成过程中被消除，从 而只读转换器邻近的膜的厚度一致。
的 试 剂 与 方 法 （ 日 文 ）．Ｊ Ｐ Ｐ ａ ｔ，２００５０８２６３３ Ａ２ 电机的电阻变化来检测抛光终点。代替上述这第二抛
（２００５－ ０３－ ３１）
光终点监测器，也可以使用一种光学信号抛光终点监
该试剂包括：含有在 ２～４ 个碳原子的链烷上与两 测器，它通过检测照射到薄板上的光和反射的光来检
２００５０４００２ 化 学 机 械 抛 光 方 法 （ 英 文 ）．ＵＳ Ｐ ａ ｔ， ２００５０７ － ００９１ Ａ１（２００５－ ０３－ ３１）
这种化学机械抛光的方法是，采用一种含有浆料 的抛光垫研磨在基体表面上形成的目标材料，从而达
２００５０４００６ 采用离子减薄和化学机械抛光削减 ＭＲ 传感器附近的不均一性以制备只读转换器的方法（英 文）． ＵＳ Ｐ ａ ｔ，２００５０６７３７２ Ａ１（２００５－ ０３－ ３１）
络合剂或偶联剂能跟抛光过程中去除的 ＮｉＰ、玻璃、 可于半导体器件制造中的化学机械抛光。具体地说，
陶瓷和（或）玻璃陶瓷材料进行化学的或离子的络合 含有过硫酸铵和硅胶的溶液被用作铜膜 ＣＭＰ 的抛光
或偶联。并且该络合剂或偶联剂携带抛光过程中去除 液。
ｗｗｗ．ｍａｔ－ｉｎｆｏ．ｃｏｍ