半导体器件性能测试实验数据处理示例及思考题参考答案
半导体材料实验课后思考题答案
半导体材料实验课后思考题答案一、单色X射线衍射法晶体定向实验原理：如果用一固定波长的X射线（或称单色X 射线）入射到一块晶体上，要使其能在某晶面上产生衍射，则必须使晶体的位置能连续改变，使欲衍射晶面的放置位置（即θ角）满足布拉格方程。
对不同结构的晶体和不同的晶面，其衍射线所出现的位置不同，我们根据衍射线所发现的位置就能确定出晶体的取向。
根据布拉格方程，当波长为λ的X射线以θ角入射到晶体上，若满足2dsinθ=nλ，X射线就会在晶面间距为d的一族平行晶面上产生衍射。
2、用DQ-3型定向仪应注意哪些？b.松开探测器支架紧固手钮，将探测器支架旋转到与被测样品所对应的角度上，然后将紧固手钮拧紧；d.调节“计数率”旋钮在中间位置，调节“调零”旋钮使μA 率表指针在零附近；f.调节mA 旋钮在适当位置（通常使用在2mA 以下）；1）不进行测量时，请随时关上X光光闸；2）当要暂停操作时，请关高压，但不要经常关低压，断电将会使已确定显示角度丢失；3）当工作结束时，应关闭X光光闸，关断高压，将显示器的角度输入到数字开关，关断电源。
4）mA调节旋钮，用来改变X光管的管电流，可以根据被测样品选择适当的mA值，在满足使用的条件下，应尽量选择低mA,一般在 2mA以下；5）计数率旋钮，在探测器接受 X 射线的情况下，用来调节微安数率率表计数率的大小，应根据需要选择在合适的位置，在满足要求的条件下，应尽量选择小一点，通常指到80格。
计数率调节过大会使稳定性变差，在这种情况下，应通过提高mA来增加 X射线的强度；6）调零旋钮，在只开低压的情况下，用此旋钮调节微安数率率表指针在0-20格附近；7）时间常数旋钮，分为 1，2，3 档，通常被设置在 2 档，在微安数率率表指针摆动较大时，应放在3档的位置上（在这种情况下，因μA率表的跟随特性减慢，一定要缓慢的转动测角仪轮）。
角度显示器的作用：每次开机时都要用标准样片校对一次。
3、X 方向偏角α，其原因如下：假定基准平面与“0”位偏差为δ，待测晶片沿X 方向与表面的偏差为α，则调整θ角使衍射强度出现极大时的θ角读数θ1=θ-δ+α，θ2=θ-δ-α，（θ1-θ2）/2=[(θ-δ+α)-(θ-δ-α)]/2=2α/2=α即取二次测量θ角读数之差的二分之一为偏离角的测量值时。
半导体思考题答案.doc
直拉法生长硅单晶过程包括哪些工序？每个工序的作用是什么？1.拉晶前的准备工作（1）清洁处理：多晶原料、掺杂用的中间合金，石英圳，籽晶等。
目的是除去表面附着物和氧化物，得到淸洁表而。
（2）装料：在高纯环境下装炉。
a.多晶原料b.籽晶: 通常在拉制硅单品时，所用的籽品大都采用柑同材料、完:整性好的硅单品制成。
作用：在熔体中引入一个晶核。
c.±ft璃（3）原料熔化：多晶硅熔化通常是在真空或制气中进行。
真空熔化经常出现的问题是“塔桥”和'‘硅跳”。
2.硅单晶的拉制工艺过程直拉硅单晶过程中有如下几个工序：熔接籽晶、引晶、缩颈、放肩、等径生长和收尾（1）熔接籽晶：包括烤晶和熔接。
烤晶可以除去衣面挥发性杂质，同时可减少热冲击。
熔接使籽晶与熔体完全接好，为晶体的生长做准备。
（2）引晶和缩颈。
引晶为结晶的开始, 收颈的主要作用在于排除接触不良引起的多品和尽量消除籽品内原有位错的延伸。
（3）放肩目的是让晶体逐淅长大到所需直径。
（4）等径生长等径生长的晶体就是生产上的成晶。
（5）收尾使晶体直径逐渐变小，单晶生长结束。
二、悬浮区熔法生长硅单晶过程包括哪些工序？每个工序的作用是什么？a.准备工作①硅棒②籽晶③ 加热线圈④装炉操作⑤真空操作b.开炉① 预热多晶硅在开始预热时的电阻率很高，高频线圈功率耦合不上，所以需进行预热。
② 产生起始熔区形成半圆球形熔区，为熔接做准备。
③熔接熔区与籽品接触，为品体的生长做准备。
④缩颈主要作用在于排除接触不良引起的多品和尽量消除籽品内原有位错的延伸。
⑤放肩使硅棒长到所需要的尺寸。
⑥等径生长。
等径生长的晶体就是生产上的成殆。
三、试比较直拉法和悬浮区熔法生长硅单晶这两种方法各自的优缺点。
直拉法设备和工艺比较简单，容易实现自动控制；生产效率高，易于制备大直径单晶;容易控制单晶中杂质浓度，可以制备低阻单晶。
但用此法制单晶时，原料易被堆圳污染，硅单晶纯度降低，拉制的硅单晶电阻率大于50欧姆•厘米，质量很难控制。
半导体物理实验复习思考题
半导体物理实验复习思考题
一、四探针法测量半导体电阻率实验：
1. 半导体材料包括哪些重要的电学性能，与哪些因素密切相关？
2. 为什么要用四探针进行测量，如果只用两根探针，能否对半导体电阻率准确测量？
3. 什么叫薄层（方块）电阻，它有什么特性？
4. 分析直流四探针法测量半导体材料电阻率的基本原理，并推导电阻率测量公式。
5. 如何选择合适的测量电流？
6. 测量电阻率误差的来源有哪些，如何修正？
二、少数载流子寿命测量实验：
1．什么是多数载流子？什么是少数载流子？
2. 什么是非平衡载流子？什么叫做光注入？
3. 为什么要测量并且一般只测量少数载流子寿命？
4. 少数载流子寿命的物理意义。
5．分析示波器显示曲线的变化规律，如何利用其测量少子寿命？6．影响少子寿命的因素有哪些。
三、X射线衍射分析晶体结构实验：
1.X射线的波长范围是多少，它是如何产生的？
2.简述X射线在近代物理学发展史上的重要地位及意义。
3.X射线在晶体中产生衍射的条件？
4.X射线在晶体中产生的衍射方向和衍射强度分别取决于什么？
5.X射线衍射仪包括哪几个主要部分，各自基本工作原理是什么？
6.实验基本操作步骤如何，为什么实验中要首先打开并保证冷却水
运行？
7.为什么我们在使用X射线衍射仪进行晶体结构分析实验时最好使
用粉末样品？
8.如何根据被测样品的衍射图谱确定其物相？。
《半导体器件》习题及参考答案
第二章1 一个硅p －n 扩散结在p 型一侧为线性缓变结，a=1019cm -4，n 型一侧为均匀掺杂，杂质浓度为3×1014cm －3，在零偏压下p 型一侧的耗尽层宽度为0.8μm ，求零偏压下的总耗尽层宽度、建电势和最大电场强度。
解：)0(,22≤≤-=x x qax dxd p S εψ)0(,22n S D x x qN dxd ≤≤-=εψ 0),(2)(22≤≤--=-=E x x x x qa dx d x p p Sεψ n n SDx x x x qN dx d x ≤≤-=-=E 0),()(εψ x ＝0处E 连续得x n ＝1.07µm x 总=x n +x p =1.87µm⎰⎰=--=-npx x bi V dx x E dx x E V 0516.0)()(m V x qa E p S/1082.4)(252max ⨯-=-=ε,负号表示方向为n 型一侧指向p 型一侧。
2 一个理想的p-n 结，N D ＝1018cm －3，N A ＝1016cm －3，τp ＝τn ＝10－6s ，器件的面积为1.2×10－5cm －2，计算300K 下饱和电流的理论值，±0.7V 时的正向和反向电流。
解：D p ＝9cm 2/s ，D n ＝6cm 2/scm D L p p p 3103-⨯==τ，cm D L n n n 31045.2-⨯==τnp n pn p S L n qD L p qD J 0+=I S =A*J S =1.0*10-16A 。
＋0.7V 时，I ＝49.3µA ， －0.7V 时，I ＝1.0*10-16A3 对于理想的硅p +-n 突变结，N D ＝1016cm －3，在1V 正向偏压下，求n 型中性区存贮的少数载流子总量。
设n 型中性区的长度为1μm ，空穴扩散长度为5μm 。
解：P ＋>>n ，正向注入：0)(20202=---pn n n n L p p dx p p d ，得：)sinh()sinh()1(/00pnn pn kTqV n n n L x W L x W e p p p ---=- ⎰⨯=-=nnW x n n A dx p p qA Q 20010289.5)(4一个硅p +-n 单边突变结，N D ＝1015cm －3，求击穿时的耗尽层宽度，若n 区减小到5μm ，计算此时击穿电压。
《半导体器件》习题及参考答案模板
第二章1 一个硅p －n 扩散结在p 型一侧为线性缓变结，a=1019cm -4，n 型一侧为均匀掺杂，杂质浓度为3×1014cm －3，在零偏压下p 型一侧的耗尽层宽度为0.8μm ，求零偏压下的总耗尽层宽度、内建电势和最大电场强度。
解：)0(,22≤≤-=x x qax dxd p S εψ)0(,22n SD x x qN dx d ≤≤-=εψ 0),(2)(22≤≤--=-=E x x x x qa dx d x p p Sεψ n n SDx x x x qN dx d x ≤≤-=-=E 0),()(εψ x ＝0处E 连续得x n ＝1.07µm x 总=x n +x p =1.87µm⎰⎰=--=-npx x bi V dx x E dx x E V 0516.0)()(m V x qa E p S/1082.4)(252max ⨯-=-=ε,负号表示方向为n 型一侧指向p 型一侧。
2 一个理想的p-n 结，N D ＝1018cm －3，N A ＝1016cm －3，τp ＝τn ＝10－6s ，器件的面积为1.2×10－5cm －2，计算300K 下饱和电流的理论值，±0.7V 时的正向和反向电流。
解：D p ＝9cm 2/s ，D n ＝6cm 2/scm D L p p p 3103-⨯==τ，cm D L n n n 31045.2-⨯==τnp n pn p S L n qD L p qD J 0+=I S =A*J S =1.0*10-16A 。
＋0.7V 时，I ＝49.3µA ， －0.7V 时，I ＝1.0*10-16A3 对于理想的硅p +-n 突变结，N D ＝1016cm －3，在1V 正向偏压下，求n 型中性区内存贮的少数载流子总量。
设n 型中性区的长度为1μm ，空穴扩散长度为5μm 。
《半导体器件》习题及参考答案剖析
dnB (x)) dx
若忽略基区中空穴的复合，即 JnB 为常数，我们可以用 NB（ x）乘上式两端， 并从 x 到 WB 积分，得
J nB qD nB
WB
x N B (x) dx
WB d (N B ( x) nB ( x)) dx
x
dx
近似认为在 x=W B 处， nB=0，有
nB ( x)
J nB qDnB N B (x)
电阻率为 1Ωcm，查 n－Si 的电阻率和浓度的关系图可得 ND＝4.5×1015cm－3。
Dp
kT
p
10.4cm 2 / s ， L p
q
D p p 32.2 m ，
空穴电流密度为 J p0
qD
p
n
2 i
＝ 2.41×10－12A/cm 2,
Lp ND
q Bn
电子电流密度为 J S A*T 2e kT ＝4.29× 10－7A/cm 2，其中 A *＝110A/K 2cm2。
对 n 沟 MOSFET 的阈值电压为
VTn
ms 2 F
QB max
Qox
C ox
Cox
其中， F
kT ln( N A ) ＝0.41V
q
ni
C ox
0 SiO2 ＝ 3.453*10－7F/cm2
d ox
QB max
4 0 Si qNA F ＝－ 1.65*10 -7C/cm2
Qox＝Qf＝ 5× 1010×1.6×10－19＝8×10－9C/cm2
解：不妨设为 N＋PN 管， QB (t ) I B n (1 e t / n )
在 t1 时刻达到饱和，相应集电极电流为 I CS
半导体器件习题及参考答案
第二章1 一个硅p －n 扩散结在p 型一侧为线性缓变结，a=1019cm -4，n 型一侧为均匀掺杂，杂质浓度为3×1014cm －3，在零偏压下p 型一侧的耗尽层宽度为μm ，求零偏压下的总耗尽层宽度、内建电势和最大电场强度。
解：)0(,22≤≤-=x x qax dxd p S εψ)0(,22n SD x x qN dx d ≤≤-=εψ 0),(2)(22≤≤--=-=E x x x x qa dx d x p p Sεψ n n SDx x x x qN dx d x ≤≤-=-=E 0),()(εψ x ＝0处E 连续得x n ＝μm x 总=x n +x p =μm⎰⎰=--=-npx x bi V dx x E dx x E V 0516.0)()(m V x qa E p S/1082.4)(252max ⨯-=-=ε,负号表示方向为n 型一侧指向p 型一侧。
2 一个理想的p-n 结，N D ＝1018cm －3，N A ＝1016cm －3，τp ＝τn ＝10－6s ，器件的面积为×10－5cm －2，计算300K 下饱和电流的理论值，±时的正向和反向电流。
解：D p ＝9cm 2/s ，D n ＝6cm 2/scm D L p p p 3103-⨯==τ，cm D L n n n 31045.2-⨯==τnp n pn p S L n qD L p qD J 0+=I S =A*J S =*10-16A 。
＋时，I ＝μA ， －时，I ＝*10-16A3 对于理想的硅p +-n 突变结，N D ＝1016cm －3，在1V 正向偏压下，求n 型中性区内存贮的少数载流子总量。
设n 型中性区的长度为1μm ，空穴扩散长度为5μm 。
解：P ＋>>n ，正向注入：0)(2202=---pn n n n L p p dx p p d ，得： )sinh()sinh()1(/00pnn pn kTqV n n n L x W L xW e p p p ---=- ⎰⨯=-=nnW x n n A dx p p qA Q 20010289.5)(4一个硅p +-n 单边突变结，N D ＝1015cm －3，求击穿时的耗尽层宽度，若n 区减小到5μm ，计算此时击穿电压。
半导体器件性能测试实验数据处理示例及思考题参考解答
半导体器件性能测试实验数据处理示例及思考题参考答案1、为保证实验数据的真实性，在本文中特将实验测得数据及初步计算所得数据留空，各表格中的测得数据用蓝色标注，计算数据用红色标注；2、本文中所有的关系曲线图均使用Origin软件绘制，部分数据的处理亦使用该软件，推荐使用Origin软件处理数据；软件下载3、实验讲义中部分重要公式及物理量单位存在错误，本文中已做修正并标注；4、各项计算所使用的常量值及注意事项在本文中已列出；5、数据处理过程及思考题答案仅供参考。
6、数据处理一键计算见“数据处理V1.1 .xlsx”7、修订日期：2015年12月11日星期五2015年12月目录实验一表面势垒二极管的伏安特性 (2)实验二集成“与非”门电路的直流特性测试 (5)实验三晶体管动态参数特性检测实验 (7)实验四晶体管（BJT）直流参数的测量 (8)实验五P-N结势垒电容的测量 (10)实验六光电器件性能测试与应用 (13)实验七MOS管静态参数的测试 (14)实验八晶体管特征频率的测量 (18)实验一 表面势垒二极管的伏安特性数据处理根据上表中与的关系使用Origin 软件绘制拟合曲线①如下：图1-1ln I V -曲线曲线拟合结果为ln ____I V =+1、 求解n 因子上式中斜率__B =，可用公式求解n 因子：1q n kT B= 2、 求解势垒高度n B Φ20ln n kT AST B q I ⎛⎫Φ= ⎪⎝⎭②① 实验要求使用半对数坐标进行绘制，此处将纵坐标转换为自然对数形式A 是理查德常数，228.7/A A cm K =①；S 是势垒二极管的结面积，32510S cm -=⨯； T 为测试温度，此处建议使用室温，即298T K =；68.6310/k eV K -=⨯②；191.610q C -=⨯；0I 可由ln I V -曲线的纵截距读出。
① 实验讲义中对应单位有误1、金属和半导体接触时，为什么在半导体表面会产生空间电荷层？金属和半导体的功函数W不同，因此费米能级具有一定的差值，电子会从费米能级高的一侧流向低的一侧，电离的施主和受主之间形成空间电荷层。
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实验四 晶体管（BJT）直流参数的测量 数据处理
表 4-1 IB/μA IC/mA VCE/V β 由表中数据可读出， 该管的饱和压降 VCES 表 4-2 IB/μA IC/mA VCE/V β 由于实验条件限制，本次测量无法读出该管的饱和压降。 表 4-3 P-N-P 型 Ge 晶体管的其他参数测量 ICB0/μA 集电极-基极反向饱和电流 集电极-发射极反向饱和电流 ICE0/μA P-N-P 型 Ge 晶体管的直流放大系数测量 15 20 25 30 35 40 45 50 55 饱和
I V 特性呈现指数变化趋势。 6、 为什么正向连接的二极管，在小电流时阻抗很大？而在大电流时阻抗很小？ 阻抗与空间电荷区宽度有关，空间电荷区越宽，阻抗越大。 大电流时，空间电荷区部分电荷被复合掉，导致空间电荷区变窄，阻抗变小； 小电流时，阻抗变大。
4 / 20
半导体器件性能测试实验 数据处理示例及思考题参考答案
I 0e nkT 中的 n 1 ，但实际情况下由于 n 略大于 1，正向串联电阻大，
qV
反向漏电流大。由于半导体侧的电子在金属一侧感应出等效正电荷，使得半导体电子势 垒降低。 5、 本实验为什么要用半对数纸作图？ I 如何选取比较合理？ 电流数量级小，用半对数纸处理更加直观； 取点均在直线边缘两侧；
q 1.6 1019 C ； I 0 可由 ln I V 曲线的纵截距读出。
① ②
实验讲义中对应单位有误 实验讲义中对应单位有误 3 / 20半导体器件性能源自试实验 数据处理示例及思考题参考答案
思考题
1、 金属和半导体接触时，为什么在半导体表面会产生空间电荷层？ 金属和半导体的功函数 W 不同， 因此费米能级具有一定的差值， 电子会从费米能级高的 一侧流向低的一侧，电离的施主和受主之间形成空间电荷层。 2、 表面势垒二极管外加电压后，势垒有何变化？电流是如何流动的？ 当外加电压为正向时，势垒降低，电子由半导体流向金属，电流由金属流向半导体； 当外加电压为反向时，势垒升高，电子由金属流向半导体，电流由半导体流向金属。 3、 实际的金半接触伏安特性与理想的有何区别？ n 因子偏离； 正向串联电阻大； 反向漏电流大。 4、 实际的金半接触势垒高度同简单的模型有什么偏离？ 理想情况下， I
半导体器件性能测试实验 数据处理示例及思考题参考答案
1、为保证实验数据的真实性，在本文中特将实验测得数据及初步计算所得数据 留空，各表格中的测得数据用蓝色标注，计算数据用红色标注； 2、本文中所有的关系曲线图均使用 Origin 软件绘制，部分数据的处理亦使用该 软件，推荐使用 Origin 软件处理数据；软件下载 3、实验讲义中部分重要公式及物理量单位存在错误，本文中已做修正并标注； 4、各项计算所使用的常量值及注意事项在本文中已列出； 5、数据处理过程及思考题答案仅供参考。 6、数据处理一键计算见“数据处理 V1.1 .xlsx” 7、修订日期：2015 年 12 月 11 日星期五 2015 年 12 月
IC IC 0 ，共射极： hFE IB 1
1 n
BVCE 0 BVCB 0 n 1 BVCB 0 hFE
BVCB 0 VCB 1 1 M
1 n
，其中 M 为雪崩倍增因子。
7 / 20
半导体器件性能测试实验 数据处理示例及思考题参考答案
0.811 开门电压为 D 点对应横坐标 1.120 关门电压为 C 点对应横坐标 4.41 输出高电平为 B 点对应纵坐标 输出低电平为 D 点对应纵坐标 0.22 短路电流为实验测得数据 1.33 6.65
空载通道功耗 Pkt
I rd Ec ，其中 Ec 5.0V 。
①
实验讲义中对应单位有误 5 / 20
0,VBC 0 。
2、 集电极-发射极反向饱和电流太大时将破坏管子的正常使用，试问在实际电路设计中你 会采取哪些措施？ 可增加集电极串联电阻，以达到限流作用，从而防止由于 I CE 0 过大而破坏管子的正常使 用。 3、 请写出用万用表测找 N-P-N 和 P-N-P 三极管各电极的步骤。 首先找到基极即最中间的引脚； 万用表电阻档的黑表笔（电源正极，下同）接到基极，红表笔（电源负极，下同）接到 基极以外的任意一个引脚，若导通（即电阻较小）则为 N-P-N 三极管，若不导通（即电 阻较大）则为 P-N-P 三极管； 万用表电阻档的红表笔接到基极以外的一个引脚上，黑表笔接到基极以外的另一个引脚 上，测量一次电阻，将红黑表笔位置对调后再测量一次电阻： 对于 N-P-N 三极管，电阻较小的一次测量时，黑表笔接的是集电极，红表笔接的是 发射极； 对于 P-N-P 三极管，电阻较小的一次测量时，黑表笔接的是发射极，红表笔接的是 集电极。
测试条件： C __ pF V/V C’’/pF CX/pF
CX C C
① ② ③
本实验中忽略分布电容的存在 因实验数据不准确，故此关系曲线不准确 双对数坐标指的是两个坐标轴的单位长度都是经过对数计算后的平面坐标系，建议使用 Origin 软件绘制 10 / 20
半导体器件性能测试实验 数据处理示例及思考题参考答案
N min N1 , N 2 。
2、 试述 CMOS 集成电路与 TTL 集成电路的特点。 CMOS 集成电路： 抗干扰能力强、 逻辑摆幅大、 输入阻抗高、 温度稳定性好、 扇出能力强、 抗辐射能力好、 可控性好； TTL 集成电路： 速度快、传输延迟短、功耗大、驱动能力强。
6 / 20
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半导体器件性能测试实验 数据处理示例及思考题参考答案
实验五 P-N 结势垒电容的测量① 数据处理
表 5-1 3AX31 突变结结电容 C X 与偏压 V 关系 0.4 0.6 1.0 3.0 6.0 10.0 15.0
测试条件： C __ pF （测试时直流偏压值由大到小测量） V/V C’’/pF CX/pF
目录
实验一 实验二 实验三 实验四 实验五 实验六 实验七 实验八 表面势垒二极管的伏安特性 ................................................................................ 2 集成“与非”门电路的直流特性测试 ..................................................................... 5 晶体管动态参数特性检测实验 ............................................................................ 7 晶体管（BJT）直流参数的测量........................................................................... 8 P-N 结势垒电容的测量 ....................................................................................... 10 光电器件性能测试与应用 .................................................................................. 13 MOS 管静态参数的测试 ..................................................................................... 14 晶体管特征频率的测量 ...................................................................................... 18
半导体器件性能测试实验 数据处理示例及思考题参考答案
实验三 晶体管动态参数特性检测实验
数据处理
根据各参数值，绘制相应的特性曲线。
思考题
1、 引起三极管击穿低的原因有哪些？ 三极管中有两个不同半导体材料结合部形成的 PN 结，正常工作电压下，发射结工作在 正向偏置，集电结工作在反向偏置，当集电结上的反向电压超过其能够承受的反向电压 时，该电压就会将集电结形成的电子阻档层击穿，导致三极管损坏。还有一种击穿是流 过集电结的电流过大，引起集电结发热，该反向击穿电压随温度升高耐压降低，形成工 作过程中的击穿，这种通常称为热击穿。 2、 写出晶体管直流放大倍数和击穿电压的表达式。 直流放大倍数： 共基极：
图 5-2
3DG12 缓变结结电容 C X (CT ) 与偏压 V 关系曲线（双对数坐标）
利用公式计算突变结的势垒厚度 和杂质浓度 N p 与缓变结势垒厚度 和杂质浓度梯度
aj ：
2 0 突变结： VD V q Np
① ②
实验要求使用半对数坐标进行绘制，此处将纵坐标转换为自然对数形式 实验讲义中对应公式有误 2 / 20
半导体器件性能测试实验 数据处理示例及思考题参考答案
上式中：
A 是理查德常数， A 8.7 A / cm2 K 2 ①； S 是势垒二极管的结面积， S 5 103 cm2 ； T 为测试温度，此处建议使用室温，即 T 298K ； k 8.63 106 eV / K ②；
IC ， 下同 IB
__ V（为集电极电流 I C 达到饱和时对应的 VCE ） 。
N-P-N 型 Si 晶体管的直流放大系数测量 10 20 30 40 50
8 / 20
半导体器件性能测试实验 数据处理示例及思考题参考答案
思考题
1、 在什么条件下能使三极管进入饱和状态？ 使三极管的发射结和集电结同时正偏。 对于一个 N-P-N 晶体管，要求基极电位较高，即 VBE
半导体器件性能测试实验 数据处理示例及思考题参考答案
思考题