触摸屏ITO制程
ITO生产流程
A-SiO2GlassShieldingITOB・SiO2$ITO结构示意图金属METAL 绝缘材料OGITO、、-A・SiO2METAL-x-iTO, Y-rro. OG -Glass-Shieidiw ITO・ B-SiO2XDC.AQMF.RFPOW男/•«镇原理：如上图所示，在一真空腔体内，将祀材揍阴极，丽基板揍正极或揍地，并耳入Ar V体，当两极问加入一离电压时，其Ar会解翦成Ar+和b（其Ar*和e-的第离子体谓之电浆），而Ar*今冲向阴极之祀材，尹将雹材的原子冲#岀来.而后»冲«出的原子合落在《扳上堆积形成薄膜.TARi^T后筱*久《石或可幼式K石，作用为在TARGETS面行成强犬《场・可以犬幅提高舉面电浆高子化程度。
ITO制程（正型光阻）镀rro($puttb)涂布光阻（Co湎谊）T T蚀刻(Bdiins)6曝光(Expoaire)显影(DevelopingY剥雎（Stii血S）需要“播放•此页观看动ffi效果■ . ♦■ ■ ♦—• • ■ • —■- -I -» ■ ■——fr —♦—•- * ■•——■* — 4 ・• —■ • -■• '«—• ■绝缘层OG(正型光阻)rro完成玻璃(Glass)ZI■=> 涂布O觥阻(Coaling)显形(Developing)<=31曝光(Exposiiie)OG完成玻akGh⑹金属镀膜（Sputter）金展制程｛正型光阻）u蚀刻(Etching)VT显數Developing)T曝光(E5q>o<aire)剥膜⑶门|）讹）需要••播放•此页观看动0效果网印可剥胶可剥胶切割切割线仿形仿出所!»外形。
电容屏(Film_To_Film结构)制作流程
B
按客户要求，更改出PIN定义与FPC位置
C
按键往视窗方向移动0.35MM,FPC往左移动了5.35mm
DATE 10.11.06 10.11.16 10.11.16
NAME CHRICS CHRICS CHRICS
FRONT VIEW
259.00±0.10(Lens） 245.73(SENSOR OUTLINE) A
三道风切的压力上 10±3 KPa、第三道风切的压力下 8±3 KPa、第四道风切的压力上 10±3 KPa、第四道风切的压力下 8±3 KPa、
第五道风切的压力 4±1 KPa、脱膜喷林的压力 25±3KPa、第六道风切的压力上 10±2 KPa、第六道风切的压力下 8±2 KPa、第七
道风切的压力上 10±2 KPa、第七道风切的压力下 8±2 KPa、超声波清洗（循环水清洗喷淋的压力上 0.25±0.05 MPa）、超声波清
3）固化参数：
绝缘油
稀释剂
CR-18T-KT1
—
回墨刀速度 （档） 3±0.5
刮刀速度（档） 2.2±0.5
刮刀深度 （mm）
5～10
回墨刀深度 （mm） -1～1
刮刀压力 （kgf/cm2）
5±1
刮刀硬度（度） 80～85
硬化剂 —
配比 —
使用粘度 200～350dpa.s
光积量（mj/cm2） 950 ~1150
5.95
Tempered glass
T=1.1mm C
Pantone 425C
16.64±0.30
14.36±0.30
Back adhesive to outline
16.64±0.30
14.36±0.30
触摸屏生产流程
少,一般来说撕出后引出线上的银胶或碳胶的 转移
量不可少于 50%.(主要针对 PET 引出线)而对于 FPC
出线则须以 90 度角垂直于 T/P 方向；做撕出力量
测定。(撕出力量不小于 3~5N/CM)
检验项目: 见表五(压合规范)
见表五(压合规范) 六. 功能测试
ITO 产品一般分矩阵式及模拟式.矩阵式用 OPEN/SHORT 测试机 测试, 模拟式用线性测试机测试.
二. 印刷
表一(蚀刻检验规范)
1. 对引出线 MYLAR 材料、网版、油墨按进料检验规范检验. 2. 对 ITO FILM/ITO GLASS /引出线 MYLAR 进行印刷导电油墨、绝缘等油墨.
最好能用全自动印刷机及半自动印刷机, 以确保高质量及高速度的印刷。
3. 对印刷的产品进行烘烤
4. 将印刷后的产品按烘烤标准干燥.
2)绝缘点:绝缘点用橡皮擦,在绝缘点表面用正常力度擦
三次来回无脱落.
2H 铅笔测试各种油墨无脱落痕迹(呈 45 度斜划)
铅笔应无尖 锐的棱角
1)导通性良好阻值符合要求. 2)线间阻抗符合要求.
3)引线穿刺灌孔导通性良好.
粘胶
用高度规测其总 厚度再减去无胶区 粘胶厚度:0.06±0.01mm 厚度 , 即为粘 胶厚 度.
4)产品组合后无彩虹纹及拖尾现象(Analoge)
5)封胶 ,灌胶后要平滑无杂质 ,不能在 ITO 玻璃面上.
表四(组合规范)
2. Film 冲外形
检验项目: 见表三(压花冲床规范)
3. 裁玻璃及玻璃磨边
检验项目:见下表.
Tei:008621-5483021
Fax:0086-54830312
蚀刻
电容触摸屏工艺流程简介
印刷正面 镭射银浆
印刷反面 镭射银浆
ITO厂工序
印刷 反面ISO
印刷正面 ISO（可选）
反面银浆镭射
正面银浆镭射
成品
贴合
绑定
切割成小片
单层镀ITO
基板
ITO镀膜
双层镀ITO
基板
ITO镀膜
单层镀ITO+METAL
基板
ITO镀膜
金属镀膜
双层镀ITO+METAL
基板
ITO镀膜
金属镀膜
ITO蚀刻-单面结构
L
其中要求如下: 1.不允许有S形翘曲
ITO
ITO架桥：导电性差（40Ω/■左右），解决
了金属点可见的问题，同时增加一道光照，成本
增加。
绝缘材料 金属或ITO
黄光SITO 结构工艺流程图（金属架桥）
单层镀ITO
ITO蚀刻单面结构
黄光厂工序
金属蚀刻单面结构
镀SIO2/OC
印刷可剥胶 （可选）
成品
贴合
绑定
切割
2.黄光DITO结构触摸屏制程
1.黄光SITO结构触摸屏制程
介绍：SITO是Single ITO的简称。即菱型
线路做法。XY轴（发射极和感应极）都在玻璃的
同一面。
X PATTERN和Y PATTERN通过搭桥的方式，
实现触摸屏发射极和感应极的作用。
架桥的选择：
金属架桥：导电性好（0.4Ω/■左右），但
是金属点会可见，影响外观。（推荐）
大片ITO蚀刻干蚀刻
印刷 银浆线路
大片ITO蚀刻干蚀刻
印刷 银浆线路
贴大片 OCA1
贴大片 OCA2
切割成小片
成品
ito工艺流程
ito工艺流程ITO工艺流程是指将ITO膜作为导电膜，通过一系列的加工步骤制备成特定形状和规格的ITO玻璃或ITO膜。
ITO是氧化铟锡的简称，具有良好的导电性和光透过性，广泛应用于LCD、触摸屏、太阳能电池等领域。
ITO工艺流程主要包括ITO膜涂布、光刻、腐蚀、清洗等步骤。
首先是ITO膜涂布，将ITO溶液通过特定的方法涂布在基底材料上，形成薄膜。
涂布过程需要控制好涂布头的喷雾粒径和速度，以及基底材料的表面状况，以保证涂布后的膜质量。
接下来就是光刻步骤，将ITO膜上的光刻胶涂覆在膜上，并利用光刻机将图案光刻到光刻胶上。
光刻胶的选择很关键，它需要满足良好的光刻性能和较高的耐蚀性。
光刻胶暴露后，通过曝光、显影等步骤，将需要保留的图案暴露出来，形成光刻胶模版。
然后是腐蚀步骤，将暴露在光刻胶模版上的ITO膜部分进行腐蚀。
腐蚀可以选择湿法腐蚀或干法腐蚀两种方式，湿法腐蚀一般采用酸性溶液进行，干法腐蚀则通过离子束刻蚀等方式进行。
腐蚀后，光刻胶模版可被去除，暴露出ITO膜的导电区域。
最后就是清洗步骤，将ITO膜表面的光刻胶残留物和腐蚀产物进行清洗。
清洗过程采用有机溶剂、超纯水或酸碱溶液进行，以确保膜表面的清洁度和平整度。
清洗后即可得到满足要求的ITO玻璃或ITO膜。
整个ITO工艺流程中，涂布、光刻和腐蚀是关键步骤，其中涂布和光刻的参数控制直接影响着膜的质量和性能。
涂布时要注意涂布头的均匀性和稳定性，避免出现表面不均匀、厚度不一的情况。
光刻时要保证光刻胶的厚度和质量，以及光刻机的曝光、显影参数的准确控制。
腐蚀时需要选择合适的腐蚀剂和腐蚀时间，以保证腐蚀均匀性和腐蚀深度的控制。
总的来说，ITO工艺流程是将ITO膜加工成特定形状和规格的过程，涵盖了涂布、光刻、腐蚀、清洗等步骤。
这些步骤的参数控制和质量保证对最后的ITO玻璃或ITO膜的性能有着重要影响，因此工艺的优化和改进是提高产品质量和工艺效率的关键。
触摸屏生产工艺及其流程
触摸屏生产工艺及其流程一、设计规范1．产品结构1）薄膜对薄膜结构(film to film)a.FPC或Mylar引出（图一）或Mylar图一b.ITO Film直接引出（图二）图二此结构由于采用两层ITO Film，厚度较薄，最薄可做到0.45mm，但价格较贵；产品较薄，客户上机时需非常小心，不能弯折产品，否则产品导电膜会龟裂，导致产品功能不良。
在厚度允许的情况下不建议客户选用此结构。
2）薄膜对玻璃结构(film to glass)a.FPC或Mylar引出（图三）或Mylar图三b.ITO玻璃直接引出（图四）c.ITO Film直接引出（图五）图五此结构成本低，工艺成熟，透明度高，引出线可随意选择，厚度可调整。
b、c两类型采用点胶形式比压合形式好，因上线材料较厚，采用压合时效果不太好；而压头大小也要合适，如果比实际压合面积大会压坏材料。
3）薄膜对薄膜含承托板结构(film to film+PC or glass )或Mylar此结构成本高，结构多，透明度低，OCA与Film贴合时良率低，此结构不建议客户使用。
引出线可采用Mylar或FPC。
或Mylar图七线路部分设计原则1）常用术语a. 外形尺寸(Out dimension)：产品的外形面积b. 可视区(View dimension)：透明区，装机后可看到的区域。
此区域不能出现不透明的走线及键片等c. 驱动面积(Active dimension)：实际可操作的区域。
………………驱动面积比可视面积小………………d. 键片（Spacer）：用于粘合上、下线路的双面胶。
e. 承托板：粘于下线背面，起支撑产品的作用。
由于材料增多，产品透明度有所降低f. 敏感区：驱动面积与键片内框的距离。
由于存在键片高度落差，当使用不当，很容易在此区域造成ITO膜断裂导致产品功能不良。
在产品设计上必须考虑周详。
此区域虽小，但不容忽视。
g. 蚀刻：把多余的ITO用酸腐蚀掉。
电容触摸屏工艺流程
电容触摸屏工艺流程
一、电容触摸屏制造流程
1、衬底处理：衬底清洗→衬底干燥→衬底打磨→衬底洗涤。
2、开孔工艺：衬底对位→孔洞定位→孔洞切割→孔洞清洗。
3、ITO膜处理：ITO膜去除保护膜→ITO膜洗涤→ITO膜温热固化
→ITO膜清洗→ITO膜柔性熔接→ITO膜干燥。
4、衬底金手指处理：金手指铺展→金手指加热固化→金手指干燥→金手指定位→金手指回流焊接。
5、衬底元件封装：元件定位→元件焊接→元件焊锡→元件焊接→元件清洗。
6、衬底电容片处理：电容片定位→电容片焊接→电容片清洗→电容片焊接→电容片柔性熔接→电容片热压定型→电容片清洗→电容片抛光。
7、衬底电容片测试：电容片计算→电容片电路测试→电容片图像测试→电容片性能测试。
8、衬底成品检测：衬底外观检测→衬底触摸测试→衬底静电测试→衬底电容测试。
二、生产缺陷预防
1、避免衬底起皱：衬底在高温热处理时容易产生起皱，因此应采取积极措施，在适当位置使用合适的能量密度，对衬底进行多道温热处理来确保衬底的规则性，确保衬底成品的质量。
2、避免衬底斑点：衬底在安装过程中容易产生斑点，应采取一定的措施来避免这种情况的出现。
各家厂商触摸屏ITO-SONSER工艺及设备介绍
视窗玻璃将玻璃经过切割、磨边、仿形、钻孔、铣槽、研磨、丝印、强化等加工成型后安装在显示器件表面的保护玻璃，主要提高显示屏表面的抗冲击能力，使之不易划伤，便于清洗，有效地对显示屏进行保护。
附录资料：不需要的可以自行删除
实木地板面层施工工艺标准
实木地板面层施工工艺标准
1
本规范适用于建筑装饰工程中实木地板面层的施工。
3.2.2.2空铺法：见图3.2.2.2
(1)空铺法的地垄墙高度应根据架空的高度及使用的条件计算后确定，地垄墙的质量应符合有关验收规范的技术要求，并留出通风孔洞。
(2)在地垄墙上垫放通长的压沿木或垫木。压沿木或垫木应进行防腐、防蛀处理，并用预埋在地垄墙里的铁丝将其绑扎拧紧，绑扎固定的间距不超过300mm，接头采用平接，在两根接头处，绑扎的铅丝应分别在接头处的两端150mm以内进行绑扎，以防接头处松动。
板的排紧方法一般可在木龙骨上钉扒钉，在扒钉与板之间加一对硬木楔，打紧硬木楔就可以使板排紧。钉到最后一块企口板时，因无法斜着钉，可用明钉钉牢，钉帽要砸扁，冲人板内。企口板的接口要在龙骨中间，接头要互相错开，龙骨上临时固定的木拉条，应随企口板的安装随时拆去，铺钉完之后及时清理干净，对表面不平处，应进行刨光，先垂直木纹方向粗刨一遍，再顺木纹方向细刨一遍。实铺条板铺钉方法同上。
2．Sensor工艺流程： Sensor生产原理：Sensor是在玻璃表面用ITO(一种透明的导电材料)制作成横向与纵向电极阵列，起感应作用，是电容式触摸屏最重要的部件之一。
3．高透ITO导电玻璃工艺流程程：
高透ITO导电玻璃是在AR减反射膜的基础上增镀ITO导电膜，有效降低光的反射率及提高TFT图像的对比度和清晰度。
6．AR减反射玻璃工艺流程：
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视区的走线。其中双层ITO和MO/AL/MO层都需要在后续制程中通过光刻进行图形化，不
同的厂家在外围电路走线材料方面的选取会有所差异。
3.3 双面ITO玻璃制程
Glass kitting Initial clean ITO sputter
A side PR coater
B side SM printing
电阻式触摸屏的主要两大原材料是上层的ITO膜和下层的ITO玻璃， 它们占触摸屏材料成本的一半以上，电阻式触摸屏的总可见光透过率一 般在80%左右。
ITO玻璃区域划分
ITO玻璃侧ITO刻蚀
玻璃上印刷Spacer
印刷玻璃面Ag线
玻璃印刷绝缘胶 ins-1
玻璃印刷绝缘胶 ins-3
ITO Film侧ITO刻蚀
3.2 双面ITO玻璃的多层膜结构
最内层SiO2膜厚约为15nm，主要是起增加Glass与ITO膜的附着力和平整性的作用； 最外层SiO2膜厚约为100nm，主要是起表面钝化和保护作用； 正反面ITO层膜厚约为15nm，用于屏的可视区ITO Pattern凸显的走线，做电极用； 背面驱动层中Mo/Al/Mo三层膜厚约为350nm(50nm/250nm/50nm)，用于屏的外围非可
3.8内嵌式多点触控面板
所谓内嵌式多点触控面板(In-Cell Multi-Touch Panel) ，是指触控功能直接整合于面板
生产制程中，不需校正，不必再加一层触控玻璃，从而可维持原面板的薄度仅2.2mm，相 对轻薄，且光能利用率更高。 具体是在先前TFT LCD 用ITO电极的基础上，再加上一层 ITO 作为电容触控层，这是在TFT LCD工厂现有设备制程上非常容易实现，只是由于TFT本 身噪声非常高，对电容感测控制电路有干扰，使得大面积In-Cell Multi-Touch Panel难度更 高。 In Cell Capacitive Touch Panel Technology Structure
印刷ITO Film侧Ag线
3.1 投射电容式触摸屏结构、原理
在两个不同导电基材上（或同一导电基材的正反两面），分别有平行的X导线与Y导线
；导线相互垂直但却不在同一表面，每个X、Y相交处即形成一电容节点。对导电基材上的 导线（驱动线driver line）供以特定振幅与频率的交流电压，另一组导线此时即形成回路以 侦测电容改变量（感应线sense line）。 操作时控制器交互提供电压至其中一组导线，使每个节点上的电容耦合（coupling）造 成驱动线和每一相交的感应线有微小电流；当手指接近一个或多个节点时，会吸走部份电流 ，进而改变了节点上的电容值。控制器交互扫描感应在线每个节点电容值改变，利用3个以 上电容改变的节点来估计触动的实际位置。 投射电容式触摸屏最大的优势是触动无须直接接触、支持多点触控，面板可置于透明基 材下方而得到良好的保护，触动可经由手指或特殊笔，即便是带着手套亦可以使用投射电容 式面板。投射电容触摸面板的核心工艺是双面ITO玻璃多层膜制程。
B side PR coater
B side Exp. & Dev.
B side ITO Etching
Pre SIO2 clean
SM peeling
B side Striper
SIO2 Sputter
A/B side 10s etching
Organic coater
Film att. Laser scriber
MoNb sputter
A side Exp. & Dev.
A side Metal Etching
A side Striper
A side ITO Etching
A side Exp. & Dev.
A side PR coater
A side Striper
A side SM printing
B side SM peeling
触摸屏ITO制程
1.1 触控面板原材料介绍
类似LCM封装 制程
1.5 触控面板专利分布情况
1978～2008年的有效专利件数中，日本的专利件数占整体的52％。第二位为美国的23％，第三位为南韩的 20％。日本和美国的专利网遍布于面板、相关部材以及用户介面等触控面板相关的各领域，而南韩的触控面 板相关专利较偏重于面板部分，其占全部的76％。
On Cell Capacitive Touch Panel Technology Structure
ENDBiblioteka 端电阻取决于ITO面阻抗值、pattern长度及长宽比例 ITO pattern端电阻值愈小, 则电容感应讯号愈强& IC处理反应时间愈短 质量较佳的电容式触控解决方案取决于Touch IC感测及pattern设计 现阶段应用于2.8” Film-Type Sensor之ITO-Film面阻抗值约300Ω/ □
Exp. & Dev.
电容触控面板另一种ITO制程
3.4 ITO图形形状
原则：图形之间的相互连线避免过长，连线太长，扫描电阻大， 扫描时间长；通常菱形是最常见的图形形状。
3.5 菱形ITO图形的 具体要求
3.6 ITO图形与外围金属线的连接
3.7 触控面板大尺寸化对ITO镀膜质量要求更高