模拟电子技术试卷及答案
模拟电子技术单选考试模拟题(含答案)
模拟电子技术单选考试模拟题（含答案）一、单选题（共100题，每题1分，共100分）1、放大电路中的所有电容器的作用均为通交隔直。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：B2、输出端交流短路后仍有反馈信号存在，可断定为电流负反馈。
（）A、对 :B、错正确答案：A3、正弦电流经过二极管整流后的波形为( )。
A、仍为正弦波。
B、矩形方波;C、等腰三角波;D、正弦半波;正确答案：D4、三极管超过( )所示极限参数时,必定被损坏。
A、集电极最大允许电流ICMB、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEOC、集电极最大允许耗散功率PCMD、管子的电流放大倍数正确答案：C5、对于工作在放大区的晶体三极管而言,下列式子正确的是:( )A、ic=βibB、ie=βibC、ie=βic正确答案：A6、共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。
（）A、错B、对 :正确答案：A7、放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。
( )A、正确 ;B、错误正确答案：B8、N型半导体中的多数载流子是（）A、空穴B、负离子C、自由电子D、正离子正确答案：C9、集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用（）A、光电耦合B、阻容耦合C、直接耦合D、变压器耦合正确答案：C10、如果两个信号,它们的大小相等,相位相同,则它们是( )信号。
A、共模B、模拟C、差模正确答案：A11、理想集成运放的输出电阻为（）。
A、不定。
B、∞；C、0；正确答案：C12、PN结两端加正向偏置电压时，其正向电流是由（）而成。
A、少子扩散B、少子漂移C、多子漂移D、多子扩散正确答案：D13、因放大电路对不同频率信号成分的放大能力和相移能力不同而造成输出畸变的现象称为（）A、交越失真B、截止失真C、频率失真D、饱和失真正确答案：C14、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在( )。
A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。
模拟电子技术试卷及答案
《模拟电子技术》试卷一.填空题(每空1分,共30分)1．P型半导体掺入三价元素，多子是自由电子，少子是空穴。
2．PN结主要特性是具有单向导电性，即正导通，反向截止。
3．三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。
4．在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的放大区；在数字电路中三极管一般工作在截止区或饱和区，此时也称它工作在开关状态。
5．幅度失真和相位失真统称为频率失真，它属于线性失真。
6．功率放大电路的主要作用是向负载上提供足够大的输出功率，乙类功率放大电路的效率最高。
7．放大电路中为了稳定静态工作点，应引入a（a.直流负反馈，b.交流负反馈）。
8．三极管串联型稳压电路由取样电路、基准电路、比较电路和调整电路四大环节组成。
9．分压式偏置电路具有稳定静态工作点作用，其原理是构成电压串联负反馈。
10．集成运算放大器是直接耦合放大电路。
集成运算放大器的两个输入端分别为同相输入端和反相输入端，前者的极性与输出端同相；后者的极性同输出端反相。
11．根据MOS管导电沟道的类型，可分为PMOS和NMOS型。
二、单项选择题（每题2分，共20分，将答案填在下表中）1．常温下，硅二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V；锗二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V。
CA) 0.3，0.5，0.5，0.7 B) 0.5，0.7，0.3，0.5C) 0.5，0.7，0.1，0.2 D) 0.3，0.5，0.1，0.22．下图中的3种特性曲线，依次属于哪种场效应管？正确的说法是（ D ）A) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFETB) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道耗尽型C) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFETD) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；N沟道结型3．在共射基本放大电路中，当β一定时，在一定范围内增大I E，电压放大倍数将（A）A) 增加B)减小C) 不变D) 不能确定4．如图所示差分放大电路中，为提高抑制零点漂移的能力，试问采用下列（ B ）措施好。
模拟电子技术考试模拟题+答案
模拟电子技术考试模拟题+答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、在基本放大电路中,影响直流负载线斜率大小的是( )A、RB的值B、Ucc的值C、RC的值D、β值正确答案：C2、电容的单位换算正确的是( )A、1F=1000000μFB、1μF=1000000pFC、1μF=10-6FD、以上都是正确答案：C3、为了提高交流放大电路的带负载能力，应选用( )作为输出级。
A、共发射极放大电路B、功率放大器C、射极输出器D、都可以正确答案：C4、功率放大电路的转换效率是指( )。
A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D、输出功率与信号输入功率之比正确答案：B5、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A6、当用万用表不同电阻挡去测量二极管正反向电阻时，获得的结果差异较大，这是因为( )A、该管已坏B、万用表各挡有差异C、二极管的电阻可变D、以上答案均不正确正确答案：B7、串联谐振是指电路呈纯( )性。
A、电阻B、电感C、电抗D、电容正确答案：A8、电阻47KΩ±1%的色环为( )。
A、黄-紫-橙-金B、黄-紫-红-黑-棕C、黄-紫-黑-橙-棕D、黄-紫-黑-红-棕正确答案：D9、稳压二极管两端电压变化量与通过它的电流空化量之比值称为稳压二极管的动态电阻。
稳压性能好的稳压二极管的动态电阻( )A、较小B、较大C、还与其他因素有关D、大小均一样正确答案：A10、安装桥式整流电路时，若将其中一只二极管虚焊，则通电工作时可能产生的后果是( )。
A、输出电压的极性改变B、输出电压只有原来的一半C、两只二极曾烧坏D、只有应焊的一只二极管烧坏正确答案：B11、在固定偏置放大电路中，如果负载电阻增大，则电压放大倍数( )A、增大B、无法确定C、减小D、不变正确答案：C12、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号，若从示波器显示的输出信号波形发现底部(负半周)削波失真，则该放大电路产生了( )失真。
模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)
模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。
2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。
3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。
5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。
6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V；若ui1=1500µV, ui2=500µV，则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。
8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。
10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE的变化情况为（）。
A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加，uBE减小C．β和uBE 减小，ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。
模拟电子电路专业技术试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题1一、填空题（每空1分，共32分）1、空穴为（）载流子。
自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。
2、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（）反之称为（）3、由漂移形成的电流是反向电流，它由（）栽流子形成，其大小决定于（），而与外电场（）。
4、稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）偏置状态。
5、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是（）控制元件。
6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（）所以Ic也（) 。
7、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（）负反馈。
为稳定交流输出电压，采用（）负反馈，为了提高输入电阻采用（）负反馈.。
8、负反馈使放大电路增益下降，但它可以（）通频带（）失真。
9、反馈导数F=（）。
反馈深度是（）。
10、差分放大电路能够抑制（）信号，放大（）信号。
11、OCL电路是（）电源互补功放，OTL是（）电源互补功放。
12、用低频信号改变高频信号的相位称为（）。
低频信号称为（）、高频信号称为（）。
13、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（）。
共基极电路比共射极电路高频特性（）。
14、振荡电路的平衡条件是（），（）反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。
15在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。
二、选择题（每空2分，共34分）1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（）A 5vB 9vC 12v2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。
A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和B 截止C交越D频率4、差分放大电路是为了（）而设置的。
A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、对功率放大器的主要要求有（）（）（）A Uo高B Po大 C效率高 D Ri大 E 波形不失真6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。
模拟电子技术试卷及答案
模拟电子技术试卷及答案（本题共5小题，每小题4分，共 20 分） 一、填空题1.二极管的伏安特性曲线上共分 个工作区； 二极管正常工作在伏安特性曲线的正向导通区，但导通压降最少需在 1.3V 以上； 二极管正常工作在伏安特性曲线的反向截止区； 二极管正常工作在伏安特性曲线的反向击穿区。
2. 型三极管是用基极小电流控制集电极大电流的 控制型器件； 型三极管是用栅源间电压控制漏极大电流的 控制型器件。
3. 放大电路中的负反馈类型分有 负反馈、 负反馈、 负反馈和 负反馈四种。
4. 由运放的理想化条件导出的两个重要概念是 和 ，是运放线性应用电路分析的重要依据；在运放非线性应用电路的分析中， 的概念不再成立， 的概念仍然适用。
5. 实用技术中，串联型直流稳压电路应用较为广泛，它通常由 环节、基准电压、 环节和 四部分组成。
其中 工作在放大状态。
（本题共12小题，每小题1分，共12分）二、 判断正、误题 1. 雪崩击穿和齐纳击穿都是场效应式的电击穿，不会损坏二极管。
（ ） 2. 双极型三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。
（ ） 3. 本征半导体中掺入五价杂质元素，会生成P 型半导体，其多子是空穴载流子。
（ ） 4. OTL 甲乙类功放采用了单电源供电方式，其输出大电容起负电源的作用。
（ ） 5. 功率放大器中，甲乙类功放的性能最优良，高保真较甲类强，效率较乙类高。
（ ） 6. NPN 型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低。
（ ）7. 不同类型的放大电路，其静态分析的目的也各不相同，但动态分析的目的总是相同的。
（ ） 8. 频率响应引进的失真属于线性失真，放大电路的饱和失真和截止失真则是非线性失真。
（ ） 9. 无论是单门限还是双门限的电压比较器，电路中一定存在正反馈环节。
（ ） 10.并联型稳压电路中的整流环节通常采用整流桥，滤波环节大多采用电感元件。
（ ） 11.有源负载在放大电路中的作用主要用来消除电路中的交越失真。
《模拟电子技术》期末试卷及答案
《模拟电子技术》期末试卷及答案（本题每空1分，共20分）一、填空题：1. 二极管的伏安特性上分有四个区，分别是区、区、区和。
2. 双极型三极管属于控制型器件，单极型三极管属于控制型器件。
3. 理想运放的电路模型中，开环电压放大倍数A O＝，差模输入电阻r i= ，输出电阻r O= ，共模抑制比K CMR= 。
4. 击穿属于碰撞式的击穿，击穿属于场效应式的击穿，这两种击穿均属于击穿，具有互逆性。
5. 共发射极组态、共集电极组态和共基组态这三种放大电路中，其中组态的放大电路放大能力最强，组态的放大电路只有电流放大能力而没有电压放大能力，组态的放大电路只有电压放大能力而没有电流放大能力。
6. 放大电路中的负反馈类型可分有负反馈、负反馈、负反馈和负反馈。
（本题每小题1分，共10分）二、判断下列说法的正确与错误：1. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会造成永久型损坏。
（）2. 无论是双极型三极管还是单极型三极管，其导电机理是相同的。
（）3. 甲类、乙类和甲乙类功放均存在“交越失真”现象。
（）4. 射极输出器是典型的电流串联交流负反馈放大电路。
（）5. 共模信号和差模信号都是放大电路需要传输和放大的有用信号。
（）6. 所有放大电路的输入电压信号和输出电压信号都是反相的。
（）7.设置静态工作点的目的，就是让交流信号叠加在直流载波上全部通过放大器。
（）8.三极管工作中若耗散功率超过它的最大耗散功率P CM时，该管必须烧损。
（）9. 理想集成运放构成的线性应用电路中，电压增益与其内部参数无关。
（）10.即使是单门限电压比较器，其输出也必定是两种状态。
（）（本题每小题2分，共16分）三、单选题1. P型半导体是在本征半导体中掺入微量的（）价杂质元素构成的。
A．三价 B. 四价 C. 五价 D. 六价2. 测得NPN三极管各电极对地电压分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，则该管必工作在（）。
模拟电子技术试题(含答案)
模拟电子技术基础试卷及答案一、选择正确答案填空（20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。
A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。
A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。
A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。
A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i5.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。
A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路6.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。
A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器7．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。
a ．不用输出变压器b ．不用输出端大电容c ．效率高d ．无交越失真 8．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。
a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区9.理想集成运放具有以下特点：（ B ）。
A. 开环差模增益A u d =∞，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =∞B. 开环差模增益A u d =∞，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =0C. 开环差模增益A u d =0，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =∞D. 开环差模增益A ud =0，差模输入电阻R id =∞，输出电阻R o =010.在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ D ） ，则说明引入的是负反馈。
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模拟试卷一一、填空(16分)1．半导体二极管的主要特性是___________ 。
2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。
3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。
4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。
5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。
6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。
二、选择正确答案填空(24分)1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( )。
A．NPN 型硅管B．NPN 型锗管C．PNP 型硅管D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。
A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。
A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。
B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。
C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。
D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。
4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。
A．输入电阻高B．输出电阻低C．共模抑制比大D．电压放大倍数大5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。
A．减小C，减小Ri B．减小C，增大RiC．增大C，减小Ri D．增大C，增大Ri6．如图所示复合管，已知V1的b1 = 30，V2的b2 = 50，则复合后的b 约为( )。
A．1500 B．80 C．50 D．307．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和( )。
A．基本共射放大电路B．基本共集放大电路C．反相比例运算电路D．同相比例运算电路8．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是( )。
A．积分运算电路B．微分运算电路C．过零比较器D．滞回比较器三、两级放大电路如图所示，已知三极管的参数：V1的b1 、rbe1，V2的b2 、rbe2，电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路。
1．分别指出V1、V2的电路组态；2．画出图示电路简化的H参数微变等效电路；3．计算中频电压放大倍数Au，输入电阻Ri和输出电阻Ro。
(12分)四、图示运算放大电路中，已知u1 = 10 mV，u2 = 30 mV，求uO = ？(10分)五、由理想运算放大器构成的小信号交流放大电路如图所示，试分别求出电路的中频电压放大倍数及下限截止频率(8分)六、分析图示两个电路的级间反馈。
回答：(12分) 1．它们是正反馈还是负反馈？2．是直流反馈、交流反馈还是交、支流反馈兼有？3．它们属于何种组态？4．各自的电压放大倍数大约是多少？七、电路如图所示。
试回答：1．该电路是否满足正弦波振荡的相位平衡条件？2．如不满足，应如何改动使之有可能振荡？如果满足，则它属于哪种类型的振荡电路？3．在满足振荡条件的情况下，电路的振荡频率为多少？(10分)八、电路如图所示，已知稳压管DZ的稳压值UZ = 6 V，IZmin = 5 mA，IZmax = 40 mA，变压器二次电压有效值U2 = 20 V，电阻R = 240 W，电容C = 200 μF。
求：(8分)1．整流滤波后的直流电压UI(AV) 约为多少伏？2．当电网电压在±10%的围内波动时，负载电阻允许的变化范围有多大？模拟试卷二一、填空：(18分)1．为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用__耦合方式，为了实现阻抗变换，使信号与负载间有较好的配合，放大电路应采用____耦合方式。
2．在三极管多级放大电路中，，总的电压增益 = ；Au1是__放大器；Au2是__放大器；Au3是___ 放大器。
3．单相桥式整流电路中，若输入电压U2 = 30V，则输出电压Uo = V；若负载电阻RL = 100 W，整流二极管ID(AV) =___A。
4．文氏桥正弦波振荡器用网络选频，当这种电路产生正弦波振荡时，该选频网络的反馈系数(即传输系数) 、jF = 。
时，可选用? 滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用? 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用滤波器。
6．甲类放大电路是指放大管的导通角为；乙类放大电路则其放大管的导通角为；在甲乙类放大电路中，放大管的导通角为。
二、选择正确答案填空(9分)1．图示电路中二极管是理想的，电阻R为6 W。
当普通指针式万用表置于R ′ 1 W 档时，用黑表笔(通常带正电)接A点，红表笔(通常带负电)接B点，则万用表的指示值为。
a．18 W ； b．9 W ； c．3 W ； d．2 W ； e．0 W 。
2．有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下测得A的输出电压小。
这说明A的。
a．输入电阻大； b．输入电阻小； c．输出电阻大； d．输出电阻小3．某放大电路在负载开路时的输出电压为4 V，接入3 kW 的负载电阻后输出电压降为3 V。
这说明放大电路的输出电阻为。
a．10 kW ； b．2 kW ； c．1 kW ； d．0.5 kW 。
三、判断下列管子的工作状态(10分)1．测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图所示，试判断它们分别工作在什么状态(饱和、截止、倒置)。
设所有的三极管和二极管均为硅管。
2．电路如图所示，分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区(饱和区、夹断区、可变电阻区)。
四、图示差分放大电路中，调零电位器RP的动端处在中点位置，已知 b1 = b2 = 50，UBE1 = UBE2 = 0.7 V，其它参数如图所示。
1．求静态工作点(IB、IC、UCE)；2．画出半边对称放大电路的微变等效电路；3．当uS1 = -uS2 = 10 mV时，求uO = ？(12分)五、已知集成运放的BWG = 1 MHz，试估算图示交流放大电路的下限频率和上限频率。
(8分)六、图示电路中各运算放大器是理想的，试写出各输出电压Uo的值。
(10分)七、电路如图所示，设满足深度负反馈条件。
1．试判断级间反馈的极性和组态；2．试求其闭环电压放大倍数Auf。
(10分)八、题图电路为两个三端集成稳压器，已知电流IQ = 5 mA。
1．写出图(a)中的I0的表达式，并算出具体数值；2．写出图(b)中的Uo的表达式，并算出当R2 = 5 W 时的具体数值；3．指出这两个电路分别具有什么功能。
(9分)九、画出图中各电路的电压传输特性，要求uI的变化幅度足够大，并在图中表明有关数值。
设所有集成运放具有理想的特性，所有电源电压为±12 V。
(12分)模拟试卷三一、填空(26分)1．杂质半导体有__型和__型两种；双极型晶体管的结构有__型和__型两种；场效应管根据导电沟道不同有__和__两种。
2．图中二极管为理想器件，V1工作在__状态；V2工作在__状态；UA为__V。
3．三极管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地电位分别为：UA = -5 V、UB = -8 V、UC = -5.2 V，则三极管对应的电极是：A为__极、B为__极、C为__极，晶体管为__型三极管。
4．在图示电路中2CW5的参数为：稳定电压Uz = 12 V，最大稳定电流IZmax = 20 mA。
图中电压表中流过的电流忽略不计。
当开关S闭合时，电压表V和电流表A1、A2的读数分别为__、__ 、；当开关S断开时，其读数分别为__ 、 __、。
5．若三级放大电路中Au1 = Au2 = 30 dB，Au3 = 20 dB，则其总电压增益为__dB，折合为__倍。
6．差动放大电路用恒流源代替公共射极电阻RE，使电路的RiC__、∣Auc∣=__ 、共摸抑制比=__ 。
二、已知图示电路中的三极管 b = 60，rbb￠ = 200 W,UBEQ = 0.7 V，RB1 = RB2 = 150 kW，RC = 5.1 kW，Rs = 300 W，Vcc = 12 V。
试求：1．静态工作点；2．画出微变等效电路；3．电压放大倍数及输入电阻Ri、输出电阻Ro。
(12分)三、判断图示电路的级间反馈极性和组态；设满足深度负反馈条件，试估算闭环电压增益 (8分)四、在图示电路中，设A1、A2、A3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12 V。
1．试说明A1、A2、A3各组成什么电路？2．A1、A2、A3分别工作在线形区还是非线形区？3．若输入为1 V的直流电压，则各输出端uO1、uO2、uO3的电压为多大？(12分)五、电路如图所示。
1．正确连接A、B、P、N四点，使之成为RC桥式振荡电路；2．电路的频率f0是多少？3．若R1 = 2 kW，求Rf的最小值。
(12分)六、图为一高通有源滤波电路。
设A为理想运算放大器，试推导传递函数Uo(jw)/Ui(jw) 的表达式，并求出截止频率fp。
(8分)七、在图示两个电路中，A为理想运算放大器，输出电压的极限值为Uomax。
2．画出它们的电压传输特性。
(10分)八、在图示电路中，Rf和Cf均为反馈元件，设三极管饱和管压降为0 V。
1．为稳定输出电压uO，正确引入负反馈；2．若使闭环电压增益Auf = 10，确定Rf = ？3．求最大不失真输出电压功率Pomax = ？以及最大不失真输出功率时的输入电压幅值为多少？(12分)模拟试卷四一、填空(20分)1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为__V，导通后在较大电流下的正向压降约为__V；锗二极管的门槛电压约为 __V，导通后在较大电流下的正向压降约为__V。
2．场效应管属于__控制型器件，而晶体三极管则是___控制型器件。
型或绝缘栅)场效应管，图中UGS = －2 V称为该管的电压。
4．已知某放大电路电压放大倍数的频率特性为：表明其下限频率为____，上限频率为，中频的电压增益为__dB，输出电压与输入电压在中频段的相位差为___ 。
5．在双端输入、双端输出的理想差分放大电路中，若两个输入电压 DUI1 = DUI2，则输出电压 DUo = 。
若 DUI1 = +1500 mV，DUI2 = +500 mV，则可知差动放大电路的输入差模电压 DUId = ，差模输入信号分别为 DUId1 = ，DUId2 = ，共模输入信号 DUIc = 。