5.电子元件封装技术发展
产品生产工艺(3篇)
第1篇一、引言随着科技的不断发展，智能手表作为一种新兴的智能穿戴设备，越来越受到消费者的喜爱。
本文以智能手表为例，详细阐述其生产工艺，从原材料采购、加工制造到组装测试，全面解析智能手表的生产过程。
二、原材料采购1. 金属材料：主要包括不锈钢、钛合金、铝合金等，用于表壳、表带等部件的制作。
2. 塑料材料：如ABS、PC、TPU等，用于表壳、表带、表盘等部件的制作。
3. 液晶材料：OLED、AMOLED等，用于显示屏幕的制作。
4. 电子元件：如传感器、蓝牙芯片、加速度计等，用于智能手表的核心功能实现。
5. 线材：如铜线、锡线等，用于连接各个电子元件。
6. 粘合剂：如胶水、硅胶等，用于固定和密封各个部件。
三、加工制造1. 表壳加工：采用CNC加工、激光切割、冲压等工艺，将金属材料加工成所需形状。
2. 表带加工：根据需求选择合适材料，通过注塑、热压、编织等工艺制作表带。
3. 表盘加工：采用CNC加工、激光切割等工艺，将塑料材料加工成表盘。
4. 显示屏幕制作：将液晶材料与玻璃基板贴合，并通过封装工艺形成OLED、AMOLED等显示屏幕。
5. 电子元件加工：对传感器、蓝牙芯片、加速度计等电子元件进行封装，形成完整的电子模块。
6. 线材加工：对铜线、锡线等线材进行加工，形成所需的连接线。
四、组装测试1. 组装：将加工好的表壳、表带、表盘、显示屏幕、电子模块、线材等部件进行组装，形成完整的智能手表。
2. 功能测试：对智能手表的各项功能进行测试，如时间显示、运动监测、心率监测等。
3. 电池测试：对智能手表的电池进行充放电测试，确保电池性能稳定。
4. 环境测试：对智能手表进行防水、防尘、抗摔等环境测试，确保其在各种环境下都能正常使用。
5. 性能测试：对智能手表的运行速度、功耗、续航能力等进行测试，确保其性能符合要求。
五、包装与运输1. 包装：将组装好的智能手表进行精美包装，包括产品说明书、保修卡等。
2. 运输：将包装好的产品运输至各个销售渠道，如线上电商平台、线下专卖店等。
多功能集成电路考核试卷
B.硅
C.铝
D.钨
5.在集成电路设计中，以下哪个参数不是描述晶体管的重要参数？（）
A.电流放大倍数
B.饱和电压
C.耗散功率
D.频率响应
C.非门
D.异或门
7. TTL型集成电路的逻辑“1”输出电压通常是（）。
A. 0V
B. 5V
C. 10V
A.尺寸缩小
B.集成度提高
C.速度加快
D.功耗降低
E.成本上升
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1.集成电路（IC）是由许多微小的电子元件组成的，这些元件主要是基于______材料制作的。
2.在数字电路中，逻辑门是实现逻辑功能的基本单元，其中与非门（AND-NOT）的逻辑表达式为______。
B.蚀刻技术
C.化学气相沉积
D.分子束外延
E.离子注入
12.数字集成电路的常见逻辑系列包括以下哪些？（）
A. TTL
B. CMOS
C. ECL
D. ICL
E. BiCMOS
13.以下哪些是微电子技术的应用领域？（）
A.计算机技术
B.通信技术
C.智能控制
D.医疗电子
E.航空航天
14.集成电路设计中需要考虑的电气特性包括以下哪些？（）
7.金属互连是集成电路中用于连接各个器件和层的主要材料。( )
8.集成电路的制造过程中，光刻技术的精度决定了电路的最小特征尺寸。( )
9.在模拟集成电路中，放大器的带宽与晶体管的电流放大倍数成正比。( )
10.随着技术的发展，集成电路的尺寸会越来越大，集成度会越来越低。( )
五、主观题（本题共4小题，每题5分，共20分）
电子元器件封装介绍
电子元器件封装介绍电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为AXIAL系列无极性电容：CAP;封装属性为RAD-0.1到RAD-0.4电解电容：ELECTROI;封装属性为RB.2/.4到RB.5/1.0电位器：POT1,POT2；封装属性为VR-1到VR-5二极管：封装属性为DIODE-0.4(小功率)DIODE-0.7(大功率)三极管：常见的封装属性为TO-18（普通三极管）TO-22(大功率三极管)TO-3(大功率达林顿管)电源稳压块有78和79系列；78系列如7805，7812，7820等79系列有7905，7912，7920等常见的封装属性有TO126H和TO126V整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46）电阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中0.3-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.3瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。
其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。
一般<100uF用RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6二极管：DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短，一般用DIODE0.4发光二极管：RB.1/.2集成块：DIP8-DIP40, 其中8-40指有多少脚，8脚的就是DIP8贴片电阻0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系，但封装尺寸与功率有关通常来说如下：0201 1/20W0402 1/16W0603 1/10W0805 1/8W1206 1/4W电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是：0402=1.0mmx0.5mm0603=1.6mmx0.8mm0805=2.0mmx1.2mm1206=3.2mmx1.6mm1210=3.2mmx2.5mm1812=4.5mmx3.2mm2225=5.6mmx6.5mm零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。
电子元器件封装技术手册
电子元器件封装技术手册封装技术在电子元器件固定、保护和连接方面起着至关重要的作用。
本手册将介绍常见的电子元器件封装技术，包括贴片封装、插件封装、球栅阵列（BGA）封装以及最新的3D封装技术。
以下是各种封装技术的详细介绍。
1. 贴片封装贴片封装是一种常见且广泛应用的封装技术。
这种封装方式将电子元器件直接粘贴在PCB上，采用表面贴装技术（SMT）进行焊接。
贴片封装具有体积小、重量轻、适应高密度集成等优点。
它在现代电子产品中得到广泛应用，如手机、电视等消费电子产品。
2. 插件封装插件封装是一种传统的封装技术，将电子元器件通过引脚插入到PCB的孔中，再进行焊接。
这种封装方式适用于一些对可靠性要求较高，体积较大的元器件，如继电器、开关等。
插件封装的优势在于可更换性强，易于维修。
3. 球栅阵列（BGA）封装BGA封装是一种先进的封装技术，特点是在PCB上焊接一块带有多个焊球的封装芯片。
这种封装方式使得电子元器件的引脚更加集中和紧凑，有助于提高信号传输速度和可靠性。
BGA封装适用于高功率、高密度的集成电路，如处理器和图形芯片。
4. 3D封装技术随着电子产品的小型化和集成度的提高，3D封装技术应运而生。
这种封装方式通过垂直堆叠多层封装芯片，实现更高的集成度和更小的体积。
3D封装技术可以充分利用垂直空间，提高电路板的布线效率，并且减少电路之间的互相干扰。
总结电子元器件封装技术在现代电子行业中起着至关重要的作用。
贴片封装、插件封装、BGA封装以及3D封装技术各有其特点和适用范围。
我们需要根据实际需求和应用环境选择合适的封装技术。
随着技术的不断进步，封装技术也在不断演进和创新，为电子产品的发展提供更好的支持。
这本电子元器件封装技术手册旨在为工程师和技术人员提供基础知识和指导，帮助他们在设计和生产过程中选择合适的封装技术。
掌握好封装技术，可以提高产品的性能和可靠性，降低制造成本，同时也为我们的电子产品创新提供更大的空间。
电子元器件行业发展回顾(概念、产业链、政策、规模等)及展望
电子元器件行业发展回顾（概念、产业链、政策、规模等）及展望电子信息产业是研制与生产电子设备的工业，是我国军民结合型产业，对于我国经济的发展以及国防安全有着重要的意义。
而电子元器件制造业是电子信息产业的重要组成部分，是在我国电子科技不断进步的基础上发展起来的，同时也是我国通信行业，计算机行业等诸多行业的发展基础。
电子元器件的发展是以生产技术的不断提高以及加工工艺的不断进步为前提的，相关技术的发展水平对于电子元器件行业的发展起到了至关重要的作用，甚至有着决定性的作用，对于推动我国电子信息产业的快速发展有着重要的支撑作用。
电子元器件是对于各种电子元件以及电子器件的总称，按照工作时是否需要外部能量源，电子元器件可以分为主动元器件和被动元器件两大类。
电子元器件分类电子元器件行业位于电子信息产业的产业链的中游，介于电子整机行业和电子原材料行业之间，电子元器件技术发展的快慢，以及生产规模，不仅关乎我国电子信息产业的发展，同时对于我国对发展信息技术，改造传统产业，提高现代化装备水平，促进科技进步都具有重要意义。
随着我国电子元器件发展的不断进步，我国电子元器件产业链不断完善，我国电子元器件朝着规模化、集约化方向发展。
我国电子元器件上游主要为铜线、银浆、介电陶瓷、磁芯等行业，下游主要为通信、消费电子、计算机等应用行业。
电子元器件产业链近年来中国电子工业持续高速增长，带动了我国电子元器件产业强劲发展。
我国许多门类的电子元器件产量已稳居全球第一位。
为了推动我国电子元器件行业的快速平稳发展，完善我国电子元器件产业链，政府颁布一系列措施推动我国该行业的发展，规范市场竞争，提高我国电子元器件的竞争力。
我国电子元器件相关法律法规随着我国电子信息技术的快速发展，我国电子器元件行业发展迅猛，电子器元件生产步入新的台阶。
2019年12月，电子元件及电子专用材料制造业增加值同比增长20.7%，出口交货值同比下降2.3%。
主要产品中，电子元件产量同比增长26.9%。
mems封装用胶
mems封装用胶摘要：1.MEMS 封装用胶的概述2.胶的选择标准3.常用MEMS 封装用胶介绍4.胶的性能要求与测试方法5.发展趋势与展望正文：MEMS（微机电系统）封装用胶是一种微电子封装材料，主要用于微电子器件的固定、密封和保护。
在MEMS 制造过程中，胶的选择至关重要，因为它直接影响到器件的性能、可靠性和使用寿命。
1.胶的选择标准在选择MEMS 封装用胶时，主要需要考虑以下几个方面：（1）良好的黏结性能：胶应具有较强的黏结力，能够将微电子器件牢固地固定在载体上。
（2）良好的柔韧性：胶应具有一定的柔韧性，以适应器件在使用过程中的微小位移。
（3）耐热性能：胶应具有较高的耐热性能，能够承受器件在高温环境下的使用。
（4）化学稳定性：胶应具有较好的化学稳定性，不易与周围介质发生化学反应。
（5）电绝缘性能：对于电子器件，胶应具有较好的电绝缘性能，以避免漏电和短路现象。
2.常用MEMS 封装用胶介绍常用的MEMS 封装用胶主要包括以下几种：（1）环氧树脂胶：环氧树脂胶具有良好的黏结性能、耐热性能和化学稳定性，广泛应用于MEMS 封装。
（2）硅胶：硅胶具有良好的柔韧性和电绝缘性能，适用于对柔韧性要求较高的MEMS 器件封装。
（3）聚氨酯胶：聚氨酯胶具有较好的黏结性能和耐热性能，适用于高温环境下的MEMS 器件封装。
（4）光学胶：光学胶主要用于光学器件的封装，具有良好的透光性能和耐热性能。
3.胶的性能要求与测试方法为了保证MEMS 封装用胶的性能，需要对其进行一系列的性能测试，主要包括：（1）黏结强度测试：通过拉伸试验、剪切试验等方法，测试胶的黏结强度。
（2）柔韧性测试：通过弯曲试验、压缩试验等方法，测试胶的柔韧性。
（3）耐热性能测试：通过高温试验、热冲击试验等方法，测试胶的耐热性能。
（4）化学稳定性测试：通过浸泡试验、腐蚀试验等方法，测试胶的化学稳定性。
（5）电绝缘性能测试：通过直流电压试验、击穿电压试验等方法，测试胶的电绝缘性能。
中职电子知识点总结大全
中职电子知识点总结大全一、基本电子知识1. 电子的基本概念电子是指原子的外部轨道上的自由电子，是元素化学和物理性质中最重要的因素之一。
电子有负电荷，数量等于元素原子序数。
2. 电子的发现电子的发现是20世纪物理学界的重大事件，1897年英国科学家汤姆逊发现电子，并证明了它是阴极射线中的一种特定的粒子。
3. 电子的性质电子是微观粒子，是元素的化学性质中最重要的因素之一。
它具有负电荷，质量非常轻，带有自旋，同时也具有波粒二象性。
4. 电子的作用电子在物质中扮演着重要的角色，它们通过化学键和共价键的形成与断裂，以及在半导体行业中的应用，都对我们的生活产生了深远的影响。
5. 电子的运动电子通过外部电场受到的力而被加速，从而产生电流。
在半导体器件中，电子的运动是电子器件工作的基础，同时也是电子学研究的重要部分。
二、电子元件1. 电子元件的分类电子元件按照其在电路中的作用可以分为三种类型：源件、控制元件和功能元件。
源件包括发电源、信号源等；控制元件包括开关、传感器等；功能元件包括放大器、滤波器等。
2. 电子元件的参数电子元件的参数包括电压、电流、功率、频率等。
这些参数在设计电路时需要考虑，以确保电路的正常工作。
3. 常见电子元件常见的电子元件包括二极管、三极管、电阻、电容、电感、LED等。
它们在电路设计和制作中都有着重要的作用。
4. 电子元件的使用电子元件在电路中起着重要的作用，不同的元件在电路中扮演着不同的角色，如控制电流、放大信号等。
5. 电路设计电子元件的选择和配置对电路的工作性能有着重要的影响，因此在设计电子电路时需要对电子元件的性能和参数进行全面的考虑。
三、电子技术1. 电子工艺电子工艺是指在电子器件的制造过程中所采用的各种工艺方法，包括精密加工、清洁技术、封装技术等。
2. 电子设备电子设备是指由电子元件组成的各种电路和系统，包括电子仪器、电子通信设备、电子控制系统等。
3. 电子测量技术电子测量技术是指通过各种仪器设备对电子元件和电路进行测试和测量，以确定其性能和参数。
电子封装技术的未来发展趋势研究
电子封装技术的未来发展趋势研究电子封装技术，这玩意儿听起来好像有点高大上，有点遥不可及，但实际上它就在我们身边，而且对我们的生活影响越来越大。
先来说说我之前遇到的一件事儿吧。
我有个朋友，他特别喜欢捣鼓电子产品，有一次他自己组装了一台电脑。
在这个过程中，我亲眼看到了那些小小的芯片、电路板，还有各种复杂的接口。
他跟我抱怨说，要是电子封装技术能更厉害一点，他组装电脑就不用这么费劲了，也不用担心某个零件因为封装不好而出现故障。
这让我一下子就对电子封装技术产生了浓厚的兴趣。
那到底啥是电子封装技术呢？简单来说，就是把电子元器件，比如芯片、电阻、电容等等，包起来，保护它们，让它们能更好地工作，就像是给这些小家伙们穿上一层“防护服”。
随着科技的飞速发展，电子封装技术的未来发展趋势那可是相当值得期待的。
首先，小型化是必然的。
你想想，现在的手机越来越薄，电脑越来越轻巧，这可都离不开电子封装技术的不断进步。
以后啊，说不定我们的手机能像一张纸一样薄，电脑能装进口袋里。
微型化的同时，高性能也不能落下。
就好比运动员，不仅要身材小巧灵活，还得实力超强。
未来的电子封装技术会让电子设备的运行速度更快，处理能力更强。
比如说，玩大型游戏的时候再也不会卡顿，看高清电影能瞬间加载。
散热问题也会得到更好的解决。
大家都知道，电子设备用久了会发热，有时候热得能当暖手宝。
未来的封装技术会让这些设备像自带了空调一样，时刻保持“冷静”，就算长时间使用，也不会因为过热而影响性能。
还有啊，绿色环保也是未来的一个重要方向。
现在大家都讲究环保，电子封装材料也不例外。
以后会有更多可回收、无污染的材料被用在封装上，既保护了环境，又能让我们放心使用电子产品。
再说说智能化吧。
未来的电子封装可能不再是单纯的“包装”，而是能智能感知设备的工作状态，自动调整和优化性能。
比如说，当设备检测到你在进行高强度的工作时，它会自动提升性能，保证你的工作顺利进行。
另外，多芯片封装技术也会越来越成熟。
电子制造行业概述
电子制造行业概述第一部分电子制造定义 (2)第二部分历史演变 (3)第三部分制造流程概述 (5)第四部分关键技术要素 (7)第五部分材料与供应链 (8)第六部分设计与工程 (10)第七部分质量控制体系 (11)第八部分环保与可持续发展 (13)第九部分全球产业格局 (15)第十部分未来趋势展望 (16)第一部分电子制造定义电子制造行业概述：电子制造是一门涵盖了广泛领域的复杂产业，其核心目标是在电子元件、器件和系统的生产过程中实现高效、可靠、经济的生产，以满足日益增长的市场需求。
本章将对电子制造的定义、产业链、技术发展、市场前景等方面进行深入探讨。
1. 电子制造的定义电子制造是指以电子器件和元件为基础，利用先进的制造工艺和技术手段，将各种电子元件、器件等有机地组装、连接并加工成具有特定功能的终端产品的过程。
电子制造涵盖了从半导体芯片的制造到终端设备的组装，覆盖了通信、计算机、消费电子、工业控制等多个领域。
2. 产业链与技术发展电子制造产业链包括设计、制造、测试、封装、组装、物流等环节。
随着技术的不断进步，电子制造从传统的表面贴装技术（SMT）逐渐发展到三维封装、半导体封装、MEMS技术等领域。
新材料、新工艺的引入不断提高了产品的性能和可靠性，同时也促使电子制造业的不断创新。
3. 市场前景与趋势电子制造作为现代产业的重要组成部分，在全球范围内都具有巨大的市场需求。
随着物联网、5G等新技术的发展，电子制造业将迎来更多机遇。
智能制造、工业互联网等概念的兴起，也将推动电子制造业向数字化、智能化方向迈进，提升生产效率和产品质量。
4. 挑战与机遇电子制造业虽然发展迅猛，但也面临着一些挑战。
其中包括供应链管理的复杂性、环保要求的提升、制造过程中的高能耗等问题。
然而，这些挑战也催生了新的机遇，促使企业在材料、工艺、设备等方面进行创新，以适应市场的变化。
5. 可持续发展电子制造业在追求经济效益的同时，也需要关注可持续发展。
电子封装材料与工艺考核试卷
B.环境测试主要包括温度、湿度和振动测试
C.寿命测试主要评估电子封装在长时间工作下的可靠性
D.功能测试主要评估电子封装的电气性能
17.以下哪个参数不是衡量电子封装材料耐热性能的主要指标？（）
A.玻璃化转变温度
B.热分解温度
C.长期使用温度
D.熔点
18.下列哪种工艺主要用于金属封装？（）
D.电子封装材料将不再需要具备良好的加工性能
二、多选题（本题共20小题，每小题1.5分，共30分，在每小题给出的四个选项中，至少有一项是符合题目要求的）
1.电子封装材料应具备的性能包括以下哪些？（）
A.良好的电气绝缘性能
B.高热导率
C.良好的机械性能
D.低成本
2.以下哪些因素会影响电子封装材料的选用？（）
A.材料的热导率
B.封装的结构设计
C.封装材料的热膨胀系数
D.环境温度
9.电子封装材料在高温环境下应具备的性能包括以下哪些？（）
A.高热稳定性能
B.低热膨胀系数
C.良好的电气绝缘性能
D.高机械强度
10.以下哪些工艺可用于陶瓷封装？（）
A.粉末冶金
B.注塑成型
C.烧结
D.压缩成型
11.电子封装中的粘接剂应具备以下哪些性能？（）
A.适用于通孔插装元件
B.焊接速度较快
C.焊点质量较差
D.可以实现自动化生产
15.电子封装材料在低温环境下应具备的性能包括以下哪些？（-->
A.良好的低温韧性
B.低热膨胀系数
C.高机械强度
D.良好的电气绝缘性能
16.以下哪些封装材料适用于高频高速电子设备？（-->
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2. 高導熱率氮化鋁陶瓷材料 它是90年代才發展起來的一種新型高熱導率電子 封裝材料。其熱導率高﹑熱膨脹系數與硅相匹配﹑介 電常數低﹑高絕緣等優點﹐目前已經在微波功率器件 ﹑毫米波封裝﹑高溫電子封裝等領域獲得應用。
3.新型的AISIC金屬基復合材料
AISIC適用于高性能及高級熱處理的封裝設計。可 以減化尺寸處理﹐避免了繁雜的后加工處理。具有很 高的熱導率﹑與半導體芯片相匹配的熱膨脹系數以及 非常低的密度。
4. 系統級封裝(SIP)技朮 是在系統級芯片(SOC)的基礎上發展起來的一種新 技朮﹐系統級芯片指能在單片集成電路上實現系統功 能的電路芯片﹐該芯片加以封裝就形成一個系統級的 器件。是將多個半導體裸芯片和可能的無源元件構成 的高性能系統集成于一個封裝內﹐形成一個完整的功 能性器件。可以實現較高的性能密度﹑集成較大的無 源元件﹐最有效的使用芯片組合﹐縮短交貨周期。
2.2 第二階段
第二階段是80年代的表面安裝器件時代﹐表面安 裝器件時代 的代表是小外形封裝(SOP)和扁平封裝 (QFP).大大提高管腳數和組裝密度﹐是封裝技朮的一次 革命﹐引線間距為1.0,0.8,0.65,0.5,0.4mm﹐這一階段也 是金屬引線塑料封裝的黃金時代
2.3 第三階段
第三階段是90年代的焊球陣列封裝(BGA)/芯片尺 寸封裝(CSP)時代﹐BGA封裝加寬了引線節距并采用了 底部安裝引線方式﹐日本將BGA的概念用于CSP﹐開 發了引線節距更小的CSP封裝﹐進一步減少了產品的尺 寸和重量。
次微米技術(<<10-6m):VLSI, 微機電
奈米技術(<<10-6m) : 奈米元件, 微機電
二、封裝技朮發展的四個階段
2.1 第一階段 2.2 第二階段
2.3 第三階段
2.4 第四階段
2.1 第一階段
為80年代以前的通孔安裝(THD)時代﹐通孔安裝時 代以TO型封裝和雙列直插封裝為代表﹐IC的功能數不 高﹐引腳數較少(小于64)﹐這類封裝的引線間距固定﹐ 封裝可由人工用手插入PCB的通孔中
電子元器件封 裝技朮的發展
目 錄
一、電子元器件封裝發展的趨勢 二、封裝技朮發展的四個階段 三、電子元器件封裝技朮最新進展 四、未來的電子元器件封裝技朮
一、電子元器件封裝發展的趨勢
1.1 片式元件的发展 1.2 積成電路發展趨勢
1.1 片式元件的发展
在電子產品的各種元件當中，可以區分為兩類 主動元件（active component）能夠執行資料運算 、處理的元件，包括各式各樣IC。 被動元件（passive component）有些電子元件也有 電流訊號通過，不過，這件元件並不會對通過的電流 訊號進行任何運算，只是將其訊號強度放大或是單純 地讓電流訊號通過，最常見的就是電阻、電容等。
5〃纳米电子器件 纳米电子器件可采用GaAs材料制作，也可用Si〃 Ge器件。由于纳米材料的特殊性能，使得纳米电子器 件具有更优良的性能，如量子耦合的器件的研究使在 一块芯片上用0.1μm的工艺技术集成1兆个器件成为可 能，那时，在单片集成电路上就能实现极其复杂的系 统。因此，我们可以相信，纳米技术的应用将使微电 子器件产生突破性的进展。
2.4 第四階段
21世紀的3D疊層封裝時代﹐代表性的產品將是系 統級封裝(SIP: system in a package)﹐從原來的封裝元件 概念演變成封裝系統。它是將多個芯片和可能的無源 元件集成在同一封裝內﹐形成具有系統功能的模塊﹐ 從而可以實現較高的性能密度﹑更高的集成度﹑更低 的成本和更大的靈活性。
1.2 積成電路發展趨勢
(1) IC製程技術趨勢:互補性金氧半導體 (2) IC密度趨勢:記憶體增加率1.5/year
(3) IC晶片尺寸趨勢:晶片面積約每年以13%成長,微處理 器增加率1.35 /year
(4) IC效能趨勢:工作頻率迅速成長，但須有適當的傳輸 線。 (5) IC操作電壓趨勢:操作電壓5V 估可降至2.5V 1.5V (6) IC設計週期:從500000個/設計 3V or 3.5V預 30000個/設計
IC的尺寸與推展﹕ SSI:一顆IC含10個電晶體
MSI:指一顆IC含102個電晶體
LSI:指一顆IC含104個電晶體 VLSI:指一顆IC含106個電晶體 ULSI:指一顆IC含108個電晶體 GSI:指一顆IC含109個電晶體
以電子元件尺寸為例,材料製程技術演進 微米技術(~10-6m)ห้องสมุดไป่ตู้SSI, MSI, LSI
3.多芯片模塊(MCM) MCM是90年代興起的一種混合微電子組裝技朮﹐ 它是在高密度多層布線基板上﹐將若干裸芯片IC組裝 和互連﹐構成更復雜的或具有子系統功能的高級電子 組件。主要特點是布線密度高﹑互連線短、體積小﹑ 重量輕和性能高等。
4.CSP封裝 CSP封裝是BGA封裝進一步小型化﹑薄型化的結 果﹐它主要是指封裝面積不大于芯片尺寸1.2倍的封裝 ﹐其特點是尺寸小﹑成本低﹑功耗低等。它給高性能 ﹑低成本、微型化的高密度封裝帶來了希望。
CSP
3.3 零件的相關資訊
CSP 零件的相關資訊
日本各半導體廠CSP零件生產情形
s y t » ³ ¼ SHARP } Æ ¸ ¼ 28PIN 64PIN 120PIN 160PIN 62PIN 100PIN 144PIN 176PIN 40PIN 46PIN 150-200PIN 144PIN 196PIN 256PIN 40PIN 48PIN 152PIN PITCH 0.8mm 1.0mm 0.8mm 0.8mm 0.5mm 0.5mm 0.8mm 0.5mm 0.5mm 0.5mm 0.8mm LIS« ¦ ¥ ¸ ¤ ¤ ¬ ¡ ] Ë Ø o 6mm X 6mm 9mm X 15mm 12mm X 12mm 12mm X 12mm 9mm X 13mm 10mm X 10mm 12mm X 12mm 12mm X 12mm 10mm X 10.75mm 10mm X 12mm 12mm X 12mm 14mm X 14mm 11mm X 11mm 13mm X 13mm 15mm X 15mm 11.5mm X 6.6mm SRAM SRAM LOGICL LIS LOGICL LIS VISION MEMORY LIS LIS ASIC ASIC FLASH EEPROM FLASH EEPROM MICOM ASIC,GATE ARRAY ASIC,GATE ARRAY ASIC,GATE ARRAY DRAM ASIC
3.2 先進的電子元器件封裝
1.BGA封裝 BGA封裝技朮的出現是封裝技朮的一大突破﹐一 改傳統的封裝結構﹐將引線從封裝基板的底部以陣列 球的方式引出﹐這樣不僅可以安排更多的I/O﹐而且大 大提高了封裝密度﹐改進了電性能。
傳統封裝
BGA
2.倒裝片封裝(FLIIP CHIP) 倒裝片技朮是一種先進的﹑非常有前途的集成電 路封裝技朮﹐它分為封裝倒裝片(FCIP)和板上倒裝片 (FCOB)兩種。它是利用倒裝技朮將芯片直接裝入一個 封裝體內﹐倒裝片封裝可以是單芯片也可以是多芯片 形式。它的突出優點是體積小和重量輕.
三、電子元器件封裝技朮最新進展
3.1 封裝新材料 3.2 先進的電子元器件封裝 3.3 零件的相關資訊
電子元件封裝的最新進展主要體現在新材料和新 技朮兩個方面
3.1 封裝新材料
1.低溫共燒陶瓷材料(LTCC) LTCC是相對應與HTCC(高溫共燒陶瓷)的一類封裝 材料﹐其主要成份是由一些玻璃陶瓷組成﹐燒結溫度 低﹐可與賤金屬共燒﹐具有介電常數低﹑介電損耗小 ﹑可以無源集成等優點﹐尤其是優良的高頻性能。
NIHON
FUJITSU
TOSHIBA
HITACHI
0.8mm 0.8mm 0.8mm 1.0mm 0.75-0.8mm 0.5mm 11mm X 11mm
CSP 零件應用在產品上的情形
CSP 及 FLIP CHIP 零件的應用 1. 行動電話系統
2. 半導體製造
3. 筆記型電腦 4. 個人電腦系統 上述行業將率 先應用CSP及 FLIP CHIP零件及技術 於產品上,以達到產品短小輕薄方便攜帶的目的
各種 IC 零件外形體積的比較
四、未來的電子元器件封裝技朮
1. 圓片級封裝(WLP)技朮 圓片級封裝和圓片級芯片尺寸封裝(WLCSP)是同一概 念﹐表示的是此電路封裝完成后仍保持其圓片形式的封裝 ﹐其流行的主要原因是它可將封裝尺寸減至和IC芯片一樣 大小以及其加工的低成本。
2. 疊層封裝技朮
疊層封裝是指在一個芯腔/基板上將多個芯片豎直堆 疊起來﹐進行芯片與芯片或芯片與封裝之間的互連﹐大多 數的疊層封裝是兩個芯片相疊﹐但有一些廠家能生產更多 芯片疊加的產品。
1.
SMC――片式元件向小、薄型发展﹕
其尺寸从1206（3.2mm＊1.6mm）
向0805（2.0mm＊1.25mm）
－0603（1.6mm＊0.8mm） －0402（1.0mm＊0.5mm） －0201（0.6mm＊0.3mm） －01005(0.4mmx0.2mm)发展
電子零件尺寸動向
2.SMD――表面组装器件向小型、薄型和窄引脚间距 发展﹕
3〃SOC技朮 SOC称为芯片上系统(System On a Chip)又称为系 统单芯片，它的意义就是在单一芯片上具备一个完整 的系统运作所需的IC，这些主要IC包括处理器，输入/ 输出装置，将各功能组快速连接起来的逻辑线路、模 拟线路，以及该系统运作所需要的内存。这种将系统 级的功能模块集成在一块芯片上使集成度更高，器件 的端子数为300～400左右，是典型的硅园片级封装。
引脚中心距从1.27向0.635mm－0.5mm－0.4mm及 0.3mm发展。
3. 出现了新的封装形式BGA（球栅阵列，ball grid arrag）、CSP（UBGA）和FILP CHIP（倒装芯片）
窄间距技术（FPT）是SMT发展的必然趋势 FPT是指将引脚间距在0.635－0.3mm之间的SMD 和长＊宽小于等于1.6mm＊0.8mm的SMC组装在PCB上 的技术。