C8051F35X单片机内部Flash存储器的擦写方法
单片机擦除程序
单片机擦除程序
单片机擦除程序是用于将单片机中存储的程序和数据全部清除
的程序。
在单片机设计中，有时需要重新编程，或者需要清空已有程序和数据，此时就需要使用单片机擦除程序。
擦除程序可以使用专用的编程器进行操作，也可以通过编写特定的程序实现擦除。
一般来说，使用编程器擦除比较方便和稳定，但是编写擦除程序可以增加学习和了解单片机工作原理的机会。
单片机擦除程序的实现原理是将单片机的存储单元中的数据全
部清零，包括程序存储区和数据存储区。
这样就可以将单片机恢复到出厂状态，准备重新编程或者使用。
需要注意的是，擦除程序的操作是不可逆的，一旦擦除，就无法恢复已经丢失的程序和数据。
因此在使用擦除程序前一定要进行备份，以免重要的程序和数据遗失。
总之，单片机擦除程序是单片机编程和设计中非常重要的工具，使用方法和注意事项需要认真学习和掌握。
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单片机flash的擦写过程
单片机flash的擦写过程
单片机flash的擦写过程是指对存储在flash芯片中的数据进行擦除和写入的过程。
在进行擦写操作之前，需要先对flash进行擦除操作，将需要写入的数据覆盖在已经擦除的区域中。
擦写操作的过程可以分为以下几个步骤：
1. 擦除操作：在进行写入操作之前，需要对flash进行擦除操作。
擦除操作会将需要擦除的区域中的所有数据清空，以便写入新的数据。
2. 写入操作：在擦除操作完成之后，可以进行写入操作。
写入操作将需要写入的数据存储在flash芯片的相应区域中。
写入操作时需要对flash进行写入保护，以免误操作导致数据的丢失。
3. 校验操作：在写入操作完成之后，需要进行校验操作，以确保写入的数据和原始数据一致。
校验操作可以使用CRC等校验算法进行验证。
4. 读取操作：在校验操作完成之后，可以进行读取操作，以验证写入的数据是否被正确保存在flash中。
读取操作可以使用读取指令进行。
总之，单片机flash的擦写过程是一个非常重要的操作，需要注意各个环节的细节，以确保数据的正确性和可靠性。
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C8051F35X单片机内部Flash存储器的擦写方法
ＣＨＥＮ ａ Ｆｕ—ｎ，ＺＨＡＮＧ ｎｇ Ｙｉ
（ｃ ｏｌｆＥｅｔｃＥ ｇｎｅｉｇ ’ Ｕ ｉ ｒ ｔ ｏ Ｔｃｎ ｌ ｙ Ｚ ｅｇｈｕ４ ０ ０ ， ｈｎ ） Ｓ ｈｏ ｏ ｌ ｒ ｎ ｉ ｒ ， ， ｃｉ ｅ ｎ 姗 ｎｖ ｓｙｆ ｅｈ ｏ ｇ ，ｈ ｎｚｏ ５０ １ Ｃ ｉａ ｅ ｉ ｏ
Ｃ ０ １ ３ Ｘ 型单 片机 的 Ｆａｈ进 行 擦 除 、 入 和 读 取 操 作 ， 提 供 程 序 范例 。该 方 法 无 需任 何 接 口电路 。 用方 便 ． ８５Ｆ５ ｌｓ 写 并 使
成 本 低 且 安 全 可 靠 。 此 方 法 已应 用 于 包 装机 控 制 器 ， 实现 包装 参 数 的 保 存 和修 改 ， 果 良好 。 效
ｎ ｑ ｅ ｈ ｓ ａ ｖ ｎ ａ ｅ ｏ ｎ ｍｉｉ ｇ ｃ ｓｓ ｂ ｔ ｒｃ ｎｒ ｌ ｂ ｌ ｙ ａ ｄ ｉ ｃ ｅ ｓ ｇ ｒ ｌ ｂ ｌ ｙＴ ｉ ｍｅ ｈ ｄ ｈ ｓ ｂ ｅ ｐ ｌ ｄ ｔ ｉ ｕ ａ ｄ ａ ｔ ｇ ｆｍｉ ｉ ｚ ｏ ｔ ， ｅｔ ｏ ｔ ｌ ｉ ｔ ｎ ｎ ｒ ａ ｉ ｅ ｉ ｉ ｔ ．ｈ ｓ ｎ ｅ ｏａ ｉ ｎ ａ ｉ ｔ ｏ ａ ｅ ｎ ａ ｐ ｉ ｏ ｅ
片 机 内 部 Ｆａｈ存 储 器 的 擦 除 、 入 和 读 取 操 作 方 法 。 ｌｓ 写
C8051F020中Flash存储器的在线擦写方法
须是 Ｃ Ｏ Ｄ Ｅ 类型 下面是将 Ｆ ｌ ａ ｓ ｈ 存储器中的数据拷贝
到存放于内部 Ｒ Ａ Ｍ 的数组 ａ ［ ｔ ］ 中的样例程序
ｖｏｉｄ Ｆｌａｓｈ＿ＲＥＡＤ ｖｏｉｄ
｛ ｕｎｓｉｇｎｅｄ ｃｈａｒ ｃｏｄｅ ＊ｐｒｅａｄ；
／＊程序存储器空间的指针
Ｆｌａｓｈ 指向待读地址 ＊／
ｐｒｅａｄ＝０ｘ１０００；
调用这些函数时的参数为 ｆ ｒ ｏ ｍ 表示所申请 Ｉ ／ Ｏ 端 口的起始地址 ｅｘｔｅｎｔ 为所要申请的从 ｆｒｏｍ 开始的端口 数 ｎａｍｅ 为设备名 将会出现在 ／ｐｒｏｃ／ｉｏｐｏｒｔｓ 文件里 ｃｈｅｃｋ＿ｒｅｇｉｏｎ 返回 ０ 表示 Ｉ／Ｏ 端口空闲 否则为正在被使 用 在申请了 Ｉ ／ Ｏ 端口之后 就可以用如下几个函数来
ＰＳＣＴＬ＝０Ｘ０１；
／＊禁止对Ｆｌａｓｈ的擦除＊／
ｐｇｅｎ＝＆ａ［０］；
／＊将数组值写入Ｆｌａｓｈ中＊／
ｆｏｒ（ｉ＝０；ｉ＜ｔ；ｉ＋＋） ｛ ＊ｐｗｒｉｔｅ＋＋＝＊ｐｇｅｎ＋＋； ｝ ＦＬＳＣＬ＝０Ｘ００； ＰＳＣＴＬ＝０Ｘ００； ＥＡ＝１； ｝
／＊禁止对Ｆｌａｓｈ的写操作＊／ ／＊开中断＊／
EXPERIENCE EXCHANGE 经 验 交 流
Ｃ８０５１Ｆ０２０ 中 Ｆｌａｓｈ 存储器的在线擦写方法
哈尔滨工程大学 韩红芳 பைடு நூலகம்孙守昌
单片机flash储存结构体的方式
单片机flash储存结构体的方式单片机的Flash存储结构体的方式可以通过以下几种方式实现：
1. 直接存储，将结构体直接存储到Flash中。
这种方式需要考
虑Flash的写入擦除次数，以及Flash的页大小和擦除块大小，避
免频繁写入导致Flash寿命缩短。
2. 分页存储，将结构体分成适当大小的页，然后按页写入Flash。
这样可以减少对Flash的擦除次数，延长Flash的使用寿命。
3. 压缩存储，对结构体进行压缩，然后再存储到Flash中。
这
种方式可以节省Flash的空间，但在读取时需要进行解压缩操作。
4. 文件系统存储，使用文件系统将结构体以文件的形式存储到Flash中，例如FAT文件系统。
这种方式可以方便地管理存储的结
构体数据，但会增加额外的存储空间和读写开销。
无论采用哪种方式，都需要考虑数据的完整性和一致性，以及
对Flash的读写操作进行合理的管理，避免出现数据损坏或者
Flash寿命缩短的情况。
同时，还需要考虑结构体数据的访问方式和频率，选择合适的存储方式来满足系统的需求。
C8051f020 Flash读写擦除操作
C8051f020 Flash读写擦除操作1 flash写操作：置程序存储写允许位PSWE为1，使用MOVX指令对flash进行写操作PSCTL.0=1；void WriteFlash(unsigned int addr,unsigned char data){char xdata * xdptr;xdptr=addr;FLSCL|=0x01; //允许由用户软件写/擦除FLASHPSCTL|=0x01; //允许FLASH写* xdptr=data; //写数据到指定地址PSCTL&=0xfc; // 禁止Flash写擦除操作FLSCL&=0xfe; //禁止由用户软件写/擦除FLASH}2 flash擦除操作：如果要擦除FLASH存储器的一个页面，程序存储擦除允许PSEE位和程序存储写允许PSWE位必须被置1，这时flash写操作被认为是擦除操作void OnchipFlashErase(unsigned char saddr){char xdata * xdptr;xdptr=saddr*0x200; // 512字节一扇区FLSCL|=0x01; //允许由用户软件写/擦除FLASHPSCTL|=0x02; //允许FLASH扇区擦除PSCTL|=0x01; //允许FLASH写* xdptr=0xff; //擦除整个扇区PSCTL&=0xfc; // 禁止Flash写擦除操作FLSCL&=0xfe; //禁止由用户软件写/擦除FLASH}3 flash读操作用MOVC指令读FLASH存储器，MOVX读操作将总是指向XRAM，与PSWE的状态无关void ReadFlash(unsigned int addr,unsigned char data){data= CBYTE[addr]; //读指定flash地址数据data= XBYTE[addr]; //读指定xram地址数据}4 读写另外128字节临时存储器扇区置位PSCTL寄存器中的SFLE位为逻辑1，该扇区不能用于存储程序代码。
单片机内部flash读写
单⽚机内部flash读写1、⾃定义⼯程名称。
2、选择英⽂路径，否则会丢失启动⽂件⽽⽆法编译通过，需要⼿动添加启动⽂件： startup_stm32l431xx.s3、选择MDK-ARM V5开发软件，即KEIL5软件代码编写说明1、按键KEY1按下时，把数据写⼊MCU的flash2、按键KEY2按下时，把写⼊MCU的flash数据并读取出来，打印数据。
调⽤函数：1、HAL_FLASH_Unlock(void);//解锁2、FLASH_EraseInitTypeDef FLASH_EraseInitSturcture;//配置需要擦除的参数3、HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef pEraseInit, uint32_tPageError);//擦除4、HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data);//写数据到flash5、HAL_FLASH_Lock(void);//锁住6、HAL_GPIO_ReadPin(GPIO_TypeDef* GPIOx, uint16_t GPIO_Pin);//检测按键7、void HAL_Delay(uint32_t Delay);//延时8、HAL_GPIO_TogglePin(GPIO_TypeDef* GPIOx, uint16_t GPIO_Pin);//点亮和熄灭LED9、uint8_t OneWord=(__IO uint32_t)addr;//读取地址数据10、printf();//打印数据到串⼝函数需要重新定义函数fputc();才能正常使⽤printf();int fputc(int ch,FILE*f){uint8_t temp[1]={ch};HAL_UART_Transmit(&huart1,temp,1,2);return HAL_OK;}代码编写说明• FLASH读写流程：1、对FLASH写⼊数据流程：1）解锁FLASH：调⽤HAL_FLASH_Unlock(void);2）擦除FLASH：调⽤HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef pEraseInit, uint32_t PageError);3）写⼊数据到FLASH：调⽤HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data);4）锁住FLASH：调⽤HAL_FLASH_Lock(void);2、FLASH读取数据流程直接读取相应的FLASH地址即可：通过(__IO uint32_t)ADDR读取该地址数据代码编写实现#define strLen sizeof(strWriteToFlash1)/sizeof(uint8_t) //写⼊数据的长度#define ADDR 0x0803f800 //写地址写⼊FLASH数据：void writeflash(int addr, uint32_t* writeFlashData){uint32_t PageError = 0;int i=0; HAL_FLASH_Unlock();FLASH_EraseInitTypeDef f;f.Banks=1;f.NbPages=1;f.Page=255;f.TypeErase=0;HAL_FLASHEx_Erase(&f,&PageError);HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD,addr,writeFlashData[i]);HAL_FLASH_Lock();}代码编写实现while(1)循环内程序：if(HAL_GPIO_ReadPin(KEY1_GPIO_Port,KEY1_Pin)==GPIO_PIN_RESET){HAL_Delay(100);if(HAL_GPIO_ReadPin(KEY1_GPIO_Port,KEY1_Pin)==GPIO_PIN_RESET){printf("KEY1 Press\r\n");writeflash(ADDR,(uint32_t*)&writeFlashData);//擦除并写⼊数据 HAL_GPIO_TogglePin(LED_GPIO_Port,LED_Pin);//LED电平翻转}}if(HAL_GPIO_ReadPin(KEY2_GPIO_Port,KEY2_Pin)==GPIO_PIN_RESET){HAL_Delay(100);if(HAL_GPIO_ReadPin(KEY2_GPIO_Port,KEY2_Pin)==GPIO_PIN_RESET){printf("KEY2 Press\r\n"); ReadFlashData(ADDR,sizeof(writeFlashData),R_OldFlash);//读取写⼊的数据HAL_GPIO_TogglePin(LED_GPIO_Port,LED_Pin); //LED电平翻转 }}```**读取FLASH数据**：`void ReadFlashData(int addr,uint32_t strSize,uint8_t* ReadData){uint8_t OneWord; for(int i=0;i<strSize;i++){OneWord=*(__IO uint32_t*)addr;ReadData[i]=OneWord;addr++;}printf("Read the flash data:>>%s<<,address:%x\r\n",ReadData,addr-strSize);// 显⽰该地址的数据}`**扩展实验**：将移植flash.c，该⽂件有实现写数据到FLASH的多种⽅式，如写字符串数据到 FLASH等。
单片机片内存储器如何烧写 几种烧写方式介绍
单片机片内存储器如何烧写几种烧写方式介绍单片机应用系统由硬件和软件组成，软件的载体是硬件的程序存储器，程序存储器采用只读存储器，这种存储器在电源关闭后，仍能保存程序，在系统上电后，CPU 可取出这些指令重新执行。
只读存储器(Read Only Memory,ROM)中的信息一旦写入，就不能随意更改，特别是不能在程序运行过程中写入新的内容，故称只读存储器。
向ROM中写入信息称为ROM编程。
根据编程方式不同，掩模ROM.在制造过程中编程，是以掩模工艺实现的，因此称为掩模ROM。
这种芯片存储结构简单，集成度高，但是由于掩模工艺成本较高，只适合于大批量生产。
可编程ROM(PROM).芯片出厂时没有任何程序信息，用独立的编程器写入。
但是PROM 只能写一次，写入内容后，就不能再修改。
EPROM.用紫外线擦除，用电信号编程。
在芯片外壳的中间位置有一个圆形窗口，对该窗口照射紫外线就可擦除原有的信息，使用编程器可将调试完毕的程序写入。
E2PROM(EEPROM).用电信号擦除，用电信号编程。
对E2PROM的读写操作与RAM存储器几乎没什么差别，只是写入速度慢一些，但断电后仍能保存信息。
Flash ROM.闪速存储器(简称闪存)，是在EPROM和E2PROM的基础上发展起来的一种电擦除型只读存储器。
特点是可快速在线修改其存储单元中的数据，改写次数达一万次(ROM 都有改写次数)，读写速度快，存取时间可达70ns，而成本比E2PROM低得多，因此正逐步取代E2PROM。
注意：更多存储器内容请参考，《电子技术基础》数字部分(第五版) 主编康华光. 第七章，或者电工学(第七版)(下册) 主编秦曾煌第22章.烧写器、烧录器、编程器、下载器、仿真器、调试器单片机编程器(烧写器、烧录器)是用来将程序代码写入存储器芯片或者单片机内部的工具。
编程器主要修改只读存储器中的程序，编程器通常与计算机连接，再配合编程软件使用。
如下图所示是一个典型的编程器外形。
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C8051F35X单片机内部Flash存储器的擦写方法
作者：陈富安， 张莹
作者单位：河南工业大学电气工程学院,河南,郑州,450001
刊名：
电子设计工程
英文刊名：ELECTRONIC DESIGN ENGINEERING
年，卷(期)：2010,18(2)
1.杨勇涛Flash存储器在DSP系统中的应用[期刊论文]-电子技术 2006(361)
2.赵海舰嵌入式系统的nash编程技术研究[期刊论文]-计算机工程与设计 2005(26)
3.朱恩亮Flash Memory程序存储器实验的设计 2006(19)
4.蔡晓雯基于C8051F020的外部存储器扩展[期刊论文]-测控技术 2008(27)
5.潘琢金C8051F350混合信号ISP Flash为控制器数据手册 2005
6.傅务谨Flash存储器在嵌入式系统设计中的应用[期刊论文]-福建电脑 2008(22)本文链接：/Periodical_dzsjgc201002039.aspx。