硅光子器件及其集成技术的研究
硅光研究计划书
硅光研究计划书1. 引言硅光是指利用硅作为半导体材料进行光学研究和应用的领域。
在半导体行业中，硅材料广泛应用于电子器件，如集成电路和太阳能电池。
近年来，随着光学通信、光计算和光传感等领域的发展，硅光逐渐受到研究者的关注。
本文主要介绍硅光研究的目的、研究内容和计划安排，以及预期的研究成果和对相关领域的影响。
2. 目的硅光研究的目的是探索利用硅材料进行光学研究和应用的可行性，并推动硅光技术在光通信、光计算和光传感等领域的应用。
通过深入研究硅光的基本原理和性能，可以提高硅光器件的效率和可靠性，加速硅光技术的商业化进程，并推动硅光技术在信息科学和能源领域的发展。
3. 研究内容硅光研究的主要内容包括以下几个方面：3.1 硅光器件制备与性能测试首先，需要研究硅光器件的制备方法，包括光子晶体、波导和光调制器等。
对制备的硅光器件进行性能测试，评估其光学性能和电学性能，分析器件的可靠性和稳定性。
3.2 硅基光源与光放大器研究研究硅基光源和光放大器的设计和制备方法。
通过优化器件结构和材料选择，提高硅基光源和光放大器的效率和输出功率。
3.3 硅光调制器与光开关研究研究硅光调制器和光开关的设计和制备技术。
通过改善硅光调制器的速度、带宽和消耗功率等指标，提升光开关的性能和可靠性。
3.4 硅基光电探测器研究研究硅基光电探测器的设计和制备方法。
优化探测器的响应速度、灵敏度和噪声等性能指标，提高硅基光电探测器在光通信和光计算中的应用效果。
4. 计划安排根据研究内容，制定以下的计划安排：4.1 第一年•学习硅光基础知识，包括硅光器件原理和制备技术•搜集相关文献，了解当前硅光研究的最新进展•进行硅光器件的制备和性能测试实验•分析实验结果，优化硅光器件的性能和可靠性4.2 第二年•深入研究硅基光源和光放大器的设计和制备方法•设计并制备硅光调制器和光开关的样品•进行硅基光电探测器的制备和性能测试实验•分析实验结果，改进硅光调制器和光开关的性能和可靠性4.3 第三年•完善硅光器件的制备工艺和性能测试方法•设计并制备具有优异性能的硅基光源和光放大器样品•进一步提升硅光调制器和光开关的性能，实现快速光调制和光开关功能•提高硅基光电探测器的响应速度和灵敏度5. 预期成果通过以上的研究内容和计划安排，预期可以达到以下成果：•开发具有较高效率和可靠性的硅光器件，包括硅基光源、光放大器、光调制器和光开关等•提升硅光器件在光通信、光计算和光传感等领域的应用效果•推动硅光技术在信息科学和能源领域的发展•发表相关研究成果于国际期刊或学术会议上，提升学术影响力6. 影响与应用硅光技术的发展对光通信、光计算和光传感等领域具有重要的影响和广泛的应用前景。
硅光子集成电路工作原理
硅光子集成电路工作原理硅光子集成电路是一种基于硅材料的光子集成电路技术，利用硅的优良物理和光学特性，实现了在同一芯片上集成光源、调制器、耦合器和探测器等多个光子器件，从而实现光与电的高效互转。
硅光子集成电路具有体积小、功耗低、速度快和集成度高等优点，广泛应用于光通信、光传感和计算等领域。
一、光的发射：二、光的传输：硅光子集成电路中的光传输主要依靠硅波导来实现。
硅波导是一种基于硅材料的光导结构，其原理是利用硅的高折射率和低损耗特性，通过在硅层上进行局域的折射，使光能在波导内部传输。
硅波导可分为彩色波导和灰色波导两种，彩色波导是指其截面尺寸小于光波长的波导，灰色波导是指其截面尺寸与光波长接近的波导。
硅波导通过设计适当的结构，可以实现对光的传输进行调控。
例如，通过改变波导的宽度、高度或层厚等参数，可以调节波导的折射率，从而控制光的传播速度和模式。
此外，还可以引入光栅、阵列波导等结构，进一步对光进行分光、分步和耦合等操作。
三、光的检测：光经过波导的传输到达探测器时，需要被探测器接收并转换成电信号。
常用的硅光探测器有PN结光二极管、内部光电效应器件等。
PN结光二极管是一种利用光电效应实现光电转换的器件，当光照射到PN结上时，光子能量被吸收并激发束缚电子跃迁至导带，产生电流。
这种光二极管具有高速响应、低噪声、高效率等特点，适合用于光通信和光传感应用。
内部光电效应器件是一种新型的光电转换器件，采用了与传统硅探测器不同的结构。
通过在PN结上引入F-P（菲涅耳-普朗克）共振腔或谐振器等结构，实现了对光的增强吸收，并提高了探测器的响应速度和灵敏度。
内部光电效应器件具有高效输出、紧凑结构和宽带特性等优点，适用于高性能光通信系统。
总之，硅光子集成电路的工作原理是在硅材料上通过光的发射、传输和检测等过程，实现光与电的相互转换。
硅波导作为光传输的核心部分，通过设计合理的结构和参数，实现对光的调控和控制。
探测器则将光转换为电信号，并进行相应的处理和分析。
硅光子集成芯片
硅光子集成芯片硅光子集成芯片是一种基于硅材料制造的光子集成电路，它将光子学和电子学相结合，用光信号代替传统电信号进行信息的传输和处理。
它具有高速、低能耗、大带宽等优点，被广泛应用于通信、计算、传感等领域。
硅光子集成芯片的出现解决了传统电子集成电路面临的瓶颈问题。
随着信息技术的迅猛发展，传统的电子集成电路已经无法满足高速、大容量数据传输的需求。
而硅光子集成芯片利用光信号传输数据，具有更高的速度和带宽，可以实现更快速、更大容量的数据传输和处理。
硅光子集成芯片具有较低的能耗。
相比传统的电子集成电路，光子集成电路传输数据时不会产生热量，能耗更低。
在大规模数据中心等场景中，硅光子集成芯片的低能耗特性可以显著降低能源消耗，提高能源利用效率。
硅光子集成芯片还具有较好的兼容性。
由于硅材料广泛应用于电子行业，硅光子集成芯片可以与传统的电子集成电路兼容，便于与现有技术设备的集成。
这意味着硅光子集成芯片可以更好地与电子器件结合，实现光电子混合集成，进一步提升整体系统的性能。
硅光子集成芯片还具有体积小、重量轻的优点。
相比传统的光纤通信系统，硅光子集成芯片可以将光学器件集成到微小的芯片中，从而大大减小设备的体积和重量。
这对于便携式设备和无线通信系统来说，具有重要的意义。
硅光子集成芯片在通信领域的应用已经取得了重要的突破。
例如，硅光子芯片可以用于光纤通信系统中的光网络交换、光纤收发模块等关键部件，实现高速、大容量的数据传输。
此外，硅光子集成芯片还可以应用于光子计算、光子传感等领域，为实现更快速、更智能的信息处理和传感提供了新的可能性。
然而，硅光子集成芯片仍然面临一些挑战。
首先，制造硅光子集成芯片的工艺相对复杂，需要高精度的光刻和纳米加工技术。
其次，硅光子集成芯片的成本较高，限制了其在大规模应用中的推广。
此外，硅光子集成芯片在光学器件上的性能仍有提升空间，例如光学损耗和调制速度等方面仍需进一步改进。
硅光子集成芯片作为一种新型的光子集成电路，具有高速、低能耗、大带宽等优点，为信息技术的发展带来了新的机遇。
硅基光子学的原理与光学器件研究
硅基光子学的原理与光学器件研究光子学作为一门研究光的行为和性质的学科，一直以来都备受关注。
而在光子学的发展过程中，硅基光子学成为了一个热门的研究领域。
本文将介绍硅基光子学的原理和光学器件研究，探讨其未来的发展前景。
硅基光子学的理论基础源于硅的特殊物理性质。
硅是一种广泛应用于集成电路制造的材料，它具有高折射率、高导热性和低色散等优势。
这些特性使得硅材料非常适合用于光学器件的制造，尤其是在通信领域。
在硅基光子学中，硅波导是一种常见且重要的元件。
硅波导可以通过制造一定形状和深度的结构来控制光的传播。
通过光波在波导内部的传播，可以实现光的引导和耦合，从而实现光的传输和调控。
硅波导的制造通常使用微电子加工工艺，与集成电路的制造方式类似。
硅波导还可以实现光的调制。
通过将电信号转化为光信号，然后通过控制光的强度来实现信号的调制。
这种调制方式被广泛应用于光通信系统中，能够实现高速、大容量的数据传输。
硅基光子学在光通信领域有着巨大的应用潜力。
除了硅波导，硅基光子学还涉及到其他一些重要的器件，如光调制器、光开关和光放大器等。
光调制器可以通过控制光的相位和强度来实现光信号的调制。
光开关可以在不同的路径之间切换光的传输，实现光信号的路由和分配。
光放大器可以将光信号放大，增强光的信号强度。
硅基光子学的研究还涉及到一些新兴的领域，如量子光学和光子计算等。
量子光学研究光与物质之间的相互作用，利用光的量子特性来实现量子计算和通信。
硅基光子学可以提供一个制备和控制光量子态的平台，为量子信息处理提供了新的可能。
光子计算是一种新颖的计算方式，利用光的优势来实现快速、高效的计算。
硅基光子学可以提供光子计算中所需的光源、耦合器和光学器件等基础设施。
光子计算的潜力巨大，有望成为未来计算的重要技术之一。
虽然硅基光子学有着广泛的应用前景，但也面临着一些挑战。
例如，硅材料的光学非线性较弱，这在一定程度上限制了硅基器件的性能。
此外，硅基光子学的制造成本较高，这也限制了它在某些领域的应用。
硅光异质集成铌酸锂薄膜技术的进展及其未来发展探讨
一、引言随着信息技术的飞速发展，硅光电子学在实现光电子集成领域的应用中崭露头角。
硅光电子学的发展对于未来高速通信、超级计算机和光通信等领域具有重要意义。
而铌酸锂薄膜技术则是硅光电子学领域中的重要技术之一，其在光器件中的应用越来越受到关注。
本文将对硅光异质集成铌酸锂薄膜技术的进展及其未来发展进行探讨。
二、硅光异质集成铌酸锂薄膜技术的概述1. 硅光电子学的发展硅光电子学指的是在硅基材料上实现光电子器件的技术和学科领域。
硅光电子学的发展受益于硅材料本身的成熟工艺和设备，可以利用现有的半导体工艺和设备技术，降低成本，提高生产效率，因此备受关注。
2. 铌酸锂薄膜技术的应用铌酸锂（LiNbO3）是一种优异的非线性光学材料，可以广泛应用于光调制器、光开关、光频率倍增等光器件中，具有较高的光电对称性和线性光学效应，因此被广泛用于光通信和光通信领域。
3. 硅光异质集成铌酸锂薄膜技术的原理在硅光电子学中，铌酸锂薄膜技术是一种将铌酸锂薄膜集成到硅基底上的技术，通过光子和电子的相互作用，实现光电子器件的功能。
硅光异质集成铌酸锂薄膜技术的出现，为硅光电子学领域的发展提供了新的机遇和挑战。
三、硅光异质集成铌酸锂薄膜技术的研究进展1. 硅光异质集成铌酸锂薄膜技术的关键技术硅光异质集成铌酸锂薄膜技术的关键技术包括铌酸锂薄膜的制备、硅基底上的铌酸锂薄膜的集成和器件制备等方面。
在这些关键技术方面，研究人员取得了显著的进展，为硅光异质集成铌酸锂薄膜技术的发展奠定了基础。
2. 硅光异质集成铌酸锂薄膜技术的研究应用硅光异质集成铌酸锂薄膜技术已经在光通信、超级计算机、生物医学成像等领域得到了广泛应用，并取得了良好的效果。
研究人员还在不断探索新的应用领域，预计硅光异质集成铌酸锂薄膜技术将迎来更广阔的发展空间。
3. 硅光异质集成铌酸锂薄膜技术的研究热点目前，硅光异质集成铌酸锂薄膜技术的研究热点主要集中在新型铌酸锂薄膜制备技术、高性能光电器件制备技术、器件结构优化等方面。
硅光子学及其应用
硅光子学及其应用硅光子学是一种基于硅芯片的光电技术，是集成电路技术和光学技术的结合产物。
它利用硅材料的优良的光学和电学性质，将电信号转化成光信号，并在芯片上进行传输和处理。
硅光子学技术具有体积小、功耗低、传输距离远、抗干扰能力强等优点，使其在通信、计算、传感等领域得到广泛应用。
一、硅光子学的基本原理硅是一种优秀的光学材料，具有高折射系数、宽光学带隙、低色散等特点，是光学器件制作的理想选择。
硅光子学中利用硅波导来传输光信号，其原理与铜线传输电信号类似。
硅波导主要包括基础波导、环形波导、耦合波导等类型。
基础波导是最基本的结构，并能够用于光信号的扩散传输。
环形波导则可以用于光信号的储存和加工。
耦合波导则用于光信号的分配和集成。
硅光子学中，光电子元器件主要包括激光器、调制器、光放大器、探测器等。
其中，激光器和探测器是光通信中最基础的元器件。
调制器则是在光通信中需要实现数字电信号与光信号的相互转换的组件。
光放大器则用于增强传输距离。
硅光子学中各类元器件无论是在性能特点还是集成度方面均具有很高的优势。
二、硅光子学发展历程硅光子学的发展起源于微电子工艺学。
20世纪80年代以后，芯片技术不断升级，出现了多晶硅、氮化硅、氧化亚硅等新型材料，这些新材料的特性为硅光子学的发展提供了契机。
1984年，日本学者Izuo Hayashi最早提出了硅光子学的概念。
其后，美国、欧洲等地的研究者们也纷纷投入到硅光子学的研究中，近年来，中国也逐渐加速了硅光子学技术的研究和发展。
三、硅光子学的应用领域硅光子学技术在近年来的应用领域广泛，特别是在通信、计算、传感等领域，硅光子学技术为这些领域提供了很好的解决方案。
通信领域：硅光子学技术已经广泛应用于光通信领域，比如在数据中心、互联网骨干网等关键领域。
硅光子学技术能够提供更快更稳定的传输速度，因此在信息传输方面具有巨大的潜力。
计算领域：硅光子学技术在计算领域也得到了广泛运用，它能够提供比传统计算更快、更节能、更稳定、更安全的方案。
探析硅光学技术的原理、种类及优势
探析硅光学技术的原理、种类及优势当互联网流量在用户和数据中心之间传递时，越来越多数据通信发生在数据中心，让现有数据中心交换互联变得更加困难，成本越来越高，由此技术创新变得十分重要与紧迫。
现在有一种半导体技术——硅光子，具有市场出货量与成本成反比的优势，相比传统的光子技术，硅光器件可以满足数据中心对更低成本、更高集成、更多嵌入式功能、更高互联密度、更低功耗和可靠性的依赖。
微电子技术按照“摩尔定律”飞速发展已有五十几年了，但随着器件的特征尺寸减小到十几个纳米以下，微电子产业能否再依照“摩尔定律”前进已面临挑战。
器件的速度、功耗和散热已经成为制约微电子技术发展的瓶颈。
另一方面，基于计算机与通信网络化的信息技术也希望其功能器件和系统具有更快的处理速度、更大的数据存储容量和更高的传输速率。
仅仅利用电子作为信息载体的硅集成电路技术已经难以满足上述要求。
因此，应用“硅基光电子技术”，将微电子和光电子在硅基平台上结合起来，充分发挥微电子先进成熟的工艺技术，大规模集成带来的低廉价格，以及光子器件与系统所特有的极高带宽、超快传输速率、高抗干扰性等优势，已经成为了信息技术发展的必然和业界的普遍共识。
什么是硅光技术?硅光子是一种基于硅光子学的低成本、高速的光通信技术,用激光束代替电子信号传输数据,她是将光学与电子元件组合至一个独立的微芯片中以提升路由器和交换机线卡之间芯片与芯片之间的连接速度。
硅光子技术是基于硅和硅基衬底材料(如SiGe/Si、SOI 等)，利用现有CMOS 工艺进行光器件开发和集成的新一代技术，结合了集成电路技术的超大规模、超高精度制造的特性和光子技术超高速率、超低功耗的优势，是应对摩尔定律失效的颠覆性技术。
这种组合得力于半导体晶圆制造的可扩展性，因而能够降低成本。
硅光子架构主要由硅基激光器、硅基光电集成芯片、主动光学组件和光纤封装完成，使用。
硅基光子学的研究进展
硅基光子学的研究进展硅基光子学是一种研究利用硅材料构建光子器件并实现信息传输和处理的科技领域。
在当今信息技术飞速发展的时代，硅基光子学技术的研究成果对于新一代数据传输、通信、计算和储存等领域都有极为重要的作用。
本文将主要探讨硅基光子学研究的发展现状和未来趋势。
1. 硅基光子学概述硅基光子学是一种新兴的光电子系统领域，旨在把集成电路的制造技术应用到光电子学系统的生产中。
硅基光子学使用的是硅材料，这是一种广泛应用于半导体电子学和计算机领域的材料。
硅芯片的最新技术已经在纳米级别得到了实现，这为硅基光子学技术的发展提供了巨大的基础。
硅基光子学得到了广泛的应用，例如通信、计算、检测、感知和操纵。
2. 国内外研究现状硅基光子学的研究在国外已经得到了较为成熟的发展。
例如，美国、日本和欧洲等国和地区已经有许多知名的硅基光子学研究所和公司。
在国内，近几年来，各大高校和科研机构也开始加强硅基光子学研究力度。
例如，中科院武汉物理与数学研究所、中科院苏州纳米技术研究所、中国科学院西安光学精密机械研究所等都在该领域取得了重要成果。
目前，硅基光子学的研究方向主要包括以下几个领域：2.1 硅基光波导硅基光波导是硅基光子学重要的基础技术。
硅基光波导可以将光导向准确的路径，从而实现高速、高效率和低损耗的信息传输。
硅基光波导技术是硅基光子学实现低成本和高性能光电子器件的关键。
2.2 硅基光器件设计设计不同类型的硅基光器件是硅基光子学的又一个重要研究方向。
例如，硅基光耦合器、硅基光调制器、硅基光放大器和硅基光激光器等。
这些器件的设计和制造是构建硅基光子学系统不可或缺的步骤。
2.3 硅基光子系统硅基光子系统结合了硅基光波导和硅基光器件。
这种系统利用硅材料的优势，使用制造集成电路的技术制造复杂的光电子集成芯片。
目前，硅基光子系统已被用于光通信、光计算、光传感和生物医学等领域。
3. 未来趋势随着信息技术的不断发展，硅基光子学将会在各个领域得到更广泛的应用。
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硅光子器件及其集成技术的研究蔡进;张慧娟;王成丽;陶智勇【摘要】主要探讨了偏振分集光路、可调光衰减器、波导耦合型锗光电探测器等硅光器件的研究进展,分析了其结构及技术参数,随后探讨了VOA-PD单片集成技术以及VMUX单片集成技术两种硅基单片集成技术,指出硅光子器件的性能指标已经能满足现代光纤通信系统的要求.%Various silicon photonic devices covering passive to active functions have been developed and their monolithically-integrated technology. This paper studies on polarization diversity circuit for silicon photonics, variable optical attenuator based on a silicon wire waveguide, germanium photodectectors and their technical parameters, then germanium photodiode and a variable optical attenuator integrated on a silicon wire waveguide platform, VMUX monolithic integration technology are followed. So the performance of silicon photonic devices have been able to meet the requirements of modern optical fiber communication systems.【期刊名称】《光通信技术》【年(卷),期】2012(036)006【总页数】3页(P4-6)【关键词】硅光器件;单片集成技术;光纤通信系统【作者】蔡进;张慧娟;王成丽;陶智勇【作者单位】湖北第二师范学院,武汉 430205;武汉邮电科学研究院,武汉 430074;武汉邮电科学研究院,武汉 430074;武汉邮电科学研究院,武汉 430074【正文语种】中文【中图分类】TN256随着现代光纤通信系统流量的迅速增加，传统的分立光器件已经越来越难满足光纤通信系统的需求，研究用于光模块中的高性能、低功耗、低成本的高集成度光芯片已成为迫切需要。
目前，基于硅波导的光子集成技术已有一定研究，各种无源、动态硅波导光器件已经相继研制成功，如滤波器、调制器等。
而且很多科研机构以及大公司正在通过运用锗材料的异质外延技术和Ⅲ-Ⅴ族材料的晶片键合技术研制有源硅波导器件，如光电探测器、光源等。
本文主要研究基于硅波导的各种有源、无源光器件及其单片集成技术的最新进展。
硅波导通常为矩形或者脊形，其芯层为硅，包层为二氧化硅[1]。
由于芯层和包层的折射率相差很大，硅波导的芯层和弯曲半径都可以做到很小。
硅波导芯层满足单模条件的典型尺寸为500μm×200μm，而且当其弯曲半径为数微米时，弯曲损耗可以忽略不计。
目前硅基波导在1550nm波长处的传输损耗经过改善可以达到1～2dB/cm。
硅波导与光纤的耦合损耗可以通过使用带宽超过200nm[1]模斑转换器和模场直径为4.3μm高折射率差光纤[2]降低到0.5dB。
由于硅波导的以上优点，我们可以研制出各种具有低插损、高集成度的硅基光器件。
目前已研制成功数种基于硅波导的无源光器件。
但是由于硅波导本身存在较大的结构双折射效应[3]，这些无源器件特别是滤波器存在严重的偏振相关特性。
为了保证基于硅波导的光器件偏振无关最简单的方法是使用特殊尺寸的偏振无关波导。
但是硅波导属于高折射率差波导，即使其偏振无关结构存在几纳米的制作误差都会导致严重的双折射效应。
为此，Jing Zhang等人在OFC2011会议中提出了一种新型硅基偏振分集器，用于降低硅波导器件的偏振相关特性[4]，如图1，该器件由偏振分束器、模式转换器、微环振荡滤波器组成。
其插入损耗为3dB,偏振相关损耗为0.5dB。
在没有引入该偏振分集器之前，微环振荡滤波器在1545～1600nm波段内的偏振相关损耗约为10dB。
而引入偏振分集器后，偏振相关损耗小于0.5dB。
由于硅材料具有半导体特性，通过载流子控制结构，我们可以在硅波导上实现调制功能。
目前通常是在硅波导上制作PIN型载流子注入结构，通过在PIN结两端加电实现硅波导折射率和吸收系数的调制。
硅波导的PIN型载流子注入结构最简单的一种应用是用来制作可调谐光衰减器。
图2所示为H.Nishietal.等人提出的快速硅基 VOA[5]的归一化衰减谱。
图2表明，随着注入电流的增大，光场的衰减量也逐渐增大，最大衰减量超过30dB。
由于该VOA波导芯层被设计为偏振无关结构，该器件的偏振相关特性大幅降低，在衰减量为20dB时，VOA的偏振相关损耗仅为0.6dB。
该VOA典型的3dB带宽的截止频率为100MHz。
为了提高光电探测器在1.3～1.55μm红外波段上的探测能力，硅基锗光电二极管（PDs）成为人们的研究热点。
这是因为锗材料在1.3～1.55μm红外波段上有较大的吸收系数，且硅材料和锗材料的加工工艺相兼容，这为硅基锗PDs的开发提供了技术支持。
图3所示为波导耦合型锗探测器的结构图，1μm的锗层是通过超真空化学气相淀积技术在硅波导表面生长而成，PD通过硅波导接收光[6]。
图4所示为PD的I-V曲线。
该PD响应度为0.8A/W，暗电流在1V内低于50nA，如此小的暗电流使该PD探测的最小光能量可以小至-41dBm。
由于仅受到时间常数的限制，该PD的3dB带宽的截止频率可以高达数千兆赫兹[7]。
近年来，锗光电二极管与基于硅波导的可调光衰减器的单片集成芯片有所发展。
图5所示为硅基VOA和锗PDs单片集成芯片的结构图，从图中可以看出该芯片上集成了硅基 VOA，3dB MMI分路器和锗PDs。
入射的红外光通过VOA后，被MMI分路器分成两路，其中一路被芯片上的锗PD探测，另外一路作为监控信号耦合进外接光纤。
图6所示为该硅基单片集成芯片中VOA在不同注入电流的条件下，PD的光生电流和外接耦合光纤的监控能量，可以看出光生电流的改变量与监控端输出能量的衰减量相一致。
该单片集成芯片中VOA和锗PD同步运行时的3dB截止频率约为130MHz，这主要是由于VOA的限制造成的[7]。
单片集成VOA-PD芯片一个很有价值的应用是功率均衡，将突变的光场能量迅速恢复[8]。
搭建一个快速模拟反馈平台用来测试VOA-PD芯片的功率均衡性能，图7所示为VOA-PD芯片功率均衡性能的测试结果，当输入光场能量突然增加16dB时，通过VOAPD芯片后输出能量可以迅速复原，其残留误差稳定在1.5dB 内，并且恢复时间仅为90ns，这完全能满足10G EPON系统中对功率均衡响应的时间要求。
单片集成的可调光衰减器阵列与复用解复用器（VMUX\DEMUX）芯片是可重构的光分插复用器（ROADM）的关键器件之一。
目前为止，报道的数种单片集成和混合集成VMUX芯片[9，10]主要是基于二氧化硅基的平面光波导技术。
氧硅基平面光波导技术的VMUX芯片存在芯片尺寸过大、功耗高、高衰减条件下偏振相关性强等缺点。
而基于硅波导的VMUX单片集成芯片可以克服上述缺点，由于硅波导加工工艺与硅集成电路加工工艺相兼容，制造硅基VMUX时不仅成本低，而且可靠性高。
目前美国Kotura公司开发出一种基于硅波导的单片集成VMUX芯片[11]。
该硅基单片集成VMUX芯片在25mm×10mm的面积内集成了40个VOA、40通道的平顶型中阶梯光栅、以及一个偏振相关波长（PDW）补偿结构。
其高性能的平顶型中阶梯光栅起复用解复用功能，它的通道间隔为100GHz，高速光衰减器阵列用来调整各通道的光谱能量。
鉴于中阶梯光栅相比阵列波导光栅有明显的尺寸优势，Kotura公司的VMUX芯片选择中阶梯光栅进行复用解复用。
该芯片的插入损耗小于5dB，通道间串扰高于30dB。
由于采用了偏PDW补偿结构，中阶梯光栅的偏振相关损耗小于0.5dB。
芯片中的VOA阵列功耗低，几乎不引入附加偏振相关损耗，在5dB衰减条件下，其3dB带宽截止频率为3MHz，明显快于MEMSVOA和热光效应VOA。
图8所示为VMUX各通道的光谱以及在不同衰减量下，30通道的光谱，可以看出注入电流为40mA时，该通道的衰减量可以达到35dB。
当前，基于硅波导的各种无源、有源器件相继研制成功。
成熟的制造工艺和先进的设计使得这些器件的各项性能指标如插入损耗、偏振相关损耗等完全能满足现代光纤通信系统的要求。
基于硅波导的单片集成光芯片的研究也取得一定进展，下一阶段的主要任务是实现硅基单片集成光芯片的大规模商用。
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