软考软件评测师教程知识点精讲(一)

软考软件评测师教程知识点精讲（一）
属于全国计算机技术与软件专业技术资格考试中的一个中级考试。

希赛小编为大家整理了中几个重要的知识点精讲，希望对大家有所帮助。

主存储器
主存储器也就是我们简称的主存或内存，根据工艺和技术不同，可分为下列几种。

（1）RAM（Random Access Memory，随机访问存储器）：R AM 存储器既可以写入，也可以读出，但断电后信息无法保存，因此只能用于暂存数据。

RAM又可分为DRAM和SRAM两种。

DR AM（Dynamic RAM，动态R A M）：信息会随时间逐渐消失，因此需要定时对其进行刷新，维持信息不丢失。

SR AM（Static RAM，静态RAM）：在不断电的情况下信息能够一直保持，不会丢失。

DR AM的密度大于SRAM且更加便宜；但SRAM速度快，电路简单（无须刷新电路），然而容量小，价格高。

（2）ROM（Read Only Memory，只读存储器）：即只读存储器，信息已固化在存储器中。

ROM出厂时其内容由厂家用掩膜技术（Mask）写好，只可读出，但无法改写。

一般用于存放系统程序BIOS和用于微程序控制。

（3）PR OM（Programmable ROM，可编程ROM）：即可编程ROM，只能进行一次写入操作（与ROM相同），但是可以在出厂后，由用户使用特殊电子设备写入。

（4）EPROM（Erasable PROM，可擦除可编程的RO M）：即可擦除的PROM，其中的内容既可以读出，也可以写入。

但是在一次
写操作之前必须用紫外线照射15～20分钟以擦去所有信息，然后再写入，可以写多次。

（5）E2PROM（Electrically EPROM，电可擦除可编程的ROM）：是电可擦除EPROM，与EPROM相似，可以读出也可写入，而且在写操作之前，不需要把以前内容先擦去。

能够直接对寻址的字节或块进行修改，只不过写操作所需的时间远远大于读操作所需时间（每字节需几百m s），其集成度也较低。

（6）闪速存储器（Flash Memory）：其性能介于EPROM与E2PROM之间。

与E2PROM相似，可使用电信号进行删除操作。

整块闪速存储器可以在数秒内删除，速度远快于EPROM；而且可以选择删除某一块而非整块芯片的内容，但还不能进行字节级别的删除操作。

集成度与EPROM相当，高于E2PROM。

闪速存储器有时也简称为闪存。

（7）相联存储器（Content Addressable Memory，CAM）：CAM是一种特殊的存储器，是一种基于数据内容进行访问的存储设备。

当对其写入数据时，C AM能够自动选择一个未用的空单元进行存储；当要读出数据时，不是给出其存储单元的地址，而是直接给出该数据或者该数据的一部分内容，CAM对所有的存储单元中的数据同时进行比较并标记符合条件的所有数据以供读取。

由于比较是同时、并行进行的，所以这种基于数据内容进行读写的机制，其速度比基于地址进行读写的方式要快许多。

存储器系统
计算机采用多级存储器体系，以确保能够获得尽可能高的存取速率，同时保持较低的成本。

存储器体系包括寄存器、Cache、主存储器、磁盘存储器、光盘存储器、磁带存储器等，这些存储器从前到后，价格逐渐降低，容量和访问时间则逐渐增加。

存储器中数据常用的存取方式有顺序存取、直接存取、随机存取和相联存取等4种。

（1）顺序存取：存储器的数据以记录的形式进行组织。

对数据的访问必须按特定的线性顺序进行。

磁带存储器采用顺序存取的方式。

（2）直接存取：与顺序存取相似，直接存取也使用一个共享的读写装置对所有的数据进行访问。

但是每个数据块都拥有唯一的地址标识，读写装置可以直接移动到目的数据块所在的位置进行访问。

存取时间也是可变的，磁盘存储器采用直接存取的方式。

（3）随机存取：存储器的每一个可寻址单元都具有自己唯一的地址和读写装置，系统可以在相同的时间内对任意一个存储单元的数据进行访问，而与先前的访问序列无关。

主存储器采用随机存取的方式。

（4）相联存取：相联存取也是一种随机存取的形式，但是选择某一单元进行读写取决于其内容而不是其地址。

与普通的随机存取方式一样，每个单元都有自己的读写装置，读写时间也是一个常数。

使用相联存取方式，可以对所有的存储单元的特定位进行比较，选择符合条件的单元进行访问。

为了提高地址映射的速度，Cache采取相联存取的方式。

存储器系统的性能主要由存取时间、存储器带宽、存储器周期和数据传输率等衡量。