skiip模块说明
SKIIP12NAB126V1中文资料
Features
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NAB
Characteristics
Symbol Conditions IGBT - Inverter, Chopper
-$ -$57 -$5 B7
02-05-2007 SCT
© by SEMIKRON
元器件交易网
SKIIP 12NAB126V1 CONVERTER, INVERTER, BRAKE
Fig. 7 Typ. gate charge characteristic
Fig. 8 Typ. thermal impedance
A 1 C++ AI
Diode - Rectifier
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Temperature Sensor
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Mechanical Data
Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions IGBT - Inverter, Chopper
SKIIP32NAB12T1中文资料
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max.
Tvj=125°C
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0
SKIIP13NAB065V1中文资料
SKiiP 13NAB065V1 CONVERTER, INVERTER, BRAKE
MiniSKiiP® 1
3-phase bridge rectifier + brake chopper + 3-phase bridge inverter
SKiiP 13NAB065V1
4
02-05-2007 SCT
© by SEMIKRON
typ.
max. Units
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SKIIP32NAB12中文资料
© by SEMIKRON 0898B 16 – 31Absolute Maximum RatingsSymbol Conditions 1)Values Units Inverter V CES V GES I C I CMI F = –I C I FM = –I CMT heatsink = 25 / 80 °Ct p < 1 ms; T heatsink = 25 / 80 °C T heatsink = 25 / 80 °Ct p < 1 ms; T heatsink = 25 / 80 °C600± 2050 / 35100 / 7057 / 38114 / 76V V A A A A Bridge Rectifier V RRM I D I FSMI 2t T heatsink = 80 °Ct p = 10 ms; sin. 180 °, T j = 25 °C t p = 10 ms; sin. 180 °, T j = 25 °C 80025370680V A A A 2s T j T stg V isol AC, 1 min.– 40 . . . + 150– 40 . . . + 1252500°C °C VSKiiP 31 NAB 06MiniSKiiP 3SEMIKRON integrated intelligent Power SKiiP 31 NAB 063-phase bridge rectifier +braking chopper +3-phase bridge inverterCase M3UL recognized file no. E63532•specification of temperature sensor see part A•common characteristics see page B16–3Options•also available with faster IGBTs (type ... 063), data sheet on request1)T heatsink = 25 °C, unless otherwise specified2)CAL = Controlled Axial Lifetime Technology (soft and fast recovery)* For diagrams of the Chopper IGBT please refer to SKiiP 22 NAB 06B 16 – 320698© by SEMIKRONFig. 3Turn-on /-off energy = f (I C )Fig. 4Turn-on /-off energy = f (R G )T j = 125 °C V CE = 300 V V GE = ± 15 V I C = 50 AT j = 125 °C V CE = 300 V V GE = ± 15 V R G = 22 ΩI Cpuls = 50 AV GE = 0 V f = 1 MHzFig. 1Typ. output characteristic, t p = 80 µs; 25 °CFig. 2Typ. output characteristic, t p = 80 µs; 125 °CFig. 5Typ. gate charge characteristic Fig. 6Typ. capacitances vs. V CE© by SEMIKRON0698B 16 – 3Fig. 9Turn-off safe operating area (RBSOA) of the IGBT Fig. 10Safe operating area at short circuit of the IGBTT j= ≤ 150 °C V GE = ± 15 V t sc = ≤ 10 µs L ext < 25 nHT j = ≤ 150 °C V GE = ± 15 VFig. 7Rated current of the IGBT I Cop / I C = f (T h )T j = 150 °C V GE = ≥ 15 V00.20.40.60.81.01.2255075100125150I Cop /I C Mini0607T h [°C]Fig. 11Typ. freewheeling diode forward characteristic Fig. 12Forward characteristic of the input bridge diode mon characteristics of MiniSKiiPMiniSKiiP 600 VMiniSKiiP 3SKiiP 30 NAB 06 SKiiP 31 NAB 06 SKiiP 32 NAB 06 SKiiP 30 NAB 12 SKiiP 31 NAB 12 SKiiP 32 NAB 12CircuitCase M3Layout and connections for thecustomer’s printed circuit board。
SEMIKRON SKiip 智能功率模块 说明书
S E M i N E W S賽米控專刊赛米控中国於2009年下半年的活动概览:7月9日赛米控风力发电技术研讨会 (北京)9月11日第三届电力电子创新技术及解决方案研讨会(太陽能光伏發電) (常州)10月21-23日北京国际风能大会暨展览会 (北京)(展台號1B09)11月6-8日第十五届中國電動車輛學術年會 (上海)第四期 Issue 4 (2009年8月)sKiiP ® 4 — 市场上輸出電流最大的智能功率模塊sKiiP ® 4，新一代智能功率模块(IPM)，相比采用焊接工艺的模块，其使用寿命更长，工作温度更高。
sKiiP ® 4是目前市场上輸出電流最大的智能功率模块，比之前的sKiiP ® 3 ， 其輸出功率提高了33% 。
sKiiP ® 4 IPM 主要用于风能和太阳能应用、電力牵引、电梯系统以及大功率的工業驅動。
赛米控技术研讨会在中国三地圆满结束第四期 (2009年8月) P2借助 SKiiP® 4 开发更强大、结构更紧凑的变频器，从而降低成本。
功率的增加依赖于使用了创新压接系统、改进的散热器以及IGBT4 、CAL4芯片技术。
此外， 該模塊首次使用6个并联的半桥，而非目前所普遍采用的4个半桥。
SKiiP® 4模块中，半导体芯片不是焊接到陶瓷基板上，而是采用烧结技术连接，这意味些实验，可以识别早期产生的硅失效并将有缺陷的芯片清除。
实验中，模块是被暴露在最大可能结温下。
无焊接压接系统和集成的叠层母線确保均匀的电流分布。
每个IGBT和二极管芯片单独连接到主端子上，使模块內阻抗很低。
这些芯片不是焊接到陶瓷基板上，而是通过烧结过程连接。
由于这些模块没有底板，DCB和离，这意味着用户无需提供额外的隔离。
为了更加完美，新 SKiiP® 4 IPM还有一个多级输出级，以减少过电压，输出级中还包括其他各种保护功能。
最后，在用户侧还提供优化评估的诊断通道。
SKIIP31NAB12T11中文资料
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SKIIP1242GB120-4D中文资料
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. No warranty or guarantee, expressed or implied is made regarding delivery, performance or suitability.
1
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28-02-2007 HER
© by SEMIKRON
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SKiiP 1242GB120-4D INTEGRATED DRIVER, SENSORS
SKiiP® 2
Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions
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赛米控丹佛斯 MiniSKiiP IGBT模块 SKiiP 26GB12F4V1 数据表
© by SEMIKRONRev. 3.0–24.09.20211MiniSKiiP ®2 DualHalf-BridgeSKiiP 26GB12F4V1Features*•Fast Trench 4 IGBTs•Robust and soft freewheeling diodes in CAL technology•Highly reliable spring contacts for electrical connections•UL recognised: File no. E63532•NTC T-SensorRemarks•Max. case temperature limited to T C =125°C•Product reliability results valid for T j ≤150°C (recommended T j,op =-40...+150°C)Absolute Maximum Ratings SymbolConditionsValuesUnitInverter - IGBTV CES T j =25°C1200V I C λpaste =0.8 W/(mK)T j =175°C T s =25°C 197A T s =70°C 158A I Cλpaste =2.5 W/(mK)T j =175°C T s =25°C 257A T s =70°C208A I Cnom 200A I CRM 400A V GES -20 (20)V t psc V CC =800V V GE ≤ 15V V CES ≤ 1200VT j =150°C10µs T j -40...175°C Inverse - DiodeI F λpaste =0.8 W/(mK)T j =175°C T s =25°C 194A T s =70°C 154A I F λpaste =2.5 W/(mK)T j =175°C T s =25°C 219A T s =70°C174A I FRM 400A I FSM 10ms, sin 180°, T j =150°C 990A T j -40 (175)°C Module I t(RMS)T terminal =80°C, 20 A per spring 200A T stg module without TIM -40...125°C V isolAC sinus 50 Hz, t =1min 2500VCharacteristics SymbolConditionsmin.typ.max.UnitInverter - IGBTV CE(sat)I C =200A V GE =15V chiplevelT j =25°C 2.05 2.42V T j =150°C 2.59 2.96V V CE0chiplevel T j =25°C 1.10 1.28V T j =150°C 0.95 1.13V r CE V GE =15V chiplevelT j =25°C 4.8 5.7m ΩT j =150°C8.29.2m ΩV GE(th)V GE = V CE , I C =7.6mA5.25.86.4V I CES V GE =0V,V CE =1200V, T j =25°C 2.0mA C ies V CE =25V V GE =0Vf =1MHz 12.30nF C oes f =1MHz 0.81nF C res f =1MHz0.69nF Q G V GE =- 8 V...+ 15 V 1134nC R Gint T j =25°C 3.8Ωt d(on)V CC =600V I C =200A R G on =2ΩR G off =2Ωdi/dt on =4100A/µs di/dt off =2500A/µs V GE =+15/-15VT j =150°C 167ns t r T j =150°C 52ns E on T j =150°C 16.8mJ t d(off)T j =150°C 414ns t f T j =150°C 52ns E off T j =150°C 16.3mJ R th(j-s)per IGBT, λpaste =0.8 W/(mK)0.25K/W R th(j-s)per IGBT, λpaste =2.5 W/(mK)0.16K/W2Rev. 3.0–24.09.2021© by SEMIKRONMiniSKiiP ®2 DualHalf-BridgeSKiiP 26GB12F4V1Features*•Fast Trench 4 IGBTs•Robust and soft freewheeling diodes in CAL technology•Highly reliable spring contacts for electrical connections•UL recognised: File no. E63532•NTC T-SensorRemarks•Max. case temperature limited to T C = 125°C•Product reliability results valid for T j ≤150°C (recommended T j,op =-40...+150°C)Characteristics SymbolConditionsmin.typ.max.UnitInverse - DiodeV F = V EC I F =200AV GE =0V chiplevelT j =25°C 2.20 2.52V T j =150°C 2.15 2.47V V F0chiplevel T j =25°C 1.30 1.50V T j =150°C 0.90 1.10V r FchiplevelT j =25°C 4.5 5.1m ΩT j =150°C6.3 6.9m ΩI RRM I F =200A di/dt off =3840A/µs V GE =-15VV CC =600VT j =150°C 189A Q rr T j=150°C28.7µC E rr T j =150°C 11.7mJ R th(j-s)per Diode, λpaste =0.8 W/(mK)0.34K/W R th(j-s)per Diode, λpaste =2.5 W/(mK)0.28K/W Module L CE 20nHM s to heat sink 22.5Nm w50g Temperature Sensor R 100T c =100°C (R 25=5 k Ω)493 ± 5%ΩB 25/85R (T)=R 25*exp[B 25/85*(1/T-1/298)], T[K]3420K© by SEMIKRON Rev. 3.0–24.09.202134Rev. 3.0–24.09.2021© by SEMIKRON© by SEMIKRON Rev. 3.0–24.09.20215This is an electrostatic discharge sensitive device (ESDS) due to international standard IEC 61340.*IMPORTANT INFORMATION AND WARNINGSThe specifications of SEMIKRON products may not be considered as guarantee or assurance of product characteristics ("Beschaffenheitsgarantie"). The specifications of SEMIKRON products describe only the usual characteristics of products to be expected in typical applications, which may still vary depending on the specific application. Therefore, products must be tested for the respective application in advance. Application adjustments may be necessary. The user of SEMIKRON products is responsible for the safety of their applications embedding SEMIKRON products and must take adequate safety measures to prevent the applications from causing a physical injury, fire or other problem if any of SEMIKRON products become faulty. The user is responsible to make sure that the application design is compliant with all applicable laws, regulations, norms and standards. 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苏州迅达电梯有限公司
215004 苏州/中国
Skiip模块说明
技术培训中心编制：李志弘2003/05/13 A. 变频功率装置所用大功率晶体管的重要参数比较：
双极晶体管MOS IGBT 驱动方式电流电压电压
载波频率≤3KHz ≤60 KHz ≤20KHz 电流容量中低中
击穿电压中低高
短路安全工作区好好不好饱和电压高低中
综合特点1．电机啸叫噪音高
2．调制精度要求不高
3．输出容量小
4．截止频率低
5．抗短路性能好
1．输出容量小
2．输出电压、电流小
3．调制精度高
4．无噪音
5．截止频率高
1．输出容量大
2．输出电压、电流大
3．调制精度高
4．当载波频率≥
10.8KHz时，电机
无啸叫声。
5．功率因素可达1
6．抗短路性能差
B．变频器基本工作原理：
变频器工作基本原理如下：
a. 三相交流电源输入三相桥式整流器整流。
（将AC变为DC）
b. 整流后进入直流中间回路滤波。
（对DC进行滤波）
c. 滤波后的直流电进入逆变器（由六个IGBT组成）。
（再将DC逆变成频率、电压
可变的三相交流电）
d. 由驱动控制部分控制逆变器的导通和关断，把直流电压转换成新的频率和电
压均可调制的三相交流电源，U2，f2，于是电机就以设定速度n运行。
e. 驱动控制部分能形成闭环控制，同时监控整个系统。
f. 电机处于发电状态时（例如：电梯空载上行或重载下行的减速时）制动斩波器
工作，通过制动电阻R使多余能量消耗。
（也可采用逆变至送电电网）
电梯所用逆变器基本上都采用IGBT型场效应管作为开关管。
C.变频器主要特性分析：
1．变频器在逆变输出期间，其输出端的三相交流电压中包含着nfc（fc为载波频率，n= 1,2…）的高次谐波，而这种频率的谐波电压会使电机产生刺耳的噪音，通常采取的措施是增加载波频率使之大于10.8KHz，使电机共振啸叫噪音超出工频电源的频率，
从而保证频率在0~50Hz范围内变化时，电机无噪音。
但在增加载波频率的同时，会增加变频器周围电磁波的发射，导致周围的空间污染，这已经在欧、美国家引起高度重视和法律、法规的限制。
每增大1 KHz载波频率会使输出端增大1.2A 的额外附加电流，从而增加无谓的电能消耗。
综上所说，对于采用IGBT作为逆变功率管，其载波频率控制在11~12KHz之间为最佳，迅达变频器设定在11.9KHz，所有超出该范围的变频器会使设备的消耗能量增加。
2．通常采用IGBT的变频器其驱动控制部分是由微机按照逻辑控制的模式组成。
逻辑控制模块的功能是：根据时序控制原则（主要受控于设定时间），产生触发信号触发IGBT的控制极，控制IGBT的通断状态，从而控制逆变器IGBT输出交流电源的电压V、频率f，按照比值恒定和预先设定的输出曲线要求输出。
其缺点是：一旦时序控制出现误差，最容易使IGBT逆变功率管短路烧毁；其次，其调制参考参数由传统的理想参数、矢量变换、实际电流、实际速度组成，而缺少了电梯所特有的负载变化、运行方向变化和由电机温度变化而引发的电机参数的变化，从而最终影响电梯的舒适感和平层精度。
3．由此，迅达率先开发了符合现代电梯需要的新一代变频专用智能模块，专门针对由逻辑控制触发IGBT逆变器组成的变频器存在的缺点，研制了迅达电梯专用的SKIIP 智能模块。
它将IGBT的控制方式变为智能控制模式，调制参考参数不但包括了原有的理想参数、矢量变换、实际电流、实际速度，还包括了电梯因不同负载变化、运行方向变化和电机温度变化而引发的电机参数的变化等因素，运用强大的智能运算功能和预见模块，对驱动输出进行实时监控、纠正、调整、控制，根据该电梯当前实际负载、运行方向和速度的需要，使之实际驱动工况完全符合理想运行曲线设定的要求，不受任何因素影响而改变，保证每次运行效果达到理想状态和节能，并且包含了强大的电路短路安全保护系统、故障预先检查保护和故障自诊断功能。
4． SKiiP根据不同的功率输出设有三种型号，作为一独立部件，SKiiP模块可被单独更换。
D．SKIIP模块的组成：
每个SKIIP模块由以下部分组成：
⏹一个散热片
⏹一个三相不稳压整流桥
⏹一个智能模块，它由以下部分组成：
●三个带独立驱动的IGBT和故障检查电路
●IGBT和为制动斩波设计的泄流二极管。
●各自独立的智能驱动器模块及中间直流环电压控制器。
图: 3个IGBT（逆变器）、IGBT制动斩波器及驱动器E．Skiip模块变频器的简图组成：
下图绘出了变频器VF中重要组成部分的概况。