模电第四章答案
模电第四版4~7章习题解答
第4章 集成运算放大电路自测题一、选择合适答案填入空内。
(1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为( C )。
A.可获得很大的放大倍数B.可使温漂小C.集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大( B )。
A.高频信号B.低频信号C.任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的( C )。
A.指标参数准确B.参数不受温度影响C.参数一直性好 (4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( A )。
A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻(5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( A )。
A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路二、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果。
(1)运放的输入失调电压U IO 是两输入端电位之差。
( × ) (2)运放的输入失调电流I IO 是两输入端电流之差。
( √ )(3)运放的共模抑制比cdCMR A A K =。
( √ ) (4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。
( √ )(5)在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
( × )三、电路如图T4.3 所示，已知β1＝β2＝β3= 100 。
各管的U BE 均为0.7V , 试求I C 2的值。
解：分析估算如下：21100CC BE BE R V U U I A Rμ--==00202211B B B B I I I I ββββ++==++；0202()1R B B B I I I I ββββ+=+=++图T4.322021C B B I I I ββββ+==⋅+。
比较上两式，得 2(2)1002(1)C R R I I I A ββμβββ+=⋅≈=+++四、电路如图T4.4所示。
图T4.4(1)说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放… … ）;(2)分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍数、输入电阻… … ）。
模拟电子电路第4章答案
4.1 简述耗尽型和增强型MOS 场效应管结构的区别；对于适当的电压偏置（V DS >0V ，V GS >V T ），画出P 沟道增强型MOS 场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。
解：耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。
而增强型场效应管需要外加电压V GS 产生沟道。
随着V SG 逐渐增大，栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到一定时，栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度，从而形成了一个“新的P 型区”，它连接源区和漏区。
如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压DS V ，那么空穴就会沿着新的P 型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为D i 。
当SG v 一定，而SD v 持续增大时，则相应的DG v 减小，近漏极端的沟道深度进一步减小，直至DG t v V =，沟道预夹断，进入饱和区。
电流D i 不再随SD v 的变化而变化，而是一个恒定值。
4.2 考虑一个N 沟道MOSFET ，其nk '= 50μA/V 2，V t = 1V ，以及W /L = 10。
求下列情况下的漏极电流：（1）V GS = 5V 且V DS = 1V ； （2）V GS = 2V 且V DS = 1.2V ； （3）V GS = 0.5V 且V DS = 0.2V ； （4）V GS = V DS = 5V 。
(1) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V <-，该场效应管工作在变阻区。
()2D n GS t DS DS 12W i k v V v v L ⎡⎤'=--⎢⎥⎣⎦=1.75mA(2) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区。
()2D n GS t 12W i k v V L'=-=0.25mA (3) 根据条件GS t v V <，该场效应管工作在截止区，D 0i =(4) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区()2D n GS t 12W i k v V L'=-=4mA4.3 由实验测得两种场效应管具有如图题4.1所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确定夹断电压或开启电压值。
模电第4章频率响应答案资料
4.1 已知某放大器的幅频特性如题图4.1所示。
(1) 试说明该放大器的中频增益、上限频率f H 和下限频率f L 、通频带BW 。
(2) 当()()()()mV t sin mV t sin u i 461022010410⨯+⋅=ππ和()()()()mV t sin mV t sin u i 4102205210⨯+⋅=ππ时，输出信号有无失真？是何种性质的失真？分别说明之。
解：(1)由题图4.1可得：中频增益为40dB ，即100倍，f H =106Hz, f L =10Hz （在f H 和f L 处，增益比中频增益下降30dB ），Hz BW 66101010≈-=。
(2)当()()()()mV t sin mV t sin u i 461022010410⨯+⋅=ππ时，其中f =104Hz 的频率在中频段，而Hz f 6102⨯=的频率在高频段，可见输出信号要产生失真，即高频失真。
当()()()()mV t sin mV t sin u i 4102205210⨯+⋅=ππ时，f =5Hz 的频率在低频段，f =104Hz 的频率在中频段，所以输出要产生失真，即低频失真。
4.2 某放大电路电压增益的渐近波特图如题图4.2所示。
设中频相移为零。
(1)写出A u (jf)频率特性的表达式。
(2)求f=107Hz 处的相移值。
(3)求下限频率f L 的值。
(4)求f=100Hz 处实际的dB 值。
(5)求f=10Hz 和f=105Hz 的相移值。
题图4.1解: (1)中频放大倍数为103，高频有一个极点频率为105Hz ，一个零点频率为106Hz ，低频有两个极点频率均为102Hz ，两个零点频率均为10Hz 。
所以)101()101()101()101(10)(522623f j f j f j f jjf A v +-+-=(2)f=107Hz 处的相移为零o Hz f o Hz f Hzf vL dBA Hz f 45|,90|)5(54lg 20)4(15512/10)3(51010100212-====-≈===ϕϕ4.3 已知某晶体管电流放大倍数的频率特性波特图如题图4.3所示，试写出β的频率特性表达式，分别指出该管的ωβ、ωT 各为多少？并画出其相频特性的近似波特图。
模拟电子技术 第四章 答案 査丽斌 习 题 1
习 题 11.1． 当负载开路（R L =∞）时测得放大电路的输出电压o u'=2V ；当输出端接入R L =5.1kΩ的负载时，输出电压下降为u o =1. 2V ，求放大电路的输出电阻R o 。
解：'L o o L o R u u R R =∙+，'o o(1) 3.4k o L u R R u =-=Ω1.2 当在放大电路的输入端接入电压 u s =15mV ，内阻 R s =1k Ω的信号源时，测得电路的输入端的电压为 u i =10mV ，求放大电路的输入电阻 R i 。
解：ii s i s R u u R R =∙+， ∴()2k i i s s iu R R u u ==Ω-1.3 当在电压放大电路的输入端接入电压 u s =15mV ，内阻 R s = 1k Ω的信号源时，测得电路的输入端的电压为 u i =10mV ；放大电路输出端接 R L = 3k Ω的负载，测得输出电压为u o =1.5V ，试计算该放大电路的电压增益 A u 和电流增益 A i ，并分别用 d B （分贝）表示。
解：oi150u u A u ==，dB A dB A u u 5.43lg 20)(== 100()o o Li i s i sI u R A I u u R ===-，dB A dB A i i 40lg 20)(== 1.4 某放大电路的幅频响应特性曲线如图1.1所示，试求电路的中频增益A um 、下限截止频率f L 、上限截止频率f H 和通频带f BW 。
解：dB dB A um 40)(= ∴100=umAHz f H 510= Hz f L 20= ∴Hz f f f f H L H BW 510=≈-=图1.1 习题1.4电路图 图1.2 习题1.5电路图1.5 电路如图1.2所示，已知：当输入电压为0.4V 时，要求输出电压为4V 。
试求解R 1和R 2的阻值。
模电第四章答案
E ） I R ：I R =100S 2 L ： |.：（1 • ：） R R四、电路如图T4.4所示。
第4章集成运算放大电路自测题一、选择合适答案填入空内。
(1) 集成运放电路采用直接耦合方式是因为 (c )。
A •可获得很大的放大倍数B •可使温漂小C.集成工艺难于制造大容量电容(2) 通用型集成运放适用于放大 (B )。
A.高频信号B.低频信号C.任何频率信号(3) 集成运放制造工艺使得同类半导体管的 (C )。
A.指标参数准确B.参数不受温度影响C.参数一直性好(4) 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 (A )。
A.减小温漂B.增大放大倍数C.提高输入电阻(5) 为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用(A )。
A.共射放大电路B.共集放大电路C.共基放大电路二、判断下列说法是否正确，用“用“X 表示判断结果。
(1) 运放的输入失调电压 U IO 是两输入端电位之差。
(X (2) 运放的输入失调电流I IO 是两输入端电流之差。
(V ) ⑶运放的共模抑制比 K CMR = 仝。
(V)A c(4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。
(V )(5)在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
(X三、电路如图T4.3所示，已知31 = 分析估算如下：二V cc -U BE 2 —U BE1 =IOO 」AR 解: 1 B22I B0 ■ - I B01 ：I R = ' I B0 I B2C2的值。
图 T4.31 C2八B2"2—I B0。
比较上两式，得1 C2图T4.4（1）说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放.... ）；（2）分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍数、输入电阻.... ）。
解：（1）三级放大电路，第一级为共集-共基双端输入单端输出差分放大电路，第二级是共射放大电路，第三级是互补输出级。
模拟电子技术(第2版)课后习题答案第4章
第四章 负反馈放大电路与基本运算电路4.1 反馈放大电路如图P4.1.1所示，已知开环电压增益1000=u A ，电压反馈系数02.0=u F ，输出电压为)( sin 5V t u O ω=试求输入电压i u 、反馈电压f u 和净输入电压id u 。
解：)(sin 51000sin 5mV t t A u u u O id ωω===)(sin 1.005.0sin 5V t t F u u u O f ωω=⨯== )(sin 105mV t u u u f id i ω=+=4.2 放大电路输入的正弦波电压有效值为20mV ，开环时正弦波输出电压有效值为10V ，试求引入反馈系数为0.01的电压串联负反馈后输出电压的有效值。
解：50002.010===i O u U U A3.83650001.050015001==⨯+=+=F A A A u u f V A U U f i O 67.13.8302.0=⨯==4.3 反馈放大电路如图P4.3所示，试指出各电路的反馈元件，并说明是交流反馈还是直流反馈？（设图中所有电容对交流信号均可视为短路）解：a ）反馈元件：2R 直流电压串联负反馈b ）反馈元件：2R 、C 直流电压串联负反馈c ）反馈元件：2R 、3R 交直流电压并联负反馈d）反馈元件：2R、2A直流电压串联负反馈交直流电压并联正反馈e）反馈元件：E R电流串联负反馈f）反馈元件：B R电压并联负反馈4.4 试分析图P4.4所示各电路中级间反馈是正反馈还是负反馈？若是负反馈，指出反馈类型（设图中所有电容对交流信号均可视为短路）解：a）3R级间交直流电流联并负反馈5R本级交直流电流串联负反馈R本级直流电流串联负反馈2b）2R本级电压串联负反馈4R本级电压并联负反馈R级间电压并联正反馈5c）4R级间电压串联负反馈5R本级电流串联负反馈d）2R、4R本级电压并联负反馈6R级间电流串联正反馈4.5 某负反馈放大电路，其闭环放大倍数为100，且当开环放大倍数变化10﹪时闭环放大倍数的变化不超过1﹪，试求开环放大倍数和反馈系数。
模拟电路第四章课后习题答案
第四章 习题与思考题◆◆ 习题 4-1 在图P4-1所示互补对称电路中，已知V CC 为6V ，R L 为8Ω，假设三极管的饱和管压降U CES ＝1V ,① 试估算电路的最大输出功率P om ；② 估算电路中直流电源消耗的功率P V 和效率η.解：①W W R U V P L cem CC om 563.182)16(2)(22≈⨯-=-= 如忽略U CES ，则W W R V P L CC om 25.2826222=⨯=≈ ② W W R V P L CC V 865.2862222≈⨯⨯=≈ππ %55.54865.2563.1≈==V om P P η 如忽略U CES ，则%53.78865.225.2≈==V om P P η 此题的意图是理解OCL 互补对称放大电路的P om 和P V 的估算方法。
◆◆ 习题 4-2 在图P4-1所示的电路中：① 三极管的最大功耗等于多少？② 流过三极管的最大集电极电流等于多少?③ 三极管集电极和发射极之间承受的最大电压等于多少?④ 为了在负载上得到最大输出功率P om ,输入端应加上的正弦电压有效值大约等于多少？解：① W W P P om CM 45.025.22.02.0=⨯=>② A A R V I L CC CM 75.086==> ③ V V V U CC CEO BR 12622)(=⨯=>④ 因为互补对称电路中无论哪个三极管导电，电路均工作在射极跟随器状态，1≈uA ，而略小于1，故V V V U U CCcemi 24.42622≈=≈≈。
本题的意图是了解OCL 互补对称电路中功率三极管极限参数的估算方法。
U CES ＝1V ，① 估算电路的最大输出功率P om ；② 估算电路中直流电源消耗的功率P V 和效率η。
将本题的估算结果与习题4—1进行比较。
解：①W W R U V P L cem CC om 25.082)13(2)2(22=⨯-=-=如忽略U CES ，则W W R V P L CC om 5625.0886822=⨯=≈ ② W W R V P L CC V 716.0826222≈⨯=≈ππ %92.34716.025.0≈==V om P P η 如忽略U CES ,则%56.78716.05625.0≈==V om P P η 可见,在同样的VCC 和RL 之下，OCL 电路的Pom 比OTL 电路大得多（大约为4倍）。
模电课后习题答案4,5,6,8习题
第四章局部习题解答4．1．3 某BJT 的极限参数I CM =100mA ，P CM =150mW ，V 〔BR 〕CEO =30V ，假设它的工作电压V CE =10V ，则工作电流I C 不得超过多大？假设工作电流I C =1mA ，则工作电压的极限值应为多少？解: BJT 工作时，其电压和电流及功耗不能超过其极限值，否则将损坏。
当工作电压V CE 确定时，应根据P CM 及I CM 确定工作电流I C ，即应满足I C V CE ≤P CM 及I C ≤I CM 。
当V CE =10V 时，此值小于I CM =100mA ，故此时工作电流不超过15mA 即可。
同理，当工作电流I c 确定时，应根据I C V CE ≤P CM 及V CE ≤V 〔BR 〕CEO 确定工作电压V CE 的大小。
当I C =1mA 时，为同时满足上述两个条件，则工作电压的极限值应为30V 。
4．3．3 假设将图题3.3.1所示输出特性的BJT 接成图题3.3.3所示电路，并设V CC =12V ，R C =1k Ω，在基极电路中用V BB =2.2V 和R b =50k Ω串联以代替电流源i B 。
求该电路中的I B 、I C 和V CE 的值，设V BE =0.7V 。
图题3.3.1解: 由题3.3.1已求得β=200，故I C =βI B =200×0.03mA=6mA V CE =V CC -I C R c =6V4.3.5 图题3.3.6画出了某固定偏流放大电路中BJT 的输出特性及交、直流负载线，试求：〔1〕电源电压V CC ，静态电流I B 、I C 和管压降V CE 的值；〔2〕电阻R b 、R e 的值；〔3〕输出电压的最大不失真幅度；〔4〕要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？解:〔1〕由图题3.3.6可知，直流负载线与横坐标轴的交点即V CC 值的大小，故V CC =6V 。
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第4章 集成运算放大电路自测题一、选择合适答案填入空内。
(1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为( C )。
A.可获得很大的放大倍数B.可使温漂小C.集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大( B )。
A.高频信号B.低频信号C.任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的( C )。
A.指标参数准确B.参数不受温度影响C.参数一直性好 (4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( A )。
A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻(5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( A )。
A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路二、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果。
(1)运放的输入失调电压U IO 是两输入端电位之差。
( × ) (2)运放的输入失调电流I IO 是两输入端电流之差。
( √ )(3)运放的共模抑制比cdCMR A A K =。
( √ ) (4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。
( √ )(5)在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
( × )三、电路如图 所示，已知β1＝β2＝β3= 100 。
各管的U BE 均为 , 试求I C 2的值。
解：分析估算如下：21100CC BE BE R V U U I A Rμ--==00202211B B B B I I I I ββββ++==++；0202()1R B B B I I I I ββββ+=+=++图22021C B B I I I ββββ+==⋅+。
比较上两式，得 2(2)1002(1)C R R I I I A ββμβββ+=⋅≈=+++四、电路如图所示。
图(1)说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放… … ）;(2)分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍数、输入电阻… … ）。
解：(1)三级放大电路，第一级为共集?共基双端输入单端输出差分放大电路，第二级是共射放大电路，第三级是互补输出级。
(2)第一级采用共集?共基形式，增大输入电阻，改善高频特性；利用有源负载(T5、T6)增大差模放大倍数，使单端输出电路的差模放大倍数近似等于双端输出电路的差模放大倍数，同时减小共模放大倍数。
第二级为共射放大电路，以T7、T8构成的复合管为放大管、以恒流源作集电极负载，增大放大倍数。
第三级为互补输出级，加了偏置电路，利用D l、D2的导通压降使T9和T10在静态时处于临界导通状态，从而消除交越失真。
习题根据下列要求，将应优先考虑使用的集成运放填入空内。
已知现有集成运放的类型是：①通用型 ②高阻型 ③高速型 ④低功耗型 ⑤高压型 ⑥大功率型 ⑦高精度型(1)作低频放大器，应选用( ① )。
(2)作宽频带放大器，应选用( ③ )。
(3)作幅值为1μV 以下微弱信号的量测放大器，应选用( ⑦ )。
(4)作内阻为100k Ω。
信号源的放大器，应选用( ② )。
(5)负载需5A 电流驱动的放大器，应选用( ⑥ )。
(6)要求输出电压幅值为±80V 的放大器，应选用( ⑤)。
(7)宇航仪器中所用的放大器，应选用( ④ )。
4. 2 已知几个集成运放的参数如表 所示，试分别说明它们各属于哪种类型的运放。
表解：A 1为通用型运放，A 2为高精度型运放，A 3为高阻型运放，A 4为高速型运放。
多路电流源电路如图所示,已知所有晶体管的特性均相同,U BE 均为。
试求I C1、I C2各为多少。
图 图解：因为T l 、T 2、T 3的特性均相同，且U BE 均相同，所以它们的基极、集电极电流均相等，设集电极电流为I C 。
先求出R 中电流，再求解I C1、I C2。
40100CC BE BE R V U U I A Rμ--==030331(1)C BR C B C C I I I I I I I βββ=+=+=+++ 223C RI I ββββ+=++当(1)3ββ+>>时，12100C C R I I I A μ=≈=。
电路如图 所示，T l 管的低频跨导为g m , T l 和T 2管d-s 间的动态电阻分别为r ds1和r ds2。
试求解电压放大倍数/u O I A u u =∆∆的表达式。
解：由于T 2和T 3 所组成的镜像电流源是以T l 为放大管的共射放大电路的有源负载， T l 和T 2管 d -s 间的动态电阻分别为r ds1和r ds2，所以电压放大倍数u A 的表达式为：1212(//)(//)O D ds ds u m ds ds I Iu i r r A g r r u u ∆∆===-∆∆。
电路如图所示，T l 与T 2管特性相同，它们的低频跨导为g m ; T 3与T 4管特性对称；T 2与T 4管d-s 间的动态电阻分别为r ds2和r ds4。
试求出电压放大倍数12/()u O I I A u u u =∆∆-的表达式。
图 图解：在图示电路中：1234D D D D i i i i ∆=-∆≈∆=∆； 242112O D D D D D i i i i i i ∆=∆-∆≈∆-∆=-∆121()2I I D m u u i g ∆-∆=⋅； 12()O m I I i g u u ∆≈∆-∴电压放大倍数：24241212(//)(//)()()O O ds ds u m ds ds I I I I u i r r A g r r u u u u ∆∆==-≈∆-∆-电路如图所示，具有理想的对称性。
设各管β均相同。
(1)说明电路中各晶体管的作用； (2)若输入差模电压为12()I I u u -产生的差模电流为D i ∆，则电路的电流放大倍数Oi Di A i ∆==∆？ 解：(1)图示电路为双端输入、单端输出的差分放大电路。
T l 和T 2 、T 3和T 4分别组成的复合管为放大管，T 5和T 6组成的镜像电流源为有源负载。
(2)由于用T 5和T 6所构成的镜像电流源作为有源负载，将左半部分放大管的电流变化量转换到右边，故输出电流变化量及电路电流放大倍数分别为： 2(1)O D i i ββ∆≈+∆； 2(1)Oi Di A i ββ∆=≈+∆。
电路如图所示，T l 和T 2管的特性相同，所有晶体管的β均相同，R cl 远大于二极管的正向电阻。
当120I I u u V ==时，0O u V =。
(1)求解电压放大倍数的表达式；(2)当有共模输入电压时，?O u =简述理由。
图 图解：(1)在忽略二极管动态电阻的情况下：3111//2be c u be r R A r β≈-，223c u be R A r β≈-。
∴12u u u A A A =⋅ 。
(2)当有共模输入电压时，O u 近似为零。
由于1c d R r >>，12C C u u ∆≈∆ , 因此30BE u ∆≈，故0O u ≈。
电路如图所示，T l 和T 2管为超β管，电路具有理想的对称性。
选择合适的答案填入空内。
(1)该电路采用了( C )。
A ．共集-共基接法B ．共集-共射接法C ．共射-共基接法 (2)电路所采用的上述接法是为( C )。
A ．增大输入电阻B ．增大电流放大系数C ．展宽频带 (3)电路采用超β管能够( B )。
A ．增大输入级的耐压值B ．增大放大能力C ．增大带负载能力 (4) T l 和T 2管的静态压降约为( A )。
A ． B ． C ．不可知在图 所示电路中，已知T l ~T 3管的特性完全相同，β＞> 2 ;反相输入端的输入电流为1I i ，同相输入端的输入电流为2I i 。
试问：(l) 2?C i ≈； (2) 3?B i ≈ ； (3) 12/()?ui O I I A u i i =∆∆-∆≈解：(l)因为T l 和T 2为镜像关系， 且β＞> 2，所以：212C C I i i i ≈≈(2)31212B I C I I i i i i i =-≈-(3)输出电压的变化量和放大倍数 分别为：333O C c B cu i R i R β∆=-∆=-∆图P4 .91233/()/ui O I I O B c A u i i u i R β=∆∆-∆≈∆∆=-比较图 所示两个电路，分别说明它们是如何消除交越失真和如何实现过流保护的。
(a) (b)图解：在图(a)所示电路中，D l 、D 2使T 2、T 3 微导通，可消除交越失真。
R 为电流采样电阻，D 3对T 2起过流保护。
当T 2导通时，321D BE O D u u i R u =+-, 未过流时O i R 较小，因3D u 小于开启电压使D 3 截止；过流时因3D u 大于开启电压使D 3导通，为T 2基极分流。
D 4对T 4起过流保护，原因与上述相同。
在图(b)所示电路中，T 4 、T 5使T 2、T 3微导通，可消除交越失真。
R 2为电流采样电阻，T 6 对T 2起过流保护。
当T 2导通时，62BE O u i R =，未过流时2O i R 较小，因6BE u 小于开启电压使T 6截止；过流时因6BE u 大于开启电压使T 6导通，为T 2基极分流。
T 7对T 3起过流保护，原因与上述相同。
图所示电路是某集成运放电路的一部分，单电源供电。
试分析： (1) 100μA 电流源的作用；(2) T 4的工作区域（截止、放大、饱和）; (3) 50μA 电流源的作用； (4) T 5与R 的作用。
图 图解：(1)为T l 提供静态集电极电流、为T 2提供基极电流，并作为T l 的有源负载。
(2) T 4截止。
因为：4123B C O R B B u u u u u u ==+++，4E O u u =，∴44B E u u >。
(3) 50μA 电流源为T 3提供射极电流，在交流等效电路中等效为大阻值的电阻。
(4)保护电路。
52BE O u i R =，未过流时T 5电流很小；过流时使550E i A μ>, T 5更多地为T 3的基极分流。
电路如图所示,试说明各晶体管的作用。
解：T l 为共射放大电路的放大管；T 2和T 3组成互补输出级；T 4、T 5、R 2组成偏置电路，用于消除交越失真。
图 所示简化的高精度运放电路原理图，试分析：(1)两个输入端中哪个是同相输入端，哪个是反相输入端；(2) T 3与T 4的作用；(3)电流源I 3的作用 ；(4) D 2与D 3的作用。
图解：(1) u I1为反相输入端， u I2为同相输入端。
(2)为T l 和T 2管的有源负载，将T l 管集电极电流变化量转换到输出，使单端输出差分放大电路的差模放大倍数近似等于双端输出时的放大倍数。