模拟电子技术基础 第四版 习题解答
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案解析
WORD 文档下载可编辑模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D=0.7V 。
试画出i u 与ou 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流 ()/ 2.6DD I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
杭州电子科技大学电路与模拟电子技术基础(第4版)习题解答完整版
第1章直流电路习题解答1.1 求图1.1中各元件的功率，并指出每个元件起电源作用还是负载作用。
图1.1 习题1.1电路图解 W 5.45.131=×=P （吸收）；W 5.15.032=×=P （吸收） W 15353−=×−=P （产生）；W 5154=×=P （吸收）； W 4225=×=P （吸收）;元件1、2、4和5起负载作用，元件3起电源作用。
1.2 求图1.2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
图1.2 习题1.2电路图解 A 2=I ；V 13335=+−=I I U电流源功率：W 2621−=⋅−=U P （产生），即电流源产生功率6W 2。
电压源功率：W 632−=⋅−=I P （产生），即电压源产生功率W 6。
1.3 求图1.3电路中的电流1I 、2I 及3I 。
图1.3 习题1.3电路图解 A 1231=−=I ;A 1322−=−=I由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得：A 1223=+=I I 1.4 试求图1.4所示电路的ab U 。
图1.4 习题1.4电路图解 V 8.13966518ab −=×+++×−=U 1.5 求图1.5中的I 及S U 。
图1.5 习题1.5电路图解 A 7152)32(232=×+−×+−=IV 221021425)32(22S =+−=×+−×+=I U1.6 试求图1.6中的I 、X I 、U 及X U 。
图1.6 习题1.6电路图解 A 213=−=I ；A 31X −=−−=I I ; V 155X −=⋅=I UV 253245X X −=×−−⋅=I U1.7 电路如图1.7所示：（1）求图(a)中的ab 端等效电阻；（2）求图(b)中电阻R 。
图1.7 习题1.7电路图解 (1) Ω=+=+++×+×+×+=1046418666661866666ab R (2) Ω=−−=712432383R1.8 电路如图1.8所示：（1）求图(a)中的电压S U 和U ；（2）求图(b)中V 2=U 时的电压S U 。
模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
一、填空题
2．1 BJT用来放大时，应使发射结处于偏置，集电结处于偏置；而工作在饱和区时，发射结处于偏置，集电结处于偏置。
2．2 温度升高时，BJT的电流放大系数 ，反向饱和电流 ，发射结电压 。
2．3用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大，当输出端开路时， ；都接人负载 电阻时，测得 ，由此说明，电路A的输出电阻比电路B的输出电阻。
图题所示电路在正常放大时ib5v200501maieic50mamaubuema指针微动uev指针微动ucv结论电源未接入不能正常工作处于正常放大工作状态三极管内部集电结断路不能正常工作re短路电路能正常放大rb断路电路不能正常工作三极管内部发射结断路或re断路不能正常工作三极管内部集电结短路或外极之间短路不能正常工作三极管内部发射结短路或外极之间短路不能正常工作225用直流电压表测得几个bjt的ube和uce如表题225所示试问它们各处于何种工作状态它们是npn管还是pnp管解答
(1)静态工作点；
(2)电压放大倍数、输入电阻和输出电阻；
(3)电容Ce脱焊时的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻；
(4)若换上一只 =100的管子，放大电路能否工作在正常状态
解答：
（1）
（2）
（3）
（4）换上一只 的管子，其IC和UCE不变，放大电路能正常工作。
2．31已知图题2．31所示电路中BJT为硅管， =50，试求：
解答：
（1）
（2）
（3）
（4）
2．29 已知固定偏流放大电路中BJT为硅管，输出特性及交、直流负载线如图题2．29所示，试求：
(1)电源电压Vcc；
(2)静态工作点；
(3)电阻Rb、RC的值；
(4)要使该电路能不失真地放大，基极电流交流分量的最大幅值Ibm为多少
模拟电子技术基础(第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第 1 章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3 第2 章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3 章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4 章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5 章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6 章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7 章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8 章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9 章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10 章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第 1 章 常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。
( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证 其 R GS 大的特点。
( √ )(6)若耗尽型 N 沟道 MOS 管的U GS 二、选择正确答案填入空内。
大于零，则其输入电阻会明显变小。
( × ) (l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS =0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型 MOS 管C.耗尽型 MOS 管三、写出图 Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压 U D =0.7V 。
模拟电子技术基础第四版习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保R大的特点。
( √ )证其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V。
五、电路如图T1.5所示，V CC=15V，β=100，U BE=0.7V。
模拟电子技术基础(第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案【精华版】
模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B.四价 C.三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
(2)并联相接可得2种：0.7V ；6V 。
模拟电子技术基础第四版课后答案解析
模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 电路如图 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图 解图解：i u 与o u 的波形如解图所示。
电路如图所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图 解图电路如图所示, 二极管导通电压U D =,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流 ()/ 2.6DD I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：；14V ；；。
(2)并联相接可得2种：；6V 。
已知图 所示电路中稳压管的稳定电压6ZU V =，最小稳定电流min 5Z I mA =，最大稳定电流max 25Z I mA =。
(1)分别计算I U 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压O U 的值； (2)若35IU V=时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？解：(1)只有当加在稳压管两端的 电压大于其稳压值时，输出电压才为6V 。
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1.15 电路如图 P1.15 所示，T 的输出特性如图 Pl.14 所示,分析当 uI =4V、8V 、12V
三种情况下场效应管分别工作在什么区域。
解：根据图 P1.14 所示 T 的输出特性可知，其开启电压为 5V ，根据图 Pl.15 所
示电路可知 uGS uI 。
UI
U Z R
29mA I Z max
25mA ，故稳压管将被烧毁。
1.7 在图 Pl.7 所示电路中，发光二极管导通电压 UD =1.5V ，正向电流在 5~15mA 时才能正常工作。 试问：(1)开关 S 在什么位置时发光二极管才能发光？
(2)R 的取值范围是多少？
解：(1)S 闭合。 (2) R 的范围为: Rmin (V UD ) / IDmax 233
解： ui 与 uo 的波形如解图 Pl.2 所示。
解图 P1.2
1.3 电路如图 P1.3 所示，已知 ui 5sint (V)，二极管导通电压 UD=0.7V。试画 出 ui 与 uo 的波形图，并标出幅值。
5
图 P1.3 解：波形如解图 Pl.3 所示。
解图 P1.3
1.4 电路如图 P1.4 所示, 二极管导通电压 UD=0.7V,常温下UT 26mV ，电容 C 对 交流信号可视为短路； ui 为正弦波，有效值为 10mV。试问二极管中流过的交流电流 的有效值为多少？
UC E S 0 . 1V ；稳压管的稳定电压UZ 5V , 正向导通电压UD 0.5V 。试问：当
uI 0V 时 uO ？；当 uI 5V 时 uO ？
解：当 uI 0V 时，晶体管截止，稳压管击穿，
uO UZ 5V 。
当 uI 5V 时，晶体管饱和，
uO 0.1V 。
因为：
解图 Pl.13 1.14 已知场效应管的输出特性曲线如图 Pl.14 所示，画出它在恒流区的转移特性 曲线。
图 Pl.14
(a)
(b)
解图 Pl.14
10
解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图 Pl.14 (a)所示),读出其与各条曲
线交点的纵坐标值及 uGS 值，建立 iD f (uGS ) 坐标系，描点，连线，即可得到转移
模拟电子技术基础
第四版
清华大学电子学教研组 编 童诗白 华成英 主编
自测题与习题解答
山东大学物理与微电子学院
目录
第 1 章 常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3 第 2 章 基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第 3 章 多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第 4 章 集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第 5 章 放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第 6 章 放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第 7 章 信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第 8 章 波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第 9 章 功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第 10 章 直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126
解：(1)串联相接可得 4 种：1.4V；14V；6.7V；8.7V。 (2)并联相接可得 2 种：0.7V；6V。
1.6 已知图 Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压UZ 6V ，最小稳定电流 IZ min 5mA ，最大稳定电流 IZ max 25mA。
(1)分别计算U I 为 10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压UO 的值； (2)若UI 35V 时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？
6
解：(1)只有当加在稳压管两端的
电压大于其稳压值时，输出电压才为 6V。
∴UI
10V
时，U O
RL R RL
UI
3.3V
；
UI
15V 时，UO
R
RL RL
UI
5V
；
图 Pl.6
UI
35V
时，UO
R
RL RL
U
I
11.7V
UZ ，∴UO
UZ
6V
。
0.1
(2)当负载开路时， I Z
(3)当 VBB
3V
时，因为 IBQ
VBB
U BEQ Rb
460 A ，
ICQ IBQ 23mA
ICS
VCC
U CES Rc
11.3mA ，
所以 T 处于饱和状态。
1.11 电 路 如 图 Pl.11 所 示 , 晶 体 管 的 β=50 , UBE 0.2V ， 饱 和 管 压 降
图 P1.11
IB
uI
U BE Rb
480 A，
IC
IB
24mA ，UEC
VCC
IC
Rc
0
1.12 分别判断图 Pl.12 所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
(a)
(b)
(c)
9
(d)
(e)
图 P1.12
解：(a)可能；(b)可能；(c)不能；(d)不能，T 的发射结会因电流过大而损坏。(e)
放大倍数分别为 a 1mA/10 A 100 和 b 5mA/100 A 50
1.9 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图 P1.9 所示。在圆圈中画出管子， 并说明它们是硅管还是锗管。
解:如解图 1.9。
图 P1.9
解图 1.9
1.10 电路如图 P1.10 所示，晶体管导通时UBE 0.7V ，β=50。试分析VBB 为 0V、
当 uI =12V 时，由于VDD 12V ，必然使 T 工作在可变电阻区。
l.16 分别判断图 Pl.16 所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。
(a)
(b)
(c)
图 P1.16
解：(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。
(d)
11
补充 1.电路如补图 P1(a)、(b)所示，稳压管的稳定电压UZ 3V , R 的取值合适， uI 的波形如图(c)所示。试分别画出 uO1 和 uO2 的波形。
性较另一只管子好。
补充 4.电路如补图 P4 所示，试问 β 大于多少时晶体管饱和？
解：取UCES UBE ，若管子饱和，
12
则 VCC UBE Rb
VCC UBE Rc
,
即 Rb
Rc
其 RGS 大的特点。( √ )
(6)若耗尽型 N 沟道 MOS 管的UGS 大于零，则其输入电阻会明显变小。( × )
二、选择正确答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) UGS=0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。 A.结型管 B.增强型 MOS 管 C.耗尽型 MOS 管
(a)
(b)
(c)
补图 P1
解：波形如下图所示
补充 2.在温度 20oC 时某晶体管的 ICBO 2 A, 试问温度是 60oC 时的 ICBO ？ 解: ICBO60 ICBO20 24 2 24 32 A 。 补充 3.有两只晶体管，一只的 β=200 , ICEO 200 A ；另一只的 β=100 , ICEO 10 A ，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？ 解：选用 β=100 , ICEO 10 A 的管子，因其 β 适中, ICEO 较小，因而温度稳定
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成 N 型半导体，加入( C )元素可形成 P 型半导
体。
A.五价
B.四价
C.三价
(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大
B.不变
C.减小
(3)工作在放大区的某三极管，如果当 IB 从 12 uA 增大到 22 uA 时，IC 从 lmA 变为 2mA ，那么它的 β 约为( C ) 。
1V、3V 三种情况下 T 的工作状态及输出电压 uO 的值。
解： (1)当VBB 0 时，T 截止， uO 12V 。
(2)当VBB 1V 时，因为
I BQ
VBB
U BEQ Rb
60 A
ICQ IBQ 3mA
uO VCC ICQRc 9V
图 P1.10
8
所以 T 处于放大状态。
当 uI =4V 时， uGS 小于开启电压，故 T 截止。
当 uI =8V 时，设 T 工作在恒流区，根据输出
特性可知 iD 0.6mA ，管压降 uDS VDD iDRd 10V ，
因此， uGD uGS uDS 2V ，小于开启电压，
说明假设成立，即 T 工作在恒流区。
图 Pl.15
表 T1.6
管号
UGS(th)/V
US/V
UG/V
UD/V
工作状态
T1
4
-5
1
3
恒流区
T2
-4
3
3
10
截止区
T3
-4
6
0
5
可变电阻区
解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型 MOS 管。根据表中所示
4
各极电位可判断出它们各自的工作状态，如表 Tl.6 最后一栏所示。
习题
1.1 选择合适答案填入空内。
Rmax (V UD ) / IDmin 700
图 P1.7
1.8 现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图 P1.8 所示。分别求另一电极 的电流，标出其方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数β 。