金属电子逸出测定实验报告

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金属电子逸出功的测定实验报告

金属电子逸出功的测定实验报告

金属电子逸出功的测定实验报告金属电子逸出功的测定实验报告引言:金属电子逸出功是指金属表面的电子脱离金属表面所需的最小能量。

测定金属电子逸出功对于理解金属的电子结构以及应用于光电子学等领域具有重要意义。

本实验旨在通过测定金属电子逸出功的实验方法,探究金属电子的逸出行为,并分析其与金属表面性质的关系。

实验材料与仪器:本实验使用的材料为常见的金属样品,如铜、铝等。

实验所需仪器包括电子能谱仪、真空系统、光源等。

实验步骤:1. 准备金属样品:选择适当的金属样品,并将其表面清洗干净,以确保实验结果的准确性。

2. 搭建实验装置:将金属样品放置于真空系统中,确保系统处于良好的真空状态。

调整光源的位置和强度,以保证实验的可靠性。

3. 测定电子能谱:通过电子能谱仪测定金属样品的电子能谱曲线。

在实验过程中,可以调整光源的波长和强度,以获得不同能量下的电子能谱数据。

4. 分析数据:根据电子能谱曲线,确定金属电子的逸出功。

通过计算能量差值,可以得到电子逸出所需的最小能量。

结果与讨论:根据实验数据,我们可以得到不同金属样品的电子逸出功数值。

通过对比不同金属的逸出功,我们可以发现金属的电子逸出功与其物理性质之间存在一定的关系。

首先,金属的电子逸出功与其导电性能有关。

一般来说,导电性能较好的金属具有较低的电子逸出功,因为其电子更容易脱离金属表面。

相反,导电性能较差的金属则具有较高的电子逸出功,因为其电子与金属原子之间的束缚力较强。

其次,金属的电子逸出功与其晶格结构有关。

晶格结构较紧密的金属通常具有较高的电子逸出功,因为其表面原子对电子的束缚力较大。

相反,晶格结构较疏松的金属则具有较低的电子逸出功,因为其表面原子对电子的束缚力较小。

此外,金属的电子逸出功还与其表面的化学性质有关。

金属表面的氧化物、硫化物等化学物质会影响金属电子的逸出行为。

一般来说,金属表面存在氧化物等化学物质时,电子逸出功会增加,因为这些化学物质会增加电子与金属原子之间的相互作用力。

金属电子逸出功实验报告

金属电子逸出功实验报告

金属电子逸出功实验报告篇一:《金属电子逸出功的测定》实验指导与报告要求1 《金属电子逸出功的测定》实验指导与报告要求一、电子发射 1、电子发射的分类:⑴、光电发射:靠光照射金属表面引起电子发射。

⑵、热电子发射:加热金属使其中大量电子克服表面势垒而逸出。

⑶、二次电子发射:靠电子流或离子流轰击金属表面产生电子发射⑷、场效应发射:靠外加强电场引起电子发射 2、热电子发射⑴、无线电电子学的基础⑵、真空管中从通电加热的金属丝阴极表面逸出电子的现象二、实验目的和要求1、了解热2、掌握逸出功的测量方法。

2、学习一种数据处理方法。

V三、金属电子逸出功的测定原理简述 1、真空二极管的结构a) 阴极K 通以电流 If 加热b) 阳极A上加以正电压,在连接这两个电极的外电路中将有电流 Ia 通过2、金属电子逸出功⑴金属中电子能量分布根据固体物理学中金属电子理论,金属中传导电子的能量分布按费米-狄拉克(Fermi-Dirac)分布,即:dN=dW314π223(2m)WeW-WFkT+1式中WF称费米能级。

c) 金属-真空界面表面势垒曲线 (x为电子距离金属表面的距离) d) 逸出功定义:E0?Eb?EF?eV⑵、根据费米-狄拉克能量分布公式,可以推导出热电子发射公式,称里查逊-杜什曼(Richardson-Dushman)公式。

I=ASTe式中:I-热电子发射的电流强度(A) S-阴极金属的有效发射面积(cm2) k-玻尔兹曼常数 T-绝对温度eV-金属的逸出功A-与阴极化学纯度有关的系数2-eVkT3、肖脱基效应I=AST2eeΦkT式中的I是不存在外电场时的阴极热发射电流。

无外场时,电子不断地从阴极发射出来,在飞向阳极的途中,必然形成空间电荷,空间电荷在阴极附近形成的电场,正好阻止热电子的发射,这就严重地影响发射电流的测量。

为了消除空间电荷的影响,在阳极加一正电压,于是阳极和阴极之间形成一加速电场Ea,使电子加速飞向阳极。

金属电子逸出功的测定

金属电子逸出功的测定

金属电子逸出功的测定
05112 杨昊庆10.23
一、实验数据的记录与处理
4.计算
逸出电压U=K/(-5.04E03)=-22639/(-5.04E03) V=4.492V
逸出功eU=4.429 eV
理论值eU’=4.54 eV
相对误差E=2.5%
二、实验的反思感悟与总结
1.造成误差可能的原因:
①改变电流值的时候,灯丝可能没有达到预定温度;
②Ia的调节不太好调,导致Ua不稳就读数;
③开始时预热不充分;
④可能是阳极电压偏低或灯丝电压必读数偏高,导致测量值小于理论值。

2.里查逊直线的优点:
不用知道B和S的数值,就可以求出逸出功,这种思想应该牢牢掌握。

3.excel处理实验数据的优越性:
计算机处理数据要方便的多,在这个实验上有深刻的体现,excel能自动画图并精准的算出线性回归方程,省时又省力。

4.感悟
这个实验的操作很简单,在excel的帮助下数据处理也很简单,而且没有不确定度的计算,可以说是本学期最简单的实验之一。

但是有两点让我感触很深。

一是里查逊直线的思想,二是君子生非异也,善假于物,一定要好好掌握计算机技术的应用。

金属电子逸出测定实验报告(精)

金属电子逸出测定实验报告(精)

实验22 金属电子逸出功的测定【实验目的】1.用里查逊(Richardson)直线法测定金属钨的电子逸出功。

2.了解光测高温计的原理和学习高温计的使用。

3.学习数据处理的方法。

【实验原理】若真空二极管的阴极(用被测金属钨丝做成)通以电流加热,并在阳极上加以正电压时,在连接这二个电极的外电路中将有电流通过,如图3—22—1所示。

这种电子从加热金属丝发射出来的现象,称为热电子发射。

研究热电子发射的目的之一可以选择合适的阴极材料。

诚然,可以在相同加热温度下测不同阳极材料的二极管的饱和电流,然后相互比较,加以选择。

但通过对阴极材料物理性质的研究来掌握其热电子发射的性能,这是带有根本性的工作,因而更为重要。

1.电子的逸出功根据固体物理学中金属电子理论,金属中的传导电子能量的分布是按费米——狄拉克(Fermi-Dirac)分布的。

即3—22—1式中称费米能级。

图3—22—1 图3—22—2在绝对零度时电子的能量分布如图3—22—2中曲线(1)所示。

这时电子所具有的最大能量为。

当温度升高时电子的能量分布曲线如图3—22—2中曲线(2)所示。

其中能量较大的少数电子具有比更高的能量,而其数量随能量的增加而指数减少。

在通常温度下由于金属表面与外界(真空)之间存在一个势垒,所以电子要从金属中逸出必须至少具有能量从图3—22—2可见,在绝对零度时电子逸出金属至少需要从外界得到的能量为:称为金属电子的逸出功,其常用单位为电子伏特(ev),它表征要使处于绝对零度下的金属中具有最大能量的电子逸出金属表面所需要给予的能量。

称为逸出电位,其数值等于以电子伏特表示的电子逸出功。

可见,热电子发射就是用提高阴极温度的办法以改变电子的能量分布,使其中一部分电子的能量大于,这样能量大于的电子就可以从金属中发射出来。

因此,逸出功的大小,对热电子发射的强弱,具有决定性作用。

2.热电子发射公式根据费米—狄拉克能量分布公式3—22—1,可以导出热电子发射的里查逊—杜什曼(Richar-dson-Dushman)公式3—22—2式中——热电子发射的电流强度,单位为安培。

测金属逸出功实验报告

测金属逸出功实验报告

测金属逸出功实验报告实验介绍金属逸出功是指金属表面的电子逸出所需的最小能量,是表征金属性质的重要参数之一。

本实验旨在通过测量不同金属表面的电子逸出能来研究不同金属的特性,并探讨金属逸出功与其他物理参数之间的关系。

本实验采用场发射电子逸出测量法进行实验。

实验原理场发射电子逸出测量法利用电场对金属表面的电子进行加速,当电场强度足够大时,金属表面的电子能够克服表面势垒的束缚,从金属中逸出。

逸出的电子被电场加速后,可以通过电子能谱仪进行测量。

电子能谱仪可以测量电子的能量,进而计算出金属逸出功。

实验步骤1. 准备工作:将实验所需的金属样品清洗干净,以去除表面的杂质和污染物。

2. 接极装置:将金属样品放置在接极装置上,并保持样品表面与接极装置之间的良好接触。

3. 设置电场:调节电场强度,使得逸出电流能够被测量仪器所接收到,并记录下电场强度的数值。

4. 测量逸出电流:打开测量仪器,并根据仪器的操作手册进行配置,然后测量逸出电流的数值。

5. 计算金属逸出功:根据测得的逸出电流和电场强度,使用经过校准的公式计算得到金属的逸出功数值。

6. 重复实验:重复以上实验步骤,对不同金属样品进行逸出功测量。

数据处理与结果分析根据实验测量所得的数据,我们可以计算得到不同金属的逸出功数值,并进行进一步的结果分析。

1. 绘制逸出功与金属种类的关系图:根据测量数据绘制逸出功与金属种类的关系图,分析不同金属的逸出功差异。

2. 绘制逸出功与其他物理参数的关系图:根据已有的物理知识,探讨金属逸出功与其他物理参数(如晶格结构、原子半径等)的关系,绘制逸出功与这些参数的关系图。

结论与讨论通过实验测量和数据处理,得到了不同金属的逸出功数值,并分析了逸出功与金属种类及其他物理参数之间的关系。

根据结果分析,我们可以得出以下结论:1. 不同金属的逸出功差异较大,这与金属的化学性质和晶格结构有关。

2. 逸出功与金属的原子半径和晶格结构等物理参数有一定的关联,这为进一步研究金属性质提供了线索。

金属逸出功的测定实验报告

金属逸出功的测定实验报告

竭诚为您提供优质文档/双击可除金属逸出功的测定实验报告篇一:金属电子逸出功测量实验报告篇二:物理金属电子逸出功的测量实验数据处理金属电子逸出功的测量一、实验目的1.了解热电子的发射规律,掌握逸出功的测量方法。

2.了解费米—狄拉克量子统计规律,并掌握数据分析处理的方法。

二、实验原理(一)电子逸出功及热电子发射规律热金属内部有大量自由运动电子,其能量分布遵循费米-狄拉克量子统计分布规律,当电子能量高于逸出功时,将有部分电子从金属表面逃逸形成热电子发射电流。

电子逸出功是指金属内部的电子为摆脱周围正离子对它的束缚而逸出金属表面所需的能量。

逸出功为w0?wa?wf,其中为wa位能势垒,wf为费米能量。

由费米—狄拉克统计分布律,在温度T?0,速度在v~dv 之间的电子数目为:m1dn?2()2(w?wf)/kTdv(1)he?1其中h为普朗克常数,k为波尔兹曼常数。

选择适当坐标系,则只需考虑x方向上的情形,利用积分运算????e?mv2y/2kT?dvy??e?mvz/2kTdvz?(??22?kT1/2)(2)m可将(1)式简化为m2kTwf/kT?mvx2/2kTdn?4?e?edvx(3)3h而速度为vx的电子到达金属表面的电流可表示为dI?esvxdn(4)其中s为材料的有效发射面积。

只有vx?将(3)代入(4~?范围积分,得总发射电流Is?AsT2e?e?/kT(5)其中A?4?emk2/h3,(5)式称为里查逊第二公式。

(二)数据测量与处理里查逊直线法:将(5)式两边同除以T2后取对数,得I?lgs2?lg?As??5.039?103(6)TT由(6)知lg(Is/T2)与1/T成线性关系,只需测量不同温度T下的Is,由直线斜率可求得φ值,从而避免了A和s 不能准确测量的困难。

发射电流Is的测量:为有效收集从阴极材料发射的电子,必须在阴极与阳极之间加一加速电场ea。

而ea降低了逸出功而增大发射电流,使测量到的发射电流值不是真正的Is,因此必须对实验数据作相应的处理。

3-11金属电子逸出功的测定

3-11金属电子逸出功的测定

实验3.11金属电子逸出功的测定金属电子逸出功(或逸出电势)的测定实验, 综合性地应用了直线测定法、外延测量法等基本实验方法, 在数据处理方面有比较好的技巧性训练。

从实际意义来看, 很多电子器件都与电子发射有关, 如电视机的电子枪, 它的发射效果会影响电视机的质量, 因此研究这种材料的物理性质, 对提高材料的性能是十分重要的。

【实验目的】1. 了解热电子发射的基本规律2. 用理查孙直线法测定金属钨电子的逸出功(或逸出电位)。

3. 学习直线测量法、外延测量法等基本实验方法。

【实验仪器】1. 仪器的结构和特点W-Ⅲ型电子逸出功测定仪: 不带光测高温计, 灯丝温度根据灯丝电流换算确定, 全套仪器包括: 理想二极管及测试台;专用稳压电源及数字显示电压、电流表;励磁螺线管专用电源(主机)等部分组成, 标准机箱结构。

2. 使用说明(1)将仪器面板上的3个电位器逆时针旋到底。

(2)将主机背板的插孔和理想二极管测试台的插孔用红黑连接线按编号一一对应接好(请勿接错)。

(3)接通主机电源开关, 开关指示灯和数字表亮。

(4)调节相应的灯丝电流和电压。

(5)从数字表上读出灯丝电流、阳极电压、阳极电流和励磁电流, 进行数据处理。

(6)仪器面板如图3-49所示。

图3-49 仪器面板3. 理想二极管本实验是测定钨的逸出功, 所以把钨做成二极管的阴极, 如图3-50所示, 阴极K是用纯钨丝做成, 阳极是用镍片做成圆筒形电极。

在圆筒上有一个小孔, 以便用光测高温计测定灯丝温度, 为了避免阳极两端因灯丝温度较低而引起的冷端效应和电场的边缘效应, 故在阳极上下端各装一个栅环电极B(或称保护电极)与阳极加相同电压, 但其电流不计入阳极电流中, 这样使其成为理想二极管。

理想二极管是一种进行了严格设计的理想器件, 这种真空管采用直热式结构。

为了便于进行分析, 电极的几何形状一般设计成同轴圆柱形系统。

【实验原理】1. 电子的逸出功及热电子发射在通常温度下, 由于金属表面和外界之间存在着势垒, 所以从能量角度看, 金属中的电子是在一个势阱中运动, 势阱的深度为Eb。

电子逸出功的测定实验报告

电子逸出功的测定实验报告

电子逸出功的测定实验报告
《电子逸出功的测定实验报告》
实验目的:通过测定金属表面的逸出功,探究电子逸出的规律并验证光电效应
理论。

实验仪器:光电效应实验装置、光电管、数字示波器、光源、金属样品
实验原理:光电效应是指金属表面受到光照射后,电子从金属表面逸出的现象。

逸出功是指光照射金属表面,使得电子逸出所需的最小能量。

根据光电效应理论,逸出功与光的频率成正比,与光的强度无关。

实验步骤:
1. 将金属样品放置在光电管的阳极上,并连接光电管和数字示波器。

2. 调节光源的频率和强度,使得光照射到金属样品上。

3. 观察数字示波器上的波形变化,记录光照射金属样品后的电压值。

4. 根据实验数据,计算出金属样品的逸出功。

实验结果:通过实验测定,得到金属样品的逸出功为X电子伏特。

实验结论:实验结果验证了光电效应理论,即逸出功与光的频率成正比。

通过
测定金属样品的逸出功,可以进一步了解光电效应的规律,并为相关理论研究
提供实验数据支持。

总结:本实验通过测定金属样品的逸出功,验证了光电效应理论,并为进一步
研究光电效应提供了实验数据支持。

同时,实验结果也可以应用于光电器件的
设计和制造中,具有一定的实际意义。

通过本次实验,我们对电子逸出功的测定有了更深入的理解,同时也对光电效
应的原理有了更加清晰的认识。

希望通过不断的实验和研究,我们能够更好地
探索光电效应的规律,为相关领域的发展做出更大的贡献。

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实验22 金属电子逸出功的测定【实验目的】1.用里查逊(Richardson)直线法测定金属钨的电子逸出功。

2.了解光测高温计的原理和学习高温计的使用。

3.学习数据处理的方法。

【实验原理】若真空二极管的阴极(用被测金属钨丝做成)通以电流加热,并在阳极上加以正电压时,在连接这二个电极的外电路中将有电流通过,如图3—22—1所示。

这种电子从加热金属丝发射出来的现象,称为热电子发射。

研究热电子发射的目的之一可以选择合适的阴极材料。

诚然,可以在相同加热温度下测不同阳极材料的二极管的饱和电流,然后相互比较,加以选择。

但通过对阴极材料物理性质的研究来掌握其热电子发射的性能,这是带有根本性的工作,因而更为重要。

1.电子的逸出功根据固体物理学中金属电子理论,金属中的传导电子能量的分布是按费米——狄拉克(Fermi-Dirac)分布的。

即3—22—1式中称费米能级。

图3—22—1 图3—22—2在绝对零度时电子的能量分布如图3—22—2中曲线(1)所示。

这时电子所具有的最大能量为。

当温度升高时电子的能量分布曲线如图3—22—2中曲线(2)所示。

其中能量较大的少数电子具有比更高的能量,而其数量随能量的增加而指数减少。

在通常温度下由于金属表面与外界(真空)之间存在一个势垒,所以电子要从金属中逸出必须至少具有能量从图3—22—2可见,在绝对零度时电子逸出金属至少需要从外界得到的能量为:称为金属电子的逸出功,其常用单位为电子伏特(ev),它表征要使处于绝对零度下的金属中具有最大能量的电子逸出金属表面所需要给予的能量。

称为逸出电位,其数值等于以电子伏特表示的电子逸出功。

可见,热电子发射就是用提高阴极温度的办法以改变电子的能量分布,使其中一部分电子的能量大于,这样能量大于的电子就可以从金属中发射出来。

因此,逸出功的大小,对热电子发射的强弱,具有决定性作用。

2.热电子发射公式根据费米—狄拉克能量分布公式3—22—1,可以导出热电子发射的里查逊—杜什曼(Richar-dson-Dushman)公式3—22—2式中——热电子发射的电流强度,单位为安培。

——和阴极表面化学纯度有关的系数,单位为安培/厘米2·度2。

——阴极的有效发射面积,单位为平方厘米。

——玻尔兹曼常数(K=1.38×10-23焦耳/开)。

原则上我们只要测定、、和,就可以根据3—22—2式计算出阴极材料的逸出功。

但困难在于和这两个量是难以直接测定的,所以在实际测量中常用下述的里查逊直线法,以设法避开和的测量。

3.里查逊直线法将3—22—2式两边除以,再取对数得到3—22—3从3—22—3可以看出,与成线性关系。

如果以作纵坐标,以为横坐标作图,从所得直线的斜率即可求出电子的逸出电位,从而求出电子的逸出功。

这个方法叫做里查逊直线法,它的好处是可以不必求出A和S的具体数值。

直接从和就可以得出的值,和的影响只是使直线平行移动。

这种实验方法在实验、科研和生产上都有广泛应用。

4.从加速场外延求零场电流为了维持阴极发射的热电子能连续不断地飞向阴极,必须在阴极和阳极间外加一个加速电场。

然而由于的存在使阴极表面的势垒降低,因而逸出功减小,发射电流增大,这一现象称为肖脱基(Scholtky)效应。

可以证明,在加速电场的作用下,阴极发射电流和有如下的关系3—22—4式中和分别是加速电场为和零时的发射电流。

对3—22—4式取对数得3—22—5如果把阴极和阳极做成共轴圆柱形,并忽略接触电位差和其它影响,则加速电场可表示为3—22—6式中和分别为阴极和阳极的半径,为加速电压,将3—22—6式代入3—22—5式得3—22—7由3—22—7式可见,在一定的温度和管子结构时,和成线性关系。

如果以为纵坐标,以为横坐标作图,此直线的延长线与纵坐标的变点为。

由此即可求出在一定温度下,加速电场为零时的发射电流。

综上所述,要测定金属材料的逸出功,首先应该把被测材料做成二极管的阴极。

当测定了阴极温度,阳极电压和发射电流后,通过数据处理,得到零场电流,然后即可求出逸出功(或逸出电位)来了。

图3—22—3 图3—22—4【实验装置】根据上述实验原理,全套仪器应该包括二极管,二极管供电电源,温度测量系统和测量阳极电压、电流的电表。

下面分别加以介绍1.理想(标准)二极管为了测定钨的逸出功,我们将钨作为所谓理想二极管的阴极材料。

“理想”是指把电极设计成能够严格地进行分析的几何形状。

根据上述原理,我们设计成同轴圆柱形系统。

“理想”的另一含义是把待测的阴极发射面限制在温度均匀的一定长度内和近似地能把电极看成是无限长的,即无边缘效应的理想状态。

即为了避免阴极的冷端效应(两端温度较低)和电场不均匀等的边缘效应,在阳极两端各装一个保护电极,它们在管内联到一起后引出管外,但阳极则和它们绝缘。

因此保护电极虽和阳极加相同的电压,但其电流并不测量在热电子发射电流中。

在阳极上还开有一个小孔,通过它可以看到阴极,以便用光测高温计测量温度。

理想二极管的结构见图3—22—4。

2.光测高温计根据热辐射理论,普朗克(Planck)公式是最正确的辐射公式,由于我们测量温度用的是辐射短波里的一小段,维恩(Wien)公式已经足够准确了。

它表明某一物体在温度T时,波长为的辐射能量近似地由下式决定,是二个常数。

叫做该物体的单色辐射系数,是温度的函数,且随不同物体及其表面情况而异。

从维恩公式可见,在某一波长的热辐射能量与温度成指数关系。

的值为,是光速,为普朗克常数。

代入这些量的数值,得厘米·度。

如果用的红光,则度。

可见随的变化是非常快的。

这是利用热辐射测量高温的有利条件。

亮度温度是利用辐射的亮度比较测得的温度。

它的定义是待测物在某一波长(我们取)的表面亮度等于黑体在同一波长的表面亮度时,这黑体的温度就叫做该物体的亮度温度。

物体的亮度温度显然是和辐射的能量成正比的。

设比例关系为,则根据维恩公式,黑体在温度而波长为时的亮度为(对黑体)待测物体在温度和同一波长的亮度为根据亮度温度的定义,显然,得取对数则有将度的值代入,并改用常用对数,则得因为,可见一个物体的真正温度总是高于该物体的亮度温度。

而且要从测量所得的亮度温度求出真正的温度,必须知道该物体的单色幅射系数。

对于金属钨在和附近时,。

由于被测对象钨丝很细,本实验所用的光测高温计是“测微”光测高温计,它能将被测物进行足够的放大,便于测量。

它的光路和电路如图3—22—5所示。

使用时先调节目镜头,对高温计灯泡的灯丝进行聚焦。

然后调节光测高温计和被测物(理想二极管)之间的相对距离(见图3—22—8),使物成像在高温计灯泡灯丝所在的平面。

这时在目镜头中即可看到二极管阴极(灯丝)和高温计灯泡的灯丝相重合,如图3—22—6所示。

调节“温度调节”电位器,改变高温计灯泡的电流。

如果电流过小高温计灯泡的灯丝将显得发暗,如图3—22—6(a)。

如果电流过大,灯丝将显得过亮,如图3—22—6(c)。

如果电流适当时,可使二个灯丝的亮度相一致,二者混为一体,如图3—22—6(b)所示。

这时电流计G有一个读数,即为被测物的亮度温度。

图3—22—5(a)(b)(c)图3—22—6高温计电桥各元件的参数在事先已经调整好,使对应于时,电流计指零(电桥平衡)。

改变(增加)高温计灯泡电流时,其电阻也随之改变(增加),破坏了电桥的平衡,这时电流计的刻度可以直接根据亮度温度来刻度。

吸收玻璃用来把左右的待测物的亮度控制在用肉眼观察时比较适宜的范围内。

红色滤波片只使附近的光通过。

滤波片中央刻有的圆圈一个,有利于把理想二极管灯丝和高温计泡灯丝的重合点调整在高温计的光轴上。

3.实验电路根据实验原理,实验电路如图3—22—7所示。

220Ω的二只电阻是为了平衡灯丝上的电压降和阳级电压的关系而设置的平衡电阻。

由于连接电路训练并非本实验的训练目的,因此现想二极管的电路已经在仪器中连接好了。

图3—22—74.WF—2型逸出功测定仪WF—2型逸出功测定仪外形如图3—22—8所示。

详尽的仪器使用方法,请参阅“WF—2型逸出功测定仪”使用说明书。

图3—22—8【实验内容】1.熟悉仪器装置,并连接好安培表(1A ,监视灯丝电流),伏特表(150V,测量阳极电压)和微安表(,测量阳极电流)。

接通电源预热10分钟。

2.调节光测高温计和理想二极管,使光测高温计灯丝和理想二极管灯丝都成像清楚,并在视场中央相交。

3.取理想二极管参考灯丝电流约从,每隔约进行一次测量*。

4.对每一参考灯丝电流必须进行多次温度测量(一般做6~7次)以减小偶然误差,并记录数据于表3—22—1,求出灯丝温度。

5.对每一参考灯丝电流在阳极上加25V、36V、49V、64V……144V诸电压,各测出一组阳极电流,记录数据于表二,作图并换算至表3—22—3。

6.根据表3—22—3数据,作出图线,求出截距,即可得到在不同灯丝温度时的零场热电子发射电流。

7.根据表3—22—4数据,作出图线,从直线斜率求出钨的逸出功(或逸出电位)。

8.用实验室提供的计算机程序,计算出逸出功,和用作图法计算的结果相核对**。

(暂无)表3—22—1Na 1 2 3 4 5 60.550.600.650.700.75表3—22—225 36 49 64 81 100 121 1440.55 0.60 0.65 0.70 0.75表 3—22—35 6 7 8 9 10 11 12表 3—22—4直线斜率逸出功ev逸出功公认值 4.54 ev相对误差 %*理想二极管灯丝的温度是用光测高温计测定的,因此,灯丝电流仅作参考。

这样做的目的,可使各次测得的温度的间隔比较均匀些。

如果不用参考电流,只要将仪器面板上标有字样的二个接线柱连接起来即可。

如果为了简化实验,不用光测高温计测量温度,也可以根据灯丝电流查下表得到灯丝的温度。

但这时安培表应该选用级别较高的0.5级表。

灯丝电流0.550.600.650.700.75I f(A)灯丝温度169177181190198T(X100K)**数据用计算机计算时,由于用了最小二乘法对数据进行处理,因此一般说来,计算得到的结果要比用作图法计算得到的好些。

但有时也不尽然,当或有个别明显偏离直线的点时,用作图法可以人为地排除这种“奇点”,但计算机照样拟合在直线中。

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