lctr6-2 波长调制型(1)

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AntarisII傅立叶变换近红外分析仪-ThermoFisherScientific

Antaris II傅立叶变换近红外分析仪Antaris II是ThermoFisher分子光谱部（Nicolet）推出的最新一代专业傅立叶变换近红外光谱系统，该仪器为制药、高分子、化工化学、烟草、农业食品等领域的样品分析提供了全新、可靠、快速方便的分析工具。

1．新的设计理念和标准y结构化的模块设计，即一台仪器上可同时集成积分球漫反射、透射、光纤探头、漫透射检测模块，各检测模块采用各自独立的高灵敏度InGaAs检测器；y建立在高可靠性和稳固性基础上的高性能y强调高重现性，包括系统自身重现性和系统间重现性（模型数据资源共享）y高适应能力，可用于实验室，也可用于工厂车间，灵活的发挥NIR技术的优势2．优越性y建立在Nicolet成熟和先进的傅立叶红外制造工艺和严格的认证标准基础上y采用Nicolet专利的电磁式动态准直干涉仪技术y精密对针定位的光学部件封装技术，免调整的永久准直y波长准确性、重现性、系统间重现性等方面具备目前最高性能指标y Antaris是第一个采用结构化模块设计技术的近红外仪器， Antaris II还具备同时检测药片/凝胶等样品的透射光谱和漫反射光谱的能力y所有检测模块，包括光纤探头均能自动采集背景y在仪器维护方面为用户考虑得更为周全，其光源只需用户自己从外部更换，且更换后无需任何光路调整y全新工业标准的RESULT操作系统软件，其管理模式、拓展能力、操作方便性、规范性均非常规实验室软件能比y独立的光谱化学计量学软件TQAnalyst，将复杂的数据处理和分析程序化，将强大灵活的数据处理技术融于直观友好的图形化界面和随处可见的自动优化及帮助信息中y Antaris II采用的是开放式的数据格式，能够将各家公司的光谱数据直接转移到其软件中3．硬件技术①.干涉仪：y采用尼高力最先进的高光通量自动调整和高速动态准直(每秒13万次)技术的DSP 电磁式干涉仪，具有超高检测稳定性、可靠性和精度，是目前作为傅立叶近红外仪器心脏部件最先进的技术；y采用CaF2分束器，在近红外光谱图的一、二、三倍倍频和合频区域(光谱范围12000-3800cm-1或833-2631nm)具有更高的能量分布。

显微镜荧光波长详解

⏹人肉眼对光源波长的颜色感觉红色770-622 nm橙色622~597 nm黄色597~577 nm绿色577~492 nm蓝靛色492～455nm紫色455～350nm⏹常见显微镜滤光片的波长在激发波长在Ex范围内才能被激发，只有发射光波长大于BA/EM才能被观察到，背景光的波长只有大于DM才能被观察到。

红色滤光片G-2AEx 510-560DM 575BA 590绿色滤光片B-2AEx 450-490DM 505BA 520蓝色滤光片UV-2AEx 330-380DM 400BA 420其它荧光染料介绍【菁类染料-Cyanine dyes(Cy2, Cy3, Cy5)】Cy2耦联基团激发波长为492nm，发光为波长510nm的绿色可见光。

Cy2和FITC使用相同的滤波片。

由于Cy2比FITC在光下更稳定。

要避免使用含有磷酸化的苯二胺的封片剂，因为这种抗淬灭剂和Cy2反应，在染色片储存后会导致荧光微弱和扩散。

Cy3和Cy5比其他的荧光团探针要更亮，更稳定，背景更弱。

Cy3耦联基团激发光的最大波长为550nm，最强发射光为570nm。

因为激发光和发射光波长很接近TRITC, 在荧光显微镜中，可使用和TRITC一样的滤波片。

Cy3在氩光灯(514nm或528nm)下可以被激发出50％的光强，在氦氖灯(543nm)或者汞灯(546nm)下则约75％。

Cy3可以和荧光素一起作双标。

Cy3还可以和Cy5一起在共聚焦显微镜实验中作多标记。

Cy5耦联基团的激发波长最大650nm，发光波长最大670nm。

在氪氩灯(647nm)下它们可被激发出98％的荧光，在氦氖灯下(633nm)为63％。

Cy5可以和很多其他的荧光基团一起用在多标记的实验中。

由于它的最大发射波长在670nm，Cy5很难用裸眼观察，而且不能用汞灯作理想的激发。

通常观察Cy5时采用具有合适激发光和远红外检测器的共聚焦显微镜。

在水相封片剂中应当加入抗淬灭剂。

MURATA 射频本频用片状多层LC滤波器说明书

7<Top View><Bottom View>(in mm)(2)(4): OUT: INFrequency Characteristics25008500Frequency Range (MHz)Attenuation(dB)ReturnLoss(dB)908070605040302010454035302520151055500LFB18_SG SeriesA : Directional Input MarkAll the technical data and information containedherein are subject to change without prior notice.(in mm)Frequency Characteristics102030405060708090510152025303540451.52.25Frequency Range (GHz)Attenuation(dB)ReturnLoss(dB)3.0LFB21_SG SeriesA : Directional Input MarkAll the technical data and information containedherein are subject to change without prior notice.(in mm)Frequency Characteristics102030405060708090102030405060708090Attenuation(dB)ReturnLoss(dB)0.5 2.5 3.0Frequency Range (GHz)通信设备用滤波器o LFB15(0402)_ CB系列o LFB18(0603)/21(0805)/2H(1008)/31(1206)_SG系列接下页。

7LFB2H_SG6 Series* All the technical data and information contained herein are subject to change without prior notice.(in mm)GND OUT IN(1)(3) : (2) : (4) : A : Directional Input Mark1020304050607080900102030405060708090A t t e n u a t i o n (dB )R e t u r n L o s s (d B )1.03.56.0Frequency Range (GHz)LFB2H_SG7 SeriesA : Directional Input MarkAll the technical data and information contained herein are subject to change without prior notice.(1)(3) : GND (2) : OUT (4) : IN(in mm)The Characteristics of Spurious102030405060708090051015202530354045A t t e n u a t i o n(d B )R e t u r n L o s s (d B )1.03.56.0Frequency Range (GHz)LFB31_SG1 Series(in mm)* All the technical data and information contained herein are subject to change without prior notice.(1) (3) : GND (2) : OUT (4) : INFrequency CharacteristicsR e t u r n L o s s (d B )A t t e n u a t i o n (dB )Frequency Range (MHz)LFB31_SG2 SeriesAll the technical data and Information contained herein are subject to change without prior notice.Frequency CharacteristicsFrequency Range (GHZ)A t t e n u a t i o n (dB )R e t u r n L o s s (d B )0102030405060701.21.82.47080806050403020100通信设备用滤波器接下页。

基于ppln涡旋光参变振荡器的手性特性研究

科技与创新┃Science and Technology&Innovation ·18·2020年第01期文章编号：2095－6835（2020）01－0018－03基于PPLN涡旋光参变振荡器的手性特性研究＊塔西买提·玉苏甫，牛素俭（新疆师范大学物理与电子工程学院，新疆乌鲁木齐830054）摘要：中红外波长可调谐光参量振荡技术是非线性变频领域关注的热点。

它在激光通信、光谱学研究、医学以及军事上的红外对抗等方面具有重要的应用。

采用Nd：YAG激光器作为泵浦源，选取非线性光学晶体掺氧化镁的铌酸锂晶体（MgO：PPLN），实现了波长调谐范围在3～3.4μm的中红外波段涡旋光的输出，并揭示了中红外涡旋光参变振荡器的手性控制机理，通过调制泵浦涡旋光的手性特性实现了中红外波段涡旋光的手性控制。

在泵浦光能量为21MJ时，输出的右（左）涡旋光能量最大为2.24MJ（2.28MJ）。

关键词：光学参变振荡器；涡旋光束；MgO：PPLN晶体；涡旋模式中图分类号：O436文献标识码：A DOI：10.15913/ki.kjycx.2020.01.0051引言波长为3～5μm的激光通常称为中红外激光，该激光波段位于大气的窗口波段，对雾霾、粉尘等具有较强的穿透力，受气体分子吸收和悬浮颗粒散射影响小，在大气环境污染监测、光谱分析、激光雷达以及军事红外对抗等领域具有很高的应用价值[1-2]。

尤其是中红外波段的高能量、波长可调性的涡旋光源在研究分子光谱学、有机材料处理、痕量气体的探测、遥感方面具有巨大的潜在应用价值和重要的战略意义，并且广泛地应用于医疗领域。

与目前中红外光谱区传统激光技术相比，利用技术成熟的近红外涡旋激光光源抽运光学参量频率转换实现在中红外波段相干涡旋光输出是一个高效率的技术[3-5]。

周期极化掺氧化镁的铌酸锂晶体是一种高效的非线性光学晶体，广泛应用于参量振荡器、倍频、差频、和频等。

圆二色谱仪chirscan参数

圆二色谱仪chirscan参数全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：圆二色谱仪（Circular Dichroism Spectrometer，简称CD）是一种用于研究物质的圆二色性质的仪器。

圆二色性是指物质在吸收圆偏振光时所表现出的不对称吸收现象，可以提供关于分子结构、构象和手性等信息。

Chirascan是一款由Applied Photophysics公司（APC）推出的CD仪器，具有高灵敏度、高分辨率和广泛的应用范围。

Chirascan是一款便携式的圆二色谱仪，它可以实现快速、准确地测量生物分子、生物大分子和其他有机小分子的圆二色谱谱图。

Chirascan具有以下主要参数：1.波长范围：Chirascan能够在175nm至900nm的波长范围内进行测量，覆盖了紫外到可见光区域，可以满足不同光学活性化合物的测量需求。

2.分辨率：Chirascan具有高分辨率的优点，使得用户可以在光学活性化合物的吸收光谱中清晰地观察到特征峰和特征谷，从而准确分析样品的立体结构和手性信息。

3.灵敏度：Chirascan在测量过程中具有高灵敏度，可以探测到微量的光学活性物质，即使在低浓度下也可以获得可靠的数据。

4.自动化功能：Chirascan具有智能化的数据采集和分析软件，可以实现自动测量、自动校准和自动计算参数等功能，为用户提供便捷、快速的操作体验。

5.温控功能：Chirascan具有温控功能，可以在不同温度下进行测量，研究物质的热力学性质和温度对其圆二色性质的影响。

6.多种测量模式：Chirascan支持多种测量模式，包括扫描模式、定点模式、动力学扫描模式等，可以满足不同用户的测量需求。

Chirascan是一款功能强大、性能稳定的圆二色谱仪，广泛应用于生物医药、生物化学、药物研发、食品安全等领域。

它不仅可以帮助科研人员深入理解生物大分子的结构和功能，还可以为药物设计和合成提供重要信息。

随着科技的不断发展，Chirascan将在更多领域展现其应用潜力，为科学研究和产业发展做出更大贡献。

JJG 001-1996 傅里叶变换红外光谱仪检定规程

JJG 001-1996 傅里叶变换红外光谱仪检定规程适用范围:适用于新安装、使用中和修理后的傅里叶变换红外光谱仪(以下简称仪器)的检定。

主要技术要求:1. 外观2. 安装条件3. 检定条件4. 检定设备5. 样品6. 检定项目和检定方法2.范围适用于新安装、使用中和修理后的傅里叶变换红外光谱仪(以下简称仪器)的检定。

2.1 原理FTIR是利用干涉仪干涉调频的工作原理，根据干涉图和光谱图之间的对应关系，通过测量干涉图和对干涉图进行傅里叶变换来获得光谱图；它能同时测量、记录来自光源所有谱元的信息，高效率地采集来自光源的辐射能量。

检测器接收到的随光程差变化的信号强度便是光源所有谱元的贡献。

(1)式中:I(x)——干涉图B(v)——吸收光谱v——频率x——光程差I(x)是在光程差为x时检测器接收到的信号强度，也称为干涉图。

数据处理系统通过对干涉图函数进行傅里叶变换得到按频率(波数)分布的物质的吸收光谱B(v)。

(2)由于它有多通道优点，因而有较高的信噪比、分辨率、检测灵敏度和较快的扫描速度，广泛应用于物质的定性定量及结构成分分析。

是测量、研究分子振动、转动光谱的重要工具。

2.2 构成FTIR 由光学系统及数据处理系统两部分组成。

3 计量单位波数(cm－1)和吸光度。

4 计量要求4.1 计量特性仪器技术指标见表1。

4.2 等级评定等级评定按表2。

1～10项中如有2项以上(包括2项)达不到指标，要按降档处理。

表1 技术指标5 技术要求5.1 外观要求仪器应有下列标志：仪器名称、型号、制造厂名、出厂日期和仪器编号，使用说明书齐全。

仪器及附属设备外观应完好无损，联结牢固。

特别注意事项应有清楚醒目的警示标志。

5.2 安装条件仪器应安装在清洁无尘、无振动、无电磁干扰、无腐蚀性气体、通风良好、恒温恒湿的实验室；室温：20℃～25℃之间；相对湿度：≤60％；有良好的独立地线。

供电应有稳压设备，电压220V±5V，频率50Hz；如采用独立稳压电源，输出功率应为仪器额定功率的两倍左右。

intersil ISL6742 数据手册

®1CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.1-888-INTERSIL or 321-724-7143|Intersil (and design) is a registered trademark of Intersil Americas Inc.Copyright © Intersil Americas Inc. 2005. All Rights ReservedAll other trademarks mentioned are the property of their respective owners先進的雙端PWM 控制器ISL6742是高性能雙端(PWM)控制器并具備先進的同步整流控制以及限流臨界的特點。

它能用于電流以及電壓模式控制方法。

ISL6742為同步整流控制具備互補PWM輸出端。

利用外部控制電壓, 這些互補的輸出端可以動態地被前置或者延遲。

它的优秀的電流傳感電路使用取樣及保存的方法提供精确的平均電流信號。

适用于平均限流保護, 這种保護方法消除了峰值限流方法的局限, 也适用于均流電路以及平均電流模式控制。

這個先進的BiCMOS設計不但兼容了一個可調振蕩器其頻率高達2MHz, 內部過溫保護, 精确的死區時間控制以及共振延遲控制。

另外, 當跳脈沖可能發生的情況下, 多相脈沖抑制能在低工作周期時保證相應的輸出脈沖。

定購資料零件號碼溫度范圍(°C)包裝包装圖號 #ISL6742AAZA(Note)-40 to 10516 Ld QSOP (Pb-free)M16.15AAdd -T suffix to part number for tape and reel packaging.NOTE: Intersil Pb-free products employ special Pb-free material sets; molding compounds/die attach materials and 100% matte tin plate termination finish, which are RoHS compliant and compatible with both SnPb and Pb-free soldering operations. Intersil Pb-free products are MSL classified at Pb-free peak reflow temperatures that meet or exceed the Pb-free requirements of IPC/JEDEC J STD-020.主要特點• 延遲/前置可調的同步整流控制輸出 • 可調平均電流信號 • 3%峰值限流臨界 • 快電流傳感延遲• 可調振蕩頻率高達2MHz • 可調死區時間控制 • 電壓或電流模式控制• RAMP 以及CS 分開輸入益于電壓前饋控制或者電流模式控制• 誤差放大器的參考電壓具備精确的容差遍及輸入、負載和溫度范圍 • 175µA 啟動電流 •輸入電源欠壓切斷保護 • 可調軟啟動 •70ns 上升沿消隱 •多脈沖抑制 • 內部過溫保護•不含鉛, 以及ELV, WEEE, and RoHS Compliant應用• 半橋, 全橋, 正向交錯, 以及推挽轉換器 • 電信和信息電源 • 無線基站電源 • 檔案服務器電源 •工業動力系統插腳引線ISL6742 (QSOP)頂視圖OUTAN OUTBNOUTAOUTBIOUTCTRTDVDDGNDVREFVERRFBSSCSVADJRAMP內部電路結构典型應用電路 – 電信原邊半橋式同步整流轉換器VIN-典型應用電路 – 高壓輸入次邊控制ZVS全橋轉換器VIN-額定值Supply Voltage, VDD ----------------GND - 0.3V to +20.0V OUTxxx ------------------------------------GND - 0.3V to VDD Signal Pins-------------------------GND - 0.3V to V REF +0.3V VREF ---------------------------------------GND – 0.3V to 6.0V Peak GATE Current-----------------------------------------0.1A ESD ClassificationHuman Body Model (Per MIL-STD-883 Method 3015.7)------2000V Charged Device Model (Per EOS/ESD DS5.3, 4/14/93)-------1000V 運行條件Supply Voltage Range (Typical)------------------9V-16VDC Temperature RangeISL6742AAxx-------------------------------40o C to 105o C 熱性能的資料Thermal Resistance Junction to Ambient (Typical) θJA (o C/W) 16 Lead QSOP (Note 1)-------------------------------------95 Maximum Junction Temperature -------------------55o C to 150o C Maximum Storage Temperature Range-----------65o C to 150o C Maximum Lead Temperature (Soldering 10s)--------------300o C (QSOP – Lead Tips Only)CAUTION: Stress above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of thedevice at these or any other conditions above those indicated in the operational section of this specification is not implied.Notes:1) θJA is measured with the component mounted on a low effective thermal conductivity test board in free air. See Tech Brief TB379 fordetails.2) All voltages are with respect to GND.Electrical SpecificationsRecommended Operating Conditions, Unless Otherwise Noted. Refer to Block Diagram and Typical Application Schematic.9V < V DD < 20V, RTD = 10.0kΩ, CT = 470pF, T A = -40o C to 105o C (Note 3), Typical values are at T A= 25o C.PARAMETER TESTCONDITIONSMINTYPMAXUNITS SUPPLY VOLTAGESupply Voltage - - 20 VStart-Up Current, I DD VDD= 5.0V -175400µAOperating Current, I DD R LOAD, C OUT = 0 - 7.5 12 mAUVLO START Threshold 8 8.75 9 VUVLO STOP Threshold 6.5 7 7.5 VHysteresis - 1.75 - VREFERENCE VOLTAGEOverall Accuracy I VREF = 0 - 10mA 4.85 5 5.15 VLong Term Stability TA = 125°C, 1000 hours (Note 4) - 3 - mVOperational Current (source) -10 - - mAOperational Current (sink) 5 - - mACurrent Limit VREF = 4.85V -15 - -100 mACURRENT SENSECurrent Limit Threshold VERR = VREF 0.97 1 1.03 VCS to OUT Delay Excl. LEB (Note 4) - 35 50 nsLeading Edge Blanking (LEB) Duration (Note 4) 50 70 100 nsCS to OUT Delay + LEB T A = 25°C - - 130 nsCS Sink Current Device Impedance V CS = 1.1V - - 20 ΩInput Bias Current V CS = 0.3V -1.0 - 1.0 µA 電气規范Electrical Specifications電气規范Recommended Operating Conditions, Unless Otherwise Noted. Refer to Block Diagram and Typical Application Schematic.9V < V DD < 20V, RTD = 10.0kΩ, CT = 470pF, T A = -40o C to 105o C (Note 3), Typical values are at T A= 25o C. (continued)MAXTYPUNITS PARAMETER TESTCONDITIONSMINIOUT Sample and Hold Buffer AmplifierT A = 25°C 4 4.09 4.15 V/VGainIOUT Sample and Hold VOH V CS = 1.00V, I LOAD = -300µA 3.9 - - VIOUT Sample and Hold VOL V CS = 0.00V, I LOAD = 10µA - - 0.3 VRAMPRAMP Sink Current Device Impedance V RAMP = 1.1V - - 20 ΩRAMP to PWM Comparator Offset T A = 25°C 65 80 95 mVBias Current V RAMP = 0.3V -5 - -2 µAClamp Voltage (Note 4) 6.5 - 8 VSOFT-STARTCharging Current SS = 3V -60 -70 -80 µASS Clamp Voltage 4.41 4.5 4.59 VSS Discharge Current SS = 2V 10 - - mAReset Threshold Voltage T A = 25°C 0.23 0.27 0.33 VERROR AMPLIFIERInput Common Mode (CM) Range (Note 4) 0 - VREF VGBWP (NoteMHz-4) 5-VERR VOL I LOAD = 2mA - - 0.4 VVERR VOH I LOAD = 0mA 4.2 - - VVERR Pull-Up Current Source VERR = 2.50V 0.8 1 1.3 mAEA Reference TA = 25°C 0.594 0.6 0.606 VEA Reference + EA Input Offset Voltage 0.59 0.6 0.612 VPULSE WIDTH MODULATORMinimum Duty Cycle VERR < 0.6V - - 0 %VERR = 4.20V, V RAMP = 0V, V CS = 0V94 %(Note 5)Maximum Duty Cycle (per half-cycle)RTD = 2.00kΩ, CT = 220pF- 97 - %RTD = 2.00kΩ, CT = 470pF - 99 - %Zero Duty Cycle VERR Voltage 0.85 - 1.2 VVERR to PWM Comparator Input Offset T A = 25°C 0.7 0.8 0.9 VVERR to PWM Comparator Input Gain 0.31 0.33 0.35 V/VCommon Mode (CM) Input Range (Note 4) 0 - 4.45 VOSCILLATORFrequency Accuracy, Overall(Note 4) 165 183 201 kHz%10-10-%0.3Frequency Variation with VDD T A = 25°C, (F20V- - F10V)/F10V -1.7VDD = 10V, |F-40°C - F0°C|/F0°C- 4.5 - %Temperature Stability|F0°C – F105°C|/F25°C (Note 4) - 1.5 - %Electrical SpecificationsRecommended Operating Conditions, Unless Otherwise Noted. Refer to Block Diagram and Typical Application Schematic.9V < V DD < 20V, RTD = 10.0k Ω, CT = 470pF, T A = -40oC to 105oC (Note 3), Typical values are at T A = 25oC.Charge Current T A = 25°C, V CS = 1.8V -193 -200 -207 µA Discharge Current Gain19 21 23 µA/µA CT Valley Voltage Static Threshold 0.75 0.8 0.88 V CT Peak Voltage Static Threshold 2.75 2.8 2.88 V CT Pk-Pk Voltage Static Value 1.92 2 2.05 V RTD Voltage1.9722.03VOUTPUTHigh Level Output Voltage (VOH) I OUT = -10mA, VDD - VOH - 0.5 1 V Low Level Output Voltage (VOL) I OUT = 10mA, VOL - GND- 0.5 1 V Rise Time C OUT = 220pF, VDD = 15V (Note 4) - 110 200 ns Fall TimeC OUT = 220pF, VDD = 15V (Note 4) - 90 150 ns UVLO Output Voltage ClampVDD = 7V, I LOAD = 1mA (Note 6) - - 1.25 VV ADJ = 2.50V (Note 4) - - 3 ns V ADJ < 2.425V -40 - -300 nsOutput Delay/Advance RangeOUTAN/OUTBN relative to OUTA/OUTBV ADJ > 2.575V40 - 300 ns Delay Control Voltage RangeOUTAN/OUTBN relative to OUTA/OUTB OUTxN Delayed2.575-5VOUTx Delayed 0 - 2.425 VT A = 25°C (OUTx Delayed)VADJ = 0 280 300 320 ns VADJ = 0.5V 92 105 118 ns VADJ = 1.0V 61 70 80 ns VADJ = 1.5V 48 55 65 ns VADJ = 2.0V41 50 58 ns T A = 25°C (OUTxN Delayed) VADJ = VREF 280 300 320 ns VADJ = VREF - 0.5V 86 100 114 ns VADJ = VREF - 1.0V 59 68 77 ns VADJ = VREF - 1.5V 47 55 62 ns VADJ Delay TimeVADJ = VREF - 2.0V41 48 55 ns THERMAL PROTECTIONThermal Shutdown (Note 4) 130 140 150 °C Thermal Shutdown Clear (Note 4) 115 125 135 °C Hysteresis, Internal Protection (Note 4)-15-°CNOTES:3. Specifications at -40oC and 105 oC are guaranteed by 25 oC test with margin limits. 4. Guaranteed by design, not 100% tested in production.5. This is the maximum duty cycle achieveable using the specified values of RTD and CT. Larger or smaller maximum duty cycles may beobtained using other values for these components. See Equation 1-3. 6. Adjust VDD below the UVLO stop threshold prior to setting at 7V.電气規范各管腳簡介VDDVDD是控制器的電源輸入端。

北京大学化学学院中级仪器实验室 fls 920稳态瞬态荧光光谱仪操作说明书

稳态/瞬态荧光光谱仪（FLS 920）操作说明书中级仪器实验室一、仪器介绍1.FLS 920稳态/瞬态荧光光谱仪具有两种功能稳态测量：激发光谱(荧/磷光强度~激发波长)、发射光谱(荧/磷光强度~发射波长)、同步扫描谱(固定波长差、固定能量差、可变角)。

瞬态测量：荧光(磷光)寿命(100ps—10s)。

适合各类液体和固体样品的测试。

2.主要应用高分子和天然高分子自然荧光的研究溶液中大分子分子运动的研究固体高分子取向的研究高聚物光降解和光稳定的研究光敏化过程的研究3.主要性能指标光谱仪探测范围：(光电倍增管， 190－870nm；Ge探测器，800－1700nm)荧光寿命测量范围：100ps－10s信噪比：6000：1(水峰Raman)可以配用制冷系统，为样品提供变温环境液氮系统(77K－320K)使用Glan棱镜，控制激发光路、发射光路的偏振状态使用450W氙灯和纳秒、微秒脉冲闪光灯做激发光源F900系统软件：控制硬件，包括变温系统，数据采集、分析4. 仪器主要部分结构图5.仪器光路图二、仪器测试原理(SPC)时间相关单光子计数原理是FLS920测量荧光寿命的工作基础。

时间相关单光子计数法(time－correlated single photon counting)简称“单光子计数(SPC)法”，其基本原理是，脉冲光源激发样品后，样品发出荧光光子信号，每次脉冲后只记录某特定波长单个光子出现的时间t，经过多次计数，测得荧光光子出现的几率分布P(t)，此P(t)曲线就相当于激发停止后荧光强度随时间衰减的I(t)曲线。

这好比一束光(许多光子)通过一个小孔形成的衍射图与单个光子一个一个地通过小孔长时间的累计可得完全相同的衍射图的原理是一样的。

三、测量之前需要特别注意的事项1. 在切换光源、修改设置或放样品之前必须把狭缝（Δλ）关到最小（0.01nm），否则会损坏光电倍增管！如果打开样品室盖子之后，Em1的Signal Rate增加，请停止实验并立即与工作人员联系！2. 测量样品的瞬态性质之前，请用F4500荧光光谱仪对样品的稳态性质进行表征，了解样品的激发光谱和发射光谱及最佳激发波长和发射波长；3. 用PMT检测时，必须等稳压电源CO1的温度示数在－17℃以下才可以开始采集数据；4. 严禁用稳态瞬态荧光光谱仪测量未知样品紫外可见区的稳态光谱！5. 狭缝范围0.01～18nm，调节时注意不要超过其上限；6. 每次设置完参数后都要点击Apply或者回车键确定；7. 文件保存路径为：C:\users\导师\自己文件夹；8. 用未开封的新软盘拷贝数据；9. 如实填写仪器使用记录，爱护仪器。

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压力传感器等
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光纤传感器用于智能结构的一些问题
光纤传感器的复用
• 由多个点式传感器和（或）多个积分式传感器，和（或）多个分布式传感器构成的一个复杂的传感系统
与智能结构的兼容性在智能结构中的分布在智能结构中应用的工艺研究
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传光型波长调制光纤传感器
荧光、磷光光谱
关键
• 光源和入频射谱光分纤析器的性能系统调的制稳器定性和分被辨测参率量
• 获得材料及结构的整体性、环境条件等信息 • 确定系统的运行情况、可靠性 • 确定剩余寿命
提出 “智能材料与结构”的概念
• 在材料和结构的制造过程中－埋入传感元件和驱动元件
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智能结构对传感器的特殊要求
• ①微型化：保证传感器的埋入不会影响材料的性能（或影响很小）
• ②高可靠：确保智能材料在整个“服役期”能正常有效地运行
基本原理
• 化学指示剂对被测溶液的颜色反应
探头结构
• 指示剂的透明度
红色区域对pH值非常敏感在绿色区域却与pH值无关
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设计实例
绿光(λ1＝558nm)作为调制检测光，红光(λ2＝ 630nm)作参考光
R k10( c L10)
L为试剂长度；Δ＝pH－pK，(pH酸碱度，pK酸碱平衡常数)
例如：光纤干涉仪（MZ干涉仪、Michelson干涉仪等）可用于测量光纤长度范围内应变或温度的平均值。用单根高双折射光纤构成的光纤偏振干涉仪也属于积分式传感器
分布式传感器
• 可沿空间位置连续测量单、多参量的传感器。 • 主要特征参量是空间分辨率和灵敏度 • 非线性效应分布式光纤传感器；高双折射光纤构成的分布式光纤
• ③网络化：以实现多路复用或空间分布式测量使传感系统可获取较大空间范围内的传感信息
光纤传感器
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可用于智能结构的光纤传感器
点式传感器
• 光纤FP传感器、光纤Bragg光栅传感器等。 • 优点：传感头尺寸小<<结构尺寸 • 缺点：只局限于检测一个很小截面内的某一参量的值。
积分式传感器
• 可用于测量一定范围内某一参量的平均值
稳定性条件
• 光源和光探测器有足够高的温度稳定性准确度 • pH值在7-7.4的范围内仪器具有0.01的分辨率血液的pH
值 • 采用不同的化学指示剂，可测量不同pH值范围的溶液。
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光纤磷光传感器
原理: 稀土磷光体的磷光光谱随温度变化而改变测量方法：
• 频谱不同的光电二极管
0.1℃的分辨率，准确度为ｌ℃
Sensor for landslide movement (B-OTDR)
7
应用范围
日本女子大学百年館の外観（建設時）
8
应用例－锚杆压力应变监测
长期维护耐腐蚀寿命长锚键锚体的应变监测
Anchor tendon
Anchor Body
FBG
锚杆长 40m
标准应变测试仪
FBG 应变传感器
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10
光栅标准具
Bragg波长：对于啁啾光栅：
B 2neff
(z) 0 Cz
l 2
z
l 2
干涉条纹的占空比：
2 B
/(2neff
sp)
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1.什么是传统机械按键设计？
传统的机械按键设计是需要手动按压按键触动PCBA上的开关按键来实现功能的一种设计方式。
传统机械按键结构层图：
• 传感 • 光学信息补偿－光学Fourier变换、相位阵列天线
2
传感应用
光纤光栅传感器
• 优点：
抗干扰能力强，稳定、可靠传感头结构简单、体积小测量重复性好可实现绝对测量便于规模生产、成网
• 不足：解调系统昂贵、动态范围受限
3
应用实例
4
应用范围
5
应用范围
6
应用例
Three anchors (FBG)
光纤光栅
波长调制型光纤传感器
Fiber Optic Sensors Lecture 6-2
1
4.1 波长调制机理
引起波长变化－光谱特性随外界物理量而变化
• 荧光、磷光、黑体辐射等－大多数为非功能型 • 光纤光栅－功能型
光纤光栅～反射镜应用领域－通信、传感、信息处理
• 光通信器件
半导体激光器、光纤激光器光纤放大器、滤波器波分复用/解复用器色散补偿
按键
PCBA
开关键
传统机械按键设计要点：
1.合理的选择按键的类型，尽量选择平头类的按键，以防按键下陷。
2.开关按键和塑胶按键设计间隙建议留0.05~0.1mm，以防按键死键。 3.要考虑成型工艺，合理计算累积公差，以防按键手感不良。
光纤传感器与智能材料
传统材料强度要求现代材料 “自检”的功能
• 滤光片
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传感头设计
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黑体温度计
非接触式测温技术：测量物体的热辐射能量表面温度
E0 (,T )
C1 5
C2
e
T
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探头结构
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光纤血气传感器
血气值
• 氧分压（M） • 二氧化碳分压（pc） • 氢离子浓度（pH）
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光源：白炽灯、汞出弧射灯光纤
频谱分析仪：光栅、棱镜分光计；干涉和染料滤光器
稳定性分: 比光值计运算，补偿系统误差
主要应用-医学、化学等领域。
• 人体血气信的号分处理析、pቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ值输出检测
• 指示剂溶液浓度的化学分析
• 磷光和荧光现象分析
• 黑体辐射分析
• 法布里一帕罗滤光器等
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光纤pH值传感器