光电产业专业基础知识大全

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第一章光电技术基础讲课文档

第一章光电技术基础讲课文档
激光加工设备还将继续沿高功率、高质量、 高可靠、低成本的方向发展。
第八页,共100页。
3. 光电子材料和元器件产业
光电子材料和元器件是光电子产业的基础,对光 电子产业的发展起着决定性的作用。 4. 光子学及光通信器件
主要包括光子的产生、探测、控制和处理,因 此,必须有相应的光子学器件,光子学器件的时间 响应和单道超大容量要比电子学器件高得多,这对 信息技术的发展有很大的推动作用。
学,它以光学和电子学为基础,综合利用光学、电子学、精密 机械、仪器仪表、材料科学、控制科学和计算机技术解决各种 工程应用课题的技术学科
第六页,共100页。
光电子产业
1. 信息光电子产业
21世纪的信息网络是以IP(或IP/ATM)协议控制下的密集 波分复用(DWDM)为基础的光核心网, 包括有线(光纤或 HFC)、无线等不同接入类型、不同业务规模的各种接入 网所形成的一个灵活、大容量的综合网。其中全光通信网 (AON)是主体, 全光网中的传输和交换容量均达到Tb/s量级, 将比现有传输速率提高100倍以上。
Ie0是面元dS沿其法线方向的辐射强度,又称 为余弦辐射体或朗伯体。(1)式代入(2)式得到余 弦辐射体的辐射亮度为
Le
dIe0 dS
Le0
第三十三页,共100页。
余弦辐射体的辐射亮度是均匀的,与方向角
无关。余弦辐射体的辐射出射度为
Me
de dS
Le0
⑹辐射照度:在辐射接收面上的辐照度Ee定义 为照射在面元dA上的辐射通量与该面元的面
本章主要介绍光辐射的基本概念和原理,以 及在光电子技术中应用比较普遍的典型光辐 射源。
第十七页,共100页。
1. 电磁波的性质与电磁波谱
由麦克斯韦的电磁场理论,变化的电场产生变化的

光电技术知识点总结

光电技术知识点总结

光电技术知识点总结篇一:光电技术第三版复习重点总结试求一束功率为30mw、波长为0.6328激光束的光子流速率?e,?d?因dne,??hv,激光器只辐射特定波长的光,因此该式可变换为:????n??30?10?3?0.6328?10?6??9.55?1016在卫星上测得大气层外太阳光谱的最高峰值在hvh?c6.626?10?34?3?108(1/s)0.465处若把太阳作为黑体计算表面温度以及辐射度若已知光生伏特器件的光电流分别为50ua与300ua暗电流为1ua计算它们的开路电压计算人体正常温度和当发烧到38.5℃时其峰值波长分别是多少某只cdS光敏电阻的最大功耗为30mw,光电导灵敏度S/lx暗电导试求偏置电压为20V时的极限照度设某光敏电阻在100lx的光照下阻值为2KΩ激光单路干涉测位移的装置中(1)反光镜m3移动多少毫米时脉冲个数为100、(2)该测位移装置的灵敏度是多少、最高精度是多少?已知He-ne激光器发出的波长为0.6328μm的激光。

被测位移量有关系n?2L2?106???3.160556?106个脉冲0.6328灵敏度为:,?12??2??0.1582?m或0.3614μm。

最高测量精度不低于?0.16?m。

假设两块光栅的节距为0.2mm两光栅的栅线夹角为1°,求莫尔条纹的间隔,求相互移动的距离条纹间隔的宽度为:m?dd0.2?11.4592(mm)2sin(???当光电器件探测出2180莫尔条纹走过10个,则两光栅相互移动了2mm利用2cU2光电二极管和3dG40三极管构成的探测电路二极管的电流灵敏度S=0.4ua/uw,其暗电流id=0.2ua,三极管放大倍率为50倍最高入射功率400uw,拐点电压1.0V求入射辐射变化50uw时输出电压变化多少3.10已知光电三极管伏安特性曲。

若光敏面上的照度变换e=120+80sinωt(lx),为使光电三极管输出电压不小于4V的正弦信号,求负载电阻RL、电源电压Ubb及该电路的电流、电压灵敏度,解Φ=120+180=200(lx)Φmin=120-80=40(lx)Uce??4?11.314(V)则Ubb=20(v)或者18v当Φ=40(lx)时,ic=1.1(ma),Φ=200(lx),ic=5.4(ma)则:Δic=5.4-1.1=3.3(ma)?U?U??ic?RRL??i?11.314?3.428(k)Lc3.3电流灵敏度:iicP?Si??得:S???3.3i??160?0.0206(ma/lx)电压灵敏度:?U?SU???得:S?UU????11.314160?0.0707(V/lx)4.14照灵敏度为光电倍增管内。

光电信息科学与工程知识点

光电信息科学与工程知识点

光电信息科学与工程知识点光电信息科学与工程是一门交叉学科,涵盖了光学、电子学、信息技术等多个领域。

在这个领域中,有许多重要的知识点需要我们深入了解和掌握。

本文将围绕光电信息科学与工程的知识点展开讨论,帮助读者更好地理解这门学科。

一、光电效应光电效应是光电信息科学与工程中的重要基础知识点之一。

光电效应是指当光线照射到特定材料表面时,会激发材料中的电子,使其跃迁到导带或价带,从而产生电荷。

这一现象是光电器件工作的基础,如太阳能电池、光电二极管等都利用了光电效应的原理。

二、激光技术激光技术是光电信息科学与工程中的重要应用领域。

激光是一种特殊的光线,具有高亮度、高聚焦度和高单色性等特点。

激光技术广泛应用于医疗、通信、制造等领域,如激光手术、激光雷达、激光打印等都是激光技术的应用。

三、光电子器件光电子器件是光电信息科学与工程中的重要组成部分。

光电子器件包括光电二极管、太阳能电池、光纤通信器件等。

这些器件通过光电效应将光信号转换为电信号,实现了光与电的互相转换,是现代通信技术和能源技术的重要支撑。

四、光学成像光学成像是光电信息科学与工程中的重要技术之一。

光学成像通过光线的折射、反射和传播等现象,实现对物体的成像和观测。

在显微镜、望远镜、摄像头等设备中都有光学成像的应用,是现代光学技术的重要组成部分。

五、信息光子学信息光子学是光电信息科学与工程中的前沿领域。

信息光子学是将信息和光子结合起来的一门学科,旨在实现信息的光子化、光子的信息化。

信息光子学在信息存储、信息传输、量子计算等领域有广泛的应用前景,是未来光电信息技术的重要发展方向。

总结:光电信息科学与工程涉及的知识点繁多而深刻,本文仅就部分知识点进行了简要介绍。

希望通过本文的阐述,读者对光电信息科学与工程有了更深入的了解,并对这门学科产生更浓厚的兴趣。

随着科技的不断发展,光电信息科学与工程必将在未来发挥更为重要的作用,为人类社会的进步和发展做出更大的贡献。

愿我们能够共同努力,共同探索,为光电信息科学与工程的发展贡献自己的力量。

光电师的知识点总结

光电师的知识点总结

光电师的知识点总结第一部分:光电基础知识1. 光电效应光电效应指的是当金属或半导体受到光照射时,会产生电子的排出现象。

这是光电师工作中非常重要的基础知识。

光电效应分为外光电效应和内光电效应。

2. 光电元件光电元件是光电师研究和应用的基础。

常见的光电元件主要包括光敏电阻、光电二极管、光电晶体管等。

3. 光的波粒二象性光具有波粒二象性,既可以表现为波动,也可以表现为粒子。

光电师需要深入了解这一性质,以便更好地理解光电效应和光电元件的工作原理。

4. 光电信号的生成和传输光电师需要了解光电信号的生成和传输机制,包括光信号的接收、放大、转换和传输等方面的知识。

第二部分:光电测量技术1. 光电测量系统光电测量系统是光电师工作中常用的设备,主要包括光电传感器、光谱仪、光电倍增管、光电二极管等。

2. 光电检测原理与方法光电师需要掌握各种光电检测原理与方法,包括光电传感、光谱分析、光电放大、光电转换等。

3. 光电测量技术的应用光电测量技术在工业控制、环境监测、医学诊断等领域有广泛的应用,光电师需要了解这些应用领域的特点和需求,以便更好地开展工作。

第三部分:光电器件与应用1. 光电器件的分类和特性光电器件包括光敏电阻、光电二极管、光电晶体管、光电倍增管等,光电师需要深入了解这些器件的分类、特性和工作原理。

2. 光电器件的应用光电器件在光通信、光学成像、光谱分析、光电传感等方面有广泛的应用,光电师需要了解这些应用领域的需求和技术要求。

3. 光电器件的研发和制造光电师需要了解光电器件的研发和制造流程,包括光电器件的设计、加工、测试和封装等方面的知识。

第四部分:光电系统集成与优化1. 光电系统集成技术光电系统集成技术是光电师工作中非常重要的技术,需要深入了解光电器件的选择、配置、连接、控制等方面的知识。

2. 光电系统优化技术光电系统优化技术是光电师工作中必不可少的技术,需要了解光电系统的性能、效率、稳定性等方面的优化方法。

光电基础知识培训共162页

光电基础知识培训共162页
光电基础知识培训
41、实际上,我们想要的不是针对犯 罪的法 律,而 是针对 疯狂的 法律。 ——马 克·吐温 42、法律的力量应当跟随着公民,就 像影子 跟随着 身体一 样。— —贝卡 利亚 43、法律和制度必须跟上人类思想进 步。— —杰弗 逊 44、人类受制于法律,法律受制于情 理。— —托·富 勒
4Hale Waihona Puke 、法律的制定是为了保证每一个人 自由发 挥自己 的才能 ,而不 是为了 束缚他 的才能 。—— 罗伯斯 庇尔
66、节制使快乐增加并使享受加强。 ——德 谟克利 特 67、今天应做的事没有做,明天再早也 是耽误 了。——裴斯 泰洛齐 68、决定一个人的一生,以及整个命运 的,只 是一瞬 之间。 ——歌 德 69、懒人无法享受休息之乐。——拉布 克 70、浪费时间是一桩大罪过。——卢梭

光电知识点总结

光电知识点总结

光电知识点总结光电技术是一门涉及光和电的交叉学科,主要研究光和电能量之间的相互转换和作用规律。

光电技术涉及到光电器件的设计、制造和应用,涵盖了光电转换、光电检测、光电调制等方面的内容。

光电技术已经成为现代科技发展的重要领域,在通讯、医疗、能源、环境等领域都有着广泛的应用。

一、光电效应1. 光电效应概述光电效应是指材料受到光照射后,发生电子的发射、传输或者输运现象的过程。

光电效应包括外光电效应和内光电效应两种。

外光电效应是指光照射在材料表面,引起材料表面电子的发射,产生光电流现象;内光电效应是指光照射在材料内部,通过光生载流子(电子-空穴对)的发生,从而产生光电流。

2. 外光电效应外光电效应是指光照射在金属或半导体表面时,引起金属或半导体表面电子的发射,产生光电流现象。

外光电效应是实现光电转换的关键过程,应用广泛。

3. 内光电效应内光电效应是指在光照射下,材料内部的电子-空穴对的产生和输运过程。

内光电效应是光电器件的工作原理,包括光电二极管、太阳能电池等。

二、光电器件1. 光电二极管光电二极管是一种能够将光信号转化为电信号的光电转换器件。

光电二极管分为光电探测二极管和光发射二极管两种。

光电探测二极管是将光信号转化为电信号的光电器件,主要应用于光通信、光电传感等领域。

光发射二极管是将电信号转化为光信号的光电器件,主要应用于光通信、显示屏等领域。

2. 光电场效应器件光电场效应器件是一种基于光电效应的半导体器件,主要包括光电场效应晶体管、光电场效应器件。

光电场效应器件主要应用于光电调制、光电开关等领域。

3. 太阳能电池太阳能电池是一种将太阳能转化为电能的光电转换器件,是目前能源领域的热门技术之一。

太阳能电池主要包括单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池等。

4. 光电晶体管光电晶体管是一种能够实现光电转换的半导体器件,是现代光电器件中最重要的一种。

光电晶体管主要应用于光电检测、光电调制、光电放大等领域。

光电项目知识点总结

光电项目知识点总结

光电项目知识点总结光电项目是指利用光电子技术,应用在各个领域中,如通信、能源、医疗、军事等。

光电领域的发展日新月异,新的技术不断涌现,因此对于从事光电项目的工程师和技术人员来说,了解光电项目的知识点显得十分重要。

本文将就光电项目的相关知识点进行总结,包括基础知识、光电器件、光电系统、光电材料、光电成像、光电测量、光电通信等方面,全面系统地介绍光电项目的知识点。

一、基础知识在进行光电项目的相关工作之前,需要了解一些基础知识。

这些基础知识包括光学基础知识、电子学基础知识、材料科学基础知识等。

只有掌握了这些基础知识,才能更好地理解和应用光电项目的技术。

1. 光学基础知识光学是研究光的传播、反射、折射、散射、干涉、衍射以及光和物质相互作用的一门学科。

光学的基础知识包括光的波动理论、光的几何光学、光的偏振、光的干涉和衍射等。

光学原理对于光电项目至关重要,因为很多光电器件和系统都是基于光学原理设计和制造的。

2. 电子学基础知识电子学是研究电子器件、电路和系统的学科。

在光电项目中,无论是光电器件还是光电系统,都离不开电子学的基础知识。

电子学的基础知识包括电子器件的工作原理、电路的设计与分析、电子系统的调试与维护等。

3. 材料科学基础知识材料科学是研究材料的结构、性能、制备和应用的学科。

在光电项目中,材料的选择和应用至关重要。

材料科学的基础知识包括材料的结构与性能、材料的制备与加工、材料的分析与测试等。

二、光电器件光电器件是将光能转化为电能或者将电能转化为光能的器件。

光电器件是光电项目中的核心部件,其种类繁多,包括光电二极管、光电晶体管、光电变换器等。

下面将介绍一些常见的光电器件。

1. 光电二极管光电二极管是一种能够将光信号转化为电信号的器件。

光电二极管的工作原理是利用光照射在PN结上产生光生载流子,从而改变PN结的导电特性,最终产生电信号。

光电二极管在光电通信、光电测量等领域有着广泛的应用。

2. 光电晶体管光电晶体管是一种能够将光信号放大的器件。

光电专业知识技能

光电专业知识技能

光电专业知识技能光电技术是一门研究光与电相互转换的学科,涉及光电器件、光电传感、光电信息处理等方面的知识和技能。

本文将从光电器件、光电传感和光电信息处理三个方面介绍光电专业的知识技能。

光电器件是光电技术的基础,它包括光电二极管、光电三极管、光电耦合器件等。

光电二极管是一种能将光信号转换为电信号的器件,它具有快速响应、高灵敏度、低噪声等特点。

光电三极管是一种能对光信号进行放大的器件,它可以将微弱的光信号放大为较大的电信号。

光电耦合器件是一种能将光信号与电信号进行隔离的器件,它可以将输入端的光信号转换为输出端的电信号,同时实现电路的隔离。

光电传感是光电技术的应用领域之一,它利用光电器件对光信号进行检测和测量。

光电传感器广泛应用于工业自动化、环境监测、医疗仪器等领域。

例如,光电开关是一种利用光电二极管或光电三极管对物体进行非接触式检测的传感器,它可以检测物体的存在、位置和运动状态。

光电编码器是一种利用光电耦合器件对物体进行位置和速度测量的传感器,它可以实现高精度的位置和速度反馈。

光电信息处理是光电技术的另一个重要方面,它利用光电器件对光信号进行处理和分析。

光电信息处理包括光电信号的放大、滤波、调制、解调等过程。

光电放大器是一种能对微弱的光信号进行放大的器件,它可以提高光信号的信噪比和灵敏度。

光电滤波器是一种能对光信号进行频率选择的器件,它可以滤除不需要的频率成分,提高信号的质量。

光电调制器和解调器是一种能对光信号进行调制和解调的器件,它可以实现光通信、光传感和光谱分析等应用。

在光电专业的学习中,不仅需要掌握光电器件的原理和性能,还需要具备实验设计和数据分析的能力。

光电实验是光电专业的重要环节,通过设计和实现不同的光电实验,可以加深对光电器件和光电传感的理解。

同时,对实验数据进行分析和处理,可以验证理论模型和算法的正确性,提高光电技术的应用能力。

总结起来,光电专业的知识技能包括光电器件、光电传感和光电信息处理。

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4、术语缩写
(1)气相外延(VPE,Vapor Phase Epitaxy);
(2)MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition,金属有机化合物化学气相沉积);
(3)低压金属有机物化学气相沉积(LPMOCVD)
(4)双气流金属有机物化学气相沉积(TFMOCVD)
表1-2.各种外延生长方法比较
外延工艺
特色
优势
劣势
主要应用
LPE
以熔融态的液态材料直接与基板接触而沉积晶膜
操,平整度控制差
传统LED
VPE
以气体或电浆材料传输至基板促进表面粒子凝结
外延生长速度快
外延膜厚度控制差,平整度控制差
传统LED
MOCVD
将有机金属以气态扩散到基板促使表面粒子凝结
7、LED发光原理
LED发光原理如图1-3所示。当外加足够高的电压V,且P型材料接正极,N型材料接负极时,电子和空穴将克服P-N结处的势垒,分别流向P区和N区,在P-N结处,电子和空穴相遇、复合、发光。
半导体发光材料的基础条件是半导体带隙宽度与可见光、红外、紫外光子能量相匹配。光子的能量与波长的关系为:λ(nm)=1239.5/hv(eV)
(六)稳定性
LED稳定性包括光通量、色度、色温、LED产品耐候性等多方面的,视照明环境要求而定。娱乐场所亮度和颜色处于变化当中,对稳定性要求不高。对于展览馆、阅览室、商业的照明产品稳定性要求较高。
(七)热阻(℃/W)
热阻是热量在热流路径上遇到的阻力,反映介质或介质间的传热能力的大小,表明1W热量所引起的温升大小。热阻是表针LED导热性能的重要参量之一,LED的发光效率随着温度升高而降低,关系到器件或灯具的寿命。LED的热阻可有热阻测试仪测得,1W功率LED的热阻值一般在10~20℃/W之间,较好的为3~5℃/W,随着优质导热材料的采用和器件热结构技术的提升,功率LED的热阻值有望继续减小。
ITO是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡,ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜,通常有两个性能指标:电阻率和透光率。
在氧化物导电膜中,以掺Sn的In2O3(ITO)膜的透过率最高和导电性能最好,而且容易在酸液中蚀刻出细微的图形,其中透光率达90%以上。
(9)HID就是High intensity Discharge高压气体放电灯的英文缩写,是汞、纳、金、氙灯的统称,即汞灯、钠灯、金卤灯、氙灯。
(15) PSS(Pattern Sapphire Substrate,蓝宝石图形衬底)
(16)ECFA,英文为Economic Cooperation Framework Agreement;海峡两岸经济合作框架协议
(17)SRP,等离子激元共振
(18)AC-LED( ),交流发光二极管;
(19)HV-LED(),高电压发光二极管;
较先进技术的设备是金属有机物化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD),可以方便地制造异质结、量子阱和超晶格结构。先进的MOCVD设备能够同时生长多片均匀材料,设备的精确过程控制是确保重复和灵活调节生产先进外延材料结构的必要条件。故设备必须具有对载气流量和反应剂压力的精密控制系统,并配备有快速的气体转换开关和压力平衡装置,以确保热场均匀、气流稳定,生长出来的外延片在厚度、组成、掺杂均匀。
(20)COB(Chip on Board),基板上芯片;
(21)MCPCB(Metal CorePrinted Circuit Board,MCPCB),是指金属基印刷电路板,即是将原有的印刷电路板附贴在另外一种热传导效果更好的金属上,可改善电路板层面的散热;
5、Haitz定律
安捷伦(LED领域领导厂商)的前任技术科学家Roland Haitz从1965年LED商业化至今的发展历程观察得出,LED的价格每10年将为原来的1/10,性能则提高20倍(年增长率为35%),这个规律被业界称为Haitz定律。
(10)DRL(Daytime Running Light),白天辅助灯;
(11)卤素灯(Halogen Lamp)
(12)光学引擎(light engine)
(13) MTBF,即平均无故障时间,英文全称是“Mean Time Between Failure;
(14) MTTR(mean time to restoration,平均恢复前时间);
1、光通量:单位时间辐射光能量的多少,单位流明(LM)。
2、LED发展背景
1879年爱迪生发明白炽灯,是第一代电光源的代表产品。
1911年美国发明家Peter Cooper Hewitt申请低压汞灯的专利,该灯是现今荧光灯的雏形。如今,荧光灯的光效达到65~100lm/w,荧光灯是第二代电光源。
1961年GE的Gilbert Reiling申请第一个金属卤化物灯专利,并在1964年的世博会展出。HID(High Intensity Discharge)被认为是第三代电光源。
图1-5. CIE1931年色度图
(五)寿命(万小时)
LED光源寿命通常取光通量下降到初始值的50%和70%的时间来定义,技术手册和标准一般以70%来定义LED寿命值。对于功率型LED,2007年的技术指标大于2万小时,2015年达到5万小时。一般来说,大于2万小时能够满足一般的应用,大于3万小时能够满足绝大部分的应用。
发光二极管LED(Light Emitting Diode)被认为是第四代电光源。
3、光照度:即通常所说得勒克司度(lux),表示被摄主体表面单位面积上受到的光通量。
1勒克司相当于1流明/平方米,即被摄主体每平方米的面积上,受距离一米、发光强度为1烛光的光源,垂直照射的光通量。光照度是衡量拍摄环境的一个重要指标。
1991
InGaN
双气流金属有机物化学气相沉积(TFMOCVD)
绿、蓝、紫外(525~385nm)
1993
20世纪90年代初由美国HP公司和日本Toshiba公司采用LPMOCVD技术研制成功的InGaAlP LED器件,由于发光效率高,颜色范围宽,受到广泛重视,发展迅速。通常采用GaAs作衬底,其后有人开发GaP透明衬底技术,使双异质结器件发光效率达到20lm/w,这使LED的发光效率超过白炽灯的15lm/w,后又提高到40lm/w,采用量子阱(QW)结构和倒装(TIP)结构技术,红、黄光LED可分别达到102lm/w和68lm/w。
图1-3. LED发光原理
1ev=1.6*10-19J;
8、LED材料生长工艺
大多数Ⅲ-Ⅴ族二元化合物半导体都能直接在熔体中生长单晶,再进行离子注入等技术形成P-N结,制成场效应管和双极型晶体管。以及同质结构的LED,但GaAs和GaP都在红外光谱区域。发射可见光谱的高性能异质结合量子阱LED的合金层的复杂结构难以用熔体生长单晶,高亮度LED材料只能用外延技术生长。较早生长GaAs1-xPx等材料是气相外延法(Vapor Phase Epitaxy,VPE),它是用Ⅲ族卤化物和Ⅴ族氢化物为原料,缺点是不够灵便,不能生长很薄的外延层和复杂的结构。另一种早期方法是液相外延(Liquid Phase Epitaxy,LPE),能够生长较高质量的LED材料,也能生长异质结,较早用于GaP和GaAlAs材料生长。
(5)金属有机源(Metal Organic)简称为MO源,是LED产业链的源头材料
(6)卤素灯(Halogen Lamp)
(7)NTSC彩色电视广播标准
(8)ITO是Indium Tin Oxides的缩写,纳米铟锡金属氧化物。铟锡氧化物通常喷涂在玻璃、塑料及电子显示屏上,用作透明导电薄膜,同时减少对人体有害的电子辐射及紫外、红外。
10、MO源
金属有机源(Metal Organic),是适于MOCVD技术应用的一类金属有机化合物,常被简称为MO源。高纯MO源是现代化合物半导体产业的支撑原材料,是LED产业链的源头材料。由于MO源产品要求纯度极高,而且绝大多数MO源对氧气、水汽极为敏感,遇空气可能发生自燃,遇水可发生爆炸,且毒性大,所以MO源的研制是极端条件下的合成制备、超纯纯化、分析、灌装等于一体的高新技术之一。
1993年日本日亚公司的中村修二采用双气流金属有机化学气相沉积技术(TFMOCVD),成功研制以蓝宝石为衬底的高亮度蓝光LED,不久又相继推出绿光、黄绿光LED。美国CREE公司采用SiC衬底的InGaN蓝光器件,由于其晶格失配小,为3.4%,热膨胀系数失配小为+25%,蓝宝石衬底分别为13.8%和-34%,且导热性能良好。2006年6月,小尺寸白光LED光效获得131lm/w。2008年12月,CREE 1W功率LED达到161lm/w。2010年2月,CREE白光LED,色温4579K光效达到208lm/w。德国Osram公司改进InGaAlP LED的出光效率,614nm的红光LED发光效率达到108lm/w。
外延生长纯度好
外延膜厚度控制佳,平整度控制佳
成本高
HB-LED
LD
……
9、LED的特征参数
(一)发光效率(lm/w)
发光效率是衡量电光源质量高低的重要参数之一。表1-4表示了传统光源与LED光源的典型特性和成本比较。
表1-4.传统电光源与LED光源的典型特性和成本比较
光源类型
规格
性能
寿命
(kh)
成本
($/klm)
光效(lm/w)
显色指数CRI
白炽灯
>100w
15
100
1
0.2
<40w
8
100
3
0.2
荧光灯
大功率
70~100
70~90
20
1~2
紧凑型
55~80
85
10
1~3
白光LED
2010年
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