太阳能电池刻蚀
晶体硅太阳能电池刻蚀工序工艺
CF4：无色无臭毒性气体。不燃,若遇高热,容器内压增大,有开裂和爆炸的危险。吸入后可引起头痛、恶心呕吐、快速窒息等。
HF：无色透明至淡黄色冒烟的液体,有刺激性气味,具有弱酸性。腐蚀性强,对牙、骨损害较严重,对皮肤有强烈的腐蚀性作用。
HCL：无色透明液体,为一种强酸,具有挥发性。眼和皮肤接触可致灼伤,长期接触可引起鼻炎、皮肤损害等。
抽气
进气
辉光
抽气
清洗
抽气
充气
60
120
600
30
20
50
60
首先,母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子。 其次,这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面,并在表面上发生化学反应 掺入O2,提高刻蚀速率 。
干法刻蚀工艺过程：
2、刻蚀的工艺设备、操作流程及常用化学品
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晶体硅太阳能电池刻蚀工序工艺
目录
1、刻蚀的作用及方法； 2、刻蚀的工艺设备、操作流程及常用化学品； 3、主要检测项目及标准； 4、常见问题及解决方法； 5、未来工艺的发展方向；
1、刻蚀的作用及方法
太阳电池生产流程：
清洗制绒
温度
常温
4℃
常温
20℃
常温
常温
常温
湿法刻蚀影响因素：带速、温度、槽液内各药液浓度、外围抽风、液面高度等。
2、刻蚀的工艺设备、操作流程及常用化学品
KUTLLER刻蚀设备特点： 先去PSG,后刻蚀。此种方法优点是避免了先刻蚀由于毛细作用,导致PECVD后出现白边。缺点是由于气相腐蚀的原因,在刻蚀后方阻会上升。
湿法刻蚀毕业论文
苏州市职业大学毕业设计（论文）说明书设计（论文）题目太阳能电池片湿刻蚀的应用系电子信息工程系专业班级08电气2姓名李华宁学号*********指导教师孙洪年月日太阳能电池片湿刻蚀的应用摘要湿刻就是湿法刻蚀，它是一种刻蚀方法，主要在较为平整的膜面上刻出绒面，从而增加光程，减少光的反射，刻蚀可用稀释的盐酸等。
湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。
它是一种纯化学刻蚀，具有优良的选择性，刻蚀完当前薄膜就会停止，而不会损坏下面一层其他材料的薄膜。
着重研究各种化学品的流量对电池片刻蚀深度的影响。
首先查看各种资料，掌握本课题相关的知识:通过对氢氟酸，硝酸，盐酸，氢氧化钠等化学品流量，温度，湿度等对太阳能电池片的影响。
通过技术软件分析，优化工艺参数，得到最优参数。
关键词：湿法刻蚀；腐蚀；流量；太阳能电池Solar cell wet etching applicationAbstractWet carved is wet etching, it is a kind of etching method, mainly in the relatively flat membrane surface, thereby increasing suede carving out process, reduce light light reflection, etching available dilute hydrochloric acid etc. Wet etching is will etching materials soaked in a mordant within the corrosion of technology. It is a kind of pure chemical etching, has excellent selectivity, etching the current film will cease, and won't damaged following a layer of film to other materials. Research on various chemicals to the flow the influence of battery piece etching depth. First check all kinds of material, grasps this topic relevant knowledge: by hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, sodium hydroxide etc chemicals flow, temperature, humidity and so on the influence of solar cell. Through technology software analysis, optimization of process parameters, obtain optimal parameters.Keyword:wet etching; Corrosion; Flow; Solar battery目录摘要 (1)目录 (3)第一章前言 (5)第二章湿法刻蚀及成长工艺 (8)2.1湿法刻蚀的基本过程 (8)2.2 主要的化学反应 (8)2.3 湿法刻蚀的生长工艺 (8)2.3.1湿法刻蚀的定义 (8)2.3.2 湿法刻蚀的原理 (8)第三章刻蚀的应用 (10)3.1 湿法刻蚀硅 (10)3.2 湿法刻蚀二氧化硅 (11)3.3 湿法刻蚀氮化硅 (11)3.4 湿法刻蚀铝 (12)3.5 图形生成的LIFT－OFF技术 (12)3.5.1 Lift-off的原理 (12)3.5.2 Lift-off的好处 (13)3.5.3 为lift-off而作的模板层 (13)3.5.4 lift-off工艺过程 (13)第四章刻蚀的重要参数 (15)4.1 刻蚀速率 (15)4.2 刻蚀剖面 (15)4.3 刻蚀偏差 (15)4.4 选择比 (15)4.5 均匀性 (16)4.6 残留物 (16)4.7 聚合物 (17)4.8 等离子体诱导损伤 (17)4.9 颗粒沾污 (17)第五章湿法刻蚀工艺技术 (18)5.1 简述 (18)5.2 湿法刻蚀 (18)5.3 湿法刻蚀的过程 (18)5.4 二氧化硅的湿法刻蚀 (18)5.4.1 影响腐蚀质量的因素 (19)5.5 硅的刻蚀 (19)第六章刻蚀技术新进展 (21)6.1 四甲基氢氧化铵(TMAH)湿法刻蚀 (21)6．2 软刻蚀 (21)6.3 终点检测 (22)6.3.1光学放射频谱分析 (22)6.3.2激光干涉测量 (22)6.3.3质谱分析法 (23)参考文献 (24)致谢 (25)第一章前言湿刻就是湿法刻蚀：是刻蚀的一种方法,其他的有干刻蚀，等离子刻蚀等。
太阳能电池-制绒湿法刻蚀质量问题及处理方法
制绒质量问题：1、水片；出现原因：硅片在设备内部过工艺时发生破碎，造成此道后继的硅片出现连片；解决方法：将带水的硅片取出，用纯水清洗干净，放在片盒中置于M07模组后面晾干，同时用干净的无尘布将出现水片的的滚轮与卸载机械手的皮带擦拭干净，防止后继干燥的硅片再次被滴落在设备上的水污染；将水片晾干后，M2循环泵停，再过一次氢氧化钾与M6槽；2、黄斑片出现原因：多孔硅没有去除干净，M4槽的液位低浸没不到硅片或者是M4槽的电导率低，或者氢氧化钾量不足造成解决方法：将出现问题的硅片卡下，检查设备有无问题，电导率与药液的浓度是否正确，同样不过氢氟酸与硝酸，只过氢氧化钾与M6槽3、亮片出现原因：出现亮片很多都是在做再利用时候出现，由于腐蚀量过多造成解决方法：将亮片卡下，作为不合格片上交二级库；4、做再利用时出现水片的处理方法在做再利用时出现水片，切忌不能在M2循环泵没关闭的情况下直接投入，否则会造成出现亮片5、腐蚀量不合格的硅片：（1）、腐蚀量低的硅片，上下表面可能会比较暗，感觉就像扩散后的硅片出现原因：M2槽内药液浓度低，带速过高，温度过低，液位不足等都有可能造成硅片腐蚀不足；解决方法：将出现问题的硅片卡下，上交二级库作为再利用片（2）、腐蚀量过高的硅片，可能会出现上下表面均有暗纹，并且暗纹很多；也有可能会出现发亮的硅片；出现原因：M2槽药液浓度过高，带速过低，温度过高造成腐蚀量过高解决方法：将出现问题的硅片卡下，上报跟班技术员；如果是硅片双面制绒，可能是氢氟酸含量过多造成；如果是发亮的硅片可能是硝酸浓度过高造成；6、白斑片，硅片表面有一块快的白斑出现原因：可能是M2槽后的风刀压力太大，将药液吹干成盐造成解决方法：调整风刀压力7、水点片，当硅片从M7出来后可能会带有一些小水滴在上面出现原因：M7的风刀没有将硅片吹干解决方法：停机，检查风刀是否给堵塞住造成；湿法刻蚀工序其实一段时间以来，出了不少工艺上的问题，主要体现在：●腐蚀量低；主要表现在：㈠维护完，新配药液，没有充分的激活，药液里面的NO2离子不足，解决方法：可以放一些碎片在药液槽内进行激活，也可以将一些NaNO2放入药液槽，增加药液的活性，直到腐蚀量达到工艺要求，抑或是手动去添加3-5L的HF 去解决腐蚀量低的问题，此种情况需要不断的去测试腐蚀量，直到腐蚀量稳定后，才能生产。
光伏电池---硅片的刻蚀..
3.3 酸洗槽
HF循环冲刷喷淋中和前道碱洗后残留在硅片表面
的碱液，去除硅片表面的磷硅玻璃，主要发生下列化 学反应：
HF+SiO2→ H2SiF6 + H2O
四、工艺常见问题以及解决方法
4.1、腐蚀深度：工艺控制在1.2±0.2μm
检测仪器：电子称 腐蚀深度是表征片子刻通与否的一个重要参数，通 过测量刻蚀前后片子减薄量，可以计算出腐蚀深度，根 据具体测量情况可以改变工艺参数:
自动补液 调整自动补液的周期以及自动补液量（HF
HNO3），补液周期越短，补液量越大，腐蚀深度越大， 反之。 手动补液 可以手动添加化学品（HF HNO3 DI水），一 般在腐蚀深度偏差较大时进行手动补液，一般在换液初
期和槽体寿命快到时。
4.2、刻蚀线：可能出现过刻或刻蚀不足的情况，一般不超
槽体温度 原则上温度控制在8度，一般上下浮动1-2度，调整梯度为0.5-1 度，温度升高腐蚀深度增加，反之。温度可以作为刻蚀速率的调节手段， 但是这是最后的手段。由于温度较高的情况下，刻蚀溶液在刻蚀槽时会不 稳定，所以一般不宜长时间超过10度，当前我们的补液能保证刻蚀速率不 下降，所以我们无需调高刻蚀溶液的温度。 滚轴速度 原则上带速控制在1.0-1.5m/min，调整梯度式0.1-0.2 m/min， 速度越快，腐蚀深度越小，反之。
注意：扩散面须向上放置， H2SO4硫酸不参与反应， 仅仅是增加氢离子浓度，加快反应，增加溶液黏度 （增大溶液与PSG薄层间的界面张力）和溶液密度， 使硅片很好的浮于反应液上（仅上边缘2mm左右和下 表面与液体接触）。
3.2 碱洗槽
KOH喷淋中和前道刻蚀后残留在硅片表面的酸液，
去除硅片表面的多孔硅及其杂质，去除扩散形成的染 色，KOH溶液依靠冷却水降温保持在20℃左右，主要 发生下列化学反应： Si+2KOH+H2O = K2SiO3+2H2↑
光伏电池---硅片的刻蚀
边缘刻蚀原理反应方程式： 3Si + 4HNO3+18HF =3H2 [SiF6] + 4NO2 ↑ + 8H2O
6
LOREM IPSUM DOLOR
2.2 去PSG原理：
SiO2+4HF=SiF4+2H2O SiF4+2HF=H2[SiF6] SiO2+ 6HF=H2[SiF6]+2H2O 去PSG工序检验方法： 当硅片从HF槽出来时，观察其表面是否脱水，如果脱水， 则表明磷硅玻璃已去除干净；如果表面还沾有水珠，则表明源自 完成安排的其他工作
工程师：
关注当天的效率、碎片率、良品率等参数、化学品用量，对于出现的外观不良、漏电或是 效率低下等异常，及时联系其余工序的工程师进行排查。
确定工艺方案与工艺控制参数（腐蚀量、刻蚀线宽），药液使用寿命以及设备维护周期， 上报主管工程师。 对于日常工作中，根据需要，与其他职能部门（如设备、生产等部门）进行沟通，共同寻 找解决问题的方案。 对于助理工程师汇报的异常情况，视情况到场解决或是电话给出解决方案，若不能解决的， 及时通知工艺主管。 定期进行刻蚀参数优化实验或是安排刻蚀异常时的排查实验，根据实验结果提出改进措施。 负责编写刻蚀工段的工艺文件、作业指导书，并组织相关人员进行学习。
作为工艺人员在生产过程中，如果发现机器碎片，
一方面应该提醒产线员工注意放片规范，减少叠片和歪 片；另一方面，应巡查上述主要地方，及时找到并清理 在设备中残留的碎片，杜绝更多碎片的产生。
4.4 吹不干 调整吹干气体流量，无效果，通知设备。
当班过程中，检查生产人员的无尘服穿戴、
上下片操作手法以及工艺卫生状况是否符合要求，
太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测
太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测——表面制绒——扩散制结——去磷硅玻璃——等离子刻蚀——镀减反射膜——丝网印刷——快速烧结等。
具体介绍如下：一、硅片检测硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。
该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。
该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。
其中，光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数；微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹；另外还有两个检测模组，其中一个在线测试模组主要测试硅片体电阻率和硅片类型，另一个模块用于检测硅片的少子寿命。
在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。
硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。
二、表面制绒单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。
由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。
硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。
大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。
为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。
制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。
经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。
三、扩散制结太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。
管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。
光伏电池刻蚀原理
光伏电池刻蚀原理
光伏电池是一种利用光能转化为电能的装置，其核心部件就是光伏电池片。
而光伏电池片的制作过程中，刻蚀技术起着至关重要的作用。
那么，光伏电池刻蚀是如何进行的呢？下面就让我们来揭开刻蚀的神秘面纱。
刻蚀技术是通过化学反应来去除光伏电池片表面一定厚度的材料，以达到制作所需结构的目的。
在光伏电池片的制作过程中，刻蚀主要分为湿法刻蚀和干法刻蚀两种方式。
湿法刻蚀是指通过溶液中的化学反应来去除电池片表面的材料。
在湿法刻蚀过程中，首先需要选择合适的刻蚀液，常见的有盐酸、氢氟酸等。
然后，将待刻蚀的电池片浸泡在刻蚀液中，使其表面受到刻蚀。
不同的刻蚀液对应不同的刻蚀速率，因此需要根据需要调整刻蚀时间，以控制刻蚀深度。
干法刻蚀则是利用气体或等离子体来去除电池片表面的材料。
在干法刻蚀过程中，首先需要将电池片置于刻蚀室中，然后通过加热或施加高频电场等方式激活刻蚀气体，使其与电池片表面发生反应。
刻蚀气体会将电池片表面的材料剥离，并排出刻蚀室外。
通过刻蚀技术，可以实现对光伏电池片表面形貌的精确控制，从而提高光伏电池的光吸收能力和转换效率。
刻蚀可以去除电池片表面的微结构缺陷，使其表面更加光滑。
同时，刻蚀还可以调节电池片的厚度，以达到最佳的光吸收效果。
总的来说，光伏电池刻蚀是一项重要的制造技术，通过刻蚀可以改善光伏电池片的光吸收能力和转换效率。
无论是湿法刻蚀还是干法刻蚀，都需要精确控制刻蚀参数，以实现最佳的刻蚀效果。
随着技术的不断发展，相信光伏电池的制造技术也会越来越先进，为人类提供更多清洁能源。
太阳能电池片生产流程解析
太阳能电池片生产流程解析一、概念太阳能电池：就是将太阳能转化为电能的半导体器件。
二、工艺流程太阳能电池工艺流程：清洗制绒→扩散→刻蚀→去PSG→ PECVD→丝网印刷→烧结→测试分档→分选→包装（一）、制绒和清洗硅片表面处理的目的：去除硅片表面的机械损伤层，清除表面油污和金属杂质，形成起伏不平的绒面，增加硅片对太阳光的吸收效率。
绒面腐蚀原理：利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶体取向上具有不同腐蚀速率的各向异性腐蚀特性，在硅片表面腐蚀形成角锥体密布的表面形貌，就称为表面织构化。
角锥体四面全是由〈111〉面包围形成，反应式为：Si+2NaOH+H2O →NaSiO3+2H2↑制备绒面的目的：减少光的反射率，提高短路电流（Isc），最终提高电池的光电转换效率。
陷光原理：当光入射到一定角度的斜面，光会反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，从而增加吸收率。
影响绒面质量的关键因素：1.NaOH浓度 2.异丙醇浓度 3.制绒槽内硅酸钠的累计量 4. 制绒腐蚀的温度 5.制绒腐蚀时间的长短 6.槽体密封程度7.异丙醇的挥发程度化学清洗原理HF去除硅片表面氧化层：SiO2 + 6HF → H2[SiF6] + 2H2OHCl去除硅片表面金属杂质：盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与Pt2+、Au3+、 Ag+、Cu+、Cd2+、Hg2+等金属离子形成可溶于水的络合物。
★注意事项NaOH、HCl、HF都是强腐蚀性的化学药品，其固体颗粒、溶液、蒸汽会伤害到人的皮肤、眼睛、呼吸道，所以操作人员要按照规定穿戴防护服、防护面具、防护眼镜、长袖胶皮手套。
一旦有化学试剂伤害了员工的身体，马上用纯水冲洗30分钟，送医院就医。
（二）、扩散太阳电池制造的核心工序——PN结（太阳电池的心脏）扩散的目的：形成PN结太阳能电池磷扩散方法1.三氯氧磷（POCl3）液态源扩散2.喷涂磷酸水溶液后链式扩散3.丝网印刷磷浆料后链式扩散，现大多采用的是第一种方法。
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2、湿法刻蚀原理
通过化学反应，由滚轮的携带药液在硅片非绒面刻蚀，经过一次硅片180 ° 的旋转从而形成一个刻痕，将所处位置的PN结刻断，以达到正面与背面绝缘 的目的，同时进行选择性的刻蚀将扩散深的PN结变成一定深度的浅PN结，最 后经过HF酸槽去除扩散工序产生的磷硅玻璃层。
大致的腐蚀机制是HNO3氧化生成SiO2，HF再去除SiO2。下面为化学反应式：
PSG的影响
1、磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中表面容易受潮，导致 电流的降低和功率的衰减。
2、死层的存在大大增加了发射区电子的复合，会导致少子 寿命的降低，进而降低了Voc和Isc。
（二）刻蚀的制作方法：
目前晶体硅太阳能电池一般采用干法和湿法两种刻蚀方法。
1、干法刻蚀原理
干法刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或 游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应， 形成挥发性生成物而被去除。它的优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好 的物理形貌（这是各向同性反应）。
去PSG顾名思义就是去除扩散工 序产生的磷硅玻璃层。反映方程 式如下：
SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O
印
烧
刷
结
N型
电 池
组件生产线
P型 扩散后硅片P的分布
什么是PSG
意为含有P、P2O5的二氧化硅，由于在扩散过程中干氧 的通入，在硅片表面形成一层二氧化硅，在高温下POCL3与 O2形成P2O5后，部分P原子进入Si取代部分晶格上的Si原子 形成N型层，部分则留在了SiO2中形成PSG
DIwater
HF DIwater
去PSG、 疏水
烘干 硅片
常温 25℃、 常温 38℃ 22℃
（三）设备工作及工艺原理
M1：硅片首先经过1#模组的水流，水流将绒面覆盖，方才 进入2#模组，目的是防止酸腐蚀绒面；
M2：通过化学反应，由滚轮的携带药液在硅片非绒面刻蚀， 经过一次硅片180 °的旋转从而形成边缘刻痕，将所处位 置的PN结刻断，以达到正面与背面绝缘的目的；
四、常见问题及解决方法 （一）设备常见问题及解决方法
1、台达的常见问题及解决方法
问题点
台达卸载不吸片子 叠片的处理
可赛不能进入台达设备
解决方法
有碎片遮住传感器，及时清理传感器处的 碎片。如果不能恢复，重新启动台达卸载 设备。
及时在装载处拿出叠片，如果发现时叠片 已进入SCHMID设备，制绒叠片以原来绒 面为准重新制绒；刻蚀叠片暂留本区，待 二次制绒。
进水口堵塞导致，停止生产，立即 保设备 找设备更换，其他同M5 Reset复位，复位无效，报告设备 处理 关闭blower 3，达到设定温度后在 打开
（二）工艺常见问题及解决方法
问题点
片子有细小滚轮印
模组气体报警 SCHMID重新启动后刻蚀深度较低
扩散面为非制绒面
解决方法
M8模组的温度过低，片子不干。可相 应的调节热风和冷风泵的功率，使模 组内温度达到38℃左右。注意上热风 的功率总是大于下热风的功率。
槽体布局及工艺：
上片
操作方向 带速1.58m/min
上料 水流 刻蚀 水槽 碱槽 水槽 去 水槽 吹干 下料
台达 槽 槽
PSG
台达
槽
槽号 溶液 作用
温度
2#槽 3#槽 4#槽 5#槽
DIwater
常温
HF、 DIHNO3 water
刻蚀、 背面 抛光
14℃ 常温
KOH
去多 孔硅
25℃
6#槽 7#槽 8#槽 9#槽
（水在张力的作用下吸附在硅片表面）
3Si+4HNO3+18HF 3H2SiF6+4NO+8H2O
3Si+4HNO3 SiO2+4HF SiF4+2HF
3SiO2+4NO+2H2O SiF4+2H2O H2SiF6
二、刻蚀的工艺设备、操作流程及常用化学品
（一）刻蚀的工艺设备：
SCHMID刻蚀机
（二）湿法刻蚀的流程及常用化学药品
太阳能电池生产 之
刻蚀&去PSG
目录
刻蚀的作用及方法 刻蚀的工艺设备、操作流程及常用化学品 主要检测项目及标准 常见问题及解决方法 操作规范
一、刻蚀的作用及方法 （一）太阳电池生产流程：
硅
制扩
片
绒散
硅片生产线
刻
去
PEC
蚀
PSG
VD
电池生产线
刻蚀作为太阳能电池生产中的 第三道工序其主要作用就是 去除扩散后硅片四周的N型硅， 防止漏电。
重新放置可赛，注意位置不要偏斜；如果 可赛还是不能正常进入设备，重新启动台 达设备；如果可赛还是不能正常工作，可 能是可赛已将变形，需及时通知设备人员 修理以防止影响生产。（平时工作时注意 拿可赛的方式，需两手扣住可赛两端的小 孔，轻拿轻放，避免可赛螺丝松动和支杆 变形。不用的可赛及时放入氮气柜或平放 在小车上。）
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问题点
解决方法
可赛的放置方向
刻蚀卸载处的可赛均是白色方块 向下放置，刻蚀装载处的可赛是 白色方块向上放置。
皮带问题：台达自动断电、吸盘 (装载，原因分别为吸嘴破裂、线
失灵
路老化及松动)等报告设备修理。
传送带进片子歪
传送带将硅片送进可赛后会发现 有时可赛中的第50片是歪片，是 机器系统问题，需将电脑重新启 动即可。
350±100m³/h ＜5000ml每次，酌情 处理
调试方法
深度低减速；深度高加 速
深度低加温度；深度高 降低温度
不会变
深度低加大泵的功率； 深度高降低泵的功率
一般不调试
深度低加大补液量；深 度低加大补液量
三、主要检测项目及标准
1、新换药液后需等到槽温实际值到设定值时方可进行投 产（如药液温度，M8烘干温度，液面高度，电导率等）即 电脑屏幕显示正常的绿色时。
2、批量投产前需先投入测试片，以观察实际腐蚀深度。 当工艺稳定后每两小时进行一次腐蚀量测试，具体测量方 式如下：
先利用电子天平称量一片腐蚀前的重量，将此重量填 写在工序腐蚀深度记录表中，同时记录好日期、班次、称 重时间、传送速度，然后投入腐蚀槽运行工艺。刻蚀后取 出此称重片再称量腐蚀后硅片的重量，填入表格，利用电 子表格的公式直接求出腐蚀深度值。注：前后两次称量前 都要将电子天平置于零，且称量中要关好天平两侧的小门。
按下气体报警器的reset键，然后按下 SCHMID设备的消除键，报警解除
开机之前对M2模组手动加入一定比例 的酸液，然后在酸槽内加入适量的激 活片，20分钟后可开机测试刻蚀深度， 也可同时降低传送片子的速度、升高 温度来帮助提高刻蚀深度，待刻蚀深 度正常后再调节参数至正常范围。
以扩散面为准进行刻蚀
M3：电导率的高低是根据预警范围 进行调试的，达到正常为止，一般在 20ms为正常。 M6：电导率的调试和制绒M6的相似， 加减酸或加减Dl-water。
如出现20分钟以上的设备维修或空跑 需要停机或关闭M2的泵。否则挥发性
情况
的酸会通过排风排走，从而影响刻蚀
深度。
五、操作规范
可塞要轻拿轻放，并平整的放在推车上
M3：清洗； M4：通过KOH溶液去除硅片表面的多孔硅，并将从刻蚀模
组中携带的未冲洗干净的酸除去；
M5：清洗； M601：利用HF将硅片正面的磷硅玻璃层去除； M602：抛光硅片下表面，使能与铝背场形成好的欧姆接触； M7：清洗；
M8：烘干，它是通过两台空气压缩泵，通过两次过滤
（粗过滤、细过滤），最终送到两组风刀中对硅片进行烘 干，空气最终温度可达到40度，它的工作原理是一个物理 变化过程，就是气体分子之间的距离由小变大的过程，也 就是一个散热的过程；
刻蚀装载处的可塞是白色方块向上放置，刻蚀卸 载处的可塞均是白色方块向下放置
手插片时要换干净的PVC手套，以免弄脏硅片
白色晶体，有强烈的腐蚀 性，有吸水性，可用作干 燥剂，溶于水同时放出大 量的热量
处理方法
少量接触立即用水清洗 若大量接触先擦拭干净后 用大量水冲洗
同上
同上
（五）影响工艺的因素及调试方法
影响因素 带速
温度
药液配比 液面高度
排风 补液量
控制4-26mm
SCHMID M3、M5、M7模组水流 过滤嘴阻塞，报告设备人员对其清
量过低
理即可
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问题点 泵流量低
chiller故障 刻蚀机M7海绵轮吸不净水 感应器报警 开机后M8温度过低报警
解决方法
此时要停进硅片，待机器中硅片全 部出来后，停机，钥匙转到维修模 式，将滤芯取出清洗干净。再装回 去，钥匙转回来，开机测试合格后 开始生产。
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问题点
异常停机中滞留的片子
刻蚀后片子有水痕印
刻蚀机M3、M6的电导率异常
解决方法
制绒中具有双面滚轮印的片子作废片 处理，具有单面滚轮印的片子以好面 为基础重新制绒；刻蚀中具有双面滚 轮印的片子作废片处理，具有单面滚 轮印的片子以无滚轮印面为下表面二 次制绒。
加大M1水膜的覆盖，同时观察M2模 组内的液面是不是过高，还有就是存 在氮气柜的片子时间是否太长，如时 间较长的话就会出现此情况
2、SCHMID常见问题及解决方法
问题点 刻蚀旋转台处碎片的处理
解决方法
刻蚀旋转台处的碎片会卡住旋转台 或是挡住旋转台处的传感器，从而 引起大量叠片，需立即停止进片子， 打开窗口，带上防酸手套取出叠片， 对旋转台处的碎片进行清理。
刻蚀机M1水流异常
如是水流量低可用工具将流水孔通 一通，或将阀门开大，如无效或无 水流情况直接报告设备处理。
M9：检测出片
（四）常用化学品的物理化学性质