半导体器件 专利撰写
半导体器件[发明专利]
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专利名称：半导体器件
专利类型：发明专利
发明人：不公告发明人
申请号：CN201811051364.7申请日：20180910
公开号：CN110890421A
公开日：
20200317
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供了一种半导体器件，衬底中形成有定义出有源区的沟槽隔离结构，所述衬底上形成有栅电极，所述栅电极位于所述有源区上并延伸至所述沟槽隔离结构，所述栅电极在所述有源区及所述沟槽隔离结构的交界处具有凸出部，以使所述栅电极在所述交界处的横向宽度尺寸大于所述栅电极位于所述有源区中心区域上的横向宽度尺寸，进而增加了所述交界处的沟道区域的长度，降低了导通电流，能够抑制沟槽隔离结构俘获电子所带来的效应，从而提升器件的性能，且所述凸出部的横向宽度尺寸从所述交界处往所述有源区中心的方向逐渐减小，在增加所述交界处的沟道区域的长度的同时，导通电流不至于下降的太多，从而对器件的导通性能影响较小。
申请人：长鑫存储技术有限公司
地址：230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：智云
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半导体器件[发明专利]
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专利名称：半导体器件
专利类型：发明专利
发明人：渡边厚司,多良胜司,日高贤一申请号：CN200410055996.2
申请日：20040804
公开号：CN1581484A
公开日：
20050216
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种小型半导体器件，成本低，具有高集成度，且抑制由金线的寄生电感分量造成的电路的插入损耗的增加和隔离特性的下降。
半导体器件包括：对开关电路半导体芯片(111)的高频信号处理进行控制的控制用半导体芯片(110)；搭载在控制用半导体芯片(110)上，对高频信号进行处理的开关电路半导体芯片(111)；搭载了控制用半导体芯片(110)的基板(410)；作为与外部的接口的外部端子(113)；将控制用半导体芯片(110)、开关电路半导体芯片(111)和外部端子(113)之间连接的金线(210)；以及形成于控制用半导体芯片(110)上和基板(410)内部，用于对高频信号进行处理的MIM电容器(120、430)。
申请人：松下电器产业株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：永新专利商标代理有限公司
代理人：胡建新
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半导体器件[发明专利]
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专利名称：半导体器件
专利类型：发明专利
发明人：佐野聪明,石井智之,龟代典史,峰利之申请号：CN200610108919.8
申请日：20060728
公开号：CN1933178A
公开日：
20070321
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种半导体器件，在增益单元结构的存储单元中，能实现稳定的读出动作。
本发明的半导体器件包括写入晶体管(Qw)，其具有：形成在绝缘层(6)上的源极(2)和漏极(3)；沟道(4)，由半导体构成，形成在绝缘层(6)上、并形成在源极(2)和漏极(3)之间；以及栅极(1)，形成在绝缘层(6)的上部、并形成在源极(2)和漏极(3)之间，与沟道(4)隔着栅极绝缘膜(5)而电绝缘，并控制沟道(4)的电位。
沟道(4)在源极(2)和漏极(3)的侧面将源极(2)和漏极(3)电连接。
申请人：株式会社瑞萨科技
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市金杜律师事务所
代理人：季向冈
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半导体器件[发明专利]
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专利名称：半导体器件专利类型：发明专利
发明人：芦田勉
申请号：CN99125004.4申请日：19991030
公开号：CN1253380A 公开日：
20000517
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：形成交错嵌入不同导电型的N沟道晶体管A与P沟道晶体管B的存储器单元。
通过共用N沟道晶体管A的沟道部分与P沟道晶体管B的P型漏区7a,同时共用P沟道晶体管B的沟道部分与N沟道晶体管A的N型源区5b,进行高集成化。
使相邻的P型漏区7a和N型源区5b的接合部位经常保持反向偏置,隔离P型漏区7a和N型源区5b。
由此,可使晶体管的各元件间的隔离区最小,可提供实现小型化和高集成化的半导体器件。
申请人：夏普公司
地址：日本大阪市
国籍：JP
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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半导体器件[发明专利]
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专利名称：半导体器件
专利类型：发明专利
发明人：宇野友彰,女屋佳隆,加藤浩一,工藤良太郎,七种耕治申请号：CN201210308191.9
申请日：20120824
公开号：CN102956619A
公开日：
20130306
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明的实施例涉及半导体器件。
在可靠性上改进一种半导体器件。
在一个半导体芯片中形成用于切换的功率MOSFET以及面积比功率MOSFET更小的、用于感测功率MOSFET中流动的电流的感测MOSFET。
在芯片装配部分之上装配并且在树脂中密封半导体芯片。
金属板键合到用于输出功率MOSFET中流动的电流的第一源极焊盘和第二源极焊盘。
用于感测功率MOSFET的源极电压的第三源极焊盘在未与金属板重叠的位置。
在形成第三焊盘的源极接线与形成第一焊盘和第二焊盘的另一源极接线之间的耦合部分在与金属板重叠的位置。
申请人：瑞萨电子株式会社
地址：日本神奈川县
国籍：JP
代理机构：北京市金杜律师事务所
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半导体器件[发明专利]
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专利名称：半导体器件专利类型：发明专利
发明人：芦田勉
申请号：CN96107654.2申请日：19960607
公开号：CN1156335A 公开日：
19970806
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种半导体器件，它包括：一个具有一个半导体衬底、在其一个表面上形成的一层绝缘膜、一层场氧化膜及各个压焊区的半导体芯片；分别形成于各个压焊区上的凸点；键合到该半导体芯片上的内引线；在各压焊区与该半导体芯片边缘之间的凹槽内形成的一个金属互连层；以及分别在每个压焊区与该金属互连层之间和该金属互连层与芯片边缘之间形成的一对虚设电极。
申请人：夏普公司
地址：日本大阪市
国籍：JP
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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半导体器件[发明专利]
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专利名称：半导体器件
专利类型：发明专利
发明人：池田昌弘
申请号：CN201410442827.8申请日：20140902
公开号：CN104425619A
公开日：
20150318
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明涉及一种半导体器件，包括具有掩埋栅电极的微制造晶体管。
在该半导体器件中，栅电极形成在衬底上，在与器件形成区的第一边平行的方向上延伸。
栅电极跨器件形成区定位。
多个掩埋栅电极掩埋在衬底的器件形成区中，并且在平面图上，栅电极与它们部分重叠。
掩埋栅电极相对于器件形成区的第一边倾斜地延伸并且彼此平行。
在各个掩埋栅电极中，与第一边相对的第一端部和与器件形成区的第二端部相对的第二端部都平行于第一边。
申请人：瑞萨电子株式会社
地址：日本神奈川县
国籍：JP
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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半导体器件[发明专利]
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专利名称：半导体器件
专利类型：发明专利
发明人：芳村淳,小牟田直幸,沼田英夫申请号：CN200510070829.X
申请日：20050519
公开号：CN1700467A
公开日：
20051123
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种半导体器件，其特征在于，具备：具有电极部的基板；第1半导体元件，具有通过第1键合引线连接在所述电极部上的第1电极焊盘，并且粘接在所述基板上；以及第2半导体元件，具有通过第2键合引线连接在所述电极部上的第2电极焊盘，并且用由同一材料形成且弹性率不同的2层结构的粘接剂层粘接到所述第1半导体元件上。
申请人：株式会社东芝
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市中咨律师事务所
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半导体器件专利撰写
半导体器件专利撰写。
半导体器件是当今电子行业中不可或缺的一部分，它们广泛应用于电子设备、通信、计算机、医疗器械等领域。
为了保护创新和技术成果，许多公司和个人都会申请半导体器件的专利。
专利撰写是确保专利申请成功的关键环节，下面我们将介绍一些撰写半导体器件专利的要点。
首先，专利申请人需要清晰地描述其发明的技术特点和创新之处。
在撰写专利申请时，需要提供详细的技术描述，包括器件的结构、材料、工艺等方面的信息。
此外，还需要说明该技术与现有技术的区别和优势，以及其在实际应用中的作用和效果。
其次，专利申请人需要对其发明进行充分的技术分析和实施方案的阐述。
这包括对发明的原理和工作机制进行详细的描述，以及对实施该技术所需的具体步骤和条件进行说明。
此外，还需要提供相关的实验数据和结果，以验证该技术的可行性和优越性。
最后，专利申请人需要注意专利申请的语言和格式。
专利文件
通常需要使用特定的术语和格式，以确保其符合专利法律的要求。
此外，还需要确保专利文件的语言准确清晰，避免歧义和误解。
总之，撰写半导体器件专利需要对技术细节有深入的理解和把握，同时还需要遵循专利法律的规定和要求。
只有在专利申请的撰写过程中做到充分准备和严谨细致，才能提高专利申请的成功率，保护自己的创新成果。